JPS6199918A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPS6199918A JPS6199918A JP21993584A JP21993584A JPS6199918A JP S6199918 A JPS6199918 A JP S6199918A JP 21993584 A JP21993584 A JP 21993584A JP 21993584 A JP21993584 A JP 21993584A JP S6199918 A JPS6199918 A JP S6199918A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 10
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は、磁気記録された信号を再生するためる。
（ロ） 従来の技術
一般に、導電性磁性薄膜から成る磁気抵抗効果素子を用
いて構成した磁気抵抗効果型ヘッドでは、良好な再生特
性を得るために磁気抵抗効果素子に対して適当なバイア
ス温湯を印加して感度を向上きせることや、磁気抵抗効
果素子を磁気的にシールドして分解能を向上きせること
が有効である０例えば、バイアス磁場を印加する手段と
しては永久磁石による方法や直流電流による方法かあり
、シールドの手段としては磁性体間隙に磁気抵抗効果素
子を配置する方法がある。ここで、シールド用の磁性体
が導電性であればバイアス磁場発生用の導体として兼用
きせることも出来る。
いて構成した磁気抵抗効果型ヘッドでは、良好な再生特
性を得るために磁気抵抗効果素子に対して適当なバイア
ス温湯を印加して感度を向上きせることや、磁気抵抗効
果素子を磁気的にシールドして分解能を向上きせること
が有効である０例えば、バイアス磁場を印加する手段と
しては永久磁石による方法や直流電流による方法かあり
、シールドの手段としては磁性体間隙に磁気抵抗効果素
子を配置する方法がある。ここで、シールド用の磁性体
が導電性であればバイアス磁場発生用の導体として兼用
きせることも出来る。
この様な考えに従って設計された磁気抵抗効果型ヘッド
は第２図及び第３図に示す如く、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
等のシールド基板（１）上に５ｉ０２等の絶Ｒ１＜２＞
を介してパーマロイ等の磁気抵抗効果素子層（３）を複
数個並設し、更に５ｉＯｚ等の絶縁層（４〉を介してパ
ーマロイ等のバイアス磁場発生用導体兼シールド層（５
）を形成することで構成されており、磁気抵抗効果素子
層（３）の両端及びバイアス磁場発生用導体兼シールド
層（５）の両端には夫々直流電流を供給するためにＣｕ
等の電極層（６）（７）が接続されている。尚、（８）
は５ｉ０２等の保護層、（９）はエポキシ系接着剤等の
接着層、（１０）はセラミック等の補強基板である。
は第２図及び第３図に示す如く、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
等のシールド基板（１）上に５ｉ０２等の絶Ｒ１＜２＞
を介してパーマロイ等の磁気抵抗効果素子層（３）を複
数個並設し、更に５ｉＯｚ等の絶縁層（４〉を介してパ
ーマロイ等のバイアス磁場発生用導体兼シールド層（５
）を形成することで構成されており、磁気抵抗効果素子
層（３）の両端及びバイアス磁場発生用導体兼シールド
層（５）の両端には夫々直流電流を供給するためにＣｕ
等の電極層（６）（７）が接続されている。尚、（８）
は５ｉ０２等の保護層、（９）はエポキシ系接着剤等の
接着層、（１０）はセラミック等の補強基板である。
そして、斯る磁気抵抗効果型ヘッドのシールド基板（１
）及びバイアス磁場発生用導体兼シールド層（５）は、
磁気抵抗効果素子層（３）に対する記録媒体走行方向の
隣接信号の干渉を防ぐ働きをするが、その効果を十分に
発揮させるためにはシールド基板（１）及びシールド層
（５）の記録媒体に垂直方向の透磁率が十分に大きくな
ければならない。
）及びバイアス磁場発生用導体兼シールド層（５）は、
磁気抵抗効果素子層（３）に対する記録媒体走行方向の
隣接信号の干渉を防ぐ働きをするが、その効果を十分に
発揮させるためにはシールド基板（１）及びシールド層
（５）の記録媒体に垂直方向の透磁率が十分に大きくな
ければならない。
ここでシールド基板（１）に関してはＮｉ−Ｚｎフェラ
イト等を用いれば容易にこの条件を満たすことが出来る
と思われるが、シールド層（５）に関してはパーマロイ
薄膜等の一軸異方性を有効に利用して、記録媒体に垂直
方向が該薄膜の磁化困難方向になるように構成しないと
十分な透磁率が得られない可能性がある。
イト等を用いれば容易にこの条件を満たすことが出来る
と思われるが、シールド層（５）に関してはパーマロイ
薄膜等の一軸異方性を有効に利用して、記録媒体に垂直
方向が該薄膜の磁化困難方向になるように構成しないと
十分な透磁率が得られない可能性がある。
ところが、パーマロイ薄膜の一軸異方性は膜厚が厚くな
ると消失することが知られており、その時には、−軸異
方性を利用してシールド効果を向上させることはできな
くなる。昭和５７年度電子通信学会総合全国大会講演論
文集１−２８６（三菱電機、田辺ら）によれば、［ＪＷ
Ｊｏ、３μｍの単層のパーマロイ膜では一軸異方性が消
失し、膜厚０．１５μｍのパーマロイ膜と膜厚０．０５
μｍのガラス膜を交互に８層積着した積層膜では良好な
一軸異方性が出現することが示されている。従って、磁
気抵抗効果型ヘッドの薄膜シールド層は、七分に薄い磁
性膜と非磁性膜を交互に積層した構造にすれば良好なシ
ールド効果が期待できることになる。
ると消失することが知られており、その時には、−軸異
方性を利用してシールド効果を向上させることはできな
くなる。昭和５７年度電子通信学会総合全国大会講演論
文集１−２８６（三菱電機、田辺ら）によれば、［ＪＷ
Ｊｏ、３μｍの単層のパーマロイ膜では一軸異方性が消
失し、膜厚０．１５μｍのパーマロイ膜と膜厚０．０５
μｍのガラス膜を交互に８層積着した積層膜では良好な
一軸異方性が出現することが示されている。従って、磁
気抵抗効果型ヘッドの薄膜シールド層は、七分に薄い磁
性膜と非磁性膜を交互に積層した構造にすれば良好なシ
ールド効果が期待できることになる。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点然し乍ら、上記
した様にパーマロイ膜とガラス膜を積層した構造のシー
ルドではそれをバイアス磁場発生用導体と兼用すること
は困難である。即ち、積層されたパーマロイ膜のうちの
一層のみに通電用電極を接続したのでは、パーマロイ膜
の他の層が磁化されてシールド効果がなくなるし、積層
されたパーマロイ膜のすべての層に通電用電極を接続し
ようとすれば、工数が著しく増大すると謂う問題があっ
た。
した様にパーマロイ膜とガラス膜を積層した構造のシー
ルドではそれをバイアス磁場発生用導体と兼用すること
は困難である。即ち、積層されたパーマロイ膜のうちの
一層のみに通電用電極を接続したのでは、パーマロイ膜
の他の層が磁化されてシールド効果がなくなるし、積層
されたパーマロイ膜のすべての層に通電用電極を接続し
ようとすれば、工数が著しく増大すると謂う問題があっ
た。
（ニ） 問題点を解決するための手段
本発明は上記した問題点を解決するために、磁気抵抗効
果素子の両側にシールドが配置された構造の磁気抵抗効
果型ヘッドであって、前記シールドの少なくとも一方が
導電性磁性膜と導電性非磁性膜とを交互に積層した多層
膜から成り、該シールド手段の両端に通電用電極を接読
してなるものである。
果素子の両側にシールドが配置された構造の磁気抵抗効
果型ヘッドであって、前記シールドの少なくとも一方が
導電性磁性膜と導電性非磁性膜とを交互に積層した多層
膜から成り、該シールド手段の両端に通電用電極を接読
してなるものである。
（ホ）作用
本発明磁気抵抗効果型ヘッドのシールドは、十分に薄い
磁性膜と非磁性膜とを交互に積１した多層膜からなって
いるので、磁性薄膜の一軸異方性を利用してそのシール
ド効果を向上させるように作用すると共に、更にその磁
性膜と非磁性膜の何れもが導電性であるため、バイアス
磁場発生用導体としても良好に作用するものである。
磁性膜と非磁性膜とを交互に積１した多層膜からなって
いるので、磁性薄膜の一軸異方性を利用してそのシール
ド効果を向上させるように作用すると共に、更にその磁
性膜と非磁性膜の何れもが導電性であるため、バイアス
磁場発生用導体としても良好に作用するものである。
（へ） 実施例
以下、本発明の一実施例について図面と共に説明する。
尚、従来と同一構成要素については同一図番を附すと共
にその説明を省略する。
にその説明を省略する。
即ち、本発明では前記したシールド兼バイアス磁場発生
用導体（５）を第１図に示すように膜厚０．１μｍ程度
のパーマロイ膜（５ａ）と膜厚０．０５μｍ程度のＣｒ
膜（ｇｂ）が交互に積層された合計膜厚０．５〜１μｍ
の多層膜で構成したものであり、斯る多層膜は電子ビー
ム蒸着法或いはマグネトロンスパッタ法等によって同一
真空室内でパーマロイとＣｒとを交互に成膜して形成さ
れる。尚、この時少なくともパーマロイの成膜時には後
でシールドの磁束通過方向となるべき方向が磁化困難方
向となる一軸異方性がつき易いように膜面内で該方向に
垂直な方向に磁場印加しながら成膜する。そして、この
様に成膜された多層膜は所定のレジストパターンに従っ
てエツチングすることによってシールド兼バイアス磁場
発生用導体となり、そのエツチングはＦｅＣｎ３ｍ液で
パーマロイを、Ｋ３ Ｆｅ（ＣＮ）ｚ溶液でｃｒを夫々
交互にエツチングしていっても良いし、選択性のないイ
オンビームエツチング法等によってバーマロイトＣｒヲ
３１１統的にエツチングしていっても良い。
用導体（５）を第１図に示すように膜厚０．１μｍ程度
のパーマロイ膜（５ａ）と膜厚０．０５μｍ程度のＣｒ
膜（ｇｂ）が交互に積層された合計膜厚０．５〜１μｍ
の多層膜で構成したものであり、斯る多層膜は電子ビー
ム蒸着法或いはマグネトロンスパッタ法等によって同一
真空室内でパーマロイとＣｒとを交互に成膜して形成さ
れる。尚、この時少なくともパーマロイの成膜時には後
でシールドの磁束通過方向となるべき方向が磁化困難方
向となる一軸異方性がつき易いように膜面内で該方向に
垂直な方向に磁場印加しながら成膜する。そして、この
様に成膜された多層膜は所定のレジストパターンに従っ
てエツチングすることによってシールド兼バイアス磁場
発生用導体となり、そのエツチングはＦｅＣｎ３ｍ液で
パーマロイを、Ｋ３ Ｆｅ（ＣＮ）ｚ溶液でｃｒを夫々
交互にエツチングしていっても良いし、選択性のないイ
オンビームエツチング法等によってバーマロイトＣｒヲ
３１１統的にエツチングしていっても良い。
尚、本実施例では磁性、非磁性膜として夫々電気抵抗が
１６μΩ伝程度のパーマロイ、Ｃｒヲ用イたが、この他
にも磁性膜としてセンダスト等非磁性膜としてＴｉ、
Ｍｏ、 Ｃｕ等を組み合わせて用いることも出来る。ま
た、本実施例では片側のシールドにはＮｉ−Ｚｎフェラ
イト等の湿性基板を用いたがフオトセラム等の非磁性基
板を用いて、両側のシールドが本発明による構造となる
ように構成しても良い。
１６μΩ伝程度のパーマロイ、Ｃｒヲ用イたが、この他
にも磁性膜としてセンダスト等非磁性膜としてＴｉ、
Ｍｏ、 Ｃｕ等を組み合わせて用いることも出来る。ま
た、本実施例では片側のシールドにはＮｉ−Ｚｎフェラ
イト等の湿性基板を用いたがフオトセラム等の非磁性基
板を用いて、両側のシールドが本発明による構造となる
ように構成しても良い。
（ト）発明の効果
上述した如く本発明に依れば、磁気抵抗効果素子の両側
にシールドが配置された構造の磁気抵抗効果型ヘッドで
あって、前記シールドの少なくとも一方を導電性磁性膜
と導電性非磁性膜とを交互に積層した多層膜とし、バイ
アス磁場発生用導体としても兼用させるようにしている
ので、シールドとしてパーマロイの単層膜を用いていた
従来に比してそのシールド効果を良好にすることが出来
、またその通電用電極も工数を著しく増やすことなく形
成することが出来る。
にシールドが配置された構造の磁気抵抗効果型ヘッドで
あって、前記シールドの少なくとも一方を導電性磁性膜
と導電性非磁性膜とを交互に積層した多層膜とし、バイ
アス磁場発生用導体としても兼用させるようにしている
ので、シールドとしてパーマロイの単層膜を用いていた
従来に比してそのシールド効果を良好にすることが出来
、またその通電用電極も工数を著しく増やすことなく形
成することが出来る。
第１図は本発明による磁気抵抗効果゛型ヘッドの要部拡
大図、第２図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの補強基板
等を除いた状態を示す平面図、第３図はそのＡ−Ａ’断
面図である。 （１）・・・シールド基板、（３）・・・磁気抵抗効果
素子層、（５）・・・バイアス磁場発生用導体兼シール
ド層。
大図、第２図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの補強基板
等を除いた状態を示す平面図、第３図はそのＡ−Ａ’断
面図である。 （１）・・・シールド基板、（３）・・・磁気抵抗効果
素子層、（５）・・・バイアス磁場発生用導体兼シール
ド層。
Claims (1)
- （１）磁気抵抗効果素子の両側にシールドが配置された
構造の磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記シールドの
少なくとも一方が導電性磁性膜と導電性非磁性膜とを交
互に積層した多層膜から成り、該シールドの両端に通電
用電極が接続されている事を特徴とする磁気抵抗効果型
ヘッド、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219935A JPH0619815B2 (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219935A JPH0619815B2 (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199918A true JPS6199918A (ja) | 1986-05-19 |
| JPH0619815B2 JPH0619815B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=16743327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59219935A Expired - Lifetime JPH0619815B2 (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619815B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027214A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448616U (ja) * | 1977-09-09 | 1979-04-04 |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP59219935A patent/JPH0619815B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448616U (ja) * | 1977-09-09 | 1979-04-04 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027214A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0619815B2 (ja) | 1994-03-16 |
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