JPH0680753B2 - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents

Resin-sealed semiconductor device

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JPH0680753B2
JPH0680753B2 JP60257190A JP25719085A JPH0680753B2 JP H0680753 B2 JPH0680753 B2 JP H0680753B2 JP 60257190 A JP60257190 A JP 60257190A JP 25719085 A JP25719085 A JP 25719085A JP H0680753 B2 JPH0680753 B2 JP H0680753B2
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resin
semiconductor device
epoxy resin
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polyethylene
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彰子 北山
晴夫 田畑
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/47Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
    • H10W74/476Organic materials comprising silicon

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は信頼性、特に耐湿信頼性に優れた樹脂封止半
導体装置に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device having excellent reliability, particularly moisture resistance reliability.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来から、トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子をプラ
スチツクパツケージで保護した樹脂封止半導体装置とし
て、プリント基板等にピンを挿入して実装するデュアル
・インライン・パツケージ(DIP)タイプのものが、賞
用されている。
Conventionally, as a resin-encapsulated semiconductor device in which semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are protected by a plastic package, a dual in-line package (DIP) type in which pins are mounted on a printed circuit board etc. is mounted Is used.

しかしながら、近年、腕時計や電卓,VTRカメラ等の小形
高機能製品の開発の流れに伴い、半導体装置の高密度実
装化,薄形化が要求され、いわゆるフラツトパツケージ
タイプの表面実装型半導体装置が多用されるようになつ
てきている。
However, in recent years, with the flow of development of small high-performance products such as wristwatches, calculators, VTR cameras, etc., high density mounting and thinning of semiconductor devices are required, and so-called flat package type surface mounting type semiconductor devices have been developed. It is becoming popular.

上記表面実装型半導体装置は、従来のDIPタイプのもの
のようにリードピンだけを部分的に半田浸漬するもので
はなく、通常、半導体装置全体を260℃程度の半田浴に
浸漬したのち、プリント基板に接続,固定することによ
り実装を行うものである。
Unlike the conventional DIP type, the surface mount type semiconductor device is not one in which only the lead pins are partially solder-immersed, but usually the whole semiconductor device is immersed in a solder bath at about 260 ° C and then connected to a printed circuit board. , It is mounted by fixing.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、上記のように半導体装置全体を半田浴に
浸漬すると、半導体装置が室温から260℃というような
急激な温度変化を受けるため、熱衝撃によつてリードフ
レームと封止樹脂間に隙間を生じ、パツケージの耐湿性
が損なわれてしまう。
However, when the entire semiconductor device is immersed in the solder bath as described above, the semiconductor device undergoes a rapid temperature change from room temperature to 260 ° C, and a thermal shock causes a gap between the lead frame and the sealing resin. , The moisture resistance of the package will be impaired.

このような問題を解決するため、ポリシロキサンを含有
させたエポキシ樹脂組成物が提案されている(特開昭58
−137804号)。しかしながら、このような樹脂組成物で
は、表面実装型の半導体装置には充分適応できないのが
実情であり、その改善が望まれている。
In order to solve such a problem, an epoxy resin composition containing polysiloxane has been proposed (JP-A-58).
-137804). However, in reality, such a resin composition cannot be sufficiently applied to a surface-mounting type semiconductor device, and its improvement is desired.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、
半田浸漬後の耐湿性に優れた樹脂封止半導体装置の提供
をその目的とするものである。
The present invention has been made in view of such circumstances,
It is an object of the present invention to provide a resin-encapsulated semiconductor device having excellent moisture resistance after solder immersion.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するため、この発明の樹脂封止半導体
装置は、下記の(A)〜(D)成分を含有し、さらに分
子量1000以上のポリエチレンを主成分とする撥水剤が含
有されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。
To achieve the above object, the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention contains the following components (A) to (D) and further contains a water repellent agent containing polyethylene having a molecular weight of 1000 or more as a main component. The epoxy resin composition is used to seal the semiconductor element.

(A)エポキシ樹脂。(A) Epoxy resin.

(B)フエノール樹脂。(B) a phenolic resin.

(C)硬化促進剤。(C) Curing accelerator.

(D)オルガノポリシロキサン。(D) Organopolysiloxane.

すなわち、本発明者らは、半田浸漬後においても優れた
耐湿性を発揮する樹脂封止半導体装置を開発するため、
一連の研究を重ねた結果、オルガノポリシロキサンとポ
リエチレンを併用し、かつ上記ポリエチレンとして分子
量1000以上のものを用いると、所期の目的を達成しうる
ことを見いだしこの発明に到達したのである。
That is, the present inventors have developed a resin-encapsulated semiconductor device that exhibits excellent moisture resistance even after solder immersion,
As a result of a series of studies, they have found that the intended object can be achieved by using organopolysiloxane and polyethylene in combination and using polyethylene having a molecular weight of 1000 or more, and arrived at the present invention.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
と、フエノール樹脂と、硬化促進剤と、オルガノポリシ
ロキサンと、ポリエチレンとを用いて得られるものであ
つて、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト
状になつている。
The epoxy resin composition used in the present invention is obtained by using an epoxy resin, a phenol resin, a curing accelerator, an organopolysiloxane, and polyethylene, and is usually in the form of powder or a tablet. It looks like a tablet.

上記A成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するもので
はなく、クレゾールノボラツク型,フエノールノボラツ
ク型やビスフエノールA型等,従来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらの樹脂のなかでも、融点が室温を超えて
おり、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈す
るものを用いることが好結果をもたらす。ノボラツク型
エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量160〜250,軟
化点50〜130℃のものが用いられ、クレゾールノボラツ
ク型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180〜210,軟
化点60〜110℃のものが一般に用いられる。
The epoxy resin serving as the component A is not particularly limited, and various epoxy resins conventionally used as sealing resins for semiconductor devices, such as cresol novolak type, phenol novolak type, and bisphenol A type, are used. can give. Among these resins, those having a melting point over room temperature and exhibiting a solid state or a high-viscosity solution state at room temperature bring about good results. As the novolak type epoxy resin, those having an epoxy equivalent of 160 to 250 and a softening point of 50 to 130 ° C are usually used, and as the cresol novolak type epoxy resin, those having an epoxy equivalent of 180 to 210 and a softening point of 60 to 110 ° C are used. Commonly used.

上記エポキシ樹脂と共に用いられる、B成分のフエノー
ル樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フエノールノボラツク,クレゾールノボラツ
ク等が好適に用いられる。これらノボラツク樹脂は、軟
化点が50〜110℃,水酸基当量が70〜150のものを用いる
ことが好ましい。特に上記ノボラツク樹脂のなかでもク
レゾールノボラツクを用いることが好結果をもたらす。
The component B phenolic resin used together with the epoxy resin acts as a curing agent for the epoxy resin, and phenol novolac and cresol novolac are preferably used. It is preferable to use these novolak resins having a softening point of 50 to 110 ° C. and a hydroxyl group equivalent of 70 to 150. Particularly, it is preferable to use cresol novolak among the above novolak resins.

フエノール樹脂と共に用いられるC成分の硬化促進剤と
しては従来から用いられている各種の硬化促進剤があげ
られ、単独でもしくは併せて用いることができる。この
種の硬化促進剤として、下記の三級アミン,四級アンモ
ニウム塩,イミダゾール類およびホウ素化合物を好適な
例としてあげることができる。
Examples of the C component curing accelerator used together with the phenol resin include various conventionally used curing accelerators, which may be used alone or in combination. Preferred examples of this type of curing accelerator include the following tertiary amines, quaternary ammonium salts, imidazoles and boron compounds.

三級アミン トリエタノールアミン、テトラメチルヘキサンジアミ
ン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチ
ルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2,4,
6−(ジメチルアミノメチル)フエノール、N,N′−ジメ
チルピペラジン、ピリジン、ピコリン、1,8−ジアザ−
ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、ベンジルジメチル
アミン、2−(ジメチルアミノ)メチルフエノール 四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド、セチル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラブチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリ
メチルアンモニウムクロライド イミダゾール類 2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾー
ル、2−エチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチ
ルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイ
ミダゾール ホウ素化合物 テトラフエニルボロン、テトラフエニルボレート、N−
メチルモルホリンテトラフエニルボレート、 上記D成分としては、下記の一般式(I)〜(III)で
表されるオルガノポリシロキサンがあげられ、単独でも
しくは併せて使用される。
Tertiary amine triethanolamine, tetramethylhexanediamine, triethylenediamine, dimethylaniline, dimethylaminoethanol, diethylaminoethanol, 2,4,
6- (dimethylaminomethyl) phenol, N, N'-dimethylpiperazine, pyridine, picoline, 1,8-diaza-
Bicyclo (5,4,0) undecene-7, benzyldimethylamine, 2- (dimethylamino) methylphenol quaternary ammonium salt dodecyltrimethylammonium iodide, cetyltrimethylammonium chloride, benzyldimethyltetrabutylammonium chloride, stearyltrimethylammonium chloride Imidazoles 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole boron compound tetraphenylboron, tetraphenylborate, N-
Methylmorpholine tetraphenyl borate, and the above-mentioned component D includes organopolysiloxanes represented by the following general formulas (I) to (III), which may be used alone or in combination.

このようなオルガノポリシロキサンの含有量は、エポキ
シ樹脂組成物中の有機成分に対して2〜50重量%の範囲
内に設定することができ、さらに好ましくは5〜30重量
wt%の範囲内である。
The content of such an organopolysiloxane can be set within the range of 2 to 50% by weight, more preferably 5 to 30% by weight, based on the organic component in the epoxy resin composition.
It is within the wt% range.

上記(A)〜(D)成分と共に用いられる撥水剤は、分
子量1000以上のポリエチレンを主成分とするものであ
り、特に、分子量10000〜100000のポリエチレンを主成
分とする撥水剤が好結果をもたらす。ここで主成分とす
るとは、全体が主成分からなる場合も含める趣旨であ
る。分子量1000未満のポリエチレンを主成分とするもの
では、樹脂封止半導体装置の耐湿性が充分向上せず、こ
の発明の目的を達成することができない。ここで、上記
分子量は、ポリスチレンを基準物質とし、展開溶媒とし
てテトラヒドロフランを用いるゲルパーミエーシヨンク
ロマトグラフイーにより求めた重量平均分子量を示して
いる。上記撥水剤の使用量は、エポキシ樹脂組成物全体
の0.1〜1.5重量%(以下「%」と略す)に設定すること
が好適であり、より好適なのは0.3〜1%の範囲内であ
る。撥水剤の使用量が0.1%未満になると、樹脂封止半
導体装置の耐湿性が充分向上せず、逆に1.5%を超える
と樹脂封止半導体装置の外観が悪くなると同時に表面印
捺がしにくくなる傾向がみられるからである。
The water repellent used together with the above components (A) to (D) has polyethylene having a molecular weight of 1000 or more as a main component, and particularly a water repellent having polyethylene having a molecular weight of 10,000 to 100,000 as a main component gives good results. Bring Here, the term “main component” is intended to include a case where the entire component is the main component. A resin containing polyethylene having a molecular weight of less than 1000 as a main component does not sufficiently improve the moisture resistance of the resin-sealed semiconductor device, and the object of the present invention cannot be achieved. Here, the above-mentioned molecular weight indicates a weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography using polystyrene as a reference substance and tetrahydrofuran as a developing solvent. The amount of the water repellent used is preferably set to 0.1 to 1.5% by weight (hereinafter abbreviated as "%") of the entire epoxy resin composition, and more preferably 0.3 to 1%. If the amount of water repellent used is less than 0.1%, the moisture resistance of the resin-encapsulated semiconductor device will not be sufficiently improved, while if it exceeds 1.5%, the appearance of the resin-encapsulated semiconductor device will be poor and at the same time surface printing will be performed. This is because it tends to be difficult.

なお、この発明で用いるエポキシ樹脂組成物には、上記
ポリエチレンを主成分とする撥水剤と共に、カルナバワ
ツクス等のワツクス類を併用することができるし、また
必要に応じて、上記の原料以外に、無機質充填剤,三酸
化アンチモン,リン系化合物等の難燃剤や顔料,シラン
カツプリング剤等のカツプリング剤を用いることができ
る。上記無機質充填剤としては特に限定するものではな
く、一般に用いられる石英ガラス粉末,タルク,シリカ
粉末,アルミナ粉末等が適宜に用いられる。
In the epoxy resin composition used in the present invention, waxes such as carnauba wax can be used in combination with the water repellent having polyethylene as a main component, and, if necessary, other than the above raw materials. In addition, a flame retardant such as an inorganic filler, antimony trioxide or a phosphorus compound, a pigment, or a coupling agent such as a silane coupling agent can be used. The above-mentioned inorganic filler is not particularly limited, and commonly used quartz glass powder, talc, silica powder, alumina powder and the like are appropriately used.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、従来公知の方
法で製造しうるものであり、これについてより詳しく述
べると、エポキシ樹脂と、フエノール樹脂と、オルガノ
ポリシロキサンと、分子量1000以上のポリエチレンワツ
クスと、場合により無機質充填剤,顔料,カツプリング
剤その他の添加剤を適宜配合し、この配合物をミキシン
グロール機等の混練機にかけて加熱状態で混練して半硬
化状の樹脂組成物とし、これを室温に冷却したのち公知
の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠することによ
り目的とするエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
The epoxy resin composition used in the present invention can be produced by a conventionally known method. More specifically, the epoxy resin, the phenol resin, the organopolysiloxane, and the polyethylene wax having a molecular weight of 1000 or more are used. In some cases, an inorganic filler, a pigment, a coupling agent, and other additives are appropriately mixed, and the mixture is kneaded in a kneading machine such as a mixing roll machine in a heated state to form a semi-cured resin composition, which is stored at room temperature. The desired epoxy resin composition can be obtained by cooling to 1, then pulverizing by a known means, and tableting if necessary.

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスフアー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
The encapsulation of the semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by an ordinary method, for example, a known molding method such as transfer molding.

このようにして得られる半導体装置は、優れた信頼性、
特に半田浸漬後の耐湿性に優れている。
The semiconductor device thus obtained has excellent reliability,
In particular, it has excellent moisture resistance after solder immersion.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

この発明は、分子量1000以上のポリエチレンを主成分と
する撥水剤と、オルガノポリシロキサンとを併用するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することを
最大の特徴とするものであり、上記オルガノポリシロキ
サンの作用により、装置全体を半田浴に浸漬する等の熱
衝撃時に生じる応力ひずみが大幅に低減された素子と硬
化樹脂との界面剥離が抑制されるようになる。そのう
え、組成物中の上記ポリエチレン撥水剤が樹脂封止時の
加熱または半田浸漬時の温度によつて溶融し素子表面を
被覆保護した状態になるため、仮にパツケージと素子と
の間に隙間を生じても、撥水剤の撥水効果によつて水分
の侵入が阻止される。すなわち、この発明によれば、上
記の効果により、半導体阻止を封止した際の耐湿信頼性
を極めて高くしうるのであり、プラスチツクパツケージ
の小形・薄形化ならびにパツケージの表面実装の際の熱
衝撃等に充分対応しうるのである。
The present invention is characterized by encapsulating a semiconductor element using an epoxy resin composition in which a water-repellent agent containing polyethylene having a molecular weight of 1000 or more as a main component and an organopolysiloxane are used in combination, Due to the action of the above-mentioned organopolysiloxane, the interfacial peeling between the cured resin and the element in which the stress strain generated at the time of thermal shock such as immersing the entire device in a solder bath is significantly reduced can be suppressed. In addition, since the polyethylene water repellent in the composition is melted by the heating at the time of resin sealing or the temperature at the time of solder immersion to cover and protect the element surface, a gap is temporarily provided between the package and the element. Even if it occurs, the water-repellent effect of the water-repellent agent prevents the intrusion of water. That is, according to the present invention, due to the above effects, the moisture resistance reliability when sealing the semiconductor block can be made extremely high, and the thermal shock during the surface mounting of the package and the miniaturization and thinning of the plastic package can be achieved. And so on.

つぎに、実施例について、比較例と併せて説明する。Next, examples will be described together with comparative examples.

〔実施例1〜7、比較例1〜3〕 まず、各原料を後記の第1表に示す組成で配合し、この
配合物を120℃の熱ロールで5分間混練したのち冷却後
粉砕し、粉末状組成物とした。ついで、得られた粉末状
組成物を用い、リニアICを8ピンSOP(Small Outline
Package)に、圧力70kg/cm2,温度175℃,時間2分の
条件でトランスフアー成形して形成した。
[Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3] First, each raw material was blended in a composition shown in Table 1 below, and the blended material was kneaded with a hot roll at 120 ° C for 5 minutes, cooled, and then ground, It was a powdery composition. Then, using the obtained powdery composition, a linear IC was formed into an 8-pin SOP (Small Outline
It was formed by transfer molding under the conditions of pressure 70 kg / cm 2 , temperature 175 ° C., and time 2 minutes.

つぎに、得られた樹脂封止半導体装置を、温度85℃,湿
度85%RHの雰囲気中に入れてパツケージを吸湿させた
後、半田浸漬し(260℃×10S)、121℃×100%RHのプレ
ツシヤークツカーテスト(PCT)を行つた結果、第1表
に示すような平均寿命(MTTF)が得られた。
Next, the obtained resin-encapsulated semiconductor device was placed in an atmosphere at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% RH to allow the package to absorb moisture, and then dipped in solder (260 ° C. × 10S) to 121 ° C. × 100% RH. As a result of carrying out the Presqueak Tuker Test (PCT), the average lifetime (MTTF) shown in Table 1 was obtained.

第1表の結果から、実施例品は半田浸漬後の耐湿性に著
しく優れていることがわかる。
From the results shown in Table 1, it can be seen that the example products are remarkably excellent in moisture resistance after solder immersion.

これに対し、比較例1,2は、ポリエチレン撥水剤を用い
ていず、比較例3はポリエチレン撥水剤を用いているも
ののオルガノポリシロキサンと併用していないため、成
績が悪い。
In contrast, Comparative Examples 1 and 2 did not use a polyethylene water repellent, and Comparative Example 3 used a polyethylene water repellent, but did not use it in combination with organopolysiloxane, and therefore the results are poor.

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C08L 63/00 NKB B 8830−4J H01L 23/31 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location C08L 63/00 NKB B 8830-4J H01L 23/31

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記の(A)〜(D)成分を含有し、さら
に分子量1000以上のポリエチレンを主成分とする撥水剤
が含有されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素
子を封止してなる樹脂封止半導体装置。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フエノール樹脂。 (C)硬化促進剤。 (D)オルガノポリシロキサン。
1. A semiconductor element is encapsulated using an epoxy resin composition containing the following components (A) to (D), and further containing a water repellent agent containing polyethylene having a molecular weight of 1000 or more as a main component. A resin-sealed semiconductor device obtained by (A) Epoxy resin. (B) a phenolic resin. (C) Curing accelerator. (D) Organopolysiloxane.
【請求項2】撥水剤が分子量10000以上のものである特
許請求の範囲第1項記載の樹脂封止半導体装置。
2. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the water repellent has a molecular weight of 10,000 or more.
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