JPS6197841A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPS6197841A JPS6197841A JP59219277A JP21927784A JPS6197841A JP S6197841 A JPS6197841 A JP S6197841A JP 59219277 A JP59219277 A JP 59219277A JP 21927784 A JP21927784 A JP 21927784A JP S6197841 A JPS6197841 A JP S6197841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- sealing
- semiconductor device
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の低圧トランスファ成形による樹
脂封止方法に関する。
脂封止方法に関する。
樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのアイランド
上に半導体ペレットを固定載置し、ベレット上の各電極
とそれに対応するリードとを金属細線でボンディングし
、それらを樹脂にて封止しパッケージを形成した後、半
導体装置となるべき部分を残し、不要部分を切断除去す
ることによって製造される。ここに樹脂封止方法には、
各種の方法があるが低圧トランスファ成形法が大量生産
に適しておシ、最も一般的に用いられている。
上に半導体ペレットを固定載置し、ベレット上の各電極
とそれに対応するリードとを金属細線でボンディングし
、それらを樹脂にて封止しパッケージを形成した後、半
導体装置となるべき部分を残し、不要部分を切断除去す
ることによって製造される。ここに樹脂封止方法には、
各種の方法があるが低圧トランスファ成形法が大量生産
に適しておシ、最も一般的に用いられている。
低圧トランスファ法によれば、ゲート部すなわち、封止
金型のほぼ中央にある樹脂供給部（以下ポット部という
）と、該供給部と各々の半導体装置樹脂封止部とをつな
ぐ樹脂の流れ道（以下ランナ一部という）とがあり、ポ
ット部に供給された樹脂は加圧され、ランナ一部を通っ
て、樹脂封止部に充填される。
金型のほぼ中央にある樹脂供給部（以下ポット部という
）と、該供給部と各々の半導体装置樹脂封止部とをつな
ぐ樹脂の流れ道（以下ランナ一部という）とがあり、ポ
ット部に供給された樹脂は加圧され、ランナ一部を通っ
て、樹脂封止部に充填される。
しかしながら、封止完了直後の状態では、第５図に示す
様に、ポット部１およびランナ一部２にも硬化樹脂成形
体が形成される。然るにこの樹脂は熱硬化性の為再生不
可能でを）す、製品封止部３となる部分以外は、廃棄せ
ざるを得ない。したがって、当然ながら樹脂の利用効率
は悪く、供給樹脂利用率はせいぜい５０〜６０％程度で
あった。
様に、ポット部１およびランナ一部２にも硬化樹脂成形
体が形成される。然るにこの樹脂は熱硬化性の為再生不
可能でを）す、製品封止部３となる部分以外は、廃棄せ
ざるを得ない。したがって、当然ながら樹脂の利用効率
は悪く、供給樹脂利用率はせいぜい５０〜６０％程度で
あった。
本発明は、高価な封止樹脂の１００％利用をも可能とし
た封止法を提供するものである。
た封止法を提供するものである。
本発明は半導体装置の樹脂封止を行う封止金型の型面よ
シエジェクタピンを予じめ一定長さだけ後退させ、少く
とも封止金型内の空間を充填するに必要な量の樹脂を金
型内に投入し、次いで封止金型内に半導体装置をセット
した後、エジェクタピンを型面に移動させてピン孔内の
樹脂を封止金型の空間内に送入することを特徴とする半
導体装置の樹脂封止方法である。
シエジェクタピンを予じめ一定長さだけ後退させ、少く
とも封止金型内の空間を充填するに必要な量の樹脂を金
型内に投入し、次いで封止金型内に半導体装置をセット
した後、エジェクタピンを型面に移動させてピン孔内の
樹脂を封止金型の空間内に送入することを特徴とする半
導体装置の樹脂封止方法である。
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を工程順に示す図で
ある。
ある。
第１図において、合わせ型からなる封止金型４の下型４
ａに備えたエジェクタピン５を本来の位置よシ該下型４
ａの型面ａの下方に予じめ一定長さＬだけ後退させ、ピ
ン孔りａ内にＬＸＢ（Ｂ：ビン孔５にの面積）の空隙を
形成する。
ａに備えたエジェクタピン５を本来の位置よシ該下型４
ａの型面ａの下方に予じめ一定長さＬだけ後退させ、ピ
ン孔りａ内にＬＸＢ（Ｂ：ビン孔５にの面積）の空隙を
形成する。
第２図において、下型４ａの空間内に、該空間を充填す
るに必要な定量の樹脂ｒを投入する。注入樹脂ｒの一部
はピン孔りａ内に流入する。次に、下型４ａ上に半導体
装置（封止すべきボンディング済す−ドフレーム）６を
セットし、第３図のように、下型４ａに上型４ｂを組合
せて封止金型４の型締めを行い、エジェクタピン５をＬ
だゆ上昇させ、ビン孔５ａ内の樹脂を型内の空間内に押
し上げ、型内の空間に樹脂を充填し、半導体装置６の樹
脂封止を行う、注入樹脂の硬化を待って封止金型４を開
き、第４図に示すようにエジェクタピン５をさらに押上
げて樹脂封止された半導体装置の製品７を脱型する。
るに必要な定量の樹脂ｒを投入する。注入樹脂ｒの一部
はピン孔りａ内に流入する。次に、下型４ａ上に半導体
装置（封止すべきボンディング済す−ドフレーム）６を
セットし、第３図のように、下型４ａに上型４ｂを組合
せて封止金型４の型締めを行い、エジェクタピン５をＬ
だゆ上昇させ、ビン孔５ａ内の樹脂を型内の空間内に押
し上げ、型内の空間に樹脂を充填し、半導体装置６の樹
脂封止を行う、注入樹脂の硬化を待って封止金型４を開
き、第４図に示すようにエジェクタピン５をさらに押上
げて樹脂封止された半導体装置の製品７を脱型する。
なお、半導体製品の樹脂封止に際しては半導体装置を型
にセットした状態で、封止金型内の空間容積−下型の空
間（ＢＸＬでなければならない。
にセットした状態で、封止金型内の空間容積−下型の空
間（ＢＸＬでなければならない。
以上のように本発明によれば、樹脂の利用効率を大巾に
向上できるはかシではなく、従来のように注入樹脂のダ
ートを用いないため、ゲート部分に残留する樹脂の無駄
やトラブルの発生がなく、また、金型コンパクトに構成
できる効果を有するものである。
向上できるはかシではなく、従来のように注入樹脂のダ
ートを用いないため、ゲート部分に残留する樹脂の無駄
やトラブルの発生がなく、また、金型コンパクトに構成
できる効果を有するものである。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を工程順に示す封止
金型の断面図、第５図は従来法によシ得られた半導体装
置の平面図である。 ４・・・封止金型、４ａ・・・下型、４ｂ・・・上型、
５・・・エジェクタピン、５ａ・・・ビン孔、６・・・
半導体装置、７・・・製品。 第１図 第３図
金型の断面図、第５図は従来法によシ得られた半導体装
置の平面図である。 ４・・・封止金型、４ａ・・・下型、４ｂ・・・上型、
５・・・エジェクタピン、５ａ・・・ビン孔、６・・・
半導体装置、７・・・製品。 第１図 第３図
Claims (1)
- （１）半導体装置の樹脂封止を行う封止金型の型面より
エジェクタピンを予じめ一定長さだけ後退させ、少くと
も封止金型内の空間を充填するに必要な量の樹脂を金型
内に投入し、次いで封止金型内に半導体装置をセットし
た後、エジェクタピンを型面に移動させてピン孔内の樹
脂を封止金型の空間内に送入することを特徴とする半導
体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219277A JPS6197841A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219277A JPS6197841A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197841A true JPS6197841A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16732996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59219277A Pending JPS6197841A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197841A (ja) |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP59219277A patent/JPS6197841A/ja active Pending
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