JPS62101022A - 高純度ガス配管システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 半導体製造装置内の反応部にガスを供給するガス配管シ
ステムにおいて、ガスを供給する流入管と不使用ガスを
排出する流出管とを装置内に引き込んで装置内で接続し
、この接続部に設けた分岐弁から反応部にガスを供給し
または遮断することによって、ガス配管と反応部との間
におけるガスの滞留を防止する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は高純度のガスを供給するための配管システムに
係り、特にガス配管と反応部との間におけるガスの滞留
を防止して、反応部に供給されるガスの高純度化を図っ
た、高純度ガス配管システムに関するものである。

〔従来の技術〕

第４図は従来のガス配管システムの構成を示したもので
ある。同図において１−１＋　１−２　、１−５　は例
えば゛１１導体エピタキシャル成長装置であって、水素
（ＩＩ２）ガス供給用の幹管２からそれぞれ枝管５−＋
　＋　３−２　＋　５−３を経て水素ガスを供給され、
窒素（Ｎ２）ガス供給用の幹管４からそれぞれ枝管５−
１＋　５−２　＋　５−３を経て窒素ガスを供給される
。

各装置１−１　、１−２　、１−５は同様の構成を有し
、例えば装置１−４に示されるように水素ガスは枝管６
−１から弁７−１を経て、窒素ガスは枝管５−４から弁
８−１を経て、反応部９−１に供給される。各装置１−
＋　＋１−２，１−３において反応部で使用されたガス
は、それぞれ排気管６−１＋　６−２　、６−３　を経
て排気される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このように従来のガス配管システムにおいては、各装置
に対するガスの供給はそれぞれ枝管を通じて行われてい
た。そのため不使用ガスが枝管の部分で滞留してガス純
度が低下するという問題があった。

例えば第３図の装置１−１で窒素ガスを使用中は、弁７
−１は閉じられており、水素ガスは枝管仁、の部分で滞
留している。一般にガスは滞留すると不純物が混入する
ことが知られでおり、従ってガス純度が低下する。これ
は半導体製造装置において極めて不都合な問題であるが
、従来これに対する対策は行われていなかった。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図は本発明の原理的構成を示す図である。

１１は装置であって、反応部１２を含んでいる。

１３は第１のガスの流入管、１４は流出管であって、そ
の接続部分は装置ｌｌ内において接続部１５を形成して
いる。

１６は第２のガスの流入管、１７は流出管であって、そ
の接続部分は装置ｌｌ内において接続部１８を形成して
いる。

１９−１　、１９−２　　はそれぞれ接続部１５．１８
に設けられた分岐装置であって、それぞれ第１または第
２のガスを反応部１２に対して流入させまたは遮断する
。

〔作　用〕

本発明のガス配管システムにおいては、反応部に対する
ガスの供給、遮断はガスが環流する接続部に設けられた
分岐弁によって行われ、従来のよウニ枝管部がないので
ガス不使用時にガスの滞留を生じることがなく、従って
ガス純度の低下が防止される。

〔実施例〕

第２図は本発明の一実施例を示したものである。

同図において２１−＋　１２１−２．２１−ｓは装置で
あって、それぞれ反応部２２−１　、２２−２　、２２
−３を含んでいる。

２３−、　、２４−、はそれぞれ装置２１−１に対する
水素ガスの流入管、／１！出管であって、装置２１−１
内において接続部２５−１を経て接続されている。同様
に２５−２１２４−２は装置２１−２に対する水素ガス
の流入管、流出管であって、装置２１−２内において接
続部２５−給経て接続され、２３−３．２４−３は装置
２１−３に対する水素ガスの流入管、流出管であって、
装置２１−５内において接続部２５−５を経て接続され
ている。また装置２１−１の流出管２４−１と装置２１
−２の流入管２５−２　、装置２１−２の流出管２４−
２と装置２１−３の流入管２３−３とはそれぞれ外部で
接続されていて、従って水素ガスは流入管２６−１から
順次装置２１−＋　、２１−２１２１−３を環流して、
流出管２４−３から排気されるようになっている。

窒素ガスに対する配管システムも同様であって、流入管
２６−１から装置２１−１内に流入して装置内に設けら
れた接続部２８−１を経て流出管２７−）に流出し、さ
らに流入管２６−２から装置２１−２内に流入して接続
部２８−２を経て流出管２７−２に流出し、さらに流入
管２６−５から装置２１−５内に流入して接続部２８−
５を経て流出管２７−３に流出して排気される。

２９−１．２９−２　ｓ　２９−３はそれぞれの接続部
２５−１　。

２５−２　、２５−３に設けられた分岐弁であって、そ
れぞれの接続部から水素ガスをそれぞれ反応部２２−Ｉ
ｔ２２−２．２２−３に対して流入させ、または遮断す
ることができるようになっている。同様に３ｏ−ｉ　。

３Ｏ−２ｔろＯ−３はそれぞれ接続部２８　＋　１２８
−２１２８−５に設けられた分岐弁であって、それぞれ
の接続部から窒素ガスをそれぞれ反応部２２−１＋　２
２−２　ｔ　２２−５にり＝Ｉ　して流入させ、または
遮断する。

従って各装置２１−＋　＋２１−２　＋２１３において
は、水素ガスを使用するときは、それぞれ分岐弁２９−
＋。

２９−２　、２９−３を開き、不使用時にはこれを閉じ
、また窒素ガスを使用するときは、それぞれ分岐弁５０
−１．ろ０−２　、３０−３を開き、不使用時にはこれ
を閉じることによって、任意に水素ガスまたは窒素ガス
を選択してそれぞれの反応部２２−１１２２−２　＋　
２２−ｓに供給することができる。

この場合、各分岐弁２９−１　、２９−２　＋　２９−
５および３０−＋　、　３０−２　、３０−ｇは、それ
ぞれの反応部に対して直接または最短距離に設けられて
おり、従っていずれかのガスを使用しない場合でも不使
用ガスが滞留することがなく、ガス純度が低下するおそ
れがない。

なお第２図において３１１１３Ｌ２．３１−３はそれぞ
れ反応部２２−．　、２２−２　、２２−、において使
用ずみのガスを排気する排気管である。

第３図は本発明における分岐弁の部分の構造の一例を示
したものである。同図において２３はガスの流入管、２
４は流出管をそれぞれ示し、２５はその中間における接
続部である。２９は接続部２５に設けられた分岐弁を示
し、矢印方向に運動可能な可動部３５と、その先端部３
６が嵌接可能な弁座３７とを具えている。可動部３５は
ベロース３８によって外部に対して気密状態を保たれて
いる。

可動部３５は例えば図示されないコイルによって電磁的
に、または機械的に駆動されて、先端部３６が弁座３７
に嵌接しているときはガスの流出を遮断し、駆動されな
いときは先端部３６が弁座３７から離れて弁座３６に設
けられたオリフィス３９を経て接続部２５からガスを流
出させるようになっている。第３図においては、可動部
３５が駆動されず分岐弁２９が開かれた状態を示し、破
線は可動部３５が駆動されて分岐弁２９が閉じられた状
態を示している。

一方、２２は反応部であって分岐弁２９に近接して設け
られており、分岐弁２９が開いているとき接続部２５か
ら分岐して流出したガスは、直接反応部２２に供給され
るようになっている。

このように第３図に示された分岐弁の構造によれば、ガ
ス不使用時、分岐弁２９が閉じられているときでも、分
岐弁２９と反応部２２との間にガス力＜？浩留すること
がないため、滞留に基づくガス純度の低下を生じること
がない。

〔発明の効果〕

以」二説明したように本発明によれば半導体製造装置内
の反応部にガスを供給するガス配管システムにおいて、
ガスの流入管と流出管を装置内で接続し、接続部に設け
た分岐弁を経て反応部にガスを供給するので、ガス不使
用時ガスが滞留する部分がな（、従ってガスの滞留に基
づくガス純度の低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理的構成を示す図、第２図は本発明
の一実施例を示す図、 第３図は本発明方法における分岐弁部の構成例を示す図
、 第４図は従来のガス配管システムを示す図である。 ｚｔ−１，２１−２，２１４・・・装置、２２、２２−
１．２２−２．２２−５・・・反応部、２３、２３．、
２３−２．２３−５．２６．、２６．、２６．・・・流
入管、 ２４、２４−１．２４−２．２４−ｓ、　２７−１．２
７−２．２７−５・・・流出管、 ２５、２５−ｊ＋　２５−２．２５−５．２８−ｉｎ　
２８−２．２８−５・・・接続部、 ２９、２９．、２９＝、　２９．、３Ｌ、、　３０−２
．３０−３・・・分岐弁、 ３Ｌ、　、　３１２．３１−、、・・・排気管、３５・
・・可動部、 ３６・・・先端部、 ３７・・・弁座、 ３８・・・ベロース、 ３９・・−オリフィス

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 装置内の反応部にガスを供給するガス配管システムにお
   いて、 ガスを供給する流入管と不使用ガスを排出する流出管と
   を装置内において反応部の近傍において接続するととも
   に、 該接続部にガスを分岐して流出または遮断可能な分岐装
   置を設け、 該分岐装置で分岐されたガスを反応部に供給するように
   したことを特徴とする高純度ガス配管システム。