JPS6140983B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6140983B2 JPS6140983B2 JP11883985A JP11883985A JPS6140983B2 JP S6140983 B2 JPS6140983 B2 JP S6140983B2 JP 11883985 A JP11883985 A JP 11883985A JP 11883985 A JP11883985 A JP 11883985A JP S6140983 B2 JPS6140983 B2 JP S6140983B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- exposed
- sample
- exposure
- wafer
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスクパターンの転写方法に関する。
マスクパターンの転写技術は、半導体分野にお
いては半導体ウエーハ表面へ微細パターンを形成
するための重要な技術である。
いては半導体ウエーハ表面へ微細パターンを形成
するための重要な技術である。
しかしながら、従来のマスクパターンの転写方
法では、マスクの製作に多大の時間を要し、かつ
微細パターンの転写が極めて困難であるという欠
点があつた。
法では、マスクの製作に多大の時間を要し、かつ
微細パターンの転写が極めて困難であるという欠
点があつた。
たとえば、従来のシンクロトロンによるＸ線露
光の場合、第１図に示すように、電子１における
その軌道１′の接線から放射されるＸ線２は、角
度ａ及びｂの広がりをもつたものとなり、その場
合、被露光試料であるウエーハ３とマスク４を一
体として広がり角の小さな方向に走査させて露光
を行なうのが通例である。
光の場合、第１図に示すように、電子１における
その軌道１′の接線から放射されるＸ線２は、角
度ａ及びｂの広がりをもつたものとなり、その場
合、被露光試料であるウエーハ３とマスク４を一
体として広がり角の小さな方向に走査させて露光
を行なうのが通例である。
したがつて、この種の方法では、ウエーハ３と
マスク４を同じ大きさにとらねばならず、Ｘ線露
光用マスクを大きくすることは微細パターンのも
のを電子ビームによつて製作しているので、製作
時間を多く必要とすること並びにウエーハ３及び
マスク４の不規則な変形にともなう不均一性があ
り、均一な露光を行なうのに困難を生ずる。
マスク４を同じ大きさにとらねばならず、Ｘ線露
光用マスクを大きくすることは微細パターンのも
のを電子ビームによつて製作しているので、製作
時間を多く必要とすること並びにウエーハ３及び
マスク４の不規則な変形にともなう不均一性があ
り、均一な露光を行なうのに困難を生ずる。
それゆえ、本発明の目的は、マスクの製作時間
が短縮でき、しかも不均一露光のない均一な露光
が行なえる新規な転写方法を提供することにあ
る。
が短縮でき、しかも不均一露光のない均一な露光
が行なえる新規な転写方法を提供することにあ
る。
このような目的に適うために本発明は、被露光
試料の一部分にマスクパターンが転写されるよう
なマスクを前記試料の露光面に配置し、被露光試
料に対して移動させることにより被露光試料の露
光すべき全面にマスクにおけるマスクパターンを
転写することを特徴とするマスクパターンの転写
方法とするもので、特に被露光試料及びマスクを
露光源を中心とした球面上に沿つて湾曲させてな
るものとするものである。
試料の一部分にマスクパターンが転写されるよう
なマスクを前記試料の露光面に配置し、被露光試
料に対して移動させることにより被露光試料の露
光すべき全面にマスクにおけるマスクパターンを
転写することを特徴とするマスクパターンの転写
方法とするもので、特に被露光試料及びマスクを
露光源を中心とした球面上に沿つて湾曲させてな
るものとするものである。
以下、本発明の好適な実施例により本発明を具
体的に詳述する。
体的に詳述する。
第２図は、本発明の一実施例であるマスクパタ
ーンの転写方法を説明するための図で、Ｘ線照射
方式は第１図に図示したものと同じく、シンクロ
トロンにより加速された電子１から放射されるＸ
線２の照射により行なうものである。マスク５は
Ｘ線２の照射角ａ及びｂに合わせてＸ線２の照度
が比較的均一な範囲のものであつて、それに照合
していわゆる長方形の形をしたマスクとしてい
る。
ーンの転写方法を説明するための図で、Ｘ線照射
方式は第１図に図示したものと同じく、シンクロ
トロンにより加速された電子１から放射されるＸ
線２の照射により行なうものである。マスク５は
Ｘ線２の照射角ａ及びｂに合わせてＸ線２の照度
が比較的均一な範囲のものであつて、それに照合
していわゆる長方形の形をしたマスクとしてい
る。
ウエーハ３は上記マスク５から３μから数十μ
離したいわゆるプロキシミテイ方式として設置す
る。この場合、マスク５は固定し、ウエーハ３を
マスク５の短寸法方向にステツプアンドリピート
方式という段階方式で送ることによりマスクパタ
ーンをウエーハ３上に転写するとができる。この
場合、マスク５及びウエーハ３は、Ｘ線の広がり
角に合わせて湾曲させる方がパターン精度を上げ
る上で望ましい。この様にウエーハ３と同寸法の
一体化されたマスクとは異なり、分割されたマス
クを製作することにより電子ビーム露光による微
細パターンマスクの描画製作時間は短縮され、か
つ第１図に示すような従来のものと比較して転写
時間に差はなく、分割転写によりウエーハ微細歪
での精度低下防止に役立てることができる。
離したいわゆるプロキシミテイ方式として設置す
る。この場合、マスク５は固定し、ウエーハ３を
マスク５の短寸法方向にステツプアンドリピート
方式という段階方式で送ることによりマスクパタ
ーンをウエーハ３上に転写するとができる。この
場合、マスク５及びウエーハ３は、Ｘ線の広がり
角に合わせて湾曲させる方がパターン精度を上げ
る上で望ましい。この様にウエーハ３と同寸法の
一体化されたマスクとは異なり、分割されたマス
クを製作することにより電子ビーム露光による微
細パターンマスクの描画製作時間は短縮され、か
つ第１図に示すような従来のものと比較して転写
時間に差はなく、分割転写によりウエーハ微細歪
での精度低下防止に役立てることができる。
すなわち、本発明に係るものは、Ｘ線露光にお
いてシンクロトロンから放射されるＸ線を用いて
Ｘ線露光用マスクを通して被露光試料に微細パタ
ーンを転写する場合、被露光試料の一部をＸ線照
射広がり角内で露光を行ない、該露光を段階的に
一方向に移動させることにより被露光試料全面を
露光する事を特徴とするマスクパターンの転写方
法であり、またこの種のものにおいて、少なくと
も被露光試料表面を、又、望ましくは、Ｘ線露光
用マスクも照射されるＸ線の広がり角に合わせて
該照射面が湾曲することを特徴とするものであ
る。
いてシンクロトロンから放射されるＸ線を用いて
Ｘ線露光用マスクを通して被露光試料に微細パタ
ーンを転写する場合、被露光試料の一部をＸ線照
射広がり角内で露光を行ない、該露光を段階的に
一方向に移動させることにより被露光試料全面を
露光する事を特徴とするマスクパターンの転写方
法であり、またこの種のものにおいて、少なくと
も被露光試料表面を、又、望ましくは、Ｘ線露光
用マスクも照射されるＸ線の広がり角に合わせて
該照射面が湾曲することを特徴とするものであ
る。
ウエーハ及びマスクを湾曲させて設置すること
は、第３図に図示するように、一般の点光源から
Ｘ線が放射されるようなＸ線露光によるマスクパ
ターンの転写方法にも適用でき、均一な露光を行
なうことができる。同図において、６は電子鏡
（陰極）、７はターゲツト（陽極）、８はＸ線、９
はマスク、１０は被露光試料の一部である半導体
ウエーハで１１はレジストである。
は、第３図に図示するように、一般の点光源から
Ｘ線が放射されるようなＸ線露光によるマスクパ
ターンの転写方法にも適用でき、均一な露光を行
なうことができる。同図において、６は電子鏡
（陰極）、７はターゲツト（陽極）、８はＸ線、９
はマスク、１０は被露光試料の一部である半導体
ウエーハで１１はレジストである。
また、本発明はＸ線転写装置としても装置化で
き新規でかつ有効なものである。すなわち、この
種のものとして、少なくとも被露光試料表面をま
た望ましくはＸ線露光用マスクも照射されるＸ線
の広がりの円周に沿つて移動させるような機構を
具備した態様のものがある。これは、ウエーハ及
びマスクをステツプ送りする場合、Ｘ線の広がり
の円周に沿つて移動させることも露光精度の向上
につながるという考えにもとづくものである。
き新規でかつ有効なものである。すなわち、この
種のものとして、少なくとも被露光試料表面をま
た望ましくはＸ線露光用マスクも照射されるＸ線
の広がりの円周に沿つて移動させるような機構を
具備した態様のものがある。これは、ウエーハ及
びマスクをステツプ送りする場合、Ｘ線の広がり
の円周に沿つて移動させることも露光精度の向上
につながるという考えにもとづくものである。
本発明は、Ｘ線に限らず、転写線として電子ビ
ーム、紫外線等を用いたマスクパターンの転写方
法に広く適用できるものである。
ーム、紫外線等を用いたマスクパターンの転写方
法に広く適用できるものである。
上述したように本発明は、被露光試料の大きさ
に比し小さなマスクパターンを用いて試料の露光
すべき全面にそのマスクパターンを複数転写する
ものであるため、マスクパターンの小さなマスク
で十分である。そのため、マスクの製作時間が従
来のものに比し極めて短縮できることより、マス
クの製造コストは大幅に低減できる。
に比し小さなマスクパターンを用いて試料の露光
すべき全面にそのマスクパターンを複数転写する
ものであるため、マスクパターンの小さなマスク
で十分である。そのため、マスクの製作時間が従
来のものに比し極めて短縮できることより、マス
クの製造コストは大幅に低減できる。
また、本発明は、上述したようなマスクを使用
すること及びウエーハ（被露光試料）のソリや曲
りなどが転写に直接関与しないため、転写精度の
高いものである。
すること及びウエーハ（被露光試料）のソリや曲
りなどが転写に直接関与しないため、転写精度の
高いものである。
第１図は、シンクロトロンを用いたＸ線露光に
よるマスクパターンの従来の転写方法を説明する
ための概略図、第２図は本発明の一実施例である
マスクパターンの転写方法を説明するための概略
図、第３図は本発明の他の実施例であるマスクパ
ターンの転写方法を説明するための概略図であ
る。 １……電子、１′……電子軌導、２，８……Ｘ
線、３……ウエーハ（被露光試料）、４……従来
のマスク、５，９……本発明に係るマスク、６…
…電子鏡（陰極）、７……ターゲツト（陽極）、１
０……被露光試料の一部である半導体ウエーハ、
１１……被露光試料の一部であるレジスト。
よるマスクパターンの従来の転写方法を説明する
ための概略図、第２図は本発明の一実施例である
マスクパターンの転写方法を説明するための概略
図、第３図は本発明の他の実施例であるマスクパ
ターンの転写方法を説明するための概略図であ
る。 １……電子、１′……電子軌導、２，８……Ｘ
線、３……ウエーハ（被露光試料）、４……従来
のマスク、５，９……本発明に係るマスク、６…
…電子鏡（陰極）、７……ターゲツト（陽極）、１
０……被露光試料の一部である半導体ウエーハ、
１１……被露光試料の一部であるレジスト。
Claims (1)
- １ ほぼ放射状に進行するＸ線により被露光板状
物に対向し配置されたマスク上のパターンを前記
被露光板状物に転写するためのマスク・パターン
の転写方法において、前記マスク又は前記被露光
板状物の少なくとも一方を湾曲させた状態で露光
するようにしたマスク・パターンの転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118839A JPS6122344A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | マスクパタ−ンの転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118839A JPS6122344A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | マスクパタ−ンの転写方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14116078A Division JPS5568623A (en) | 1978-11-17 | 1978-11-17 | Transferring device for mask pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122344A JPS6122344A (ja) | 1986-01-30 |
| JPS6140983B2 true JPS6140983B2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=14746428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118839A Granted JPS6122344A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | マスクパタ−ンの転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122344A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116819887B (zh) * | 2023-08-31 | 2023-11-17 | 光科芯图(北京)科技有限公司 | 掩模图形转移组件及曝光设备 |
-
1985
- 1985-06-03 JP JP60118839A patent/JPS6122344A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6122344A (ja) | 1986-01-30 |
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