JPS62100523A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor element - Google Patents

Epoxy resin composition for sealing semiconductor element

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JPS62100523A
JPS62100523A JP24246685A JP24246685A JPS62100523A JP S62100523 A JPS62100523 A JP S62100523A JP 24246685 A JP24246685 A JP 24246685A JP 24246685 A JP24246685 A JP 24246685A JP S62100523 A JPS62100523 A JP S62100523A
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JP
Japan
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epoxy resin
resin composition
softening point
water repellent
polyethylene
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JP24246685A
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Japanese (ja)
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Hideto Kimura
英人 木村
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:The titled epoxy resin composition capable of forming a plastic package having improved reliability of water-vapor resistance, comprising an epoxy resin of novolak type having a fixed softening point, a phenolic resin having the fixed softening point and a specific water repellent. CONSTITUTION:The aimed composition obtained by blending (A) an epoxy resin of novolak type (e.g., cresol novolak type epoxy resin) having 50-130 deg.C softening point with (B) a phenolic resin of novolak type (e.g., phenolic novolak, etc.,) having 50-130 deg.C softening point and (C) a water repellent comprising a polyethylene having >=10,000 molecular weight as a main component. The amount of the component C used is preferably 0.3-0.7wt% based on the total amount of the epoxy resin composition.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] この発明は、耐湿信頼性の優れたプラスチックパッケー
ジに形成することができる半侭体;÷;子封止用エポキ
シ樹脂組成物に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an epoxy resin composition for encapsulating a half body that can be formed into a plastic package with excellent moisture resistance and reliability. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

トランジスタ、IC,LSI等の半導体:、普子は、機
械的強度、耐湿性等の点から、セラミックスや樹脂を用
い、これらでバッゲーg、’するご、とにより封止され
ている。上記セラミックパッケージは、構成材料の耐熱
性、耐透湿性が良好なため、極めて信頼性の高い封止が
=J能である。しかし7、構成材料が比1校的高価であ
ることと、V産性Sこ劣る欠点により、近年では樹脂に
よる封止が王流乙こなっている。
Semiconductors such as transistors, ICs, and LSIs are sealed using ceramics and resins from the viewpoint of mechanical strength and moisture resistance. The ceramic package described above has excellent heat resistance and moisture permeation resistance of its constituent materials, so it is capable of extremely reliable sealing. However, in recent years, sealing with resin has become less popular due to the comparatively expensive constituent materials and poor V productivity.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

なかでもエポキシ樹脂組成物が多用されているが、近年
のパッケージの小形化、薄形化によりパッケージ中への
水分の侵入が容易になっている。
Among these, epoxy resin compositions are often used, but as packages have become smaller and thinner in recent years, it has become easier for moisture to penetrate into the packages.

また、パッケージ実装時に、表面実装が行われるように
なってパッケージ全体がハンダ浸漬されたり、ハンダリ
フロー炉により赤外線加熱さね、たりして、大きな熱衝
撃を受6するよう乙、二なり、バ′シゲ−ジとリードフ
レームとの界面に隙間ができそこからの水分の侵入も無
視し得なくなっている。このような水分の侵入に伴い、
封止樹脂中の不純物イオンが活性化され、半導体素子表
面の配線部に腐食を生じさせるようになっており、樹脂
封止半導体の耐湿性をさらに向上させる必要が生じてい
る。
In addition, when mounting packages, surface mounting is now performed, and the entire package is immersed in solder, or it is heated by infrared rays in a solder reflow oven, which causes the package to receive a large thermal shock. 'A gap is created at the interface between the cage and the lead frame, and the intrusion of moisture through the gap cannot be ignored. With this moisture intrusion,
Impurity ions in the sealing resin are activated and cause corrosion to the wiring portions on the surface of the semiconductor element, creating a need to further improve the moisture resistance of the resin-sealed semiconductor.

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、一
層耐湿性に冨む封止をなしうる半導体素子封止用エポキ
シ樹脂組成物の提供をその目的とする。
The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor element that can achieve encapsulation with even higher moisture resistance.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するため、この発明の半導体素子封止
用エポキシ樹脂組成物は、下記の(A)〜(C)成分を
含有するエポキシ樹脂組成物であって、下記(C)成分
として分子110000以上のポリエチレンを主成分と
する撥水剤を用いるという構成をとる。
In order to achieve the above object, the epoxy resin composition for semiconductor device encapsulation of the present invention is an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C), in which the following component (C) is a molecule. The structure uses a water repellent whose main component is polyethylene of 110,000 or more.

(A)軟化点50〜130℃のノボラック型エポキシ樹
脂。
(A) Novolac type epoxy resin with a softening point of 50 to 130°C.

(B)軟化点50−130℃の7ノボラツク型フエノー
ル樹脂。
(B) 7 novolak type phenolic resin with a softening point of 50-130°C.

(C)撥水剤。(C) Water repellent.

すなわら、この発明者らは、上記樹脂材1:半導体の耐
湿信頼性向上の要望に応えるため、一連の研究を重ねた
結果、iG水剤として特に分子量10000以上のポリ
エチレンを主成分とするものを用い、これと、上記特定
の軟化点をもつノボラック型エポキシ樹脂およびノボラ
ック型フェノール樹脂を組み合わせると、得られる封止
用エポキシ樹脂組成物硬化体の半導体素子に対する密着
性が著しく高くなって熱衝撃等を受けてもパッケージと
リードフレームとの界面に隙間を生じず、仮に隙間を生
じても、素子封止時の加熱によって上記組成物中のポリ
エチレン撥水剤が予め素子全体を被覆し保護した状態に
なっているため、その撥水作用により水分の侵入が防1
F、され、その結果、半導体装置の耐湿性が著しく向上
することを見いだしこの発明に到達した。
In other words, the inventors have conducted a series of researches in order to meet the demand for the above-mentioned resin material 1: improving the moisture resistance reliability of semiconductors, and as a result, they have developed an iG solution that has polyethylene as a main component with a molecular weight of 10,000 or more. When this is combined with a novolac-type epoxy resin and a novolac-type phenol resin having the above-mentioned specific softening points, the adhesiveness of the resulting cured epoxy resin composition for sealing to the semiconductor element becomes extremely high, and it becomes heat-resistant. Even if subjected to impact, etc., no gap will be formed at the interface between the package and the lead frame, and even if a gap does occur, the polyethylene water repellent in the composition will cover the entire element and protect it through heating during element sealing. Because it is in a state of water repellency, it prevents moisture from entering.
F, and as a result, the moisture resistance of the semiconductor device was found to be significantly improved, and the present invention was achieved.

この発明のエポキシ樹脂組成物は、軟化点50〜130
℃のノボラック型エポキシ樹脂(A成分)と、軟化点5
0〜130℃のノボラック型フェノール樹脂(B成分)
と、分子1ioooo以上のポリエチレンを主成分とす
るta水剤(C成分)を用いて得られるものであり、通
常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状になっ
ている。
The epoxy resin composition of this invention has a softening point of 50 to 130.
°C novolac type epoxy resin (component A) and softening point 5
Novolac type phenolic resin (B component) at 0 to 130°C
It is obtained using a TA solution (component C) whose main component is polyethylene with a molecular size of 1ioooo or more, and is usually in the form of a powder or a tablet formed by compressing it.

上記A成分となるノボラック型エポキシ樹脂は、軟化点
50〜130℃のものであれば特に制限するものではな
く、クレゾールノボラック、フェノールノボラック等を
適宜に選択使用することができる。しかし、好適なのは
クレゾールノボラック系のものである。これらのものは
エポキシ当量が180〜250の範囲内のものが好適で
ある。
The novolak type epoxy resin serving as the above-mentioned component A is not particularly limited as long as it has a softening point of 50 to 130°C, and cresol novolak, phenol novolak, etc. can be appropriately selected and used. However, preferred are those based on cresol novolacs. These materials preferably have an epoxy equivalent weight within the range of 180 to 250.

上記エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるB成分のノ
ボラック型フェノール樹脂は、軟化点が50〜130 
”Cのフェノールノボラック、クレゾールノボラックが
好適である。
The novolac type phenolic resin of component B used as a curing agent for the above epoxy resin has a softening point of 50 to 130.
Phenol novolaks and cresol novolacs of "C" are preferred.

C成分としての撥水剤は、分子110000以上のポリ
エチレンを主成分とするものであり、特に、分子量が1
0000〜100oooのポリエチレンを主成分とする
IΩ水剤が好結果をもたらす。ここで主成分とするとは
、全体が主成分からなる場合も含める趣旨である。分子
110000以上のポリエチレンを主成分とするもので
は、樹脂封止半導体の耐湿性が充分向上せず、この発明
の目的を達成することができない。ごこで、上記分子量
は、ポリスチレンを基準物質とし、展開溶媒としてテト
ラヒドロフランを用いるゲルパーミェーションクロマト
グラフィーにより求めた重量平均分子量を示している。
The water repellent as component C is mainly composed of polyethylene with a molecular weight of 110,000 or more.
An IΩ solution containing polyethylene as a main component of 0000 to 100ooo gives good results. Here, the term "main component" is meant to include cases where the entire component is made of the main component. If the main component is polyethylene having a molecular weight of 110,000 or more, the moisture resistance of the resin-sealed semiconductor will not be sufficiently improved, and the object of the present invention cannot be achieved. Here, the above molecular weight indicates the weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography using polystyrene as a reference material and tetrahydrofuran as a developing solvent.

」二足C成分としての撥水剤の使用量は、エポキシ樹脂
組成物全体の0.1〜1.5重量%(以ド[−%」と略
す)に設定することが好適であり、より好適なのは0.
3〜0.7%の範囲内である。tΩ水剤の使用量が0.
1%未満になると、樹脂封1F半m体の耐湿性が充分向
上せず、逆に1.5%を超えると樹脂封止体の外観が悪
くなると同時に表面印捺がしにくくなる1頃向力(みら
れる力)らである。
It is preferable that the amount of water repellent used as the Biped C component is set at 0.1 to 1.5% by weight (hereinafter abbreviated as "-%") of the entire epoxy resin composition. The preferred value is 0.
It is within the range of 3 to 0.7%. The amount of tΩ solution used is 0.
If it is less than 1%, the moisture resistance of the resin-sealed 1F half-m body will not be sufficiently improved, and on the other hand, if it exceeds 1.5%, the appearance of the resin-sealed body will deteriorate and at the same time it will be difficult to print on the surface. Power (power seen) et al.

なお、この発明のエポキシ樹脂3、■酸物には、通r′
6、上記成分以外に、従来から用いられている各種の硬
化促進剤が単独でもしくは併せて用いられる。この種の
硬化促進剤として1.下記の三級アミン、四級アンモニ
ウム塩、イミダゾール類、およびホウ素化合物を好適な
例としてあげることができる。
In addition, the epoxy resin 3 of this invention, the acid compound, is generally r'
6. In addition to the above components, various conventionally used curing accelerators may be used alone or in combination. As this type of curing accelerator: 1. Suitable examples include the following tertiary amines, quaternary ammonium salts, imidazoles, and boron compounds.

三級アミン トリエタノールアミン、テトラメチルヘキサンジアミン
、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチル
アミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2,4
.6− (ジメチルアミノメチル)フェノール、N、N
’−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、1.8
−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、ベ
ンジルジメチルアミン、2− (ジメチルアミノ)メチ
ルフェノール四級アンモニウム塩 トープジルトリメチルアンモニウムアイオダイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘンシルジメチ
ルテトラブチルアンモニウムクロライド、ステアリルト
リメチルアンモニラムク1コライド 一イミダゾール頌 2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール
、2−エチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチル
イミダゾール、■−シアノエチルー2−ウンデシルイミ
ダゾールホウ素化合物 テトラフェニルボロン1、テトラフェニルボレート、N
−メチルモルホリンテトラフェニルボレー1・ また、必要に応じて、−[−記の成分原料以外に、。
Tertiary amine triethanolamine, tetramethylhexanediamine, triethylenediamine, dimethylaniline, dimethylaminoethanol, diethylaminoethanol, 2,4
.. 6- (dimethylaminomethyl)phenol, N, N
'-dimethylpiperazine, pyridine, picoline, 1.8
-Diaza-bicyclo(5,4,0)undecene-7, benzyldimethylamine, 2-(dimethylamino)methylphenol quaternary ammonium salt Topdyltrimethylammonium iodide, cetyltrimethylammonium chloride, hensyldimethyltetrabutylammonium chloride , stearyltrimethylammonylammonium chloride 1 colloid imidazole 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, ■-cyanoethyl-2-undecylimidazole boron compound tetraphenylboron 1 , tetraphenylborate, N
-Methylmorpholinetetraphenylbore 1. Also, if necessary, -[In addition to the component raw materials listed in -,

無機質充填材、三酸化アンチモン、リン系化合物等の難
燃剤や顔料、シランカップリング剤等のカップリング剤
を用いることができる。9上記無機質充填材としては特
に限定するものではなく、一般に用いられる石英ガラス
粉末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉末等が適宜に用
いられる。
Inorganic fillers, antimony trioxide, flame retardants such as phosphorus compounds, pigments, and coupling agents such as silane coupling agents can be used. 9 The above-mentioned inorganic filler is not particularly limited, and commonly used quartz glass powder, talc, silica powder, alumina powder, etc. can be used as appropriate.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、従来公知の方
法で製造しうるちのであり、これについてより詳しく述
べると、ノボラック型エポキシ樹脂と、ノボラック型フ
ェノール樹脂と、撥水剤と、場合により無機質充填剤、
顔料、カップリング剤、離型剤等その他の添加剤を適宜
配合し、この配合物をミキシングロール機等の混練機に
かけて加熱状態で混練して半硬化状の樹脂組成物とし、
これを室温に冷却したのち公知の手段によって粉砕し、
必要に応じて打錠することにより得ることができる。
The epoxy resin composition used in this invention is produced by a conventionally known method, and in more detail, it contains a novolac type epoxy resin, a novolac type phenolic resin, a water repellent, and optionally an inorganic filler. agent,
Other additives such as pigments, coupling agents, mold release agents, etc. are appropriately blended, and this mixture is kneaded in a heated state using a kneading machine such as a mixing roll machine to obtain a semi-cured resin composition.
After cooling this to room temperature, it is crushed by known means,
It can be obtained by tabletting if necessary.

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止ば特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスファー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
The encapsulation of a semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be carried out by a conventional method, for example, a known molding method such as transfer molding.

このようにして得られる半導体装置は1.優れた耐湿信
頼性を備えている。
The semiconductor device thus obtained is 1. It has excellent moisture resistance and reliability.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明の半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物は、1
合水剤として特に分子110000以上のポリエチレン
を主成分とするものを用い、これと、特定の軟化点を有
するノボラック型エポキシ樹脂およびノボラック型フェ
ノール樹脂を組み合わせているため、先に述べたよ・:
)にその硬化物の半導体素子に対する密着性が著しく向
上する。しまたがって、熱衝撃等を受けても、上記組成
物の硬化によって得られるプラスチックパッケージと素
子との界面剥離を生じない。そのうえ、組成物中の上記
ポリエチレン撥水剤が樹脂封止時の加熱によって溶融し
素子表面を被覆保護した状態になるため、仮にパッケー
ジと素子との間に隙間が生じても、撥水剤の18水硬化
によって水分の侵入が■市される。すなわち、この発明
のエポキシ樹脂組成物は、上記の効果により、半導体素
子を1゛、■止した際の耐湿信頼性を極めて高くなしう
るのであり、プラスチックパッケージの小形・薄形化な
C)びにパッケージの表面実装の際の熱衝撃等に充分対
応しうるのである。
The epoxy resin composition for encapsulating semiconductor elements of the present invention comprises 1
As a water-combining agent, we use a material whose main component is polyethylene with a molecular weight of 110,000 or more, and we combine this with a novolak-type epoxy resin and a novolak-type phenol resin that have a specific softening point, as mentioned earlier.
), the adhesion of the cured product to semiconductor elements is significantly improved. Therefore, even if subjected to thermal shock or the like, no interfacial peeling occurs between the plastic package obtained by curing the composition and the element. Furthermore, the polyethylene water repellent in the composition melts when heated during resin sealing, coating and protecting the surface of the element, so even if a gap occurs between the package and the element, the water repellent will remain intact. 18 Water intrusion is prevented by water curing. In other words, due to the above effects, the epoxy resin composition of the present invention can achieve extremely high moisture resistance reliability when a semiconductor element is temporarily stopped, and can be used to reduce the size and thickness of plastic packages. This is sufficient to withstand thermal shock during surface mounting of the package.

つぎに、実施例について比較例と併−(Jて説明する。Next, examples will be explained together with comparative examples.

〔実施例1〜4、比較例1〜3〕 まず、各原料を下記の第1表に示す組成で配合し、この
配合物を120℃の熱ロールで5分間混練したのち冷却
後粉砕し、粉末状組成物とした。
[Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 to 3] First, each raw material was blended with the composition shown in Table 1 below, and this blend was kneaded for 5 minutes with a hot roll at 120 ° C. After cooling, it was pulverized. It was made into a powdered composition.

ついで、得られた粉末状組成物を用い、表面にアルミニ
ウム配線が芸着されているシリコンチップからなる半導
体素子を、圧カフ 0 kg/cJ、温度180℃1時
間2分の条件でトランスファー成形し、半導体装置を得
た。
Next, using the obtained powder composition, a semiconductor element consisting of a silicon chip having aluminum wiring attached to the surface was transfer-molded under the conditions of a pressure cuff of 0 kg/cJ and a temperature of 180°C for 1 hour and 2 minutes. , a semiconductor device was obtained.

(以下余白) 〔試験〕 このようにして得られた実施例1〜4および比較例1〜
3の半導体装置を各50個用意し、つぎのような方法で
耐湿性試験を行った。すなわち、まず上記半導体装置の
チップ上のアルミ配線の抵抗値を測定し、つぎにこの半
導体装置を121℃。
(Left below) [Test] Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 thus obtained
Fifty semiconductor devices of No. 3 were each prepared, and a moisture resistance test was conducted in the following manner. That is, first, the resistance value of the aluminum wiring on the chip of the semiconductor device was measured, and then the semiconductor device was heated to 121°C.

2気圧の加圧水蒸気密閉容器内に一定時間放置したのら
取り出し、再度1.に記アルミ配線の抵抗を測定した。
After leaving it in a pressurized steam sealed container at 2 atmospheres for a certain period of time, take it out and repeat step 1. The resistance of the aluminum wiring was measured.

放置後の抵抗値が、放置前の抵抗値の150%以上にな
っているものを不良品とし、試料50個に対する不良品
個数を耐湿性の目安とした。この結果を第2表に示す。
A product whose resistance value after being left is 150% or more of the resistance value before being left was determined to be a defective product, and the number of defective products per 50 samples was used as a measure of moisture resistance. The results are shown in Table 2.

(以下余白) l−2−−−−人 第2表の結果から、実施例のエポキシ樹脂組成物によれ
ば、耐湿性の優れた樹脂対l:ができることがわかる。
(The following is a blank space) 1-2 ----Person From the results in Table 2, it can be seen that according to the epoxy resin composition of the example, a resin pair 1: having excellent moisture resistance can be produced.

上記実施例に対し、比較例1.2は、この発明の範囲外
である分子量の小さいポリエチレン(θ水剤を用いてい
るため、成績がいまひとつよ(ない。また、比較例3は
、ポリエチレン10水剤を用いていす、最も成績が悪く
なっている。
In contrast to the above examples, Comparative Example 1.2 uses polyethylene with a small molecular weight (θ water agent), which is outside the scope of the present invention, so the results are not good. The results were the worst when using water medications.

(余  白  )(Left white)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹
脂組成物であつて、下記(C)成分として、分子量10
000以上のポリエチレンを主成分とする撥水剤が用い
られていることを特徴とする半導体素子封止用エポキシ
樹脂組成物。 (A)軟化点50〜130℃のノボラック型エポキシ樹
脂。 (B)軟化点50〜130℃のノボラック型フェノール
樹脂。 (C)撥水剤。
(1) An epoxy resin composition containing the following components (A) to (C), in which the following component (C) has a molecular weight of 10
1. An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device, characterized in that a water repellent having a polyethylene of 000 or more as a main component is used. (A) Novolac type epoxy resin with a softening point of 50 to 130°C. (B) Novolac type phenolic resin with a softening point of 50 to 130°C. (C) Water repellent.
(2)ポリエチレンが、分子量10000〜10000
0のものである特許請求の範囲第1項記載の半導体素子
封止用エポキシ樹脂組成物。
(2) Polyethylene has a molecular weight of 10,000 to 10,000
1. The epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device according to claim 1, which has the following properties.
JP24246685A 1985-10-28 1985-10-28 Epoxy resin composition for sealing semiconductor element Pending JPS62100523A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9456513B2 (en) 2009-02-25 2016-09-27 3M Innovative Properties Company Article with gasket having moisture transmission resistivity and method

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