JPS6197863U - - Google Patents

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JPS6197863U
JPS6197863U JP18800385U JP18800385U JPS6197863U JP S6197863 U JPS6197863 U JP S6197863U JP 18800385 U JP18800385 U JP 18800385U JP 18800385 U JP18800385 U JP 18800385U JP S6197863 U JPS6197863 U JP S6197863U
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JP
Japan
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thin film
solar cell
amorphous thin
film solar
electrode
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JP18800385U
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａ及びｂは太陽電池素子が並列及び直列
接続された等価回路図、第２図は本考案による一
実施例装置の構成を示す分解図、第３図は同実施
例装置の構成を示す断面図、第４図は本考案によ
る他の実施例の構成を示す斜視図、第５図は同実
施例の等価回路図である。 １：ガラス基板、２：電極、３：透明電極、４
：アモルフアスシリコン素子、６：背面電極、７
：パツシベーシヨン膜、９：シリコン樹脂、１０
：背面ガラス板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 第１の電極及び外部配線のための電極を形成
    した基板と、 該基板上の第１の電極上に形成したアモルフア
    ス薄膜太陽電池素子と、 該アモルフアス薄膜太陽電池素子上に形成した
    第２の電極と、 該第２の電極と上記基板上に形成された外部配
    線のための電極とを接続する接続部材と、 上記第２の電極及び上記アモルフアス薄膜太陽
    電池素子の側面部を含む露出表面を被つて上記基
    板上の少なくとも上記外部配線のための電極部分
    を除いた領域に形成したパツシベーシヨン膜と、 該パツシベーシヨン膜の被覆されていない上記
    外部配線のための電極部分に接続されたリード線
    と、 を備えてなることを特徴とするアモルフアス薄膜
    太陽電池装置。 ２ 前記アモルフアス薄膜太陽電池素子は、同一
    基板上に複数個を電気的接続して形成し、該複数
    個のアモルフアス薄膜太陽電池素子を一体的にパ
    ツシベーシヨン膜で被覆してなることを特徴とす
    る実用新案登録請求の範囲第１項記載のアモルフ
    アス薄膜太陽電池装置。 ３ 前記パツシベーシヨン膜は、Ｓｉ３Ｎ４，Ｓ
    ｉＯ２，ＳｎＯ５，Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２或いは
    ＷＯ３等の無機質薄膜からなることを特徴とする
    実用新案登録請求の範囲第１項又は第２項記載の
    アモルフアス薄膜太陽電池装置。 ４ 前記パツシベーシヨン膜は、ポリ四フツ化エ
    チレン、ポリ三フツ化塩化エチレン、ポリフツ化
    エチレンプロピレン、ポリエチレン或いはポリプ
    ロピレンの有機薄膜からなることを特徴とする実
    用新案登録請求の範囲第１項又は第２項記載のア
    モルフアス薄膜太陽電池装置。 ５ 前記パツシベーシヨン膜は、グロー放電によ
    りつて形成された気相成長有機薄膜からなること
    を特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項、第
    ２項又は第４項記載のアモルフアス薄膜太陽電池
    装置。 ６ 前記パツシベーシヨン膜で被覆された前記ア
    モルフアス薄膜太陽電池素子上は更に支持板で保
    護されてなることを特徴とする実用新案登録請求
    の範囲第１項記載のアモルフアス薄膜太陽電池装
    置。
JP18800385U 1985-12-05 1985-12-05 Pending JPS6197863U (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51890A (en) * 1974-06-20 1976-01-07 Shunpei Yamazaki Handotaisochi oyobi sonosakuseihoho
JPS5216990A (en) * 1975-07-28 1977-02-08 Rca Corp Semiconductor device
JPS5342693A (en) * 1976-09-29 1978-04-18 Rca Corp Semiconductor device including amorphous silicone layer
JPS53143180A (en) * 1977-05-18 1978-12-13 Energy Conversion Devices Inc Amorphous semiconductor structure and method of producing same

Patent Citations (4)

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