JPS62218480A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPS62218480A JPS62218480A JP61059827A JP5982786A JPS62218480A JP S62218480 A JPS62218480 A JP S62218480A JP 61059827 A JP61059827 A JP 61059827A JP 5982786 A JP5982786 A JP 5982786A JP S62218480 A JPS62218480 A JP S62218480A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示装置用液晶組成物、特に電界効果モードに
於てダイナミック駆動特性が良好なる液晶組成物に関す
る。
於てダイナミック駆動特性が良好なる液晶組成物に関す
る。
従来、表示装置用ネマチック液晶組成物は、例えば!#
−開昭54−85694号公報などに明示されているよ
うに、一般式R−6−CO0−o−0−R’ (R、R
’は各々任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す)で表わ
される化合物(以後本文中に於てECI(と略記する)
などのN2H晶をペースにして、これらに一般式R’−
Q3−CO0−Q−CN (R”は任to炭素ao[頌
アル千ル基を示す)で表わされる化合物(以後本文中に
赫てP−Eと略記する〕などのNp液晶を添加し光学的
しきいI[i4を圧を低下せしめる。但し、Np液晶の
添加量が多くなると後述の急峻性などの電気光学特性が
低下するので必要以上にNp液晶を添加することは得策
でない。更に上記Nn液晶及びNp液晶に加えて一般弐
R”−@−O←((IcN (R” は任意の炭素数
の直鎖アルキル基な示す)で表わされる化合物などを添
加する事により透明点を高くし液晶温度範囲を広くして
いる。
−開昭54−85694号公報などに明示されているよ
うに、一般式R−6−CO0−o−0−R’ (R、R
’は各々任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す)で表わ
される化合物(以後本文中に於てECI(と略記する)
などのN2H晶をペースにして、これらに一般式R’−
Q3−CO0−Q−CN (R”は任to炭素ao[頌
アル千ル基を示す)で表わされる化合物(以後本文中に
赫てP−Eと略記する〕などのNp液晶を添加し光学的
しきいI[i4を圧を低下せしめる。但し、Np液晶の
添加量が多くなると後述の急峻性などの電気光学特性が
低下するので必要以上にNp液晶を添加することは得策
でない。更に上記Nn液晶及びNp液晶に加えて一般弐
R”−@−O←((IcN (R” は任意の炭素数
の直鎖アルキル基な示す)で表わされる化合物などを添
加する事により透明点を高くし液晶温度範囲を広くして
いる。
合口、ネマチック液晶組成物に安来される特性の条件は
■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧付近の立ち
上がりが急峻であること(以後本文中に此て急峻性と略
記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が速いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れるこ■ 駆動
電圧(または光学的しきい値)が自由に選べること などがある。
上がりが急峻であること(以後本文中に此て急峻性と略
記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が速いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れるこ■ 駆動
電圧(または光学的しきい値)が自由に選べること などがある。
単純マトリクス表示体に於てダイナミック駆動をした時
、駆動回路によって選択電極部または非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々V 6 !l+ V O
f fとし、走置電極の本数n本とすれば比Von/V
offは Vo n/Vo f f = (i+1 )/(i−1
) ・・・・・−(1)なる関係があり、nが多くなる
につれて比Van/Voffも小さくなって行く。
、駆動回路によって選択電極部または非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々V 6 !l+ V O
f fとし、走置電極の本数n本とすれば比Von/V
offは Vo n/Vo f f = (i+1 )/(i−1
) ・・・・・−(1)なる関係があり、nが多くなる
につれて比Van/Voffも小さくなって行く。
一方、液晶表示装置の一つであるツイスト・ネマチック
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学時性測定装置を用いて該セル4の透過率を光
電増倍・Uで観察しながら駆動回路6により該セル4に
印加する実効電圧を変えて行くと第2図に示される如き
実効電圧−透過率曲線が得られる。電圧を上げて行き透
過率が変化し始める実効電圧を光学的しきい値′電圧v
th(本明細簀中に於ては透過率を10%だけ変化させ
るのに必要な実効這圧値yvthとする)、更に電圧を
上げて行き透過率が光学的飽和′#lt比をVsat(
本明細誓中に於ては透過率を90%変化させるのに必要
な実効電圧値をVsatとする)とすると、非選択電極
部では印加される実効電圧Voffが光学的しきい値電
圧vthより小さければ、即ち VoffくVth −(2) であれば電圧がI:I]/II]されていない時と比較
してその透過率は変化せず全く選択されなく、選択電極
部では印加される実効電圧Vonが飽和電圧vltより
大きければ、即ち V o n、>V s a t −−(5)であれ
ば透過率は十分変化し選択された事になる従って(3)
式を(2)式で割れば Von Vsat −−〉 vth、、 ・・・・・・(すVoff となり、この関係式が成り立つ時非選択電極と選択電極
の透過率の差が十分となる。更に(り式と(4) 5一 式から 匣く〆lFr + 1工石W肩了・・・・・・(5)v
th となる。走査線の本数nが多くなるにつれ右辺は小さく
なり1に近づいて行く。このため選択電極と非選択電極
で十分なコントラストを得るには、Vsat/Vthも
1に近い方が有利となる。即ち第2図の実効電圧−相対
過率曲線の光学的しきい値電圧から光学的飽和電圧Kか
けての曲線の勾配が急峻な程、コントラストを一定(ま
たは良くした上に)走査線本数を増やす事ができる。以
上が条件■が必要となる理由である。しかし従来、′を
気光学特性に於ける温度依存性の除去が重要視されてい
た為条件■そのものを改良する具体的方策が示されてお
らず問題である。これに対して温度依存性はICが安価
になった現任温度補償回路を駆動回路に組み込む事によ
り容易に取り除く事ができるように成った。
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学時性測定装置を用いて該セル4の透過率を光
電増倍・Uで観察しながら駆動回路6により該セル4に
印加する実効電圧を変えて行くと第2図に示される如き
実効電圧−透過率曲線が得られる。電圧を上げて行き透
過率が変化し始める実効電圧を光学的しきい値′電圧v
th(本明細簀中に於ては透過率を10%だけ変化させ
るのに必要な実効這圧値yvthとする)、更に電圧を
上げて行き透過率が光学的飽和′#lt比をVsat(
本明細誓中に於ては透過率を90%変化させるのに必要
な実効電圧値をVsatとする)とすると、非選択電極
部では印加される実効電圧Voffが光学的しきい値電
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してその透過率は変化せず全く選択されなく、選択電極
部では印加される実効電圧Vonが飽和電圧vltより
大きければ、即ち V o n、>V s a t −−(5)であれ
ば透過率は十分変化し選択された事になる従って(3)
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の透過率の差が十分となる。更に(り式と(4) 5一 式から 匣く〆lFr + 1工石W肩了・・・・・・(5)v
th となる。走査線の本数nが多くなるにつれ右辺は小さく
なり1に近づいて行く。このため選択電極と非選択電極
で十分なコントラストを得るには、Vsat/Vthも
1に近い方が有利となる。即ち第2図の実効電圧−相対
過率曲線の光学的しきい値電圧から光学的飽和電圧Kか
けての曲線の勾配が急峻な程、コントラストを一定(ま
たは良くした上に)走査線本数を増やす事ができる。以
上が条件■が必要となる理由である。しかし従来、′を
気光学特性に於ける温度依存性の除去が重要視されてい
た為条件■そのものを改良する具体的方策が示されてお
らず問題である。これに対して温度依存性はICが安価
になった現任温度補償回路を駆動回路に組み込む事によ
り容易に取り除く事ができるように成った。
他の問題点として応答速度がある。
静止画像を表示する場合応答速度はそれ程問題とならな
い。しかしコンピュータ端末やワード・プロセンサーな
どの様に画像を頻繁に切り換える必要のある場合、高速
応答性が要求されるようになる。テレビ画flJなどの
動画を表示する場合更に速い応答性が要求されるのは言
うまでもない。
い。しかしコンピュータ端末やワード・プロセンサーな
どの様に画像を頻繁に切り換える必要のある場合、高速
応答性が要求されるようになる。テレビ画flJなどの
動画を表示する場合更に速い応答性が要求されるのは言
うまでもない。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは表示装置用のネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特注を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に安定なネマチック液晶組成物を提供する事にある
。
るところは表示装置用のネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特注を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に安定なネマチック液晶組成物を提供する事にある
。
本発明の液晶組成物は少なくとも一般式が下記人で表わ
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで表わ
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Cで媛わ
される化合物の少なくとも一種、及び一般式が下記りで
表わされる化合物の少なくとも一種から成る事を特徴と
する。
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで表わ
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Cで媛わ
される化合物の少なくとも一種、及び一般式が下記りで
表わされる化合物の少なくとも一種から成る事を特徴と
する。
A −−R+−6−o−On。
B・・・・・・Rμ陥テン0R4
C−−u、−o−coo−◎トCN
D・・・・・・R6−■→)べ+ R?但し、
R1及びR2は炭素数1〜12itlIの直鎖アルキル
基 Rs及びR4は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 R,は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基R6及びR1
は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 を表わす。
基 Rs及びR4は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 R,は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基R6及びR1
は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 を表わす。
一般式人で表わされる化合*(以後本文中に於て化合物
人と略記する)は応答速度を速くするために有効なNn
液晶であり7重量−未満では効果が小さくその含有量は
多い程良い。しかし透明点が比較的低いため化合物Aの
含有量が72Jifiチを越えるとネマチック液晶組成
物の透明点も低くなり、ひいてはネマチック液晶組成物
のネマチンク液晶範囲を狭くするため好ましくない。従
って化合物人の含有量は7重j1チ〜72重j!1%が
望ましい・ 一般式Bで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Bと略記する)は従来の単なるNn液晶及びNp液晶か
ら成るネマチック液晶組成物に添加する事により急峻性
を向上させるために有効なNn液晶であり、3重量%未
満では効果が小さくその含有量は多い程良い。しかし4
2.5重量%を越えると共晶組成からのズレが大きく成
り過ぎ(凝固点降下の効果が得られず低温に於て析出す
るように成るため3重量q6〜42.5重量%が望まし
い。
人と略記する)は応答速度を速くするために有効なNn
液晶であり7重量−未満では効果が小さくその含有量は
多い程良い。しかし透明点が比較的低いため化合物Aの
含有量が72Jifiチを越えるとネマチック液晶組成
物の透明点も低くなり、ひいてはネマチック液晶組成物
のネマチンク液晶範囲を狭くするため好ましくない。従
って化合物人の含有量は7重j1チ〜72重j!1%が
望ましい・ 一般式Bで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Bと略記する)は従来の単なるNn液晶及びNp液晶か
ら成るネマチック液晶組成物に添加する事により急峻性
を向上させるために有効なNn液晶であり、3重量%未
満では効果が小さくその含有量は多い程良い。しかし4
2.5重量%を越えると共晶組成からのズレが大きく成
り過ぎ(凝固点降下の効果が得られず低温に於て析出す
るように成るため3重量q6〜42.5重量%が望まし
い。
一般式Cで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Cと略記する)はNp液晶でありその含有量の多少によ
り光学的しきい値電圧を低くまた高くできる。また、透
明点を高くするのに有利である。しかし、含有量を多く
し過ぎると急峻性などの電気光学特性の性能を低下させ
、また、共晶組成からのズレが大きくなり過ぎて#固点
降下の効果が得られず低温に於て析出するように成る。
Cと略記する)はNp液晶でありその含有量の多少によ
り光学的しきい値電圧を低くまた高くできる。また、透
明点を高くするのに有利である。しかし、含有量を多く
し過ぎると急峻性などの電気光学特性の性能を低下させ
、また、共晶組成からのズレが大きくなり過ぎて#固点
降下の効果が得られず低温に於て析出するように成る。
従って化合物Bの含有量は、5重1チから38重tチが
望ましい。
望ましい。
一般弐〇で表わされる化合物(以後本文中に於て化合*
Dと略記する)はネマチック液晶組成物の透明点を高く
するのに有効である。しかし5重量%未満では効果が小
さくその含有量は多い程良い。しかし30重量%を越え
ると低温でスメクチック相が出現し好ましくない。従っ
て化合物りの含有量は3〜50重量%が望ましく、より
望ましくは5〜25重fチである。
Dと略記する)はネマチック液晶組成物の透明点を高く
するのに有効である。しかし5重量%未満では効果が小
さくその含有量は多い程良い。しかし30重量%を越え
ると低温でスメクチック相が出現し好ましくない。従っ
て化合物りの含有量は3〜50重量%が望ましく、より
望ましくは5〜25重fチである。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
尚、液晶組成物の特性の測定は次の如く行った。
第1図は電気光学特性に対する測定系を表わしたもので
ある。測定セル4はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明′に他を設け、更にその面を
有機薄膜で覆い配向処理を施した上、スベーザーの役割
を兼ねたナイロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を
封入した時液晶層が所望の厚みと成るように2枚の該ガ
ラス基板を対向させて固定したものであり、該セルの両
面には各々1枚づつの偏光板を電圧が印加されていない
時光が透過し、電圧が印加された時光が遮断されるよう
に偏光軸の向きを調整して貼付けである。
ある。測定セル4はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明′に他を設け、更にその面を
有機薄膜で覆い配向処理を施した上、スベーザーの役割
を兼ねたナイロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を
封入した時液晶層が所望の厚みと成るように2枚の該ガ
ラス基板を対向させて固定したものであり、該セルの両
面には各々1枚づつの偏光板を電圧が印加されていない
時光が透過し、電圧が印加された時光が遮断されるよう
に偏光軸の向きを調整して貼付けである。
尚、本文中に於てガラス基板とガラス基板の間隔(即ち
、液晶層の厚さ)をセル厚と略記する。白色光源1から
出た光線はレンズ系3を通りセル4に画直方向から入射
し、後方に設けられた検出器でその透過光強度が測定さ
れる。この時セル4には駆動回路5によって任意の実効
値電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交番矩形電圧を印
加されている。第1図の測定系を用いて液晶セルを測定
した実効電圧−相対透過率曲線が第2図である。第2図
に於て透過率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなった
時及び最も暗くなった時の透過率を各々100%及び0
優として表わし印加電圧を透過率100%の電圧から始
めて徐々に上げて行き透過率が10チだけ変化した時の
実効値電圧を光学的しきいIIf電圧vthまた更に印
カロ電圧を上げて透過率が100%の時から90チ変化
した時の実効値電圧を光学的飽和′電圧Vgatと各々
定める。
、液晶層の厚さ)をセル厚と略記する。白色光源1から
出た光線はレンズ系3を通りセル4に画直方向から入射
し、後方に設けられた検出器でその透過光強度が測定さ
れる。この時セル4には駆動回路5によって任意の実効
値電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交番矩形電圧を印
加されている。第1図の測定系を用いて液晶セルを測定
した実効電圧−相対透過率曲線が第2図である。第2図
に於て透過率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなった
時及び最も暗くなった時の透過率を各々100%及び0
優として表わし印加電圧を透過率100%の電圧から始
めて徐々に上げて行き透過率が10チだけ変化した時の
実効値電圧を光学的しきいIIf電圧vthまた更に印
カロ電圧を上げて透過率が100%の時から90チ変化
した時の実効値電圧を光学的飽和′電圧Vgatと各々
定める。
この時、実効電圧−相対透過率曲線の光学的しきい値電
圧付近の立ち上がり(即ち、急峻任)は下式に於けるβ
値として定められる。
圧付近の立ち上がり(即ち、急峻任)は下式に於けるβ
値として定められる。
β=□
vth
点燈時(マトリクス・セルに於て選択された時)の実効
値電圧(Vanと表わす)がVsatに等しく、非点燈
時(非選択時)の実効電圧(Voffと表わす)がvt
hに等しい電気信号が印加された時各々透過率が90%
及び10チと成り、画素の点燈及び非点燈が認識される
事と成る。梃に言えばVonがVaatよりやや大きく
、Voffがvthよりやや小さければ各々の透過率は
90チ以上と10%以下と成る。この時Von/Vof
f)Vsat/Vth =βである。これとは逆にVo
nがV鄭atより小さく、Voffがvthより大きけ
れば各々の透過率は90チ以下と10%以上と成り視認
性が悪くなってしまう。即ち、Von/Voff(Va
st/Vtb=βなる信号電圧が印加された場合視認性
が悪くなるのである。この様にβ値が電気信号の実効電
圧比Yon/Voffより小さければ視認性の良い画素
表示が得られ、同じ画像表示を得るのにβ値が小さい程
Von/Voff比も小さく済む。
値電圧(Vanと表わす)がVsatに等しく、非点燈
時(非選択時)の実効電圧(Voffと表わす)がvt
hに等しい電気信号が印加された時各々透過率が90%
及び10チと成り、画素の点燈及び非点燈が認識される
事と成る。梃に言えばVonがVaatよりやや大きく
、Voffがvthよりやや小さければ各々の透過率は
90チ以上と10%以下と成る。この時Von/Vof
f)Vsat/Vth =βである。これとは逆にVo
nがV鄭atより小さく、Voffがvthより大きけ
れば各々の透過率は90チ以下と10%以上と成り視認
性が悪くなってしまう。即ち、Von/Voff(Va
st/Vtb=βなる信号電圧が印加された場合視認性
が悪くなるのである。この様にβ値が電気信号の実効電
圧比Yon/Voffより小さければ視認性の良い画素
表示が得られ、同じ画像表示を得るのにβ値が小さい程
Von/Voff比も小さく済む。
単純マトリクス表示体では走査線本数を多くする程Va
n/Voffが小さくなるためβ値も小さい(1に近づ
く)事が必要である。以上β値はVan/Voftが許
容される最小値を示すためマルチプレックス特性の指標
となる。
n/Voffが小さくなるためβ値も小さい(1に近づ
く)事が必要である。以上β値はVan/Voftが許
容される最小値を示すためマルチプレックス特性の指標
となる。
印加電圧の変化に対する応答速度は次の通りとする。印
加する実効値電圧を瞬間的にvthからvsatへ切り
換えた時定常状態での各々実効値電圧に対する透過率同
志の差の90%だけ透過率が変化するのに要する時間(
即ち透過率が90チから18チへ変化するのに要する時
間)ffミリ秒単位でTonと表わし、同様にVast
からvthへ実効値電圧を瞬間的に切り換えた時定常状
態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90チ
だけ透過率が変化するのに資する時間(透過率が10チ
から82俤へ変化するのに要する時間)をミリ秒単位で
Toffと表わす。TonとToffを足したT (ミ
IJ秒単位)を以て応答速度の指標とする。
加する実効値電圧を瞬間的にvthからvsatへ切り
換えた時定常状態での各々実効値電圧に対する透過率同
志の差の90%だけ透過率が変化するのに要する時間(
即ち透過率が90チから18チへ変化するのに要する時
間)ffミリ秒単位でTonと表わし、同様にVast
からvthへ実効値電圧を瞬間的に切り換えた時定常状
態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90チ
だけ透過率が変化するのに資する時間(透過率が10チ
から82俤へ変化するのに要する時間)をミリ秒単位で
Toffと表わす。TonとToffを足したT (ミ
IJ秒単位)を以て応答速度の指標とする。
同、一般に切り換えてから透過率が0の状態から90チ
へ変化するのに要する時間をt o n、印加電圧をν
から0へ瞬間的に切り換えてから透過率が100%の状
態から10チ変化するのに要する時間を、toffとす
ると下記の式で表わされる事が知られている(参考文献
: M−8chadt。
へ変化するのに要する時間をt o n、印加電圧をν
から0へ瞬間的に切り換えてから透過率が100%の状
態から10チ変化するのに要する時間を、toffとす
ると下記の式で表わされる事が知られている(参考文献
: M−8chadt。
日本学術振興会情報科学用有機材料第142委員会A部
会(液晶グループ)第11回研究会資料1978年)。
会(液晶グループ)第11回研究会資料1978年)。
ton=:η汽1゜”E”−K(−!−)”)=dll
Iη/(ε61 t E” K x” )t o f
f−=7/K(ニ)2 =d2・η/Kx’ (ここで、ηはバルク粘度、1゜は真空誘電率。
Iη/(ε61 t E” K x” )t o f
f−=7/K(ニ)2 =d2・η/Kx’ (ここで、ηはバルク粘度、1゜は真空誘電率。
78は相対訪電率の異方性、Eは電場、にはK11+
Kss 2 K!り / 4なる弾性安数項、dはセ
ル厚を各々表わし2、η、jjおよびKは液晶組成物に
個有である)。従ってton及びtoffは共にd2に
比例して曵くなる。
Kss 2 K!り / 4なる弾性安数項、dはセ
ル厚を各々表わし2、η、jjおよびKは液晶組成物に
個有である)。従ってton及びtoffは共にd2に
比例して曵くなる。
本実施列で定義したTなる応答速度もセル厚と密接な関
係があり、定性的ではあるがセル厚が薄いとでは短かく
、セル厚が厚いと長い順向を見出した。これらの関係は
当業者ならば納得するに難しくない。従って同じ液晶組
成物を用いて液晶表示体?作った場合セル厚を薄くする
程、応答速度を速くする事ができる。
係があり、定性的ではあるがセル厚が薄いとでは短かく
、セル厚が厚いと長い順向を見出した。これらの関係は
当業者ならば納得するに難しくない。従って同じ液晶組
成物を用いて液晶表示体?作った場合セル厚を薄くする
程、応答速度を速くする事ができる。
一方、急峻性βはセル厚d (p)と屈折率異方性Δn
の積である△nodが0.8〜1.0 付近の時、最も
小さくなる(最良となる)事が見出されている(参考文
献:山崎淑夫、竹下 裕、永田光夫、宮地幸犬+ pr
ocedingg of the 5rd Inter
nationalDisplay Re5earch
Conf@rence ”JAPAN DISPLAY
’85” 、 320 頁: 1983年、■5ID)
。従ッテコントラストを重視する場合、セル厚dをΔn
−dが、a8〜1.0付近に成る様に液晶表示体を作る
のが最も得策であり、液晶組成物の急峻性の比較もこの
セル厚で行うのが最も妥当であると考えられる。
の積である△nodが0.8〜1.0 付近の時、最も
小さくなる(最良となる)事が見出されている(参考文
献:山崎淑夫、竹下 裕、永田光夫、宮地幸犬+ pr
ocedingg of the 5rd Inter
nationalDisplay Re5earch
Conf@rence ”JAPAN DISPLAY
’85” 、 320 頁: 1983年、■5ID)
。従ッテコントラストを重視する場合、セル厚dをΔn
−dが、a8〜1.0付近に成る様に液晶表示体を作る
のが最も得策であり、液晶組成物の急峻性の比較もこの
セル厚で行うのが最も妥当であると考えられる。
応答時間も先に配した如くセル厚と関係するため液晶組
成物の応答時間を比較するには適当な厚みで測定する事
が必要である。
成物の応答時間を比較するには適当な厚みで測定する事
が必要である。
以上を鑑み、本実施例では急峻性、応答速度及び、光学
的しきい値電圧の測定は全て急峻性βが最小となるセル
厚のセルを用いて測定した。
的しきい値電圧の測定は全て急峻性βが最小となるセル
厚のセルを用いて測定した。
測定温度は全て摂氏201Wとした。
また配向の均一性を高めるため本発明のネマチック液晶
組成物に#童のコレステリンク物質を添加したものをセ
ルに封止した。
組成物に#童のコレステリンク物質を添加したものをセ
ルに封止した。
ネマチック液晶相の安定性はセルに封入した状態で高温
液晶性及び低温液晶性を以て犬わした。
液晶性及び低温液晶性を以て犬わした。
即ち年平均気温の平年値が東京で15℃、部組で22℃
である(総理府統計局編「日本の統計」昭和55年度版
6,7頁)から室温を20℃と仮定しセルを恒温槽に
設置し、それより更に30℃高い温度に於てネマチック
相が安定か否かを高温液晶性と称することにし、ネマチ
ック相が安定なら○印、等方性液体(1sotropl
e 1iquid)なら工で表わす。低温液晶性はセル
を設置した恒温槽の温度を20℃から始め1日につき5
℃ずつ下げて行った時、室温として仮定した20℃より
30℃低くなった時(即ち、恒温槽温度−10℃)、ネ
マチック液晶相が安定か否かを低温液晶性と称し、ネマ
チック液晶相が安定なら○印を、スメクチック液晶相な
らSmを固体状態を呈しているかまたは析出を生じてい
ればx印を以って表わす。
である(総理府統計局編「日本の統計」昭和55年度版
6,7頁)から室温を20℃と仮定しセルを恒温槽に
設置し、それより更に30℃高い温度に於てネマチック
相が安定か否かを高温液晶性と称することにし、ネマチ
ック相が安定なら○印、等方性液体(1sotropl
e 1iquid)なら工で表わす。低温液晶性はセル
を設置した恒温槽の温度を20℃から始め1日につき5
℃ずつ下げて行った時、室温として仮定した20℃より
30℃低くなった時(即ち、恒温槽温度−10℃)、ネ
マチック液晶相が安定か否かを低温液晶性と称し、ネマ
チック液晶相が安定なら○印を、スメクチック液晶相な
らSmを固体状態を呈しているかまたは析出を生じてい
ればx印を以って表わす。
〔実施例−1,2〕
本発明による実施例−1,2の組成及び特性を第1表に
示す。但し、本実施列は化合物Bとして一般式R「O(
ト0−R4(式中R3及びR4は炭素数1〜10個の直
鎖アルキル基を示す)で表わされる化合物(以後本文中
に於てPRRと略記する)を含有して成る事を特徴とし
ている。
示す。但し、本実施列は化合物Bとして一般式R「O(
ト0−R4(式中R3及びR4は炭素数1〜10個の直
鎖アルキル基を示す)で表わされる化合物(以後本文中
に於てPRRと略記する)を含有して成る事を特徴とし
ている。
また、従来例としてECH及びP−Eを含有して成る液
晶組成物の組成及び特性を第2表に示す。
晶組成物の組成及び特性を第2表に示す。
従来例−1で急峻性を表わすβ値が1.265であるの
に対して、実施例−1のβ呟は1.255、実施例−2
のβ値は1.254と良好である。
に対して、実施例−1のβ呟は1.255、実施例−2
のβ値は1.254と良好である。
応答速度は、従来例−1が444ミリ秒であるのに対し
て、実施向−1は181ミリ秒、実施例−2は189ミ
リ秒とかなり速くなっている。
て、実施向−1は181ミリ秒、実施例−2は189ミ
リ秒とかなり速くなっている。
実施例−1,2は摂氏50度に於ける尚温液晶性及び摂
氏マイナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で
、通常の表示体に用いるのに十分広いネマチック液晶温
度範囲を有している。特に実施例−1は摂氏マイナス2
0度から摂氏68度までネマチック液晶温度範囲を有し
、かなり厳しい条件下での表示体にも用いることが可能
である。
氏マイナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で
、通常の表示体に用いるのに十分広いネマチック液晶温
度範囲を有している。特に実施例−1は摂氏マイナス2
0度から摂氏68度までネマチック液晶温度範囲を有し
、かなり厳しい条件下での表示体にも用いることが可能
である。
以上、従来例−1のβ値が1.265であるのに対して
、本発明による実施例−1は1.235、実施例−2は
1.254と良好である。また、応答速度も速く、更に
ネマチック液晶温度範囲も十分である。
、本発明による実施例−1は1.235、実施例−2は
1.254と良好である。また、応答速度も速く、更に
ネマチック液晶温度範囲も十分である。
〔実施例−3,4〕
本発明による実施例−3,4の組成及び特注を第3表に
示す。但し本実施例はPRRを含有して成る事を特徴と
している。
示す。但し本実施例はPRRを含有して成る事を特徴と
している。
また、従来例の組成及び特性を第2表に示す。
従来例−1で急峻性を表わすβ値が1.265であるの
に対して、実施例−3のβ値は1.226 。
に対して、実施例−3のβ値は1.226 。
実施例−4のβ値は1.218と良好である。
応答速度は、従来例−1が444417秒であるのに対
して、実施例−3は165ミリ秒、実施例−4は178
ミリ秒とかなり速くなっている。
して、実施例−3は165ミリ秒、実施例−4は178
ミリ秒とかなり速くなっている。
実施例−3,4は摂氏50度に於ける高温液晶性及び摂
氏マイナス10度に於ける低温液粘性もあり十分安定で
、通常の表示体に用いるのに十分広いネマチック液晶温
度範囲を有している。特に実施例−5は摂氏マイナス3
0度から摂氏65度までネマチック液晶温度範囲を有し
、かなり厳しい条件下での表示体にも用いることが可能
である。
氏マイナス10度に於ける低温液粘性もあり十分安定で
、通常の表示体に用いるのに十分広いネマチック液晶温
度範囲を有している。特に実施例−5は摂氏マイナス3
0度から摂氏65度までネマチック液晶温度範囲を有し
、かなり厳しい条件下での表示体にも用いることが可能
である。
以上、従来例−1のβ値が1.265であるのに対して
、本発明による実施例−3は、1.226、実施例−4
は1.218と良好である。また、応答速度も速く、更
にネマチック液晶温度範囲も十分である。
、本発明による実施例−3は、1.226、実施例−4
は1.218と良好である。また、応答速度も速く、更
にネマチック液晶温度範囲も十分である。
〔実施例−5,6〕
本発明による実施例 ”+6の組成及び特性を#c4表
に示す。但し本実施例はPRRを含有して成る事を特徴
としている。
に示す。但し本実施例はPRRを含有して成る事を特徴
としている。
また、従来例の組成及び特性を第2表に示す。
従来例−1で急峻性を表わすβ値がt 265であるの
に対して実施例−5のβ値は1.203、実施例−6の
β値は1.200とたいへん良好である。
に対して実施例−5のβ値は1.203、実施例−6の
β値は1.200とたいへん良好である。
即ち単純マトリクス電極を用いた液晶パネルに於て透過
率を選択電極で10%以下(暗状態)に、非選択電極で
90チ以上(明状態)に各々するためには、従来例−1
では走査電極の数は、17本以下しか駆動できないのに
対して、実施例−5では30本以上、実施例−6では3
1本以上駆動することができる。
率を選択電極で10%以下(暗状態)に、非選択電極で
90チ以上(明状態)に各々するためには、従来例−1
では走査電極の数は、17本以下しか駆動できないのに
対して、実施例−5では30本以上、実施例−6では3
1本以上駆動することができる。
応答速度は、従来例−1が444ミIJ秒であるのに対
して、実施例−5は205ミリ秒、実施例−6は205
ミリ秒と速くなっている。
して、実施例−5は205ミリ秒、実施例−6は205
ミリ秒と速くなっている。
実施例−5,6は摂氏50度に於ける高温液晶性及び摂
氏マイナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で
、通常の表示体に用いるのに十分広いネマチック液晶温
度範囲?有している。更に1詳しくは、実施例−6は、
高温側では摂氏68度に於ても液晶性な有し、苛酷な条
件下での表示体にも用いることが可能である。
氏マイナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で
、通常の表示体に用いるのに十分広いネマチック液晶温
度範囲?有している。更に1詳しくは、実施例−6は、
高温側では摂氏68度に於ても液晶性な有し、苛酷な条
件下での表示体にも用いることが可能である。
以上、従来例−1のβ値が1.265であるのに対して
、本発明による実施例−5は1.203、実施例−6は
1.200とたいへん良好である。また、応答速度も速
く、更にネマチック液晶温度範囲も十分である。
、本発明による実施例−5は1.203、実施例−6は
1.200とたいへん良好である。また、応答速度も速
く、更にネマチック液晶温度範囲も十分である。
第1表
第2表
第3表
第4表
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、少なくとも一般弐
R,→+0−R1で表わされる化合物、一般式Rs+O
R4で表わされる化合物、一般式R11−G−CO0−
G−CNで表わされる化合物、一般式86→m R?
で表わされる化合物を用いてネマチック液晶組成物を
構成した事により、摂氏マイナス10度から摂氏50度
まで、最もネマチック液晶温度範囲の広いものでは摂氏
マイナス30度から摂氏65度の温度範囲で駆動でき、
急峻性が優れ、応答速度が速く、光学的しきい値電圧も
適当でありダイナミック駆動特性に優れたネマチック液
晶組成物を得る事ができた。
R,→+0−R1で表わされる化合物、一般式Rs+O
R4で表わされる化合物、一般式R11−G−CO0−
G−CNで表わされる化合物、一般式86→m R?
で表わされる化合物を用いてネマチック液晶組成物を
構成した事により、摂氏マイナス10度から摂氏50度
まで、最もネマチック液晶温度範囲の広いものでは摂氏
マイナス30度から摂氏65度の温度範囲で駆動でき、
急峻性が優れ、応答速度が速く、光学的しきい値電圧も
適当でありダイナミック駆動特性に優れたネマチック液
晶組成物を得る事ができた。
本発明によるネマチック液晶組成物を用いればツイスト
ネマチンクモードを始めとし、ゲスト・ホスト効果モー
ド(ホスト液晶として)などの表示素子に於て優れた表
示コントラストを得るのに多大の効果がある。
ネマチンクモードを始めとし、ゲスト・ホスト効果モー
ド(ホスト液晶として)などの表示素子に於て優れた表
示コントラストを得るのに多大の効果がある。
第1図は実施例に於て用いた測定装置を表わすハード図
、第2図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対透
過率−実効電圧の変化を示しfc曲線図。 1・・・・・・光源 2・・・・・・光線 3・・・・・・レンズ及びフィルター系4・・・・・・
セル 5・・・・・・受光部(光電増倍管)。 以上 第1図 更e叱瓦(V)
、第2図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対透
過率−実効電圧の変化を示しfc曲線図。 1・・・・・・光源 2・・・・・・光線 3・・・・・・レンズ及びフィルター系4・・・・・・
セル 5・・・・・・受光部(光電増倍管)。 以上 第1図 更e叱瓦(V)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一般式が下記Aで表わされる化合物の少なく
とも一種、一般式が下記Bで表わされる化合物の少なく
とも一種、一般式が下記Cで表わされる化合物の少なく
とも一種、及び一般式が下記Dで表わされる化合物の少
なくとも一種から成る事を特徴とする液晶組成物。 A……▲数式、化学式、表等があります▼ B……▲数式、化学式、表等があります▼ C……▲数式、化学式、表等があります▼ D……▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、 R_1及びR_2は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基 R_3及びR_4は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 R_5は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基R_6及び
R_7は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 を表わす。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059827A JPS62218480A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059827A JPS62218480A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62218480A true JPS62218480A (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=13124448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61059827A Pending JPS62218480A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62218480A (ja) |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61059827A patent/JPS62218480A/ja active Pending
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