JPS6197830A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPS6197830A
JPS6197830A JP59217308A JP21730884A JPS6197830A JP S6197830 A JPS6197830 A JP S6197830A JP 59217308 A JP59217308 A JP 59217308A JP 21730884 A JP21730884 A JP 21730884A JP S6197830 A JPS6197830 A JP S6197830A
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JP
Japan
Prior art keywords
light source
light emission
exposure
time
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP59217308A
Other languages
English (en)
Inventor
Isamu Shimoda
下田　勇
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6197830A publication Critical patent/JPS6197830A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野ｊ 本発明は、マスクやレチクルのような原板のパターン像
を半導体ウェハのような担体に転写する露光装置に関し
、特にＩＣ，ＬＳ１．超ＬＳＩ等の半導体回路素子製造
用の投影焼付￥ＡＩとして特にマスクまたはレチクルの
一部又は全体の像をウェハ上に形成する結像光学系を使
用し、マスクまたはレチクル、ウェハを一体として又は
これ等の一方だけを該結像光学系に対して相対的に移動
させ、ウェハ上にマスクまたはレチクルの像を投影する
露光装置に関する。
［発明の背景］ 露光装置において、マスクまたはレチクルの像をウェハ
上に再現性良く形成するには露光エネルギーを一定に保
持する必要がある。
従来は、光源の輝度を一定に保持する定輝度光源を用い
ることにより、露光エネルギのｔｉ）Ｊ’ｌ！Ｊを行な
っていた。
ところが、最近、より工暉度の光源としてエキシマレー
ザのようなパルス発光型の光源が用いられるようになっ
た。しかし、従来のパルス発光型光源例えばストロボ等
に対する露光エネルギ制御の方式は応答性、正確さの何
れの面においても満足できるものではなかった。
［発明の目的〕 本発明は、上記従来例の欠点を除去し、パルス発光型の
光源を用いた場合にも感光担体に一定の露光エネルギを
与え、原板の像を再現性良く担体上に形成できるように
することを目的とする。
［発明の構成］ 本発明は、パルス発光型光源を用いた露光装置において
、該光源の発光間隔又は発光時間又は各発光回当りの発
光強度を調節することより露光エネルギの制御を行なう
ものである。
［発明の実施例コ 第１図は、本発明の１実施例に係る露光装置の構成を示
す。同図の装置は、露光光源及び各装置を制御する制御
装置７１、スイッチング機能を有するサイラトロン７２
、パルス点灯型光源であるエキシマレーザ７３、マスク
７４、投影光学系７５、ウェハ７６、位置合せ信号検出
回路１７、コンデンサＣＩ。
Ｃ２、コイルし、抵抗Ｒ等を有する。
第１図の装置において、マスク７４とウェハ７６の位置
合せが完了すると制御装置７１によってサイラトロン７
２がオンとされ、エキシマレーザ７３はコンデンサＣ１
，Ｃ２とコイルＬの共成回路より高圧が印加されて点灯
し露光が行なわれる。この場合、制御装置７１に適切な
指令値を与えることにより、以下に述べるように露光エ
ネルギの制御が行なわれる。
第２図は、第１図の装置における露光エネルギの制ａＢ
様を示すものである。第２図において、■は露光時間、
【は１回のパルス発光時間、ＥＯは１回のパルス発光に
おける発光強度を表す。第１図から明らかなように【及
びＥＯは高圧Ｎ＃ｉ＋ＨＶの電圧、コイルＬのインダク
タンス、Ｃ１゜Ｃ２の容量により決まる一定の値である
。従って、第２図（ａ）の場合における総露光エネルギ
は同図（ｂ）の場合におけるそれの３倍となることは明
らかである。このように、第１図の装置においては総露
光エネルギは制即装Ｗ１７１に与えられる指令に応じて
発光間隔を調部することにより任意に制御できる。
［実施例の変形例］ 上記実施例においてはパルス発光の間隔を可変としたが
、本発明はこれに限らず例えば発光間隔を一定に保って
露光時間Ｔを可変としても、その効果は同一である。
また、第１図における高圧電源＋ＨＶの電圧、コイルＬ
のインダクタンスコンデンサＣＩ　、　Ｃ２の容量を可
変として発光時間【又は各発光回における露光強度ＥＯ
を変化させてもその効果は同一である。
さらに、上記実施例において、制ｍ＋装置７１に対する
指令値をウェハ面照度に応じて調節することによりクロ
ーズトループ制御系を構成できることも明らかである。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、パルス発光型の
光源を用いた場合にも露光エネルギの制御を適確に行な
うことが可能になり、原板の像を再現性良く担体上に形
成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１実施例に係る露光装置の構成を示す
ブロック図、そして第２図は第１図の装置における露光
エネルギの制御の様子を示す説明図である。 ７１：制御装置、７２：サイラトロン、７３：エキシマ
レーザ、７４：マスク、７５：投影光、１６：ウェハ、
７７：位置合せ信号検出ＨＩｉ！、ＣＩ　、　Ｃ２：コ
ンデンサ、Ｌ：コイル、Ｒ：抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、原板上のパターン像を担体上に転写するための露光
    装置であつて、光源としてパルス発光型光源を用いかつ
    該光源の発光間隔または発光時間または各発光回当りの
    発光強度を調節することにより露光エネルギの制御を行
    なうことを特徴とする露光装置。 ２、前記光源がエキシマレーザ光源である特許請求の範
    囲第１項記載の露光装置。
JP59217308A 1984-10-18 1984-10-18 露光装置 Pending JPS6197830A (ja)

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