JPS6326452B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6326452B2 JPS6326452B2 JP56160700A JP16070081A JPS6326452B2 JP S6326452 B2 JPS6326452 B2 JP S6326452B2 JP 56160700 A JP56160700 A JP 56160700A JP 16070081 A JP16070081 A JP 16070081A JP S6326452 B2 JPS6326452 B2 JP S6326452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- head
- magnetoresistive
- thickness
- magnetoresistive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気シールド型磁気抵抗効果ヘツド
に係り、磁気シールド体のうち少なくとも一方の
磁気シールド体の少なくともヘツド面近傍部の厚
さを最短記録波長程度とすることにより、不要な
磁束を磁気抵抗素子へ導入せず、ノイズ発生を防
止し、短波長を効率良く再生し得る磁気シールド
型磁気抵抗効果ヘツドを提供することを目的とす
る。
に係り、磁気シールド体のうち少なくとも一方の
磁気シールド体の少なくともヘツド面近傍部の厚
さを最短記録波長程度とすることにより、不要な
磁束を磁気抵抗素子へ導入せず、ノイズ発生を防
止し、短波長を効率良く再生し得る磁気シールド
型磁気抵抗効果ヘツドを提供することを目的とす
る。
近年、磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗効果ヘツ
ド（MRヘツド）は、コイル形ヘツドに比べ周波
数特性が良好であること、薄膜技術により製造し
得ること等の理由により高密度記録の再生ヘツド
として注目されている。
ド（MRヘツド）は、コイル形ヘツドに比べ周波
数特性が良好であること、薄膜技術により製造し
得ること等の理由により高密度記録の再生ヘツド
として注目されている。
この磁気抵抗効果ヘツドの原理は、第１図に示
す如く、端子１ａ，１ｂに接続された強磁性体か
らなる磁気抵抗素子１の両端間のＺ軸方向に定電
流を流し、磁気テープ２をｘ軸方向に相対的に移
動させると、磁気抵抗素子１を貫通するｘ軸方向
の信号磁界（水平記録）の変化又はｙ軸方向の信
号磁界（垂直記録）の変化に伴つて磁気抵抗素子
１の電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果により、
端子１ａ，１ｂ間に電圧変化として再生信号を得
るものである。
す如く、端子１ａ，１ｂに接続された強磁性体か
らなる磁気抵抗素子１の両端間のＺ軸方向に定電
流を流し、磁気テープ２をｘ軸方向に相対的に移
動させると、磁気抵抗素子１を貫通するｘ軸方向
の信号磁界（水平記録）の変化又はｙ軸方向の信
号磁界（垂直記録）の変化に伴つて磁気抵抗素子
１の電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果により、
端子１ａ，１ｂ間に電圧変化として再生信号を得
るものである。
従来、上記原理を実用化した磁気抵抗効果ヘツ
ドの構造は、磁気抵抗素子を非磁性材の電気絶縁
層を介在させて高透磁率材料からなる磁気シール
ド体で挾持してなり、ヘツド面近傍部の磁気シー
ルド体の厚みは大きく、最短記録波長の数十〜数
千倍とされていた。
ドの構造は、磁気抵抗素子を非磁性材の電気絶縁
層を介在させて高透磁率材料からなる磁気シール
ド体で挾持してなり、ヘツド面近傍部の磁気シー
ルド体の厚みは大きく、最短記録波長の数十〜数
千倍とされていた。
この種の磁気抵抗効果ヘツドの再生時における
ヘツド面側を考察するに、第２図に示す如く、ギ
ヤツプｇのエツジe1，e2に対向する磁気テープ２
の磁極S2，N2からの磁束φ1が磁気シールド体３
により導かれ磁気抵抗素子１を貫通し、この磁束
φ1のみが本来的な再生信号であるが、しかるに、
シールド体３のヘツド面３ａ近傍の厚みは最短記
録波長の数十〜数千倍程度で、非常に大きいた
め、シールド体（高透磁率）３のヘツド面３ａは
磁極S2，N2以外の磁極に対し同時に臨み、これ
により、不要な磁束φ2，φ3が磁気抵抗素子１へ
導入貫通して、本来的な再生信号たる磁束φ1に
磁束φ2，φ3が重畳した形となり、したがつて再
生信号にはノイズ成分が多く、短波長を効率良く
再生し得ないという欠点があつた。
ヘツド面側を考察するに、第２図に示す如く、ギ
ヤツプｇのエツジe1，e2に対向する磁気テープ２
の磁極S2，N2からの磁束φ1が磁気シールド体３
により導かれ磁気抵抗素子１を貫通し、この磁束
φ1のみが本来的な再生信号であるが、しかるに、
シールド体３のヘツド面３ａ近傍の厚みは最短記
録波長の数十〜数千倍程度で、非常に大きいた
め、シールド体（高透磁率）３のヘツド面３ａは
磁極S2，N2以外の磁極に対し同時に臨み、これ
により、不要な磁束φ2，φ3が磁気抵抗素子１へ
導入貫通して、本来的な再生信号たる磁束φ1に
磁束φ2，φ3が重畳した形となり、したがつて再
生信号にはノイズ成分が多く、短波長を効率良く
再生し得ないという欠点があつた。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下
その実施例につき図面と共に説明する。
その実施例につき図面と共に説明する。
第３図は本発明になる磁気シールド型磁気抵抗
効果ヘツドの第１実施例の一部切欠拡大斜視図で
ある。
効果ヘツドの第１実施例の一部切欠拡大斜視図で
ある。
５はセラミツク，ガラス等の基板であり、この
基板５上にはパーマロイ，センダスト，フエライ
ト等の高透磁率材の磁気シールド体６が蒸着等に
より形成されており、その厚さｔは最短記録波長
の2/3以下である。磁気シールド体６の上には石
英，アルミナ，ガラス等の非磁性材の電気絶縁層
７が蒸着等により積層形成されている。この電気
絶縁層７上のヘツド面７ａ側には図中梨地模様で
示す磁気抵抗素子８が蒸着，フオトエツチング，
電子ビーム加工等により形成され、その長辺側面
両端より電極層９ａ，９ｂが延出している。１０
は電気絶縁層７と同様の電気絶縁層である。１１
は電気絶縁層１０上に蒸着等により形成されたパ
ーマロイ，センダスト，フエライイト等の高透磁
率材の磁気シールド体であり、その厚みｔは磁気
シールド体の厚みｔと同様に最短記録波長の2/3
以下としてある。
基板５上にはパーマロイ，センダスト，フエライ
ト等の高透磁率材の磁気シールド体６が蒸着等に
より形成されており、その厚さｔは最短記録波長
の2/3以下である。磁気シールド体６の上には石
英，アルミナ，ガラス等の非磁性材の電気絶縁層
７が蒸着等により積層形成されている。この電気
絶縁層７上のヘツド面７ａ側には図中梨地模様で
示す磁気抵抗素子８が蒸着，フオトエツチング，
電子ビーム加工等により形成され、その長辺側面
両端より電極層９ａ，９ｂが延出している。１０
は電気絶縁層７と同様の電気絶縁層である。１１
は電気絶縁層１０上に蒸着等により形成されたパ
ーマロイ，センダスト，フエライイト等の高透磁
率材の磁気シールド体であり、その厚みｔは磁気
シールド体の厚みｔと同様に最短記録波長の2/3
以下としてある。
以下、本実施例ヘツド１２の再生特性につき説
明する。磁気シールド体６，１１の厚みは最短記
録波長の2/3以下であり、また通常ギヤツプ長ｇ
は最短記録波長の２倍程度であるため、第４図に
示す如くギヤツプエツジe1，e2が磁気テープ２の
磁極S2，N2に対向したとき、磁気シールド体６，
１１のヘツド面６ａ，１１ａは他の磁極S1，N1，
S3，N3に対向せず、したがつて磁気シールド体
６，１１内には磁極S2，N2による磁束φ1のみが
導入され、他の磁極S1，N1，S3，N3からの磁束
は導入されず、したがつて本来的に再生信号とな
る磁束φ1のみが磁気抵抗素子１を貫通する。こ
れにより、他の磁極S1，N1，S3，N3からの磁束
の影響はなく、高Ｓ／Ｎ比の再生信号を得ること
ができ、短波長における再生効率は著しく向上す
る。
明する。磁気シールド体６，１１の厚みは最短記
録波長の2/3以下であり、また通常ギヤツプ長ｇ
は最短記録波長の２倍程度であるため、第４図に
示す如くギヤツプエツジe1，e2が磁気テープ２の
磁極S2，N2に対向したとき、磁気シールド体６，
１１のヘツド面６ａ，１１ａは他の磁極S1，N1，
S3，N3に対向せず、したがつて磁気シールド体
６，１１内には磁極S2，N2による磁束φ1のみが
導入され、他の磁極S1，N1，S3，N3からの磁束
は導入されず、したがつて本来的に再生信号とな
る磁束φ1のみが磁気抵抗素子１を貫通する。こ
れにより、他の磁極S1，N1，S3，N3からの磁束
の影響はなく、高Ｓ／Ｎ比の再生信号を得ること
ができ、短波長における再生効率は著しく向上す
る。
尚、本実施例において磁気シールド体６，１１
の厚さｔを共に最短記録波長の2/3以下にしてあ
るが、一方の磁気シールド体の厚さｔのみを最短
記録波長の2/3以下となし他の磁気シールド体の
厚さｔは最短記録波長の2/3以上にしてもよく、
その理由は一方の磁気シールド体のヘツド面が所
定の磁極のみに対向した場合には他の磁気シール
ド体のヘツド面が不要な磁極に対向していても、
所定の磁極からの磁束のみが磁気抵抗素子８を貫
通して磁気ループを形成し、不要な磁極からの磁
束は磁気抵抗素子８を貫通しないからである。ま
たこの変形例によれば、一方の磁気シールド体の
厚みは大きいため、その磁気抵抗は小であり、所
定の磁束をより多く磁気抵抗素子８へ導入せしめ
ることができるという利点がある。
の厚さｔを共に最短記録波長の2/3以下にしてあ
るが、一方の磁気シールド体の厚さｔのみを最短
記録波長の2/3以下となし他の磁気シールド体の
厚さｔは最短記録波長の2/3以上にしてもよく、
その理由は一方の磁気シールド体のヘツド面が所
定の磁極のみに対向した場合には他の磁気シール
ド体のヘツド面が不要な磁極に対向していても、
所定の磁極からの磁束のみが磁気抵抗素子８を貫
通して磁気ループを形成し、不要な磁極からの磁
束は磁気抵抗素子８を貫通しないからである。ま
たこの変形例によれば、一方の磁気シールド体の
厚みは大きいため、その磁気抵抗は小であり、所
定の磁束をより多く磁気抵抗素子８へ導入せしめ
ることができるという利点がある。
更にまた、他の変形例として、磁気シールド体
６，１１のヘツド面６ａ，１１ａ近傍の厚さのみ
を最短記録波長の2/3以下になし、他の部分はこ
れよりも可成り厚く形成してもよく、この場合、
磁気シールド体６，１１全体の磁気抵抗を小とす
ることができ、上記利点は更に一層顕著なものと
なる。
６，１１のヘツド面６ａ，１１ａ近傍の厚さのみ
を最短記録波長の2/3以下になし、他の部分はこ
れよりも可成り厚く形成してもよく、この場合、
磁気シールド体６，１１全体の磁気抵抗を小とす
ることができ、上記利点は更に一層顕著なものと
なる。
尚、磁気シールド体６，１１の間にバイアス磁
界用の導体又は永久磁束を蒸着等により形成する
こともできる。
界用の導体又は永久磁束を蒸着等により形成する
こともできる。
第５図は本発明の第２実施例の一部切欠拡大斜
視図である。尚第３図中の部分と同一部分には同
一参照符号を附しその説明を省略する。このヘツ
ド１３は第１実施例ヘツド１２のシールド体１１
上に接着剤により付着されたセラミツク，ガラス
等の非磁性の基板１４を有し下側の基板５と共に
磁気シールド体６，１１、絶縁層７，１０、磁気
抵抗素子８等を挾持しており、ヘツド１３は磁気
抵抗素子８を中心とした対称構造となり、これに
より、極薄の磁気シールド体６，１１等を保護
し、このヘツド１３は機械的強度が上がり、耐久
性に富む。尚、本実施例ヘツド１３は第１実施例
ヘツド１２と同等の効果を有することは勿論であ
る。
視図である。尚第３図中の部分と同一部分には同
一参照符号を附しその説明を省略する。このヘツ
ド１３は第１実施例ヘツド１２のシールド体１１
上に接着剤により付着されたセラミツク，ガラス
等の非磁性の基板１４を有し下側の基板５と共に
磁気シールド体６，１１、絶縁層７，１０、磁気
抵抗素子８等を挾持しており、ヘツド１３は磁気
抵抗素子８を中心とした対称構造となり、これに
より、極薄の磁気シールド体６，１１等を保護
し、このヘツド１３は機械的強度が上がり、耐久
性に富む。尚、本実施例ヘツド１３は第１実施例
ヘツド１２と同等の効果を有することは勿論であ
る。
尚、上記各実施例における磁気シールド体６，
１１の厚みｔは最短記録波長の2/3以下と設定し
たが、再生信号となる磁束を出す磁極に隣接する
他の磁極に対し磁気シールド体６，１１のヘツド
面が臨まない範囲であればよく、概ね最短記録波
長程度の厚みである。更にまた、本発明になる磁
気シールド型磁気抵抗効果ヘツドは水平記録方式
に限らず、垂直記録方式にも適用し得る。
１１の厚みｔは最短記録波長の2/3以下と設定し
たが、再生信号となる磁束を出す磁極に隣接する
他の磁極に対し磁気シールド体６，１１のヘツド
面が臨まない範囲であればよく、概ね最短記録波
長程度の厚みである。更にまた、本発明になる磁
気シールド型磁気抵抗効果ヘツドは水平記録方式
に限らず、垂直記録方式にも適用し得る。
上述の如く、本発明になる磁気シールド型磁気
抵抗効果ヘツドは、磁気抵抗素子を磁気シールド
体で挾持してなる磁気シールド型磁気抵抗効果ヘ
ツドにおいて、該磁気シールド体のうち少なくと
も一方の磁気シールド体の少なくともヘツド面近
傍部の厚さを最短記録波長程度となしてあるた
め、再生信号となる磁束を出す磁極のみに磁気シ
ールド体のヘツド面が対向し、他の不要な磁極に
は該ヘツド面は臨まず、したがつて上記所定の磁
束のみが磁気抵抗素子を貫通することになり、こ
れによりノイズ発生が防止し得、高Ｓ／Ｎ比であ
り、短波長を効率良く再生し得るという特長を有
する。
抵抗効果ヘツドは、磁気抵抗素子を磁気シールド
体で挾持してなる磁気シールド型磁気抵抗効果ヘ
ツドにおいて、該磁気シールド体のうち少なくと
も一方の磁気シールド体の少なくともヘツド面近
傍部の厚さを最短記録波長程度となしてあるた
め、再生信号となる磁束を出す磁極のみに磁気シ
ールド体のヘツド面が対向し、他の不要な磁極に
は該ヘツド面は臨まず、したがつて上記所定の磁
束のみが磁気抵抗素子を貫通することになり、こ
れによりノイズ発生が防止し得、高Ｓ／Ｎ比であ
り、短波長を効率良く再生し得るという特長を有
する。
第１図は磁気抵抗効果ヘツドの原理を示す概略
斜視図、第２図は従来の磁気シールド型磁気抵抗
効果ヘツドのヘツド面側を示す拡大縦断面図、第
３図は本発明になる磁気シールド型磁気抵抗効果
ヘツドの第１実施例の拡大斜視図、第４図はその
ヘツド面側を示す拡大縦断面図、第５図は本発明
の第２実施例の拡大斜視図である。 １，８……磁気抵抗素子、１ａ，１ｂ……端
子、２……磁気テープ、３，６，１１……磁気シ
ールド体、３ａ，６ａ，１１ａ……ヘツド面、
５，１４……基板、７，１０……電気絶縁層、９
ａ，９ｂ……電極、１２，１３……磁気シールド
型磁気抵抗効果ヘツド。
斜視図、第２図は従来の磁気シールド型磁気抵抗
効果ヘツドのヘツド面側を示す拡大縦断面図、第
３図は本発明になる磁気シールド型磁気抵抗効果
ヘツドの第１実施例の拡大斜視図、第４図はその
ヘツド面側を示す拡大縦断面図、第５図は本発明
の第２実施例の拡大斜視図である。 １，８……磁気抵抗素子、１ａ，１ｂ……端
子、２……磁気テープ、３，６，１１……磁気シ
ールド体、３ａ，６ａ，１１ａ……ヘツド面、
５，１４……基板、７，１０……電気絶縁層、９
ａ，９ｂ……電極、１２，１３……磁気シールド
型磁気抵抗効果ヘツド。
Claims (1)
- １ 磁気抵抗素子を磁気シールド体で挾持してな
る磁気シールド型磁気抵抗効果ヘツドにおいて、
該磁気シールド体のうち少なくとも一方の磁気シ
ールド体の少なくともヘツド面近傍部の厚さを最
短記録波長程度になしたことを特徴とする磁気シ
ールド型磁気抵抗効果ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16070081A JPS5862818A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 磁気シ−ルド型磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16070081A JPS5862818A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 磁気シ−ルド型磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5862818A JPS5862818A (ja) | 1983-04-14 |
| JPS6326452B2 true JPS6326452B2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=15720574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16070081A Granted JPS5862818A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 磁気シ−ルド型磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5862818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372038U (ja) * | 1989-11-18 | 1991-07-22 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3860965A (en) * | 1973-10-04 | 1975-01-14 | Ibm | Magnetoresistive read head assembly having matched elements for common mode rejection |
| US3975772A (en) * | 1975-06-02 | 1976-08-17 | International Business Machines Corporation | Double shielded magnetorestive sensing element |
| JPS554722A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-14 | Nec Corp | Magnetoresistance effect head |
-
1981
- 1981-10-08 JP JP16070081A patent/JPS5862818A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372038U (ja) * | 1989-11-18 | 1991-07-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5862818A (ja) | 1983-04-14 |
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