JPS6197831A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPS6197831A
JPS6197831A JP59217309A JP21730984A JPS6197831A JP S6197831 A JPS6197831 A JP S6197831A JP 59217309 A JP59217309 A JP 59217309A JP 21730984 A JP21730984 A JP 21730984A JP S6197831 A JPS6197831 A JP S6197831A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
laser
exposure
light source
pulsed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59217309A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinkichi Deguchi
出口 信吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59217309A priority Critical patent/JPS6197831A/ja
Publication of JPS6197831A publication Critical patent/JPS6197831A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、マスクまたはレチクル等の原板上に形成され
たパターン像をウェハの様な担体上に転写するための露
光装置に関し、特に、エキシマレーザの様なパルス状レ
ーザ光源を用いて露光を行なう装置に関する。
[従来の技術] 近年、I C,LS I、VLS I等の半導体装置に
おいて、微細パターンを形成する要求が高まり、その為
に波長領fiiE200〜330 [nm]+7)ディ
ープUV領域の光を用いた光学系によるリソグラフィー
が開発されている。その場合、光源としては超高圧水銀
灯またはキセノン水銀ランプが用いられることが多いが
、光源の指向性がないことと、その輝度が必らずしも十
分でないことから、その光源を半導体焼付装置に用いる
と露光時間が長くなり、そのスルーブツトを悪くする傾
向があった。
最近では短波長領域のレーザ光を射出するレーザの開発
が進んでおり、上記のようなディープUV領域の波長を
有する高輝度のレーザ光を半導体焼付装置に用いること
が可能になってきている。
[発明が解決しようとする問題点] しかし、エキシマレーザ等のパルス状発振されたレーザ
光を半導体焼付装置に用いた場合、発光がパルス状であ
るために露光量制御が難しいという不都合があった。ま
た、発光がパルス状であるために、ミラープロジェクシ
ョンアライナのようにスキャン露光する装置では露光む
らが出てしまうという欠点があった。
本発明は、露光装置において、上述従来例の欠点、即ち
露光用光源がパルス状発振されたレーザである場合、露
光量制御が難しく、かつスキャン露光装置で露光むらが
生じるという欠点を除去するためにパルス光を連続光化
することを目的とする。
[問題点を解決するための手段および作用]前記した目
的を達成するために本発明では、複数台のレーザ光源を
用い、各レーザ光源をタイミングをずらして発光させる
とともにこれらのレーザ光源からの光束を重ね合せてい
る。
第2図は、1台の光源からパルス状に発振されたレーザ
の発光の様子を示した図で、この光源は1秒毎にΔを秒
間だけ強度Iの光aを発する。ここで、発振周期Tは光
源たるレーザ発振器の励起タイミングを制御することに
より制御可能である。
また、光強度Iおよび有効発光時間Δtは光源を構成す
るレーザチューブの特性、レーザ媒質ガスの特性、回路
定数およびN8!電圧等によって定まる。
第3図は、複数台の光源から発振されたパルス状のレー
ザ光を合成して連続光を実現した図である。本発明を第
3図について説明すると、先ず、1台の光源からパルス
状のレーザ光aを発光させる。次に、他の1台の光源か
らΔを秒だけ遅らせた光すを発振させ、前の光aと合成
させる。そして更にΔを秒だけ遅らせて別の光源から光
Cを発振させて前の光すと合成させる。以下同様にして
一般的にはn=T/Δt(台)のレーザ用光源を順次Δ
を秒ずつ遅らせて発光させることによって強度Iをもっ
た連続光dを得ることかできる。
[寅施例] 第1図は、本発明の一実施例に係る半導体焼付装置の概
略の構成を示す。同図の装置は、ミラー光学系またはレ
ンズ光学系からなりマスクまたはレチクル等を具える従
来のものと同様の投影光学系1、パルス状光源としての
レーザ発振器2,3゜4、回転可動のミラー5、レーザ
発振器2,3゜4の発光タイミングを制御するとともに
ミラー5の回転角とレーザ発振器2.3.4の発光タイ
ミングとを同期させるための制御装置6を具備している
上記構成において、制御装置6は、レーザ発振器2.3
.4をそれぞれΔを秒ずつずれたタイミングでパルス状
に発振させ、第3図に示す様に、周期が1秒、時間幅が
Δを秒、そして強度が1の光a、b、cをそれぞれΔを
秒ずつずらして発光させる。制御装置6は、さらに、各
レーザ発振器2.3.4から発せられた光を投影光学系
1に入射させる様に、ミラー5の回転角を各レーザ発振
器2,3.4からの光に同期させる。こうすれば投影光
学系1には、光a、b、cが合成された第3図のdの様
な連続光が入射される。投影光学系1においては、この
連続光を従来の超高圧水銀灯やキセノン水銀ランプから
の連続光と同様に扱い、例えばシャッタ手段等により露
光時間の制御を行ない、あるいは、スキャン露光装置に
おいてはスキャン速度を変化して露光量制御を行なう。
[発明の効果コ 以上説明したように本発明によると、露光装置において
、複数台のレーザ発振器を用い、各レーザ発振器を時間
をずらせて発振させて異なるタイミングで発光される複
数のパルス状レーザ光を合成することにより連続光を実
現させるようにしたため、露光光が連続光となり、スキ
ャン露光装置の露光量むらを除去することができる。ま
た、露光光が従来の超高圧水銀灯やキセノン水銀ランプ
と同じ連続光となるため、露光量制御も現在ある技術に
より容易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る半導体焼付装置の概
略の構成図、 第2図は、1台のパルス状レーザ光源により発振させた
レーザ光の発光特性を示すグラフ、第3図は複数台のパ
ルス状レーザ光源によりタイミングをずらして発振させ
たレーザ光を重ね合せて連続光化したときの発光特性を
示すグラフである。 1:投影光学系、2.3.4:レーザ発振器、5:ミラ
ー、6:制御装置、a、b、c:レーザ発振器1台当り
のパルス状レーザ光、d:パルス状レーザ光a、b、c
を合成して得られる連続光。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、パルス状レーザ光源からの照射光により原板上のパ
    ターン像を担体上に転写する露光装置であつて、上記パ
    ルス状レーザ光源を複数個設けるとともに、各レーザ光
    源を時間をずらせて発振させ、これらの各レーザ光源か
    らの光束を重ね合せることにより、上記照射光を連続化
    することを特徴とする露光装置。
JP59217309A 1984-10-18 1984-10-18 露光装置 Pending JPS6197831A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59217309A JPS6197831A (ja) 1984-10-18 1984-10-18 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59217309A JPS6197831A (ja) 1984-10-18 1984-10-18 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6197831A true JPS6197831A (ja) 1986-05-16

Family

ID=16702130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59217309A Pending JPS6197831A (ja) 1984-10-18 1984-10-18 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6197831A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0779558A3 (ja) * 1995-12-12 1997-10-08 Nippon Kogaku Kk
US7128423B2 (en) 2002-05-24 2006-10-31 Olympus Corporation Illumination apparatus, and image capturing apparatus and projector apparatus using this illumination apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0779558A3 (ja) * 1995-12-12 1997-10-08 Nippon Kogaku Kk
US5880817A (en) * 1995-12-12 1999-03-09 Nikon Corporation Projection-exposure apparatus and method exhibiting reduced solarization and radiation compaction
US7128423B2 (en) 2002-05-24 2006-10-31 Olympus Corporation Illumination apparatus, and image capturing apparatus and projector apparatus using this illumination apparatus
US7322705B2 (en) 2002-05-24 2008-01-29 Olympus Corporation Illumination apparatus, and image capturing apparatus and projector apparatus using this illumination apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5475491A (en) Exposure apparatus
US6238852B1 (en) Maskless lithography system and method with doubled throughput
US5091744A (en) Illumination optical system
JP5079587B2 (ja) 対象上にグレースケールを形成する方法およびマスクレスリソグラフィシステム
JPH06510397A (ja) フィールドの狭い走査器
JPH0614508B2 (ja) ステップアンドリピート露光方法
JPH06349701A (ja) 露光装置
JPH01220825A (ja) 露光装置、及び露光方法
CN111512233B (zh) 图案描绘装置
JP2004355006A (ja) 対象上にグレースケールパターンを形成するためのマスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィの間に対象上にグレースケールパターンを形成するための方法
JP2004356636A (ja) 照明システム及び照明システムを有するマスクレスリソグラフィシステム
US20080059096A1 (en) Electromagnetic Radiation Pulse Timing Control
JPS61212816A (ja) 照明装置
JPH03208387A (ja) レーザ光の高調波発生装置及び露光装置
US4964720A (en) Exposure apparatus
JPS6197831A (ja) 露光装置
JPH01114035A (ja) 露光装置
JP2001255661A (ja) パルス光パターン書込み装置
JP3452057B2 (ja) レーザ光の高調波発生装置、及びそれを用いた露光装置、並びにレーザ光の高調波発生方法、及びそれを用いた露光方法、それを用いたデバイス製造方法
JPH0666246B2 (ja) 照明光学系
JPS6197830A (ja) 露光装置
JPS61279822A (ja) 照明光学系
JP2606797B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた照明方法
JPS60168133A (ja) 照明光学装置
JP2894922B2 (ja) 投影露光方法および装置