JPS6198521A - 成形装置 - Google Patents
成形装置Info
- Publication number
- JPS6198521A JPS6198521A JP59218481A JP21848184A JPS6198521A JP S6198521 A JPS6198521 A JP S6198521A JP 59218481 A JP59218481 A JP 59218481A JP 21848184 A JP21848184 A JP 21848184A JP S6198521 A JPS6198521 A JP S6198521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- transfer
- switch
- mold
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/72—Heating or cooling
- B29C45/73—Heating or cooling of the mould
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/76—Measuring, controlling or regulating
- B29C45/78—Measuring, controlling or regulating of temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、成形技術、特に、トランスファ成形技術に関
し、例えば、半導体装置の製造において、非気密封止パ
ッケージを成形するのに利用して有効な技術に関する。
し、例えば、半導体装置の製造において、非気密封止パ
ッケージを成形するのに利用して有効な技術に関する。
半導体装置の製造において、トランスファ成形装置によ
り非気密封止パフケージを成形する場合、成形材料とし
ての溶融樹脂の移送、およびその後における樹脂の硬化
を確保するため、金型の温度をヒータおよび温度調節器
によって一定に制御するように構成することが、考えら
れる。
り非気密封止パフケージを成形する場合、成形材料とし
ての溶融樹脂の移送、およびその後における樹脂の硬化
を確保するため、金型の温度をヒータおよび温度調節器
によって一定に制御するように構成することが、考えら
れる。
しかし、このようなトランスファ成形装置においては、
成形すべきパフケージが大型化した場合、樹脂移送時に
一時的に下降した金型の温度が、移送完了後、設定温度
まで復帰するのに要する時間が長期化するため、パッケ
ージの硬化不足が発生するという問題点があることが、
本発明者によって明らかにされた。
成形すべきパフケージが大型化した場合、樹脂移送時に
一時的に下降した金型の温度が、移送完了後、設定温度
まで復帰するのに要する時間が長期化するため、パッケ
ージの硬化不足が発生するという問題点があることが、
本発明者によって明らかにされた。
なお、トランスファ成形技術を述べである例としては、
株式会社工業調査会発行「電子材料！９８３年１１月号
別冊」昭和５８年１１月１５日発行 Ｐ１５１〜Ｐ１５
７、がある。
株式会社工業調査会発行「電子材料！９８３年１１月号
別冊」昭和５８年１１月１５日発行 Ｐ１５１〜Ｐ１５
７、がある。
本発明の目的は、硬化不足を防止することができる成形
技術を提供することにある。
技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、成形材料のキャビティへの移送完了後の金型
温度が移送中に比べて高くなるようにヒータを制御する
制御手段を設けることにより、移送完了後、移送時に一
時的に下降した金型の温度復帰を早めて硬化不足を防止
するようにしたものである。
温度が移送中に比べて高くなるようにヒータを制御する
制御手段を設けることにより、移送完了後、移送時に一
時的に下降した金型の温度復帰を早めて硬化不足を防止
するようにしたものである。
第１図は本発明の一実施例であるトランスファ成形装置
を示す拡大部分断面図、第２図はそのヒータ制御手段を
示す回路図である。
を示す拡大部分断面図、第２図はそのヒータ制御手段を
示す回路図である。
本実施例において、この成形装置は半導体装置の非気密
封止パッケージを成形するものとして構成されており、
上型１と下型２とを備えている。
封止パッケージを成形するものとして構成されており、
上型１と下型２とを備えている。
上型１および下型２は取り付は板３．４に断熱部材５．
６を介してそれぞれ取り付けられており、型開閉シリン
ダ装置（図示せず）により互いに型締めされるように構
成されている。
６を介してそれぞれ取り付けられており、型開閉シリン
ダ装置（図示せず）により互いに型締めされるように構
成されている。
上型１および下型２は中央部のセンタブロック１ａおよ
び２ａと、周辺部のキャビティブロックＩｂおよび２ｂ
とからそれぞれ構成されており、上型１のセンタブロッ
ク１ａには、成形材料としての樹脂を圧送するためのプ
ランジャ７を挿入されるポット８が形成されており、下
型２のセンタブロック２ｂのポット８に対応する位置に
はカル９が形成されている。キャビティブロック１ｂと
２ｂとの合わせ面には複数のキャビティ１０が形成され
ており、各キャビティ１０はランナ１１およびゲート１
２を介してカル９にそれぞれ連通されている。
び２ａと、周辺部のキャビティブロックＩｂおよび２ｂ
とからそれぞれ構成されており、上型１のセンタブロッ
ク１ａには、成形材料としての樹脂を圧送するためのプ
ランジャ７を挿入されるポット８が形成されており、下
型２のセンタブロック２ｂのポット８に対応する位置に
はカル９が形成されている。キャビティブロック１ｂと
２ｂとの合わせ面には複数のキャビティ１０が形成され
ており、各キャビティ１０はランナ１１およびゲート１
２を介してカル９にそれぞれ連通されている。
上型ｌおよび下型２の内部には複数本の電気ヒータ１３
がポット８、力ｌし９、ランナ１１１キヤビテイｌＯを
効果的に加熱するようにそれぞれ配されて植設されてお
り、このヒータ１３は、第２図に示されているように構
成されている制ｉ回路１５によってその給電回路１４を
制御されるようになっている。
がポット８、力ｌし９、ランナ１１１キヤビテイｌＯを
効果的に加熱するようにそれぞれ配されて植設されてお
り、このヒータ１３は、第２図に示されているように構
成されている制ｉ回路１５によってその給電回路１４を
制御されるようになっている。
すなわち、第２図に示されているように、制御装置１５
はリレー１６を備えており、リレー１６のスイッチ１７
はヒータの給電回路１４にこれを開閉するように介設さ
れている。リレー１６のコイル１８には第１１度調ｗＩ
器１９のスイッチ’２０と、第２温度調節器２２のスイ
ッチ２３とが直列にそれぞれ接続されており、第１スイ
ツチ２ｏおよび第２スイツチ２３は互いには並列にそれ
ぞれ接続されている。第１スイツチ２ｏおよび第２スイ
ツチ２３は第１温度センサ２１および第２温度センサ２
４によって開閉されるように構成されており、第１温度
センサ２１はカル９付近の温度を検出するように、第２
温度センサ２４はキャビティ１０付近の温度を検出する
ように、下型２の内部に配設されている。
はリレー１６を備えており、リレー１６のスイッチ１７
はヒータの給電回路１４にこれを開閉するように介設さ
れている。リレー１６のコイル１８には第１１度調ｗＩ
器１９のスイッチ’２０と、第２温度調節器２２のスイ
ッチ２３とが直列にそれぞれ接続されており、第１スイ
ツチ２ｏおよび第２スイツチ２３は互いには並列にそれ
ぞれ接続されている。第１スイツチ２ｏおよび第２スイ
ツチ２３は第１温度センサ２１および第２温度センサ２
４によって開閉されるように構成されており、第１温度
センサ２１はカル９付近の温度を検出するように、第２
温度センサ２４はキャビティ１０付近の温度を検出する
ように、下型２の内部に配設されている。
そして、例えば、第１温度調節器１９において、第１ス
イツチ２０はカル９付近の温度を検出する第１温度七ン
サ２１が１９０℃未満を検出するとＯＮＬ、１９０℃以
上を検出するとＯＦＦするように構成されており、第２
温度調節器２２において、第２スイツチ２３はキャビテ
ィ付近の温度を検出する第２温度センサ２４が１７０℃
未満を検出するとＯＮｌ、、、１７０℃以上を検出する
とＯＦＦするように構成されている。
イツチ２０はカル９付近の温度を検出する第１温度七ン
サ２１が１９０℃未満を検出するとＯＮＬ、１９０℃以
上を検出するとＯＦＦするように構成されており、第２
温度調節器２２において、第２スイツチ２３はキャビテ
ィ付近の温度を検出する第２温度センサ２４が１７０℃
未満を検出するとＯＮｌ、、、１７０℃以上を検出する
とＯＦＦするように構成されている。
リレーコイル１Ｂと一第１スイッチ２０との間には、移
送完了スイッチ２５がコイル１８と第１スイツチ２０と
直列に、かつ、第２スイツチ２３と並列に介設されてお
り、このスイッチ２５は、例えば、タイマ等からなる移
送完了検出器２６により移送完了以後所定期間、ＯＮさ
れるように構成されている。
送完了スイッチ２５がコイル１８と第１スイツチ２０と
直列に、かつ、第２スイツチ２３と並列に介設されてお
り、このスイッチ２５は、例えば、タイマ等からなる移
送完了検出器２６により移送完了以後所定期間、ＯＮさ
れるように構成されている。
次に作用を説明する。
半導体装置のリードフレーム２７が下型２の合わせ面上
に、封止対象物であるペレット２８およびボンディング
ワイヤ２９がキャビティ１０内に収容されるように位置
決めされると、型開閉シリンダ装置により上型ｌと下型
２とが合わせられてキャビティ１０が形成される。
に、封止対象物であるペレット２８およびボンディング
ワイヤ２９がキャビティ１０内に収容されるように位置
決めされると、型開閉シリンダ装置により上型ｌと下型
２とが合わせられてキャビティ１０が形成される。
所定の型締め力をもって上下型ｌと２とが合わせられる
と、成形材料としての樹脂を予備形成されてポット８内
に投入されたタブレットが移送シリンダ装置（図示せず
）により下降されるプランジャ７によってランナ１１に
押し出される。タブレフトはヒータ１３によって加勢溶
融され、溶融した樹脂３１の状態でランナ１１を移送さ
れてゲート１２からキャビティ１０のそれぞれに注入充
填される。キャビティ１０に充填された樹脂はさらに加
熱されると、硬化してパフケージ３０を形成する。
と、成形材料としての樹脂を予備形成されてポット８内
に投入されたタブレットが移送シリンダ装置（図示せず
）により下降されるプランジャ７によってランナ１１に
押し出される。タブレフトはヒータ１３によって加勢溶
融され、溶融した樹脂３１の状態でランナ１１を移送さ
れてゲート１２からキャビティ１０のそれぞれに注入充
填される。キャビティ１０に充填された樹脂はさらに加
熱されると、硬化してパフケージ３０を形成する。
ところで、大型のパッケージを成形する場合、ボンディ
ングワイヤの変形防止するため、樹脂の移送速度を遅く
する必要がある。このような場合、型温度を低くし、樹
脂のゲル化時間を延長することが考えられる。
ングワイヤの変形防止するため、樹脂の移送速度を遅く
する必要がある。このような場合、型温度を低くし、樹
脂のゲル化時間を延長することが考えられる。
ところが、移送初期の樹脂の温度は型温度（例えば、１
８０℃）に比較して低温（８０〜９０℃）であるため、
型は移送される樹脂により冷却されることになる。そし
て、ヒータによる型の加熱能力が抑制されていると、冷
却された型が予め設定された所定の温度（１８０℃）に
復帰するまでに要する時間が長くなるため、樹脂の硬化
時間が長期化し、硬化不足が発生することになる。
８０℃）に比較して低温（８０〜９０℃）であるため、
型は移送される樹脂により冷却されることになる。そし
て、ヒータによる型の加熱能力が抑制されていると、冷
却された型が予め設定された所定の温度（１８０℃）に
復帰するまでに要する時間が長くなるため、樹脂の硬化
時間が長期化し、硬化不足が発生することになる。
そこで、本実施例においては、型温度を移送中は抑制し
、移送完了後高めるようにヒータによる加熱を１！１１
Ｉｌすることにより、移送中は樹脂を低温にして移送速
度を抑制し、移送完了後は加熱を高めて樹脂の硬化帰期
間を短縮化するようにしてい−る。
、移送完了後高めるようにヒータによる加熱を１！１１
Ｉｌすることにより、移送中は樹脂を低温にして移送速
度を抑制し、移送完了後は加熱を高めて樹脂の硬化帰期
間を短縮化するようにしてい−る。
すなわち、樹脂３１の移送前には移送完了スイッチ２５
がＯＦＦしているため、第２温度調節器２２により上下
型１．２の温度は１７０℃に制御されていることになる
。
がＯＦＦしているため、第２温度調節器２２により上下
型１．２の温度は１７０℃に制御されていることになる
。
ポット８にタブレットが投入され、プランジャ７による
樹脂の移送が開始されると、低温の樹脂３１によってカ
ル９付近が冷却されるため、第１温度センサ２１は１９
０℃未満の温度を検出し、第１スイツチ２３はＯＮする
。しかし、移送完了スイッチ２５がＯＦＦしているため
、リレーコイル１８への通電には影響しない。
樹脂の移送が開始されると、低温の樹脂３１によってカ
ル９付近が冷却されるため、第１温度センサ２１は１９
０℃未満の温度を検出し、第１スイツチ２３はＯＮする
。しかし、移送完了スイッチ２５がＯＦＦしているため
、リレーコイル１８への通電には影響しない。
樹脂３１がキャビティ１０に圧送されると、キャビティ
１０付近が冷却されるため、第２Ｉｌｉ度センサ２４は
１７０℃未満の温度を検出して第２スイツチ２３をＯＮ
させることになる。第２スイツチ２３がＯＮすると、リ
レーコイル１８が励磁するため、リレースイッチ１７が
ＯＮすることによりヒータ１３が加熱作動することにな
る。しかし、第２スイツチ２３は第２温度センサ２４が
１７０℃以上を検出するとＯＦＦするため、上下型１５
２の温度は１７０℃に維持されることになる。したがっ
て、樹脂３１の硬化反応速度は抑制されることになり、
ボンディングワイヤ２９の変形は防止されることになる
。
１０付近が冷却されるため、第２Ｉｌｉ度センサ２４は
１７０℃未満の温度を検出して第２スイツチ２３をＯＮ
させることになる。第２スイツチ２３がＯＮすると、リ
レーコイル１８が励磁するため、リレースイッチ１７が
ＯＮすることによりヒータ１３が加熱作動することにな
る。しかし、第２スイツチ２３は第２温度センサ２４が
１７０℃以上を検出するとＯＦＦするため、上下型１５
２の温度は１７０℃に維持されることになる。したがっ
て、樹脂３１の硬化反応速度は抑制されることになり、
ボンディングワイヤ２９の変形は防止されることになる
。
移送完了検出器２６が移送完了を検出すると、移送完了
スイッチ２５がＯＮするため、第１温度調節器１９がリ
レーコイル１８に接続されることになる。
スイッチ２５がＯＮするため、第１温度調節器１９がリ
レーコイル１８に接続されることになる。
この時、第２温度調節器２２によって型温度が１７０℃
に維持されているため、第１温度センサ２１は１９０℃
未満を検出することになり、第１スイツチ２０はＯＮさ
れることになる。第１スイツチ２０がＯＮすると、第１
温度調節器２２の状態如何にかかわらずリレーコイル１
８が励磁するため、リレースイッチ１７がＯＮすること
によりヒータ１３が加熱作動することになる。この場合
、第１スイツチ２０は第１１度センサ２１が１９０℃以
上の温度を検出した時にＯＦＦするように構成されてい
るため、ヒータ１３は型温度が１９０℃以上になるまで
、急速加熱作動を行うことにな養、シたがって、キャビ
ティ１０内に充填された樹脂３１は充分に加熱されるこ
とになるため、硬化不足の発生は防止されることになる
。
に維持されているため、第１温度センサ２１は１９０℃
未満を検出することになり、第１スイツチ２０はＯＮさ
れることになる。第１スイツチ２０がＯＮすると、第１
温度調節器２２の状態如何にかかわらずリレーコイル１
８が励磁するため、リレースイッチ１７がＯＮすること
によりヒータ１３が加熱作動することになる。この場合
、第１スイツチ２０は第１１度センサ２１が１９０℃以
上の温度を検出した時にＯＦＦするように構成されてい
るため、ヒータ１３は型温度が１９０℃以上になるまで
、急速加熱作動を行うことにな養、シたがって、キャビ
ティ１０内に充填された樹脂３１は充分に加熱されるこ
とになるため、硬化不足の発生は防止されることになる
。
樹脂３１が硬化すると、移送完了スイッチ２５は移送完
了検出器２６によりＯＦＦされるため、上下型ｌ、２は
第２ＩＩＡ度調節器２２による温度制御される状態に復
帰されることになる。
了検出器２６によりＯＦＦされるため、上下型ｌ、２は
第２ＩＩＡ度調節器２２による温度制御される状態に復
帰されることになる。
その後、型開閉シリンダ装置により上下型１．２が開か
れ、成形されたパンケージ３０によりてペレフト等を封
止されている半導体装置がキャビティ１０から取り外さ
れる。
れ、成形されたパンケージ３０によりてペレフト等を封
止されている半導体装置がキャビティ１０から取り外さ
れる。
ｉｌ＋ 成形材料のキャビティへの移送、完了後の金
型温度が移送中に比べて高くなるようにヒータを制御す
る制御手段を設けることにより、移送完了後、移送時に
一時的に下降した金型の温度復帰を早めることができる
ため、樹脂の硬化不足を防止することができる。
型温度が移送中に比べて高くなるようにヒータを制御す
る制御手段を設けることにより、移送完了後、移送時に
一時的に下降した金型の温度復帰を早めることができる
ため、樹脂の硬化不足を防止することができる。
（２）移送中の金型温度を低下させることにより、樹脂
の硬化反応速度を抑制させて樹脂の移送速度を遅くする
ことができるため、成形品の内部に植え込まれるボンデ
ィングワイヤ等の変形を防止することができる。
の硬化反応速度を抑制させて樹脂の移送速度を遅くする
ことができるため、成形品の内部に植え込まれるボンデ
ィングワイヤ等の変形を防止することができる。
と（３） ヒータを制御する制御手段を、金型のカル
付近の温度を検出してヒータを制御する第１温度調節器
と、金型のキャビティ付近の温度を検出する第２温度調
節器とを設け、成形材料の移送完了後、第１温度調節器
から第２温度！Ｉ！Ｉｆｉ＋’Ｔ器にヒータの制御を切
り喚えるように構成することにより、制？■手段の構造
を簡単化することができる。
付近の温度を検出してヒータを制御する第１温度調節器
と、金型のキャビティ付近の温度を検出する第２温度調
節器とを設け、成形材料の移送完了後、第１温度調節器
から第２温度！Ｉ！Ｉｆｉ＋’Ｔ器にヒータの制御を切
り喚えるように構成することにより、制？■手段の構造
を簡単化することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例・えば、ヒータを制御する制御手段は、第１温度調節
器と第２温度ｉｊｉ！ｆｆ器とを設ける構成に限らず、
ヒータの加熱能力を可変に構成しておき、移送完了を検
出する検出器により移送中は低パワーで加熱作動させ、
移送完了後、高パワーに切り換えるように構成してもよ
い。
器と第２温度ｉｊｉ！ｆｆ器とを設ける構成に限らず、
ヒータの加熱能力を可変に構成しておき、移送完了を検
出する検出器により移送中は低パワーで加熱作動させ、
移送完了後、高パワーに切り換えるように構成してもよ
い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置おけるパ
ッケージの成形する成形装置に適用した場合について説
明し′たが、それに限定されるものではなく、他の製品
を成形する成形装置等についても通用することができる
。
をその背景となった利用分野である半導体装置おけるパ
ッケージの成形する成形装置に適用した場合について説
明し′たが、それに限定されるものではなく、他の製品
を成形する成形装置等についても通用することができる
。
図面のｆｆｉ車な説明
第１図は本発明の一実施例であるトランスファ成形装置
を示す拡大部分断面図、第２図はそのヒータ制御手段を
示す回路図である。
を示す拡大部分断面図、第２図はそのヒータ制御手段を
示す回路図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金型を加熱するヒータと、成形材料のキャビティへ
の移送完了後の金型温度が移送中に比べて高くなるよう
にヒータを制御する制御手段とを備えている成形装置。 ２、制御手段が、金型のカル付近の温度を検出してヒー
タを制御する第１温度調節器と、金型のキャビティ付近
の温度を検出する第２温度調節器とを備えており、成形
材料の移送完了後、第２温度調節器から第１温度調節器
にヒータの制御が切り換えられるように構成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の成形装置
。 ３、ヒータが加熱能力を可変に構成されており、制御手
段が移送完了後、移送中よりもヒータの加熱能力を高め
るように構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の成形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218481A JPS6198521A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 成形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218481A JPS6198521A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 成形装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6198521A true JPS6198521A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16720600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59218481A Pending JPS6198521A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 成形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6198521A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231130U (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-27 | ||
| JPH0236038U (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | ||
| JP2007287925A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | トランスファ成形による樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
| US7299544B2 (en) * | 2003-12-15 | 2007-11-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Apparatus for separating cull of semiconductor package molding system |
| WO2020129728A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 第一精工株式会社 | 樹脂成形金型及び樹脂成形方法 |
| JP2020100140A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 第一精工株式会社 | 樹脂成形金型及び樹脂成形方法 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59218481A patent/JPS6198521A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231130U (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-27 | ||
| JPH0236038U (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | ||
| US7299544B2 (en) * | 2003-12-15 | 2007-11-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Apparatus for separating cull of semiconductor package molding system |
| JP2007287925A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | トランスファ成形による樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
| WO2020129728A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 第一精工株式会社 | 樹脂成形金型及び樹脂成形方法 |
| JP2020100140A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 第一精工株式会社 | 樹脂成形金型及び樹脂成形方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4900485A (en) | Method and apparatus for transfer molding | |
| TWI795615B (zh) | 樹脂成形裝置以及樹脂成形品的製造方法 | |
| JP2778608B2 (ja) | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6198521A (ja) | 成形装置 | |
| US20130140737A1 (en) | Stacked substrate molding | |
| JPH06177190A (ja) | 半導体装置の樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置 | |
| JPS6219418A (ja) | 成形装置 | |
| US20040020628A1 (en) | Mold and method of molding metallic product | |
| JPS6154633A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JPS61114824A (ja) | レジンモ−ルド装置 | |
| JPH0431285B2 (ja) | ||
| JP2666630B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH056347B2 (ja) | ||
| JPS6235814A (ja) | 成形装置 | |
| JPH0582572A (ja) | 半導体装置樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 | |
| JP3022419B2 (ja) | 半導体樹脂封止金型 | |
| JP3125765B2 (ja) | 半導体装置の樹脂パッケージ装置 | |
| JP5004734B2 (ja) | 樹脂封止方法 | |
| JPS63126714A (ja) | モ−ルドプレス装置 | |
| JPH06132331A (ja) | 半導体封止金型 | |
| JPS6216533A (ja) | 半導体の樹脂封止方法 | |
| JPH1140592A (ja) | 封止成形方法およびその装置 | |
| JPS5852106Y2 (ja) | トランスファ−成形機 | |
| JPS6154635A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JPH0360649B2 (ja) |