JPS62100763A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部１才に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該ｉｉ５　像を現像するか、更に必要に応じて転写
、定着などの処理を行なう、画像を記録する方法が知ら
れており、中でも電子写真法による画像形成法では、レ
ーザーとして、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーある
いは半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光
波長を有する）を使用して像記録を行なうのが一般的で
ある。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後１”　ａ　−Ｓｉ　Ｊと略記
する）から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
Ｘｌ　４　ｔｒａ成のａ　−Ｓｉ層とすると、その高光
感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１０１
１Ω工以上の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲ
ン原子、或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量
範囲でＪ−中に制御された形で構造的に含有させる必要
性があり、ために層形成に当って各種条件を厳密にコン
ミロールすることか要求される等、光受容部材の設計に
ついての許容度に可成りの制限がある。

そしてそうした設計上の許容度の問題をある程度低暗抵
抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様にす
る等して改善する提案がなされている。即ち、例えば、
特開昭５４−１２１７４３号公報、特開昭５７−４０５
３号公報、特開昭５７−４１７２号公報にみられるよう
に光受容層を伝導特性の異なる層を積層した二層以上の
層構成として、光受容層内部に空乏層を形成したり、或
いは特開昭５７−５２１７８号、同５２１７９号、同５
２１８０号、同５８１５９号、同５８１６０号、同５８
１６１号の各公報にみられるように支持体と光受容層の
間、又は／及び光受容層の上部表面に障ｐＪ　、Ｑ３を
設けた多層構造としたりして、見ｊ、ｊｌけＥの暗抵抗
を高めた光受容部材が提案されている１゜ところがそう
した光受容層が多層構造を有する光受容部材は、各層の
層厚にばらつきがあり、これを用いてレーザー記録を行
う場合、レーザー光が可干渉性の単色光であるので、光
受容層のレーザー光照射側自由表面、光受容層を；Ｒ成
する各層及び支持体と光受容層との層界面（以後、この
自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「界面」と称
する。）より反射して来る反射光の夫々が干渉を起して
しまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま１転写部材
に影響し１該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定看され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±ｓｏｏ　Ｋ〜±１ｏｏｏｏ　
Ｘの凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アｙｖミニ
ウム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、
樹脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光
吸収Ｉを設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５
号公報参照）、（ｃｌアルミニウム支持体表面を梨地状
のアルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状
の微細凹凸を設けたりして、支持体表部に光散乱反射防
止層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公
報参照）等が提案されてはいる。

これ等の提案方法は、一応の結果はもｔ−らすものの、
画像上に現出する干渉縞り様を完全に解消するに十分な
ものではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定の凹
凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干渉
縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、光
散乱としては依然として正反射光成分が残存するため、
該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに加
えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポットに
拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理で□は、
完全吸収は不可６゛ヒであり、支持体表面での反射光は
残存してしまう。また、着色顔料分散Ｗ脂層を設ける場
合は、ａ−３ｉＢを形成する際、ｆ３Ｊ脂層より脱気現
象が生じ、形成される光受容層の層品質が著しく低下す
ること、樹脂屑がａ−ｓｉＪＷ形成の際のプラズマによ
ってダメージを受けて、本来の吸収機能を１氏減させる
と共に、表面状態の悪化によるその後のａ−ｓｉＥの形
成に悪影響を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、到えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を僧加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい結局は解像度が低下してしまう。　　　′特に、
多層構成の光受容部材においては、支持体表面を不規則
的に荒しても、ｔδ１ｊ〆表ｉＭ１での反射光、第２ｊ
Δでの反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して
、光受容部材の各Ｊａ厚にしたがった干渉縞模様が生じ
る。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体
表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止する
ことは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバッツ
午が多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムｉこ形成される機会が多く、ル１かる大
きな突起が光受容量の局所的ブレークダウンをもたらし
てしまう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなり、また、光受容層全体では光受容
層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる
。従って、支持体表面を規則的に荒しただけでは、干渉
縞模様の発生を完全に防ぐことはでさない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕・ 本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−５ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８Ｌで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、０度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−５ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、鴎知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、酸素原
子、炭素原子及び窒素原子の中ρ・ら選ばれる少なくと
も一種とを含有する非晶質材料で構成された光受容Ｊを
儂えた光受容部材であって、該光受容層が、ゲルマニウ
ム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方を含有す
る層と、ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれも含有
しない層とを支持体側から順に有する多層構成であり、
かつ、前記支持体表面が、複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状を有し、がっ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複
数の凹凸形状を有していることを骨子とする光受容部材
に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹
凸を設け、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の
凹凸形状を設けることにより、画体形成時に現われる干
渉縞模様の問題が著しく解消されるというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層構成を示
す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有Ｌ１かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数
の凹凸形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾斜
面に沿って、ゲルマニウム原子又はスズ原子の少なくと
も一方を含有する層１０２’及び、ゲルマニウム原子及
びスズ原子のいずれも含有しない層１０２９とからなる
光受容層１０２を備えた光受容部材を示し【いる。

第２及び４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。核間において、３０１は第一の層
、３０２は第二の層、３０３は自由表面、３０４は第一
の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第３図に
示すごとく、支持体表面を切削加工等の手段により単に
規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面゛の
凹凸形状に沿って光受容層が形成されるため、支持体表
面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関
係をなすところとなる。

このことが原因で、例えば、光受容層が第一の層３０１
と、第二の層３０２との２つの層からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような問題
が定常的に惹起される。

即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光
Ｒ工と自由表面での反射光Ｒ１とは方向が一致し、第二
の層のＪ−厚に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有する
支持体上に、多層構成の光受容Ｊ１を堆積させた光受容
部材の一部を拡大して示した図である。核間において、
２０１は第一の層、２０２は第二の層、２０３は自由表
面、２０４は第一の層と第二の層との界面をそれぞれ示
している。第２図に示すごとく、支持体表面に複数の微
小な球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けた場合、該支持
体上に設けられる光受容層は、該凹凸形状に沿って堆積
するため、第一の層２０１と第二の層２０２との界面２
０４、及び自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の
凹凸形状に沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成
される。界面２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率を
Ｒ１、自由表面に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ３
とすると、Ｒ１とＲ１とはＲ１〜Ｒ８となるため、界面
２０４での反射光と、自由表面２０３での反射光とは、
各々異なる反射角度を有し、即ち、第２図にｊけるθ０
、θ２がθ、べθ、であって、方向が異なるうえ、第２
図に示す＆、ｌ−１ｌ−を用いてム＋１１−１．で表わ
されるところの波長のずれも一定とはならずに変化する
ため、いわゆるニュートンリング現象に相当するシェア
リング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されるとこ
ろとなる。これにより、こうした光受容部材を介して現
出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出されて
いたとしても、それらは視覚にはとられられない程度の
ものとなる。

即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することによや、形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しつる光受容部材を得ることにつながる。

第４図は、第１図に示す本発明の光受容部材における支
持体表面の一部を拡大した図である。

第４図に示すごとく、本発明の光受容部材における支持
体表面は１球状痕跡窪み４０１内の表面の一部分乃至全
体に、更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２が形成されてい
る。この様な更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２を設けた
場合、第２図を用いて記述したところの干渉防止効果に
加えて、該微小凹凸４０２による散乱効果がもたらされ
て、これにより干渉縞模様の発生がより一層確実に防止
される。

ところで、従来技術においては、前述したごとく、支持
体表面をランダムに荒らすことで乱反射させ、干渉縞模
様の発生を防止していた。

しかＬｌこの様な場合充分な干渉縞模様の発生を防止す
る効果が得られないばかりでなく、画像転写後のクリー
ニングにおいて、例えばブレードを用いてクリーニング
する場合にも問題が生ずる。即ち、光受容層の表面は、
支持体上に設けられた凹凸に沿った凹凸が生ずるため、
ブレードが光受容層の凹凸の凸部に主としてあたり、ク
リーニング性が悪く、また、光受容層の凸部とグレード
表面の摩耗が大きくなり、結果的に両者の耐久性がよく
なく問題がある。

これに対し、本発明の光受容部材においては、散乱効果
をもたらす微小な凹凸形状か、球状痕跡窪み（凹部）内
に存在するため、クリーニング時において、ブレードが
光受容層の凹部に接触するということがなくなり、グレ
ードや光受容層表面に大きな負荷がかからないという利
点も有している。

さて、本発明の光受容部材の支持体表面に設けられる球
状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率、幅、及び該球状痕跡
窪み内の更に微小な凹凸の高さは、こうした本発明の光
受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効果を効
率的に得るについて重要である。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところを究明した。

即ち、球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率をＲ１幅をＤ
とした場合、次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記−を０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

の幅りが相対的に大きくなり、画像ムラ等を派生し易い
状況となるためである。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくともＳＯＯ
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは
１００μｍ以下とするのが望ましい。

Ｄが５００μｍを超えると、画ゑムラを派生しやすくな
るとともに、屏像力をこえてしまうおそれがあり、こう
した場合には、効率的な干渉縞防止効果が得られにくく
なる。

球状痕跡窪み内に形成される微小凹凸の高さ、゛即ち、
球状痕跡窪み内の表面粗さｒｍａｘは、０６５〜２０μ
ｍの範囲であることが好ましい。ｒ　ｍａｘが０．５μ
ｍ以下である場合には散乱効果が十分に得られず、また
、２０μｍをこえると、球状痕跡窪みによる凹凸と地紋
して、球状痕跡窪み内の微小凹凸が大きくなりすぎ、痕
跡窪みが球状をなさなくなったりして、干渉縞模様の発
生を防止する効果が充分に得られなくなる。また、こう
した支持体上に設けられる光受容層の不均一性を増長す
ることともなり、画像欠陥を生じやすくなるため、好ま
しくない。

上述のような特定の表面形状を有する支持体上に形成さ
れる光受容層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種と、好ま
しくはさらに水ぶ原子又はハロゲン原子の少なくともい
ずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒ　
ａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ　）　　（Ｈ，Ｘ　）　Ｊと表
記する。〕で構成されるものであり、かつ該光受容層は
、ゲルマニウム原子又はスズ原子の少なくともいずれか
一方を含有する層と、ゲルマニウム原子及びスズ原子の
いずれも含有しない層とを支持体側から順に有する多層
構成の層である。モして該光受容層はさらに必要に応じ
て伝導性を制御する物質を含有することができる。そし
て、特に好ましくは伝導性を制御する物質を含有する電
荷注入阻止層を構成層の１つとして有するか、または／
及び、障壁層を構成層の１つとして有するものである。

本発明の光受容部材の光受容層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、図示の実施例にしたがって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
実施例により限定されるものではない。

第１図は、本発明の光受容部材のｊｉ；３４ｎ成を説明
するために模式的をこ示した図であり、図中、１００は
光受容部材、１０１は支持体、１０２は光受容層、１０
２′はゲルマニウム原子又はスズ原子の少なくともいず
れか一方を含有する層、１０２’はゲルマニウム原子及
びスズ原子のいずれも含有しないＪｉ、１０３は自由表
面をそれぞれ示している。

ヌー」と−庄 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸は、ａ故の球状痕跡窪みによるもので
あり、かつ、該球状痕跡窪み内には更に微小な通数の凹
凸が形成されているものである。

以下に、本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の表面形状及
びその製造法は、これらによって限定されるものではな
い。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。

第４図において４０１は支持体、４０２は支持体表面、
４０３は球状痕跡窪みによる凹凸形状、４０４は該球状
痕跡窪み内に設けられた更に微小な凹凸形状を示してい
る。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもあり、４ｏｆは、表面
に微小な凹凸形状４０４′を有する剛体球を示しており
、該ハ」体球４０３′を支持体表面４０２より所定高さ
の位置より自然落下させて支持体表面４０２に１ｉｔｈ
突させることにより、窪み内に微小な凹凸形状４０４を
有する、球状痕跡窪みによる凹凸形状４０３を形成しう
ろことを示している。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体球
４０３′を複数個用い、それらを同一の高さｈより、同
時あるいは逐時、落下させることにより、支持体表面４
０２に、はり同一の曲率Ｒ及びはｚ０同一の幅りを有す
る複数の球状痕跡窪み４０３を形成することができる。

第５図は、前述のごとくして表面に、■数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体のいくつかの典型
例を示すものである。核間において、５０１は支持体、
５０２は支持体表面、５０３は、窪み内に複数の更に微
小な凹凸形状を有する球状痕跡窪み（なお、第５図にお
いては球状痕跡窪み内に形成される更に微小な複数の凹
凸形状は図示していないが、球状痕跡かみ５０３内には
各々更に微小な凹凸形状を有し１いるものとする。。）
　、５０３は表面に微小な凹凸形状を有する關°体球（
同様にし【、表面の微小な凹凸形状は図示し【いないが
、１ｐｌｊ１体球の表面には、微小な凹凸形状を有して
いるものとする。）をそれぞれ示している。

第５（Ａ）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２
の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３．５
０３．・・・をほぼ同一の高さより規則的に落下させて
ほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み５０
３．５０３、・・・を互いに重複し合うように密に生じ
せしめて規則的に凹凸形状を形成したものである。なお
この場合、互いに重複する窪み５０３．５０３、・・・
を形成するには、球体５０３′の支持体表面５０２への
衝突時期が、互いにずれるように球体５０ｇ’、５０３
’、・・・を自然落下せしめる必要のあることはいうま
でもない。

また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３’、５０３’、・・・をほぼ同一の高
さ又は異なる高さから落下させて、支持体５０１の表面
５０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０３
．５０３、・・・を互いに重複し合うように密に生じせ
しめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成したも
のである。

更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３．５０３、・・・をほぼ同一
の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び複数
種の幅を有する複数の窪み５０３．５０３、・・・を互
いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸を形
成したものである。

以上のように、本発明の光受容部材の支持体の表面に球
状痕跡窪みによる凹凸形状を形成せしめ、かつ、該球状
痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を形成せしめる
については、表面に微小な凹凸形状を有する剛体球を支
持体表面に落下させる方法が、好ましい例として挙げら
れるが、この場合、剛体球の径、落下させる高さ、剛体
球と支持体表面の硬度、剛体球の表面の凹凸の形状及び
大きさ、あるいは落下せしめる剛体球の量等の諸条件を
適宜選択することにより、支持体表面に所望の平均曲率
及び平均幅を有する球状痕跡窪み、あるいは該球状痕跡
窪み内に所望の大きさ及び形状の凹凸を、所定の密度で
形成することができる。即ち、上記諸条件を選択するこ
とにより、支持体表面に形成される凹凸形状の凹凸の高
さや凹凸のピッチ、あるいは凹凸形状の四部に形成され
る更に微小な凹凸形状の凹凸の高ざや凹凸のピッチ等を
、目的に応じて自在にｔ４Ｂすることが回部であり、所
望の凹凸形状を有する支持体を得ることができる。

そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存し【しまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる◇本発明に用い
る支持体１０１は、導電性のものであっても、また電気
絶縁性のものであってもよい。導電性支持体としては、
例えば、ＮｉＣｒ１ステンレス、ＡＪｌＣｒ、Ｍｏ、Ａ
ｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ。

Ｔｉ、Ｐｔ、　　Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ１Ａ１
１Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ％　Ｉｒ１Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ。

Ｐｔ　％Ｐｄ　、　Ｉｎ、ｏｌ、Ｓ　ｎＯ，、ＩＴＯ（
Ｉｎｔ　Ｏｓ　＋　Ｓｎｏｗ）等から成る薄膜を設ける
ことによって導電性を付与し、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フイルムであれば、ＮｉＣｒ　１ＡＪ
　、　Ａｇ　、　Ｐｂ　、　Ｚｎ　、　Ｎｉ　。

Ａｕ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ　、　Ｎｂ　、　
Ｔａ　％Ｖ　、　Ｔノ、Ｐｔ等の金１１の薄膜を真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設
け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、そ
の表面に導電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、
ベルト状、板状等任意の形状であることができるが、用
途、所望によって、その形状は適宜に決めることのでき
るものである。例えば、第１図の光受容部材１００を電
子写真用像形成部材として使用するのであれば、連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しつる様
に過室決定するが、光受容部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲
内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、
支持体の製造上及び取扱い上、４ａ械的強度等の点から
、通常は、１０μ以上とさｎる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工を施し又、ホードホール管ある
いはマンドレル管とシ、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必ａｔｔこ応じて熱処理や調質等の処理を施した
円筒状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第
６（Ａ）、（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体
表面に凹凸形状を形成せしめる。

支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、屑鉄、ニッケル、１ｔＱｓ等の金属、セラミック、プ
ラスチック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわ
け耐久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及
び鋼鉄の剛体球が望ましい。そしてそうしたｈ体球の硬
度は、支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くても
よいが、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度
よりも高いものであることが望ましい。

本発明の支持体表面に前述のごとき特定形状を形成する
には、上述のような各種剛体球の表面に凹凸を有するも
のを使用する必要があり、こうした表面に凹凸を有する
剛体球は、例えばエンボス、波付は等の塑性加工処理を
応用する方法、地荒し法（梨地法）等の粗面化方法など
、機械的処理により凹凸を形成する方法、酸やアルカリ
による食刻処理等化学的法により凹凸を形成する方法な
どを用いて剛体球を処理することにより作製することが
できる。また更にこの様に凹凸を形成した剛体球表面に
、電解研摩、化学研摩、仕上げ研摩等、又は陽極酸化皮
膜形成、化成皮膜形成、めっき、はうろう、塗装、蒸着
膜形成、ＣＶＤ法による膜形成などの表面処理を施して
凹凸形状（高さ）、硬度などを適宜調整することができ
る。

第６　（Ａ）　）　（Ｂ）図は、製造装置の一例を説明
するための模式的な断面図である。

図中、６０１は支持体作成用のアルミニウムシリンダー
であり、該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平滑
度に仕上げられていてもよい。

シリンター６０１は、回転軸６０２に軸支されており、
モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、ほぼ軸
芯のまわりで回転可能にされている。

６０４は、軸受６０２に軸支され、シリンダー６０１と
同一の方向に回転する回転容器であり、政客１Ｓ６０４
の内部には、表面に凹凸形状を有する多数の剛体球６０
５が収容されている。剛体球６０５は、回転容器６０４
の内壁に設けられている、突出した複数のリプ６０６に
よっ【担持され、且つ、回転容器６０４の回転によって
容器上部まで輸送される。回転容器の回転速度がある適
度の速度の時に、容器壁について容器上部まで輸送され
た剛体球６０５は、シリンダー６０１上に向は落下し、
シリンダー表面に衝突し、表面に痕跡窪みを形成する。

なお、回転容器６０４の壁に均一に孔を穿っておき、回
転時に容器６０４の外部に設けたシャワー管６０７より
洗浄液を噴射するようにし、シリンダー６０１と剛体球
６０５及び回転容器６０４を洗浄しうる様にすることも
できる。このようにした場合、剛体球どうし、又は剛体
球と回転容器との接触等により生ずる静電気によって付
着したゴミ等を、回転容器６０４外へ洗い出すこととな
り、ゴミ等の付着がない所望の支持体を形成することが
できる。該洗浄液としては、洗浄液の乾燥むらや液だれ
のないものを用いる必要があり、こうしたことから不揮
発性物質単独、又はトリクロルエタン、トリクロルエチ
レン等の洗浄液との混合物を用いるのが好ましい。

光受容層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、ａ−３ｉ　（０，Ｃ，Ｎ　）　　（Ｈ，Ｘ　）で構
成された光受容層１０２を有しており、該光受容ＨＡ１
０２は、支持体１０１０より、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
　）又はスズ原子（Ｓｎ）の少なくともいずれか一方を
含有する層〔即ち、ａ−ＳＬ　（Ｇｅ　、　５ｎ）（０
，Ｃ，Ｎ　）　（）１．Ｘ　）テ構成される層）　１０
２’と、ゲルマニウム原子又はスズ原子のいずれも含有
しない層〔即ち、ａ−５ｉ　（０，Ｃ，Ｎ　）　Ｏｌ、
Ｘ）で構成される層〕１０ノとが順に積層された多層構
成を有する。そして該光受容層１０２には、さらに必要
に応じて伝導性を制御する物質を含有せしめることがで
きる。

光受容層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては
、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、
特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができ
る。そして光受容層１０２中に含有せしめる水素原子（
Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水素原
子とハロゲン原子の量の和（）ｌ＋Ｘ）は、通常１〜４
０ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは５〜３０　ａｔｏｍｉｃ
％とするのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、光受容層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の藺には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の光受容層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長ｉｊ！Ｉに３ける吸収スペク
トル特性を向上せしめることにある。

即ち、前記光受容層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
を光線とした場合に特に順著である。

本発明の光受容部材における光受容層においては、ゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子は、支持体１０目こ接
する層１０２′中に均一な分布状態で含有せしめるか、
あるいは不均一な分布状態で含有せしめるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、層１０２′の支持体表面と
平行な面方向において均一であり、層１０２′の層厚方
向にも均一であることをいい、又、不均一な分布状態と
は、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が
、層１０２′の支持体表面と平行な面方行には均一であ
るが、層１０２′の層厚方向には不均一であることをい
う。） そして本発明の層１０２′においては、特に、ゲルマニ
ウム原子及び／又はスズ原子は、ｉｅｌ　１０２”側よ
りも支持体側の方に多く分布した状態となるように含有
せしめることが望ましく、こうした場合、支持体側の端
部においてゲルマニウム原子及び／又はスズ原子の分布
濃度を極端に大きくすることにより、半導体レーザー等
の長波長の光源を用いた場合に、層１０２＃においては
殆んど吸収しきｎない長波長の光を、層１０２′におい
て実質的に完全に吸収することができ、支持体表面から
の反射光による干渉が防止されるようになる。

また、本発明の光受容部材におい【は、層１０２′とｆ
ｉ１０２′とを構成する非晶質材料が各々、シリコン原
子という共通の構成要素を有しているので積層界面にお
いて化学的な安定性が充分ロ゛−保されている。

以下、層１０２′に含有されるゲルマニウム原子及び／
又はスズ原子の層１０２′の層厚方向の分布状態の典型
的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例として第７
乃至１５図により説明する。

第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は１ｉｊｌｏ２′の層厚を示し、
ｔＢは支持体側の層１０２′の端部の位置を、ｔＴは支
持体側とは反対側の層１０２＋側の端面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有されるＪｒ！１０２’は
ｔＢ側よりもｔＴ則に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するための説明のための模式的なものである。

第７図には、５１０２’中に含有されるゲルマニウム、
原子の１厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

！ｊ＞　７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含
有される層１０グが形成される支持体表面と層１０２′
とが接する界面位置ｔＢより１１の位置までは、ゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ８なる一定の値を取り
乍らゲルマニウム原子が層１０２′に含有され、位ｅ　
ｔｔよりは濃度Ｃ１より界面位置ｔｒに至るまで徐々に
連続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいてはゲル
マニウム原子の分布濃Ｊ５Ｇは実質的にゼロとされる。

（ここで実質的にゼロとは検出限界り未満の場合である
。） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置１＝に至るまで
濃度Ｃ８から徐々に連続的に減少して位置ｔＴ、Ｇこお
いて濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第９図のい合には、位置ｔｎより位装置ｔ、τまでは、
ゲルマニウム原子の分布濃度ＣはａＫ　Ｃｍと一定値１
８とされ、位Ｉ　Ｌｍと位ｌｅｔとの間において、徐々
に連続的に減少され、位置ｔτにおいて、分布一度Ｃは
実質的にゼロとされている。

第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布一度Ｃは
位Ｕ　ｔｓより位置ｌ：Ｔに至るまで、濃度へより初め
連続的に途々に減少され、位置し。

よりは急速に連続的に減少されて位置を丁において実質
的にゼロとされている。

第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔｎと位置−間においては、濃度昏と一定
値であり、位置１に於ては分布濃度Ｃは零とされる。位
置−と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位置−より位置ｔ７に至るまで減少されている。

第１２図憂こ示される例においては、分布濃度Ｃは位置
ｅμり位置ｔｌまでは濃度Ｃ１の一定値を取り、位置ｔ
ｓより位置ｔＴまでは濃度へより濃度Ｃ１まで一次関数
的に減少する分布状態とされている。

第１３図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度らより
一次関数的に減少されて、ゼロに至っている。

第１４図においては、位置ｔＢより位置−に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ，はり濃度Ｃ
８まで一次関数的に減少され、位置−と位置ｔτとの間
においては、濃度Ｃ１ｍの一定値とされた例が示されて
いる。

第１５図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位置
ｔ、に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくりと
減少され、ｔｙの位置付近においては、急激に減少され
文位置し、ではＥｉ度ｃｒｓとされる。

位置し、と位置ｔ・との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ、
で濃度Ｃ，となり、位置ｔ、と位置ｔ・との間では、徐
々に減少されて位置ｔ、にｊいて、Ｓユ度０１作至る。

位置ｔ、と位′ｆＬｔｒとの間をこおいては濃度ｃｔｙ
より実質的にゼロになる様に、第１５図に示す如き・形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第７図乃至第１５図により、層１０２′中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の）！ｉ層
厚方向分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発
明の光受容部材においては、支持体側において、ゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、界面１Ｔ側においては、前記分布濃度Ｃは支持
体側に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布状態が構成層１０２′
に設けられているのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する１ｆＪ　１
０２’は、好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲ
ルマニウム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含
有され°〔いる局在領域を有するのが盟ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位ＩＦｆ
ｆｉｔ、より５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置しＢより５μ厚まで
の全Ｐｉ　Ｍ　Ｎとされる場合もあるし、又、該層領域
の一部とされる場合もある。

局在領域をＪｌ　１０２’の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される光受容層に要求される特性に従って
適宜決められる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１ｏｏｏ　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩＸＩ（１”ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成
されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においてに、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有されるＪＩ！１１１０２’
ハ、支持体側カラ、（１）　Ｘｉ厚で５μ以内（ｔｎか
ら５μ層の同領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明の光受容部材において、ｉ　１０２’中に含有せ
しめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は
、本発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って
適宜決める必要があり、通常は１〜６　Ｘ　１０’　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　ｘ
　１（Ｆ　ａｔｏｍｉｃ＝ｐｐｏｉｒ、より好ましくは
Ｉ　Ｘ　１０”〜２　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとする。

本発明の光受容部材の光受容層に、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せし
める目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高暗
抵抗化、そして支持体と光受容層との間の密着性の向上
にある。

本発明の光受容層にｈいては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめ
る場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、
あるいは・層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめる
かは、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果に
よって異なり、したがって、含有せしめる量も異なると
ころとなる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、光受容層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、光受容層に含有せしめる炭素
原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の１は比較的少量でよい。

また、支持体と光受容層との密着性の向上を目的とする
場合には、光受容層の支持体側の端部の（１４番成層１
０２′中に均一に含有せしめるが、あるいは、光受容層
の支持体側端部におい−〔、炭素原子、酸素原子、及び
窒素原子の巾から選ばれる少くとも一種の分布濃度が高
くなるような分布状態で含有せしめ、この場合、光受容
層に含有せしめる酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の
中から選はれる少くとも一種の量は、支持体との密着性
の向上を確実に図るた８りに、比咬的多ｉｌ：Ｇこさｌ
しる。

本発明の光受容部材において、光受容層Ｇこ含有せしめ
る酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中η・ら選ばれる
少くとも一種の量は、しかし、上述のごとン光受容層に
要求される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面
における特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定
されるものであり、通菖は０．００１〜５０ａｔｏｍｉ
ｃ’；ｚｏ、好ｚＬ＜は０．００２〜４０ａｔｏｍｉｃ
％、最適には０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。

ところで、光受容層の全Ｘ５領域に含有せしめるか、あ
るいは、含有せしめる一部のｌ領域の層厚の光受容層の
層厚中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せし
める量の上限は少なめ番こされる。すなわち、その場合
、例えば、含有せしめる層領域の層厚が、光受容ルｊの
ルＪ厚の２７５となるような場合には、含有せしめる量
は、通常３０ａセｏｍｉｃ％以下、好ましくは２０ａｔ
ｏｍｉｃ％以下、最適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下にさ
れる。

次に本発明の光受容層に含有せしめろ酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の址が、
支持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部
から自由表面側の端部に向かって減少し、光受容層の自
由表面側の端部付近においては、比較的少量となるか、
あるいは実質的にゼロに近くなるように分布せしめる場
合の典型的な例のいくつかを、第１６図乃至第２４図に
よって説明する。しかし、本発明はこれらの例によって
限定されるものではない。〔以下、炭素原子、酸素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種２「原子（
０゜ＣＩＮ）Ｊと表記する。〕 第１６乃至２４図において、横軸は原子（０，ＣＮ）の
分布濃度Ｃを、樅軸は光受容ｊ−の層厚を示し、−は支
持体と光受容層との界面位置を、を丁は光受容層の自由
表面側の端面の位置を示す。

第１Ｇ図は、光受容層中に含有せしめろ原子（０，Ｃ，
Ｎ　）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示してい
る。該層では、原子（０，Ｃ，Ｎ　’）を含有する光受
容層と支持体との界面位置ｔＢより位置ｔ１士では、原
子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度ＣがＣＩなる一定匝ヲと
り、位置ｔ、より自由表面側端面位ｉｔ　ｔ　Ｔ’ｔで
は原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布温度Ｃが濃度らから連続
的に減少し１位置ｔ〒におい”Ｃ＃＊原子（０，Ｃ，Ｎ
　）の分布濃度からとなる。

第１７囚Ｑこ示ず他の典型例の１つでは、光受容層に含
有せしｋ）る原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布ｄＪＩＣは、
位ＩｔＬｓから位置１＝にいたるまで、湿度らからＭ続
的に減少し、位ｉｔアにおいて濃度らとなる。

第１８図に示す例では、位ｉｔＢカ・ら位ｍ　ｔ＊　１
では原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布温度Ｃが濃度らなる一
定値を閑ち、位ＬＬｍから位１ζｔ７にいたるまでは、
原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは濃度Ｇから徐々に
連続的に減少して位１ｉｉｔ−ｒにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは実質的裔こゼロとなる。

第１９図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ自か
ら連続的に徐々に減少し１位置ｔ２においては原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２０図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布温
度Ｃは、位ｆｔｔ１１より位置ｔ、の間においては濃に
への一定値にあり、位置ｔ、から位置ｔ７の間において
は、濃度へから温度ＣｔＯとなるまで、−次間数的に減
少する。

第２１図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布浪
ＫＣは、位ｆｄｊｔｎより位置−にいたるまではＱ度Ｃ
ＳＳの一定値にあり、位置−より位置ｔ７にいたるまで
は温Ｋ　Ｃ１ｌから濃度Ｃ１ｌとなるまで一次関数的に
減少する。

第２２図に示す例に３いては、原子（０，（：、Ｎ　）
の分布濃度Ｃは、位Ｅｔａから位１Ｗｔ７にいたるまで
、濃度らから実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少
する 第２３図に示す例では、原子（Ｏ＊　Ｃ＊　Ｓ）の分布
濃＆Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ、にいたるまで濃度Ｃ１
ｍから濃度Ｑｓとなるまで一次関数的に減少し、位置ｔ
ｓから位Ｉｔ工までは濃度Ｃｓの一定値を保つ。

最後に、第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）
の分布濃度Ｃは、位置１．において濃ＫＣｔｙであり、
位１ＩＬｔＢから位置−までは、濃度Ｑｙからはじめは
ゆっくり減少して、位置−付近では急激に減少し、位１
１Ｌｔａでは濃度０１ａとなる。次に、位置ｔ、から位
置１１までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩
かに徐々に減少し、位置し！においては濃度Ｃ口となる
。更に位置し、と位置ｔ、の間では極めてゆっくりと徐
々４二減少し、位置ｔ、において濃度Ｇ、となる。また
更に、位置ｔ、から位置ｔ、にいたるまでは、濃度Ｇ、
から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第１６図〜第２４図に示した例のごとく、光受容層の支
持体側端部に原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、光受容層の自由表面側端部においては、該
分布濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質
的にゼロに近いｍ度の部分を有する場合にあっては、光
受容層の支持体側端部に原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好まし
くは該局在領域を支持体表面と光受容層との界面位置ｔ
、から５μ以内をこ設けることにより、支持体と光受容
層との密着性の向上をよリーラ効率的に達成することが
できる。

前記局在領域は、原子（０１Ｃ，Ｎ　）を含有せしめる
光受容層の支持体側端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される光受容層に要求される特性に従って適宜法めら
れる。

局在領域に含有せしめる原子（ｏ、ｃ、Ｎ’）の量は、
原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分子濃度Ｃの最大値が５００ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８００ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐ
ｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて光受
容層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることがでさ、Ｐ全伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）又は、ｎ捜伝導性を与える周期律表
第■族に、′−Ａする原子（以下単に「第Ｖ族原子」と
称す。）が使用ざｉする。具体的には、第■族原子とし
ては、Ｂ（硼素）　、ＡＪ　　（アルミニウム）、Ｇａ
（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）　、　　Ｔｅ　　（
タリウム）等を挙げることができるが、時に好ましいも
のは、８％Ｇａである。また第■族原子としては、Ｐ（
燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモン）　、Ｂｉ　（
ビスマン）等を挙げることかでさるが、持をこ好ましい
ものは、ｐｌｓｂである。

本発明の光受容層をこ伝導性を制御するり、’／ｌ質で
める第■族原子又は第■族原子を含有せしめる場合、全
層領域に含有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有
きしめるかは、後述するように目的とするところ乃至期
待する作用効果シこよって異なり、含有せしめるノ、ｔ
も異なるところとなる。

すなわち、光受容層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には１、光受容層の全層
領域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第■族
原子の含有機は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１
０−”〜Ｉ　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、
好ましくは５×１０″″１〜５×１０！ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ　、最適にはＩ　Ｘ　１０”−’〜２　Ｘ　１０
”ａｔｏｍｉｃｐｐｍである。

また、支持体と接する構成層１０２′中に第■族原子又
は第■族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向における第１１族原子又は第■族原子の分
布濃度が、支持体と接する側において高濃度となるよう
に含有せしめる場合には、こうした第１１１族原子又は
第■族原子を含有する構成層（第１図における６ａ成層
１０２’）あるいは第■族原子又は第■族原子を高濃度
（こ含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能する
ところとなる。即ち、第１１１族原子を含有せしめた場
合には、光受容層の自由表面が８：ｌｌ極性に帯電処理
を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注入される電
子の移動をより効率的に阻止することかでさ、又、第Ｖ
族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由表面が
ｅ極性に帯電処理を受４アだ際に、支持体側から光受容
層中へ注入される正孔の移動をより効率的に阻止するこ
とができる。そして、こうした場合の含有量は比較的多
量であって、具体的には、３０〜５　Ｘ　１０’　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、好ましくは５０〜１×１０＠ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適にはＩ　Ｘ　１０”　〜５　
Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍとする。さらに、該電
荷注入阻止層としての効果を効率的に奏１°るためには
、第■族原子又は第■族原子を含有する支持体側の端部
に設けられるｊ−又は層領域の層厚をｔとし、光受容層
の層厚をＴとした場合、いく０．４の関係が成立するこ
とが望ましく、より好ましくは該関係式の値が０．３５
以下、最適には０．３以下となるようにするのか望まし
い。また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３　
Ｘ　１０−”〜１０μとするが、好ましくは４　Ｘ　１
０＝〜８μ、最適には５×１０″″Ｓ〜５μとするのが
望ましい。

光受容層に含有せしめる第■族原子又は第■族原子のＩ
Ｊが、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から自由表面を有する側に向って減少し、光受容層の
自由表面付近におい【は、比較的少社となるかあるいは
実質的にゼロに近くなるように第１ＩＩ族原子又は第Ｖ
族原子を分布させる場合の典型的な例は、前述の光受容
層に酸素原子、炭素原子又は窒素原子のうちの少なくと
もいずれか１つを含有せしめる場合に例示した第１６乃
至２４図のと同様な例によって説明することができるか
、本発明はこれらの例によって限定されるものではない
。

そして、第１６図〜第２４図に示した例のごとく、光受
容層の支持体側に近い側に第■族原子又は第■族原子の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、光受容層の自由表面側に
おいては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるい
は実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあって
は、支持体側に近い部分に第■族原子又は第■族原子の
分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、
好ましくは該局在領域を支持体表面と接触する界面位置
から５μ以内に設けることにより、第■族原子又は第■
族原子の分布濃度が高濃度であるｊ−領域が電荷注入阻
止層を形成するという前述の作用効果がより一層効率的
に奏される。

以上、第１１族原子又は第■挨原子の分布状態昏こつい
て、俯々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を
達成しうる特性を有する光受容部０を得るについては、
これらの第■族原子又は第■族原子の分布状態および光
受容層に含有せしめる第１１族原子又は第■族原子の量
を、必要に応じてｉ’ｃｎｍみ合わせて用いる。

例えば、光受容層の支持体側の端部に電荷注入阻止ｊ−
２設ける場合、電荷注入阻止層（第１図１０２’）以外
の光受容層の構成層（第１図１０２つに、電荷注入阻止
層に含有せしめた伝導性を制御する物質の極性とは別の
極性の伝導性を制御する物質を含有せしめてもよく、あ
るいは、同極性の伝導性を制御する物質を、電荷注入阻
止層に含有される量よりも一段と少ない量にして含有せ
しめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材にどいては、支持体側の端
部に設ける構成層として、゛Ｉｄ荷注入阻止層の代わり
に、電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けるこ
ともでき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両
方を＋４成層とすることもできる。こうした障壁層を、
構成する材料としては、Ａム０１、Ｓｉｎ、、Ｓｉ、Ｎ
、等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電
気絶縁材料な挙げることができる。

本発明の光受容部材は前記のごとさ層４’ｉ’４成とし
たことにより、前記したアモルファスシリコンで構成さ
れた多層構成の光受容層を有する光受容都第４の諸量ｊ
亀の総てを解決でき、特に、可干渉性の単色光であるレ
ーザー光を光源として用いた場合にも、干渉現象による
形成画像における干渉ＰＡ杖様の現出を顕著に防止し、
きわめて良質な可視ｊ’！ｌ　’［４！を形成すること
ができる。

ま１こ、本発明の光受容部材は、全町視光域に於いて光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で高ＳＮ比を有するものであ
って、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質の
画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜２バ択さｎて採用さルるρ・
、所望の特性を有する光受容部材を装造す６をこ当って
の条件の１ｊ制御が比較的容易であり、シリコン原子と
共Ｑこ炭素原子及び水素原子の尋人を容易に行い得る等
のことＸｌ’ｈして、グロー放電法或いはスパッタリン
グ法が好みである。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

例え□は、グロー放電法によって、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ
）で構成さＧる洒ｙｘ形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（Ｓｉ）を供給し得ろＳｉ供給用の原料ガスと共
に、水素原子（！ｌ）導入用の又は／及びハロゲン原子
（イ）導入用の原料ガスを、内部か減圧にし得る堆積室
内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生７起させ、
予め所定位置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉｎ
　Ｈａ　、Ｓｉｓ　Ｈａ　、　８１４　Ｈｌ。等のガス
状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げ
られ、特に、層形成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ
等の点で、ＳｉＨ４、Ｓｉ、Ｈａが好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうるハロゲ
ン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、植木、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　％ＣＩＦ　、　　Ｃｌ
Ｆ５、Ｂ　ｒＦｓ、ＢｒＦ、、ＩＦｙ、ＩＣＩ！、ＩＢ
ｒ等のハロゲン間化合物、およびＳｉＦ、、Ｓｉ、Ｆ、
、ＳｉＯ４，５ｉＢｒ。

等のハロゲン化硅素等が挙げられる。上述のごときハロ
ゲン化硅素のガス状態の又はガス化しうるものを用いる
場合には、Ｓｉ供給用の原料ガスを別途使用することな
くして、ハロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成された
層が形成できるので、特に有効である。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ　１ＨＣＩ　、　ＨＢｒ　１１Ｉ等のハロゲン
化物、５ｉＨａ、Ｓｉ、Ｈ，、Ｓｉｎ　Ｈａ　、　Ｓｉ
ａ　Ｈｔｏ等の水素化硅素、あるいはＳｉＨａＦ＊、Ｓ
ｉＨ＊　Ｉｔ、ＳｉＨ＊Ｃ１＊、５ｉＨＣ４、Ｓｉｎ、
　Ｂｒ、　５ｉＨＢｒ、等のハロゲン置換水素化硅素等
のガス状態の又はガス化しうるものを用いることができ
、二ｎらの原料ガスを用いた場合には、電気的あるいは
光電的特性の制御という点で、（龜めて有効であるとこ
ろの水素原子（Ｈ）の含有敞の制御を容易に行うことが
できるため、有効である。そして、前記ハロゲン化水素
又は前記ハロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロ
ゲン原子の導入と同時に水素原子（Ｈ）も尋人されるの
で、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）がら成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ芥囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えは、Ｈ８或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのブラ
ズヤ募囲気を形成してやＧばよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ８ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉター
ゲットをスパッタリングすることによって、支持体上に
ａ−３１（ＨＩＸ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を供給
しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ　）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しうる水素
原子（Ｈ）又は／及びノ１０ゲン原子（Ｘ）供給用の原
料ガスを、内部を減圧しうる堆積室内に所望のガス圧状
態で尋人し、該堆積室内にグロー放電を生起せしあて、
予め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ
−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成される層を形成する。

Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、前述のａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成す
る場合に用いたものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質とし【
は、ＧｅＨ，、Ｇｅｍ　Ｈｅ、Ｇｅｓ　Ｈａ、Ｇｅ４Ｈ
１゜、Ｇｅｍ　１１０、Ｇｅ＠　Ｆｉｌｍ、Ｇｅｔ　Ｉ
ｎ、Ｇｅａ　Ｈｔａ、Ｇｅ、　Ｈ，。等のガス状態の又
はガス化しうる水素化ゲルマニウムを用いることができ
る。特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の
良さ等の点から、ＧｅＨａ、Ｇｅｍ　Ｈｌ　、およびＧ
ｅｓ　Ｈａが好ましい。

スパッタリング法によってａ−ＳｉＧｅ（ＨＩＸ）で構
成される層を形成するには、シリ謁・ら成るターゲット
と、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、ある
いは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲットを用
い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリングする
ことによって行なう。

イオンブレーティング法を用いてａ　−５ｉＧｅ（ＨＩ
Ｘ）で構成される層を形成する場合には、例えば、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポート
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレクトロ
ンビーム法（Ｅ　、　Ｂ　、法）等によって加熱蒸発さ
せ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せ
しめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ３あるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入して
これ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。さ
らにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記の・
ハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効な
ものとして挙げられるが、その他に、　　ＨＦ。

ＨＣＩ％　ＨＢｒ、　Ｈｌ等のハロゲン化水素、５Ｌ）
ｌｓＦ歯、５ｉＨ１Ｉｔ　、　　５ｉｎｓ　Ｃ１ｍ　、
　　ＳｉＨＣｌｍ　、　　５ｉＨ１Ｂｒ＝　、　　５ｉ
ＨＢｒ畠等のハロゲン置換水素化硅素、およびＧｅＦＩ
Ｆ＠１Ｇｅｋｉ＠　Ｆ雪、Ｇｅ１ｓ　Ｆ、　ＧｅＨＣ：
４、ＧｅＦｌ　Ｃ１＊、Ｇｅ１ｌａ　ＣＩ。

ＧｅＨＢｒａ　　、　　　　ＧｅＨ鵞　Ｂｒｌ　　、　
　　　ＧｅＦｌ　　Ｂｒ、　　　　ＧｅＨＩ＠　　、　
　　ＧｅＨ，Ｉｔ、ＧｅＨ，Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲ
ルマニウム等、ＧｅＦ、　、　ＧｅＣ１ａ、ＧｅＢｒ４
、Ｇｅ１．、ＧｅＦｌ　１．　ＧｅＣ１＊、ＧｅＢｒ１
　、　ＧｅＩｔ等のハロゲン化ゲルマニウム等々のガス
状態の又はガス化しつる、物質も有効な出発物質として
使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、　　「ａ−５ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表
記する。）で構成される光受容層を形成するには、上述
のＢ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成され、る層の形−
成の際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ
原子（Ｓｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成す
る層中へのその澁を制−しながら含有せしめることによ
って行なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガス　となりつる物
質としては、水素化スズ（５ｎＨ４）やＳｎＦ＊、Ｓｎ
Ｆ’４．５ｎＣ４，５ｎＣｌａ、Ｓ　ｎ　Ｂ　ｒｔ、Ｓ
ｎＢｒ４、Ｓｎ１．、Ｓｎ１．〜のハロゲン化スズ等の
ガス状態の又はガス化しつるものを用いることができ、
ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハ
ロゲン原子を含有するａ　−Ｓｉで構成されるＪｆＭｋ
形成することができるので、特に有効である。なかでも
、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の
点から、５ｎＣ１，が好ましい。

そして、５ｎＣ１ｌをスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場°合、これをガス化するには、固体状
のＳｎＣ＆を加熱するとともに、Ａｒ１Ｈｅ、等の不活
性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングす
るのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧
にし、た堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−５ｉ　　（Ｈ，Ｘ）又はａ
−３ｉ　　（Ｇｅ、Ｓｎ　）　（Ｈ，Ｘ　）にさらに原
子（０，ＣｓＮ　）あるいは第■族原子又は第■族原子
を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形成するに
は、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ　（Ｇｅ、５ｎ
）（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、原子（０，Ｃ，Ｎ　）
導入用の出発物質又は／及び第■族原子又は第■族原子
導入用の出発物質を、前述した　ａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ）
又はａ−Ｓｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ　）形成用の
出発物質と共に使用して、形成する層中へのそれらの址
を制御しながら含有せしめてやることによって行なう。

そのような原子（０，Ｃ，Ｎ　）導入用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ　）を構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んど
のものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（Ｏ宜）、オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎ
ｏ）、二酸化窒素（ＮＯＩ）、−二酸化窒。

（Ｎｈｏ）、三二酸化窒素（Ｎｔ　ｏｘ　）、四三酸化
窒素（Ｎｖ　Ｏａ　）、三二酸化窒素（Ｎｌｏｍ）、三
酸化鼠素（Ｎ０ａ）、シリコン原子（Ｓｉ）と’＊’ｉ
ｌ素原子（０）と水＆に子（Ｈ）とを構成原子とする、
し１えは、ジシロキサン（Ｈ＠　５ｉＯ８ｉＨｓ　）、
トリシロキサン（Ｈａ　５ｉＯ８ｉＨｔ　０８ｉＨｓ　
）等の低級シロキサン等が挙けられ、炭素原子（Ｃ１導
入用の出発Ｃ１質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）
、エタン（ＣＩ＆）、プロパン（ｃａｎｓ）、ｎ−ブタ
ン（ｎ　−Ｃ４Ｉｔｓ）、ペンタン（ＣｓＢｓ＊）等の
炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（ＣＩ　Ｈ４）
、プロピレン（ＣＩＨ＠）、ブテン−１（Ｃ，Ｈ・）、
ブテン−２（Ｃ，Ｈａ）、イソブチレン（Ｃ，ＵＳ）、
ペンテン（Ｃｓ　ｔｂ、）等の炭素数２〜５のエチレン
系炭化水素、アセチレン（ｃｍ　ｕｓ）、メチルアセチ
レン（ｃａｎｔ）ブチン（Ｃ４Ｈ＠）等の炭素数２〜４
のアセチレン系炭化水素等が挙げられ、窒素原子（Ｎ）
導入用の出発物質としては、例えば、窒素（Ｎｌ）、ア
ンモニア（ＮＨｍ＞、ヒドラジン（）１１　ｔｉＮｕｔ
）、アジ化水素（ＨＮＩ）、アジ化アンモニウム（ＮＨ
ａ　Ｈ５）ｓ三弗化窒素（Ｆｌの、四弗化窒素（Ｆ４　
Ｎ）等が挙げられる。

第ｉｌｌ族原子尋入用の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、Ｂａ　）Ｉｓ　％’　Ｂ４　Ｈｌ
・、Ｂｍ　Ｈｅ、Ｂｌ　１１１、Ｂｅ　Ｈｔ。、Ｂｌ　
）Ｉｔｓ、Ｂａ　１１４等の水素化硼素、ＢＦＡ、ＩＩ
ＣＡ！ａ％ＢＢｒｓ等のハロゲン化硼素等が挙げられる
。この他、ＡｌＣｌ５　、ＧａＣ１ａ、Ｇａ（Ｃ）１ｍ
）ｍ、ＩｎＣ４、ＴｌＣ１５等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐索原
子導入用としてはＰＨａ、Ｐｔ　Ｈａ等の水素北隣、Ｐ
Ｈ，Ｉ％ＰＦｍ、ＰＦｓ％ＰＣｌ５、ＰＣＡ！ｓ、ＰＢ
ｒ、、ＰＢｒ、、ＰＩｉ、等のハロゲン北隣が挙げられ
る。この他、Ａｓｈ、、ＡｓＦ、、ａｓｃｌｓ、ＡｓＢ
ｒ、、ＡｓＦ５．５ｂＨ１，５ｂＦａ　、ＳｂＦ＊、Ｓ
ｂＣ１ｍ、５ｂＣｌｓ、ＢｉＨ，、Ｂ１Ｃ１ａ、Ｂ１Ｂ
ｒ、等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとし
て挙げることができる。

以上記述しγこように、本発明の光受容部材の光受容層
は、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成す
るが、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子、第■族原子又は第■族原子、あるいは水
素原子又は／及びハロゲン原子の各々の含有量の制御は
、堆積室内へ流入する、各々の原子供給用出発物質のガ
ス流量あるいは各々の原子供給用出発物質間のガス流量
比を制御することにより行われる。

また、本発明の光受容層形成時の支持体温度、堆積室内
のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を有する
光受容部材を得るためには重要な要因であり、形成する
層の機能に考１．ｇをはらって適宜選択されるものであ
る。さらに、これらの１Ｇ層形成件は、光受容層に含有
せしめる上記の各原子の種類及び量によっても異なるこ
ともあることから、含有せしめろ原子の（１類あるいは
その量等にも考慮をはらって決定する必要もちる。

具体的にはａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層、あるいは原
子（０，Ｃ）Ｎ）又は／及び第■族原子又は第■族原子
を含有せしめたａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる光受容層を
形成する場合をこは、支持体温度は、通常５０〜３５０
℃とするが、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。堆
積室内のガス圧は、通常０．０１〜ＩＴｏｒｒとするが
、特に好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。ま
た、放電パワーは０．００５〜５０　Ｗ　／　ｃｌｒＬ
とするのが通常であるが、より好ましくは０．０１〜３
０Ｗ／ｄ、特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｉとする
。

ａ−ｓｉｃｅ（ＬＸ）からなる層を形成する場合、ある
いは原子（ｏｓｃｓＮ）又は／及び第■族原子又は第Ｖ
族原子を含有せしめたａ　−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成する場合については、支持体温度は、通常５
０〜３５０℃とするが、より好ましくは５０〜３００℃
、特に好ましくは１００〜３００℃とする。そして、堆
積室内のガス圧は、通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとする
が、好ましくは、０．００１〜３　Ｔｏｒｒとし、特仁
好ましくは０．１〜ＩＴｏｒｒとする。また、放電パワ
ーは０．００５〜５０ｗ／Ｃｄとするのが通常であるが
、好ましくは０．０１〜３０　Ｗ　／　ａｔｌとし、特
に好ましくは０．０１〜２０　Ｗ　／　ｃｕｔとする。

しかし、こ４ｔらの、ｊ＆層形成行うについての支持体
温度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、
通常には個々に独立しては容易には決め難いものである
。したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく
、相互的且つ有様的関連性に基づいて、層形成の至適条
件を決めるのが望ましい。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子、窒素
原子、第■族原子又は第■族原子、あるいは水素原子又
は／及びハロゲン原子の分布状態を均一とするためには
、感光層を形成するに際しズ、前記の諸条件を一定に保
つことが必要である。

また、本発明において、光受容）Ｊの形成の際に、該層
中をこ含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第■族
原子又は第ｖｊ１延原子の分布濃度を層厚方向に変化さ
せて所望のＪ―層厚方向分布状態を有する層を形成する
には、グロー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒
素原子、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出
発物質のガスの堆積室内に導入する際のガス流量を、所
望変化率に従って適宜変化させ、その他の条件を一定に
保ちつつ形成する。モし【、ガス流量を変化させるには
、具体的には、例えは手動あるいは外部駆動モータ等の
通常用いられている何らかの方法により、ガス流路系の
途中に設けられた所定のニードルパルプの開口を漸次変
化させる操作を行えばよい。このとき、流量の変化率は
線型である必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あ
らかじめ設計された変化率曲線に従って流量を制御し、
所望の含有率曲線を得ることもできる。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素原
子又は窒素原子、あるいは第■族原子又は第■族原子の
層厚方向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚
方向の分布状態を形成するには、グロー放電法を用いた
場合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原
子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第ｕ１族原子又は
第■族原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガ
スを堆積室内へ導入する際のガス流量を所望の変化率に
従っ【変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１１に従って、より詳細に
規明するが、本発明はこれ等によって限定さｎるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第２５図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

ｊ４中の２５０２．２５０３．２５０４．２５０５．２
５０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成する
ための原料ガスが密封されており、その１例として、た
とえば、２５０２は５ｉＦｎガス　（純度９９．９９９
％）ボンベ、２５０３はＨ８で稀釈されたＢ曾Ｈ・ガス
（純度９９．９９９％、以下Ｂ＊　ＩＩｓ　／　ＩＩと
略す。）ボンベ、　２５０４はＣＨ４ガス（純度９９．
９９９％）ボンベ、２５０５はＧｅＦ、ガス（純度９９
．９９９％）ボンベ、２５０６は不活性ガス（Ｈｅ　）
ボンベである。そして、　　２５０６は５ｎＣ１４が入
った密閉容器である。

これらのガスを反応室２５０１に流入させるにはガスボ
ンベ２５０２〜２５０６のパルプ２５２２〜２５２６ナ
ークパルプ２５３５が閉じられていることを確認し又、
流入パルプ２５１２〜２５１６　、流出パルプ２５１７
〜２５２１、補助パルプ２５３２．２５３３が開かれて
いることを確認して、先ずメインパルプ２５３４を開い
て反応室２５０１、ガス配管内を排気する。次に真空Ａ
Ｉシリンダー２５３７上に光受容層を形成する場合の１
例を以下に記載する。

まず、ガスボンベ２５０２よりＳｉＦ、ガス、ガスボン
ベ２５０３よりＢｔ　ｕｓ　／　８ｍガス、ガスボンベ
２５０４よりＣＨ，ガス、ガスボンベ２５０５よりＧｅ
Ｆａガスの夫々をパルプ２５２２．２５２３．２５２４
．２５２５を開いて出口圧ゲージ２５２７　、２５２８
　、２５２９．２５３０の圧を１に９／ｃｔｆｔに調整
し１流入パルプ２５１２．２５１３．２５１４．２５１
５を徐々に開けて、マスフロコントローラ、２５０７　
、２５０８　、２５０９．２５１０内に流入さゼる。引
き続いて流出パルプ２５１７．２５１８．２５１９．２
５２０補助パルプ２５３２を徐々に開いてガスを反応室
２５０１内に流入させる。このときのＳｉＦ、ガス流ｌ
ｉｔ、ＧｅＦ、ガス流ｈｔ％　Ｂｉ・／Ｈ菅ガス流量及
びＣＨａガス流量の比か所望の値になるように流出パル
プ２５１７．２５１８．２５１９．２５２０を調整し、
又、反応室２５０１内の圧力か所望の値になるように真
空計２５３６の読みを見ながらメインパルプ２５３４の
開口を調整する。そして基体シリンダー２５３７の温度
が加熱ヒーター２５３８により５０〜４００’Ｃの範囲
の温度（こ設定され【いることを確認された後、遡源２
５４０を所望の電力に設定して反応室２５０１内にグロ
ー放電を生起せしめるとともに、マイクロコンピュータ
−（図示せず）を用いて、あらかじｙ）設計され１こ流
是変化率線に従って、ＳｉＦ、ガス、ＧｅＦａガス、Ｃ
Ｈ４ガス及びＢｔ　ｋｉ、／Ｈ＊ガスのガス流量を制御
しながら、基体シリンダー　２５３７上に先ず、シリコ
ン原子、炭素原子、ゲルマニウム原子及び硼素原子を含
有する’１ｄ　１０２’を形成する。所望の層厚にＪｌ
ｉ　１０２’が形成された段階において、流出パルプ２
５１８．２５２０を完全に閉じ、必要に応じて放電条件
をかえる以外は同様の手順に従ってグロー放電を続ける
ことによりＪｄ　１０２’の上に、ゲルマニウム原子を
実質的に含有しない７１１０２を形成することかでさる
。

夫々の層を形成する際会こ必要なガスの流出パルプ以外
の流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室２５０１内、流出パルプ２５１７〜２５２１から反応
室２５０１内に至るガス配管内に残留することを避ける
ために、流出パルプ２５１７〜２５２１を閉じ補助パル
プ２５３２．２５３３を開いてメインパルプ２５３４を
全開して系内を旦高真空に排気する操作を必要に応じ【
行う。

また、光受量層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣ１４を出発物質としたガスを
用いる場合には、２５０６’に入れられた固体状５ｎＣ
Ａ！＋を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するととも
に、該ＳｎＯ４中にＡｒ％Ｈｅ等の不活性ガスボンベ２
５０６よりＡｒ％Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、バブ
リングする。発生した５ｎＣ１ａのガスは、前述の５ｉ
Ｆｉガス、ＧｅＦ、ガス及びＢｍ　Ｈａ　／　ｌｉｔガ
ス等と同様の手順により反応室内に流入させる。

試験例　１ 径０．６鴎のＳＵＳステンレス製剛体球に化学的処理を
施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。使用する処
理剤としては、塩酸、フッ酸、硫酸、クロム酸等の酸、
苛性ソーダ等のアルカリを挙げることができる。本試験
例に３いては、製塩＠１に対して純水１〜４の容址比で
混合した塩酸溶液を用い、剛体球の浸漬時間、酸濃度等
を変化させ、凹凸の形状を適宜調整した。

試験例　２ 試験例１の方法によって処理された剛体球（表面凹凸の
高さｒｍａｘ　＝　５μｍ）を用い、第６（Ａ）、　（
Ｂ１図に示した装置を用い【、アルミニウム合金製シリ
ンダー（径６０ｎ１長さ２９８７１１１１）の表面を処
理し、凹凸を形成させた。

真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅ｒと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと輻ｒとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められるこ
とが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、また凹凸のとッテ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は一体真球の落下量等を制御して所望のピッ
チに調整することがでミることが確認された。

更に、ＲおよびＤの大きさについて検討した結果、Ｒが
、０．１正未満であると、剛体球を小さく軽くして落下
高さを確保しなければならず、痕跡窪みの形成をコント
ロールしにくくなるため好ましくないこと、Ｒが２ｅＯ
ＩＸＩｌを超えると、剛体球な大きく重くして、落下高
さを二°４節するため、例えばＤを比較的小さくしたい
場合に落下高さを極端に低くする必要があるなど、痕跡
窪みの形成をコントロールしにくくなるため好ましくな
いこと、更に、Ｄが０．０２ａＬ未満であると剛体球を
小さく軽くして落下高さを確保しなければならず、痕跡
窪みの形成をコントロールしにくくなるため好ましくな
０こと力（、夫々確認された。

更に、形成された痕跡窪みを試べたところ、痕跡窪み内
には、剛体球の表面凹凸形状（こ応じた。

実施例　１ 試験例２と同様にアルミニウム合金製シＩＪンダーの表
面を処理し、第１Ａ表上ｉｆこ示すり。

次に該ＡＩ支持体（シリンダー宛１０１〜１０６）上蚤
こ、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第２５図に示した製
造装置により光受容層を形成した。

これらの光受容部材について、第２６図ヲこ示す画（＆
露光装置を用い、波長７８０　ｎ・農、スボッ。

径８０μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、
現像、転写を行なってｉ＆像を得た。得られた画像の干
渉縞の発生状況は第１Ａ表下欄に示すとおりであった。

なお、第２６　（Ａｌ肉は露光装置の全体を模式的に示
す平面略し１であり、第２６　（Ｂ）図は露光装置の全
体を模式的に示す側部略図である。図中、２６０１は光
受容部材、２６０２は半心体レーザー、２６０３はｔσ
レンズ、２６０４はポリゴンミラーを示している。

次をこ、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより
表面処理されたアルミニウム合金製シリンダー１’ｈ１
０７（径６０ｍｍ、長さ２９８　ＷｔｌｌＬ　ｓ凹凸ピ
ッチ１００μｍ１凹凸の深さ３μｍ）を用いて、ｎｉＪ
述と同様にして光受容部材を作製した。得られた光受容
部材をｉπ子顕赦鏡で鎧室したところ、支持体表面と光
受容層の層界面及び光受容層の表１とは平行をなしてい
た。この光受容部材を用いて、前述と同様にして画イク
形成をおこない、得られた画像について前述と同様の評
価を行なった。その結果は、第１Ａ表下佃に示すとおり
であうな。

実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、ＡＩ支持体（シリ
ンダーＮｏ、１０１〜１０７）上に光受容層を形成した
。なお、光受容層形成時におけるＳｉＦ、ガス及びＧｅ
Ｆａガスのガス流量はＶＳ２７図に示す流量変化線に従
って、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調
整した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下橘に示すとおりであった。

実施例３ 第３Ａ表上欄に示す表面凹凸の高さくγｍａｘ　）の剛
体球を用いた以外はすべて実施例１と同様百 にして、球状痕跡窪み（Ｄ＝４５０±５０（４ｍ）−＝
’Ｒ Ｏ，ＯＳ　）を有するＡＪ支持体（シリンダーＮｏ、　
３０１〜３０６）を得た。

次に該Ａｌ支持体（シリンダーＮｏ、３０１〜３０６）
上に、以下の第３Ｂ表に示す条件で、第２５図に示した
製造装置を用いて光受容層を形成した。

なお、光受容層中に含有せしめるＧｅＨ４ガス。

Ｓｉ＆ガス及びＮＨｓガスのガス原意は、第２８図に示
すガス流量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制
御により、自動的に調盛した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、得られた画像における干渉縞
の発生状況は、第３Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例４ 第４Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外は、すべて実施例３と同様にして、Ａノ支特体（シ
リンダーＮｏ、３０１〜３０６）上に光受容層を形成し
た。なお、光受容層形成時におけるＳｉＦ、ガス及びＧ
ｅＦ４ガスのガス流量は第２９図に示す流量変化線に従
って、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調
整した。

得られた光受容部材について実施例１と同様にして画像
を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発生
状況は、第４Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例５〜１０ 実施例１のＡＩ支持体（シリンダーＮｏ、１０３〜１０
６）上に、第５〜ＩＯ表に示す層形成条件に従って光受
容層を形成した以外はすべて実９ｍ例１と同様にして光
受容部材を作製した。なお、実施例５〜１０において、
光受容層形成時における使用ガスの流量は、各々、第３
０〜３５図に示す流量変化線に従って、マイクロコンピ
ュータ−制御により自動的に調整した。また、光受容層
中に含有せしめる硼素原子は、＆Ｈａ／ＳｉＦ４＋Ｇｅ
Ｆ、　？　１００　ｐｐｍであって、該層の全層につい
て約２００　ｐｐｍドーピングされるようになるべく導
入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合曇こも、干渉現象による形成画像における干渉
縞模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像
を形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに浸れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度ス高ＳＮ比を有するものであ
って、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質の
画像を安定して緑返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であり【、第６（Ａ）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。 第７〜１５図は、本発明の光受容層におけるゲルマニウ
ム原子又はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす図で
あり、第１６〜２４図は、本発明の光受容層における酸
素原子、炭素原子、窒素原子、第■族原子又は第■族原
子の層厚方向の分布状態を表わす図であり、各図におい
て、縦軸は光受容層の層厚を示Ｌ１横軸は各原子の分布
濃度を表わしている。第２５図は、本発明の光受容部材
の光受容層を製造するための装置の１例で、グロー放電
法による製造装置の模式的説明図である。第２６図はレ
ーザー光による画像露光装置を説明する図である。第２
７乃至３５図は、本発明の光受容層形成におけるガス流
址比の変化状態を示す図であり、縦軸は光受容層の層厚
、横軸は使用ガスのガス流」を示している。 第１乃至第３図について、 １００・・・光受容部材　１０１・・・支持体　１０２
・・・光受容層 １０２′・・・ゲルマニウム原子寧たはスズ原子の少な
くともいずれか一方を含有する層 １０２′・・・ゲルマニウム原子およびスズ原子のいず
れも含有しない掴 ２０１　ｊ３０１・・・第一の層　２０２　、３０２・
・・第二の眉１０３　、２０３　ｊ３０３・・・自由表
面　２０４　、３０４・・・第一の脳と第二の層との界
面 第４，５図について、 ４０１　、５０１・・・支持体、　４０２　、５０２・
・・支持体表面。 ４０３　、５０３・・・球状痕跡窪み、　４０３’　、
　５０３′・・・表面に凹凸形状を有する剛体球、　４
０４・・・球状痕跡窪み内に形成された微小凹凸形状、
　４０４’・・・剛体球表面に形成された凹凸形状 第６図について、 ６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸（受）６
０３・・・駆動手段、６０４・・・回転容器、６０５・
・・表面に凹凸形状を有する剛体球、６０６・・・容器
内壁に設けられたリブ、６０７・・・シャワー管 第２５図について、 ２５０１・・・又浴室　２５０２〜２５０６・・・ガス
ボンベ２５０６′・・・５ｎＣＪａ用密閉容器２５０７
〜２５１１・・・マスフロコントローラ２５１２〜２５
１６・・・流入パルプ ２５１７〜２５２１・・・流出パルプ ２５２２〜２５２６・・・パルプ ２５２７〜２５３１・・・圧力調整器 ２５３２．２５３３・・・補助パルプ ２５３４・・・メインパルプ　２５３５・・・リークバ
ルブ２５３６・・・真空計　　２５３７・・・基体シリ
ンダー２５３８・・・加熱ヒーター　２５３９・・・モ
ーター２５４０・・・高周波電源 第２６図について、 ２６０１・・・光受容部材　２６０２・・・半導体レー
ザー２６０３・・・ｆθレンズ　２６０４・・・ポリゴ
ンミラ−図面の浄ｉ！Ｆ（内容に変更なし） 第１図 第２図 第６〔Ａ３図 °°′晃　　ｄ°°″ 第６ＣＢ〕図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 □Ｃ 第１３図 第１４図 第１６図 第１７図 □Ｃ 第２２図 □Ｃ 手続補正書（方式） 昭和６１年１月２０日 昭和６０年特許願第２４１８９２号 λ発明の名称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノ／株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ５、補正命令の日付　　　自　　発 ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおｌ内容に変更なし） 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子と、酸素原子、炭素原
   子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを含
   有する非晶質材料で構成された光受容層を備えた光受容
   部材であって、該光受容層が、ゲルマニウム原子又はス
   ズ原子の少なくともいずれか一方を含有する層と、ゲル
   マニウム原子及びスズ原子のいずれも含有しない層とを
   支持体側から順に有する多層構成であり、かつ、前記支
   持体表面が、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有し
   、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状
   を有していることを特徴とする光受容部材。 （２）光受容層が伝導性を制御する物質を含有している
   、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （３）光受容層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （４）光受容層が構成層の１つとして障壁層を有する、
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （５）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （６）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
   ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （７）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に、表面
   に凹凸を有する複数の剛体球を自然落下させて得られた
   前記剛体球の痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （８）支持体の表面の凹凸形状が、表面に凹凸を有する
   、ほぼ同一径を有する複数の剛体球をほぼ同一の高さか
   ら落下させて得られた剛体球の痕跡窪みによる凹凸形状
   である特許請求の範囲第（７）項に記載の光受容部材。 （９）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．０
   ３５≦Ｄ／Ｒ≦０．５ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１０）球状痕跡窪みの幅Ｄが、次式： Ｄ≦０．５ｍｍ を満足する値である特許請求の範囲第（９）項に記載の
   光受容部材。 （１１）球状痕跡窪み内の微小凹凸の高さｒが、次式： ０．５μｍ≦ｒ≦２０μｍ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１２）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。