JPS6197835A - エッチング液の検査方法 - Google Patents

エッチング液の検査方法

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JPS6197835A
JPS6197835A JP59220012A JP22001284A JPS6197835A JP S6197835 A JPS6197835 A JP S6197835A JP 59220012 A JP59220012 A JP 59220012A JP 22001284 A JP22001284 A JP 22001284A JP S6197835 A JPS6197835 A JP S6197835A
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JP
Japan
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oxide film
substrate
thickness
etchant
interference color
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Application number
JP59220012A
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JPH0525172B2 (ja
Inventor
Mitsuko Kawai
河合　美津子
Takeshi Hayashi
猛 林
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウェハーの酸化膜をエツチングするエ
ツチング液の化学反応の能力を簡易に判断する方法に関
するものである。
従来例の溝側とその問題点 現在のシリコンを基本材とした半導体装置は、シリコン
の酸化膜を色々の形体で利用することによって、製造さ
れている。したがって酸化膜をエツチングする工程が多
く利用されている。ここで使用されるエツチング液の管
理は重要な工程管理の要素をしめている。
通常ではエツチング液の反応能力を正確に調べることな
く工程を進める場合が多々発生する。
その場合、液の反応能力に従って、酸化膜のエツチング
スピードが変化する。しかるに工程を安定にし再現性良
い半導体装置を製造するには、エツチング液の管理を充
分に行なう必要がある。
発明の目的 本発明は、酸化膜の化学的エツチングに際し、そのエツ
チング液の能力を判定し得る方法を提供するものである
。
発明の構成 本発明は、酸化膜の厚さを段階的に違えて付着させた半
導体基板をエツチング液で処理する工程をそなえた半導
体基板の処理方法であり、これにより、エツチング液の
処理能力を迅速、確実に判定することができ、半導体基
板上の酸化膜のエツチング工程の管理が容易になる。
実施例の説明 本発明を実施例によって詳しく説明する。
第１図の断面図に示す様なシリコン基板１上に付着され
た厚みの異なる酸化膜２は酸化膜の厚みに依存した干渉
色を示す。酸化膜の境界面で反射した白色光による干渉
色は、通常の工程作業環境で、酸化膜の厚さを知ること
に利用されている。
異なった干渉色を有する基板を、本発明では利用する。
この基板を工程に使用しているエツチング液に一定時間
、浸すことによって、各酸化膜厚の異なった基板は、エ
ツチング液の化学反応能力に応じてエツチングされる。
一定時間の酸化膜エッチスピードは、干渉色の変化を連
続的に一枚の基板で観測することによって、簡便かつ正
確に確認することができる。
第２図に示す様に酸化膜の能力が充分ある場合は、人の
傾向を見ることができる。ここで異なった酸化膜を複数
以上比較することが可能となるので正確に化学反応能力
を見ることが可能である。
Ｂの傾向は液の能力が劣化していることを示しており、
ただちに液の能力の判定に決めることが可能となる。
発明の効果 以上、本発明では単一の半導体基板上に形成した厚さの
異なる酸化膜は、それぞれ異なる干渉色を有するので、
エツチング速度が異なると干渉色も大きく変化するため
センサーにてエツチング時間をモニターすることも容易
となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明における酸化膜厚の異なる半導体基板の
断面図、第２酸化膜の厚み変化とエツチング時間の関係
を示す特性図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸化膜の厚さを段階的に違えて付着させた半導体基板を
    エッチング液で処理する工程をそなえたことを特徴とす
    る半導体基板の処理方法。
JP59220012A 1984-10-18 1984-10-18 エッチング液の検査方法 Granted JPS6197835A (ja)

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JPS6197835A true JPS6197835A (ja) 1986-05-16
JPH0525172B2 JPH0525172B2 (ja) 1993-04-12

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5314576A (en) * 1992-06-09 1994-05-24 Sony Corporation Dry etching method using (SN)x protective layer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4837225A (ja) * 1971-09-14 1973-06-01
JPS4984377A (ja) * 1972-12-18 1974-08-13

Patent Citations (2)

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JPS4837225A (ja) * 1971-09-14 1973-06-01
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Cited By (1)

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JPH0525172B2 (ja) 1993-04-12

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