JPS6197832A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS6197832A JPS6197832A JP59220013A JP22001384A JPS6197832A JP S6197832 A JPS6197832 A JP S6197832A JP 59220013 A JP59220013 A JP 59220013A JP 22001384 A JP22001384 A JP 22001384A JP S6197832 A JPS6197832 A JP S6197832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- total reflection
- soft
- reflection plate
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＸ線露光装置に関するものである。
従来の構成とその問題点
従来、半導体集積回路の製造には光露光が用いられてい
たが、素子の微細化に伴い光の干渉１回折効果による解
像度の低下が問題になってきた。
たが、素子の微細化に伴い光の干渉１回折効果による解
像度の低下が問題になってきた。
そこで、電子ビームやＸ線露光方法が開発された。
しかし、電子ビームでは、ウェハの直接描画法が用いら
れているため、露光時間がかかり経済性が悪い。これに
対して波長数人〜数十人の軟Ｘ線による方法では電子ビ
ームを用いる場合より安価でスループットが高い。従来
の軟Ｘ線露光は第１図に示すように、電子銃１から出た
電子ビーム２をターゲット３に当てて軟Ｘ線４を発生さ
せる。軟Ｘ線は軟Ｘ線透過層と吸収層からなるマスク６
に入射し、透過した軟Ｘ線は半導体基板６上の感光層７
を感光し、パターンを転写していた。この方法では第２
図に示すようにターゲット３と半導体基板６との距離り
、マスク６と半導体基板６との間隔ｇ、半導体基板６の
直径をｄ、電子ビームの直径をＳとすると、半導体基板
端部での「ずれ」Δは、Δ＝ｄｇ／２Ｄとなり「ぼけ」
δは、δ＝ｇｓ／Ｄとなる。すなわち、Δ、δはともに
マスク６と半導体基板６との間隔ｇに比例して変動する
ため、基板の「そり」や「ゆがみ」が大きく影響する。
れているため、露光時間がかかり経済性が悪い。これに
対して波長数人〜数十人の軟Ｘ線による方法では電子ビ
ームを用いる場合より安価でスループットが高い。従来
の軟Ｘ線露光は第１図に示すように、電子銃１から出た
電子ビーム２をターゲット３に当てて軟Ｘ線４を発生さ
せる。軟Ｘ線は軟Ｘ線透過層と吸収層からなるマスク６
に入射し、透過した軟Ｘ線は半導体基板６上の感光層７
を感光し、パターンを転写していた。この方法では第２
図に示すようにターゲット３と半導体基板６との距離り
、マスク６と半導体基板６との間隔ｇ、半導体基板６の
直径をｄ、電子ビームの直径をＳとすると、半導体基板
端部での「ずれ」Δは、Δ＝ｄｇ／２Ｄとなり「ぼけ」
δは、δ＝ｇｓ／Ｄとなる。すなわち、Δ、δはともに
マスク６と半導体基板６との間隔ｇに比例して変動する
ため、基板の「そり」や「ゆがみ」が大きく影響する。
よってＸ線の一括露光では「ずれ」と「ぼけ」の両者を
小さくすることが困難である。
小さくすることが困難である。
これに対して放射の中心付近の軟Ｘ線を用いて小領域露
光を繰り返し行うことで、「ずれ」を小さくすることが
提案されているが、この方法では端部の「ずれ」は小さ
くなるが、ぼけを小さくすることができない。また軟Ｘ
線の中心部を使うため、一つの光源に対して一枚の基板
処理しかできずスループットが低くなる欠点がある。
光を繰り返し行うことで、「ずれ」を小さくすることが
提案されているが、この方法では端部の「ずれ」は小さ
くなるが、ぼけを小さくすることができない。また軟Ｘ
線の中心部を使うため、一つの光源に対して一枚の基板
処理しかできずスループットが低くなる欠点がある。
発明の目的
本発明は、この問題を解決するものであシ、本発明の目
的は軟Ｘ線の全反射を利用してスループットが高く「ず
れ」および「ぼけ」の小さい繰り返し転写を可能とする
Ｘ線露光装置である。
的は軟Ｘ線の全反射を利用してスループットが高く「ず
れ」および「ぼけ」の小さい繰り返し転写を可能とする
Ｘ線露光装置である。
発明の構成
本発明は、ターゲットから放射されるＸ線ビーム中に、
露光面積を決めるＸ線反射体を前記Ｘ線ビームが全反射
される角度に設置し、全反射された前記ｘＨビームを利
用して等倍の露光を行うことを特徴とするＸ線露光装置
であり、これにより、平行性のよいＸ線ビームを広範囲
に実現することができ、これを利用して、多数基板の露
光処理が同時的に実行できる。
露光面積を決めるＸ線反射体を前記Ｘ線ビームが全反射
される角度に設置し、全反射された前記ｘＨビームを利
用して等倍の露光を行うことを特徴とするＸ線露光装置
であり、これにより、平行性のよいＸ線ビームを広範囲
に実現することができ、これを利用して、多数基板の露
光処理が同時的に実行できる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。第３図は装置の断面図である。
説明する。第３図は装置の断面図である。
電子銃８から出た電子ビーム９はビームのスポット径１
０４ｆｆ７ｆｆ、ｍでターゲット１１に照射し、波長８
．３４人の軟Ｘ線１２が発生する。電子ビームは加速電
圧３０ＫＶビ一ム電流４人である。軟Ｘ線はビームスポ
ット断面の左端１３から右端１４の間から垂直方向に対
して４．２８°の角度１５内に発１す払
よ 発生した軟Ｘ線の一部は全反射１６の面内に入射される
と共に、他のものは円盤状の吸収板１７で吸収される。
０４ｆｆ７ｆｆ、ｍでターゲット１１に照射し、波長８
．３４人の軟Ｘ線１２が発生する。電子ビームは加速電
圧３０ＫＶビ一ム電流４人である。軟Ｘ線はビームスポ
ット断面の左端１３から右端１４の間から垂直方向に対
して４．２８°の角度１５内に発１す払
よ 発生した軟Ｘ線の一部は全反射１６の面内に入射される
と共に、他のものは円盤状の吸収板１７で吸収される。
全反射板１６は幅２ＣＩＲ，長さ５゜１のステンレス板
上に１μｍの金をコートしたものを用いた。吸収板１７
は半径１５朋のステ／レス円盤上に、１μｍの金をコー
トしたものを用いた。全反射板１６は電子ビームスポッ
トの右端１４から出た軟Ｘ線に対して全反射角１８にな
るようにターゲットから３０ｍ下方に設置する。すなわ
ち金の全反射角は０．５５°であるから全反射板１６は
垂直方向に対して３．７３°の角度１９になるよう設置
した。よって全反射板１６に入射する全軟Ｘ線の入射角
は０．５５°以下になるため入射したＸ線は全て反射さ
れる。ここで第４図に各各の金属について軟Ｘ線に対す
る全反射角のグラフを示す。これよシ、全反射板１６に
は全以外のＸ線反射体を用いることができる。全反射板
１６の上端２Ｑで全反射された軟Ｘ線は垂直方向に対し
て３．１８°の角度２１を持ってマスク２２に入射する
。また、全反射板１６上の各々の位置での反射光は全反
射板１ｅの下端２３での全反射光は垂直方向に対して３
．５３°の角度２４だけ広がる。
上に１μｍの金をコートしたものを用いた。吸収板１７
は半径１５朋のステ／レス円盤上に、１μｍの金をコー
トしたものを用いた。全反射板１６は電子ビームスポッ
トの右端１４から出た軟Ｘ線に対して全反射角１８にな
るようにターゲットから３０ｍ下方に設置する。すなわ
ち金の全反射角は０．５５°であるから全反射板１６は
垂直方向に対して３．７３°の角度１９になるよう設置
した。よって全反射板１６に入射する全軟Ｘ線の入射角
は０．５５°以下になるため入射したＸ線は全て反射さ
れる。ここで第４図に各各の金属について軟Ｘ線に対す
る全反射角のグラフを示す。これよシ、全反射板１６に
は全以外のＸ線反射体を用いることができる。全反射板
１６の上端２Ｑで全反射された軟Ｘ線は垂直方向に対し
て３．１８°の角度２１を持ってマスク２２に入射する
。また、全反射板１６上の各々の位置での反射光は全反
射板１ｅの下端２３での全反射光は垂直方向に対して３
．５３°の角度２４だけ広がる。
このように全反射による軟Ｘ線は外側にだけ広がるため
、マスクに照射した軟”Ｈによる「ぼけ」は生じず、マ
スク端部での「ずれ」だけが生じる。
、マスクに照射した軟”Ｈによる「ぼけ」は生じず、マ
スク端部での「ずれ」だけが生じる。
全反射板１６の下端２３で全反射した軟Ｘ線による「ず
れ」が最大となるが、本実験条件で、一括露光？行った
場合の「ずれ」は０６３８μｍであるのに対して、本方
法では０．３１μｍになる。また、この時の露光面積は
全反射板の幅と長さで決まり、さらに、ターゲットから
の軟Ｘ線放出角によって決まる。本実験では、２０励×
６騎の４光面積を持つ。この露光面積を使って、下の基
板全移動させ繰り返し露光を行う。また露光領域は全反
射板の数だけ増やすことができるため一光源で複数の領
域を露光できる。
れ」が最大となるが、本実験条件で、一括露光？行った
場合の「ずれ」は０６３８μｍであるのに対して、本方
法では０．３１μｍになる。また、この時の露光面積は
全反射板の幅と長さで決まり、さらに、ターゲットから
の軟Ｘ線放出角によって決まる。本実験では、２０励×
６騎の４光面積を持つ。この露光面積を使って、下の基
板全移動させ繰り返し露光を行う。また露光領域は全反
射板の数だけ増やすことができるため一光源で複数の領
域を露光できる。
発明の効果
以上に詳述したように本発明はターゲットから放射され
るＸ線ビーム中に露光面積を決める誘電体の板をＸ線ビ
ームが全反射される角度に設置し全反射されたＸ線ビー
ムを利用して等倍の繰り返し露光を行うことを特徴とす
るＸ線露光装置であって本発明を用いることによってス
ループットが高く「ぼけ」のない「ずれ」が小さいＸ線
露光ができる。
るＸ線ビーム中に露光面積を決める誘電体の板をＸ線ビ
ームが全反射される角度に設置し全反射されたＸ線ビー
ムを利用して等倍の繰り返し露光を行うことを特徴とす
るＸ線露光装置であって本発明を用いることによってス
ループットが高く「ぼけ」のない「ずれ」が小さいＸ線
露光ができる。
第１図は従来のＸ線露光装置の概要配置図、第２図はＸ
線露光による「ずれ」と「ぼけ」を説明する要素配置図
、第３図は本発明の詳細な説明するＸ線露光装置配置断
面図、第４図は金属の原子量と軟Ｘ線に対する全反射角
の関係を示すグラフである。 １・・・・・・電子銃、２・・・・・・電子ビーム、３
・・・・・・ターゲット、４・・・・・・軟Ｘ線、５・
・・・・・マスク、６・・・・・・半導体基板、７・・
・・・・感光層、８・・・・・・電子銃、９・・・・・
・電子げ−ム、１０・・・・・・スポット径、１１・・
・・・・ターゲット、１２・・・・・・軟Ｘ線、１３・
・・・・・ビームスポット左端％１４・・・・・・ビー
ムスポット右端、１６・・・・・・４．２８°の角度、
１６・・・・・・全反射板、１７・・・・・・吸収板、
１８・・・・・・全反射角、１９・・・・・・３，７３
°の角度、２０・・・・・・全反射板上端、２１・・・
・・・３．１８°の角度。 ２２・・・・・・マスク、２３・・・・・・全反射板下
端、２４・・・・・・３．６３°の角度。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 第４図 屑、と！
線露光による「ずれ」と「ぼけ」を説明する要素配置図
、第３図は本発明の詳細な説明するＸ線露光装置配置断
面図、第４図は金属の原子量と軟Ｘ線に対する全反射角
の関係を示すグラフである。 １・・・・・・電子銃、２・・・・・・電子ビーム、３
・・・・・・ターゲット、４・・・・・・軟Ｘ線、５・
・・・・・マスク、６・・・・・・半導体基板、７・・
・・・・感光層、８・・・・・・電子銃、９・・・・・
・電子げ−ム、１０・・・・・・スポット径、１１・・
・・・・ターゲット、１２・・・・・・軟Ｘ線、１３・
・・・・・ビームスポット左端％１４・・・・・・ビー
ムスポット右端、１６・・・・・・４．２８°の角度、
１６・・・・・・全反射板、１７・・・・・・吸収板、
１８・・・・・・全反射角、１９・・・・・・３，７３
°の角度、２０・・・・・・全反射板上端、２１・・・
・・・３．１８°の角度。 ２２・・・・・・マスク、２３・・・・・・全反射板下
端、２４・・・・・・３．６３°の角度。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 第４図 屑、と！
Claims (1)
- ターゲットから放射されるＸ線ビーム中に、露光面積
を決めるＸ線反射体を前記Ｘ線ビームが全反射される角
度に設置し、全反射された前記Ｘ線ビームを利用して等
倍の露光を行うことを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220013A JPS6197832A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220013A JPS6197832A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197832A true JPS6197832A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16744561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59220013A Pending JPS6197832A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197832A (ja) |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP59220013A patent/JPS6197832A/ja active Pending
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