JPS62102076A - 供給原料液からクリプトン−キセノン濃縮物を製造する方法 - Google Patents

供給原料液からクリプトン−キセノン濃縮物を製造する方法

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JPS62102076A
JPS62102076A JP24176285A JP24176285A JPS62102076A JP S62102076 A JPS62102076 A JP S62102076A JP 24176285 A JP24176285 A JP 24176285A JP 24176285 A JP24176285 A JP 24176285A JP S62102076 A JPS62102076 A JP S62102076A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液状供給原料からクリプトン−キセノン濃縮
物を製造する方法に関し、特に、か−る濃縮物が高い効
率で製造されそして希土類ガスが除去された液体が生成
物として回収されるような改良法に関する。
発明の背景 クリプトン及びキセノンは、多くの用途においてその需
要が増加しつ\ある。クリプトンは、長寿命ランプ及び
自動車用ランプを含めた高品質照明器具において広く使
用されている。キセノンは、特殊X1m装置を含めた医
療用途で使用されている。
これらのガスの両方とも、多くの実験及び研究用途にお
いて一般に使用されている。
クリプトン及びキセノンの主な源は大気である。
大気中の空気は、約11 ppmのクリプトン及び約α
08 ppmのキセノンを含有する。一般には、クリプ
トン及びキセノンは、空気を酸素及び窒素に分離する総
合空気分離プロセスに関連して空気から回収される。
クリプトン及びキセノンの低い蒸気圧によって、これら
のガスは、空気分離の間に窒嵩中よりもむしろ酸素中に
濃縮する。酸素中での大気中のクリプトン及びキセノン
の濃縮は、酸素が大気中の空気の僅か約175を占める
のでそれらの濃度を5倍増大する。
空気分離プロセスは、ガス状若しくは液状酸素を生成し
又は両者を生成することができ、そしてクリプトン及び
キセノンはどちらかの酸素生成物中に濃縮する。クリプ
トン及びキセノンは、酸素からのそれらの分離を効率的
に実施することができるように更に濃縮されるのが望ま
しい。クリプトン及びキセノンがガス状酸素中で回収さ
れるときには、クリプトン−キセノン濃縮プロセスは、
空気分離プロセスと同時に実施されなければならない。
何故ならば、空気分離プラントによって生成された量の
ガス状酸素を貯蔵するのは実際的でないからである。か
くして、空気分離プラントからの液状酸素中にクリプト
ン−キセノンを回収するのが望ましい。と云うのは、こ
の液体は、貯蔵することができ、そして他の別の空気分
離プラントからの他のか\る液体と一緒にしてクリプト
ン−キセノン濃縮プロセスのための供給原料を形成する
ことができるからである。
しかしながら、空気分離プラントから液状酸素を除去す
るのは費用のか−ることである。と云うのは、空気分離
プラントから液状酸素と共に冷凍エネルギーが除去され
るからである。かくして、液状供給原料を使用するがし
かし希土類ガスを含まない液状生成物も生成するクリプ
トン−キセノン濃縮法を持つのが望ましい。
周知の如く、酸素は、もし適当に取り扱わないと危険に
なる場合がある。それ故に、液状供給原料を用いる公知
のクリプトン−キセノン濃縮法は、これまで、所望のク
リプトン−キセノン濃縮を所要の安全さで達成するため
には極めて?3I雑化されていた。それ故に、酸素の取
り扱いによってこれまで引き起こされていた過度の複雑
化を必要とせずに液状供給原料を用いてクリプトン及び
キセノンを効率よく濃縮するような方法を提供するのが
望ましい。
それ故に、本発明の目的は、クリプトン−キセノン濃縮
物を製造するための改良法を提供することである。
本発明の他の目的は、液状供給原料を使用してクリプト
ン−キセノン濃縮物を製造するための改良法を提供する
ことである。
本発明の更に他の目的は、希土類ガスを含まない液状生
成物も生成するクリプトン−キセノン濃縮物を製造する
ための改良法を提供することである。
本発明の尚更に他の目的は、公知法のこれまで必要な複
雑化をすべて必要とせずに所望の濃縮を実施することが
できるクリプトン−キセノン:a紛物の製造法を提供す
ることである。
発明の概要 上記の目的及び当業者にはこの開示の通読時に明らかに
なる他の目的は、 供給原料液からクリプトン−キセノン濃縮物を製造しし
かも希土類ガスを実質上含まない液状生成物も回収する
方法であって、 1)酸素、クリプトン及びキセノンを含む供給原料液を
再沸帯域に供給して再沸液を形成し、2)前記再沸液を
部分気化させて蒸気及び液状クリプトン−キセノン濃縮
物を生成し、3)クリプトンーキ七ノン濃縮物を回収し
、4)塔において下流する還流液に対向させて前記蒸気
を通し、 5)前記蒸気からクリプトン及びキセノンを前記還流液
にストリッピングさせてリーン蒸気及びよりリッチな液
体を生成し、 6)前記のよりリッチな液体を再沸帯域に送って再沸液
の一部分を形成し、 7)前記塔からリーン蒸気を抜き取り、8)抜き取った
リーン蒸気を加熱し、 9)加熱したリーン蒸気を圧縮し、 10)圧縮したリーン蒸気を、加熱リーン蒸気との間接
的熱交換によって冷却し、 11)冷却されたリーン蒸気を、再沸帯域において部分
気化する再沸液との間接的熱交換によって凝縮させてリ
ーン液体を生成し、 12)前記リーン液体の一部分を前記塔に送って還流液
を形成し、そして 13)前記リーン液体の一部分を、希土類ガスを実質上
含まない液状生成物として回収する、ことを含む方法 によって達成される。
本明細書において用いる用語「希土類ガス」は、クリプ
トン及びキセノンを意味する。
本明細書において用いる用語「リーン」、「よりリーン
な」、「リッチ」及び「よりリッチな」は、特に記して
いない限り希土類ガスの濃度を表わす。
本明細書において用いる用語「一体熱ポンプ回路」は、
熱ポンプ回路が分離塔と組み合わされて分離塔から得ら
れるプ胃セス流体を使用するような配置を意味する。
本明細書において用いる用語「再沸帯域」は、流入する
液体が間接的に加熱されこれによって部分気化されてガ
ス及び残留液を生成するような熱交換帯域を意味する。
これによって、残留液は、流入する液体中に存在する揮
発性の低い成分中に富化される。
本明細書において用いる用語「間接的熱光換」は、2つ
の流体流れを互いに物理的に接触又は混合させずに熱交
換関係にすることを意味する。
本明細書において用いる用語「平衡段階」は、気−液接
触段階を出る蒸気及び液体が物質移動平衡状態にあるよ
うな気−液接触段階を意味する。
液相及び気相に対してシレー又はブレーシ即ち個別的な
接触段階を使用する分離塔について言えば、平衡段階は
理論トレー又はプレートに相当する。
バッキング即ち液相及び気相の連続接触を使用する分離
塔について言えば、平衡段階は、1個の理論プレートに
等しい塔バッキングのその高さに相当する。実際の接触
段階即ちトレー、プレート又はバッキングは、その物質
移動効率に依存して平衡段階に相当する。
本明細書でボいる用語「塔」は、蒸留又は分別塔、即ち
、例えば塔内に配置された一連の垂直方向にllI[し
たトレー又はプレート上で又は別法として塔に充填され
たバッキング部材上で気相及び液相を接触させることに
よるが如くして液相及び気相を向流接触させて流体混合
物の分離を行なうような接触塔又は帯域を意味する。分
別塔の詳細な説明については、アール・エイチ・ベリー
及ヒシー・エイチ・チルトン氏編集「ザ・ナミカル・エ
ンジニャーズ・ハンドブック(the Chem1ca
lEngin@er’s Handbook) 、第五
版」(米国、Sニーヨーク州所在のマクグロー・ヒル・
ブック・カンパニー)、冑デスチレーション(Dist
illation)”sビー・デー・スミス氏姓、第1
3−3頁、ザ・コンティニュアス・デスチレーション・
プロセス(The Continuous Disti
llation Process )を参照されたい。
本明細書における用語「二重塔」は、低圧塔の下方端と
熱交換関係にある上方端を有する高圧塔を意味する。二
重塔の詳細な説明については、ルヒマン氏の1ザ・セバ
レーシヲン・オプ・ガセズ(The 5eparati
on of Ga5efi)”(オックスフォード・ユ
ニバーシティ・プレス、1949)、第■章、霧工業的
空気分離1及びバロン氏の1クリオゲニツクeシステム
ズ(Cryog@nic Syztema) @(マク
グロー・ヒル・インコーホレーテッド、1966)、第
230頁、′空気分離系譚に見い出される〇 」1艮1jb1 添付図面を参照しながら、本発明の方法を詳細に説明す
る。
こ−で第1図を説明すると、酸素、クリプトン及びキセ
ノンを含む液体流れ32は、例えばポンプ手段33によ
って、流れ34として再沸帯域36に送られる。第1図
の具体例では、供給原料流れ34は塔35からの液体と
合流され、そして得られた合流流れ42は再沸帯域36
に送られる。
供給原料液流れ54中のクリプトン及びキセノンの濃度
は任意の有効濃度であってよいが、しがし一般には供給
原料液流れ34においてクリプトンの濃度は少なくとも
10ppm でありそしてキセノンの濃度は少なくとも
1 ppmである。
本発明の方法に対する供給原料液の源は、希土類ガス含
有液体酸素の任意の源であってよい。第1図は、液状及
びガス状酸緊生成物の両方を生成することができる二重
塔空気分離プ四セス10の低圧塔の溜めからの液体とし
て1つのか\る源を示している。第1図に示されるよう
に、この液体26は、本発明の方法における使用に先立
って貯蔵受器31に送ることができる。貯蔵受器31に
は、図示される二重塔空気分離プラントからの供給原料
とは別に又はそれに加えて源からの適当な供給原料液を
供給することができる。第1図は、本発明の方法が総合
空気分離プロセスに結びつける必要がないという点で該
方法の利益のうちの1つを例示する。本発明の方法への
唯一の投入物は供給原料液流れ34であるが、これは任
意の適当な源からのものであってよい。塔における物質
移動、一体熱ポンプ回路における熱伝達及び再沸帯域に
おける濃縮相変化を含めて全クリプトン−キセノン濃縮
プ四セス30は、他の流れを全くプロセスに投入せずに
実施される。これによって、本発明の方法は唯−無二の
ものになり、そしてこれまで有効な方法よりもかなり簡
素化された方法でクリプトン−キセノン濃縮が可能にな
る。
第1図に戻って説明すると、再沸帯域の再沸液61は濃
縮器37において凝縮液との熱交換によって部分気化さ
れ、これによって蒸気43及び°クリプトンーキセノン
濃縮物40(これは、更に使用するために回収すること
ができる)をもたらす。
典型的には、濃縮物40中のクリプトン濃度は少なくと
も200 ppm好ましくは少なくとも400ppm 
であり、そして濃縮物40中のキセノン濃度は少なくと
も15 ppm好ましくは少なくとも30 ppm で
ある。
蒸気43(これは、再沸帯域への供給原料液よりもクリ
プトン及びキセノンがよりリーンなものである)は、下
流する還流液に対向して塔55を上方に通される。第1
図では再沸帯域36が塔35とは離して図示されている
けれども、再沸帯域は塔35内にまたその底部にあって
もよい。再沸帯域が第1図の具体例における如く塔35
とは別個であるときには、蒸気43は塔35にその底部
において導入される。
塔35内では、蒸気43中のクリプトン及びキセノンが
その蒸気から下流する還流液中にス) IJツビングさ
れる。得られるクリプトン−キセノン富化液41は、再
沸帯域に送られて再沸液61の一部分を形成する。
塔35は、10〜75psia好ましくは15〜30 
pmimの範囲内の圧力で操作され、そして蒸気43中
のクリプトン及びキセノンの有意部分好ましくはその実
質上全部を下流する還流液中にストリッピングする働き
をする。これによって蒸気流れ44が生じるが、この蒸
気流れ44は、塔55から好ましくは塔35の頂部にお
いてリーン状態で抜き出されそして好ましくは希土類ガ
スを実質上含まない。
実質上酸素からなるリーン蒸気流れ44は熱交換器39
における間接的熱交換によって加熱され、そして加熱し
た流れ45は圧縮器38において圧縮されて圧縮流れ4
6を形成する。流れ45はごく僅かな程度の圧縮を受け
ればよく、好ましくは流れ46は流れ45よりもせいぜ
い30 psi(そして最とも好ましくはせいぜい15
 psi高い圧力にある。図示されていないけれども、
圧縮された流れは冷却水によって冷却することができる
。次いで、圧縮された流れ45は加熱蒸気流れ44に対
向して熱交換器39を通すことによる間接的熱交換によ
って冷却され、そして得られた冷却され圧縮されたリー
ン蒸気流れ47は再沸帯域56の凝縮器37に送られる
。こ\で、その冷却され圧縮されたリーン蒸気は、部分
気化する再沸液との間接的熱交換によって凝縮されてリ
ーン液48を生成する。このリーン液48の一部分49
(り一ン液48の10〜40%好ましくは15〜25%
に相当する)は、弁51によって膨張されそして流れ5
2として塔35に好ましくは塔の頂部に送られて上記の
下流する還流液を形成する。リーン液48の他の部分3
0好ましくは残りの部分は、実質上酸素からなりそして
希土類ガスを実質上含まない液状生成物として回収され
る。一般には、流れ30は、せいぜい5 ppm好まし
くはせいぜいlppmのクリプトン濃度及び無視し得る
キセノン濃度を有する。
先に説明したように、本発明のクリプトン−キセノン濃
縮法は、供給原料以外の投入流れを蚕く必要としない。
かくして、液状供給原料は、塔35内でのクリプトンー
キ七ノン物質移動、熱交換器39と関連した一体熱ポン
プ回路での熱伝達、及び再沸帯域36での濃縮相変化を
可能にすることが分かる。再沸帯域36での熱交換は極
めて類似した流体間で行われるので、即ち、再沸液61
及び凝縮する圧縮されi IJ−ン蒸気47の両方とも
一般には99%以上の酸素からなるので、再沸帯域36
内での熱交換は圧縮器38でのごく僅かな程度の圧縮で
実施することができる。これは、エネルギーの利用上の
面からまた完全上の面からも有益である。と云うのは、
酸素の圧縮は圧縮量が大きくなる程危険になる場合があ
るからである。
また一体熱ポンプ回路は、濃縮プロセスの複雑化を減じ
る役目もする。と云うのは、窒素又はアルゴンの如き他
の流体は熱交換媒体として要求されないからである。ま
た、これは、本発明の方法が他の低温法に関係なく一層
唯一無二になることができるのを補助する。
先に記載したように、第1図は、ガス状及び液状酸素生
成物の両方を生成する二重塔空気分離シラントであって
、大気中のクリプトン及びキセノンの実質上全部をガス
状生成物よりもむしろ液状生成物中に置くように通常の
二生成物二重塔配置から変形された二重基空気分離プラ
ントからクリプトン−キセノン濃縮プロセスへの供給原
料液が取られるところの特に好ましい配置を例示する。
こ−で、第1図に例示される二重基空気分離プロセスに
ついて簡単に説明する。
第1図を説明すると、供給原料空気14は17〜130
 psiaの圧力で操作される高圧塔15に導入され、
こ\でそれは窒素がよりリッチな蒸気16及び酸素がよ
りリッチな液体15に分離される。蒸気16は凝縮器1
2において低圧塔残液62との間接的熱交換によって凝
縮され、そして得られる窒素がよりリッチな液体17は
、流れ19として高圧塔に、また弁22を通る流れ18
及び流れ23として低圧塔に送られて塔のための還流液
として働く。液体15は、弁20によって膨張されそし
て流れ21として(部分フラッシングされた供給原料と
して)低圧塔に送られる。また、塔11には、冷端熱交
換器温度制御のために且つ(又は)プラントの冷凍を展
開させるのに使用することができる空気流れ51も供給
原料として導入される。塔11は、塔13よりも低い圧
力で且つ15〜S Opsimの範囲内の圧力で操作さ
れる。塔11内では、各投入流れは、流れ24として抜
き出される窒素リッチ成分と、酸素リッチ成分とに分離
される。この酸素リッチ成分は、ガス状流れ25及び液
状流れ26として塔から抜き出される。
通常の二生成物即ち液状及びガス状酸素の製造では、ガ
ス状酸素生成物は、2つの抜き出された流れが平衡状態
になるような態様で残留液よりも上方で抜き出される。
従って、クリプトン及びキセノンは抜き取られた生成物
流れの両方において平衡状態にある。液状生成物の平衡
クリプトン及びキ七ノン含量はガス状生成物のそれより
も高いけれども、時には液状生成物の量はガス状生成物
よりもずっと少なく、これによってガス生成物によるク
リプトン及びキセノンの損失は有意なものである。この
事態を打破するために、第1図に例示される二重基配置
では、塔11の溜めよりも少なくとも1個の平衡段階だ
け上方の点(この場合には、トレー27よりも上方の点
)において塔11からガス状酸素生成物25を抜き取っ
ている。
その代わりに、か−る配置では、通常の実施下にガス状
生成物と一緒に取り出されるような有意量のクリプトン
−キセノンは液体中にと!まり、かくしてクリプトン−
キセノン濃縮プロセスに送られることが見い出された。
所望ならば、ガス状酸、素生成物は、溜めよりも例えば
トレー28又は29よりも一層上方から抜き取ることが
できる。
最適な抜き取り点は、低圧塔において余分なトレーに関
して得られる最低のクリプトン−キセノン値に依存する
。一般には、液状8′素生成物26は、塔11からの全
酸素生成物の約2〜約75%好ましくは約5〜30%最
とも好ましくは約20%である。
第1図に例示される二重基プロセスは、本発明のクリプ
トン−キセノン濃縮プロセスと組み合わせて用いたとき
に特に有益である。二重基プ四セスでは、大気中のクリ
プトン及びキセノンの実質上全部が液状酸素生成物中に
濃縮され、次いでこれは本発明の方法に対する供給原料
として使用される。本発明のクリプトン−キセノン濃縮
プロセスは、ごく少量の又は無視し得る量の希土類ガス
を含有する液状酸素生成物流れをもたらす。かくして、
第1図に示される如く2つの方法を一緒にすると、ガス
状酸素生成物25、液状酸素生成物30、並びに大気中
の空気である供給原料中のクリプトン及びキセノンの実
質上全部を含有するクリプトン−キセノン濃縮物4oを
回収することができる。この極めて望ましい結果は、高
い効率においてしかも複雑でなく完全な態様で達成され
る。
@1図の具体例は、クリプトン−キセノン濃縮プロセス
への供給原料がガス状及び液状酸素生成物の両方を生成
する二重基空気分離プラントからくることを示し、また
供給原料である空気中のクリプトン及びキセノンの実質
上全部がガス状酸素中よりもむしろ液状酸素中に固定す
ることができる二重塔プ四セスの変形法を示すという点
で特に好ましいものである。
表Iには、表Iの具体例に従って実施した本発明の方法
のコンピューターシミュレーションの結果が記載されて
いる。このデータは、本発明を例示する目的で提供する
ものであって、本発明を限定するものではない。略語「
CFHJ及びl−P S I AJは、それぞれ、周囲
温度(70’F)及び大気圧(14,7psia )で
測定した”ft”/hr ”及び” 1 b/ i n
”絶対圧”を意味する。流れ番号は、第1図のものに相
当する。流れ濃度は、モル%又はppm容量のどちらか
で示される。表示の酸素、クリプトン及びキセノン含量
の他に、名流れはいくらかのアルゴン及び少量の炭化水
素を含有する。
表Iのデータによって例示されるように、本発明の方法
は、濃縮物生成物流れ以外の流れ中にごく僅かしかクリ
プトン及びキセノンが失われでいないクリプトン−キセ
ノン濃縮物を効率的にもたらす。本発明の方法では、こ
れが液状供給原料を使用して達成され、しかも希土類ガ
スを実質上台まない液体生成物も生成する。表Iで分か
るように、液状供給原料の大半(一般には少なくとも7
5%、そしてこの場合には92%)は液体酸素生成物と
して回収され、そしてクリプトン−キセノン濃縮物を生
成するのにごく少量の液状供給原料で済む。更に、本発
明の方法は、窒素又はアルゴン熱ポンプ循環のような他
の流れを投入せずに、また空気分離プラントにプロセス
流れを関す必要なしにこれらの望ましい結果を達成する
ことができ、これによって拳法は、関連する低温冷却プ
ラントを必要とせずに唯−無二になることができる。
なお更に、本発明の方法は、プロセス工程の限定した組
合わせを使用し且つ唯一のプロセス流れとして液状供給
原料を使用して、これらの望ましい結果のすべてを達成
し、しかも分離を操作するのに大きいエネルギー人力を
必要としない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法の1つの好ましい具体例の概略流
れ図であって、主要部を表わす参照数字は次の通りであ
る。 11:低圧塔 13:高圧塔 35ニスドリツピング塔 36:再沸帯域 39:熱交換器

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)供給原料液からクリプトン−キセノン濃縮物を製
    造ししかも希土類ガスを実質上含まない液状生成物も回
    収する方法であつて、 1)酸素、クリプトン及びキセノンを含む供給原料液を
    再沸帯域に供給して再沸液を形成し、2)前記再沸液を
    部分気化させて蒸気及び液状クリプトン−キセノン濃縮
    物を生成し、 3)クリプトン−キセノン濃縮物を回収し、4)塔にお
    いて下流する還流液に対向させて前記蒸気を通し、 5)前記蒸気からクリプトン及びキセノンを前記還流液
    にストリッピングさせてリーン蒸気及びよりリッチな液
    体を生成し、 6)前記のよりリッチな液体を再沸帯域に送つて再沸液
    の一部分を形成し、 7)前記塔からリーン蒸気を抜き取り、 8)抜き取つたリーン蒸気を加熱し、 9)加熱したリーン蒸気を圧縮し、 10)圧縮したリーン蒸気を、加熱リーン蒸気との間接
    的熱交換によつて冷却し、 11)冷却されたリーン蒸気を、再沸帯域において部分
    気化する再沸液との間接的熱交換によつて凝縮させてリ
    ーン液体を生成し、 12)前記リーン液体の一部分を前記塔に送つて還流液
    を形成し、そして 13)前記リーン液体の一部分を、希土類ガスを実質上
    含まない液状生成物として回収する、ことを含む方法。
  2. (2)供給原料中のクリプトン濃度が少なくとも10p
    pmである特許請求の範囲第1項記載の方法。
  3. (3)供給原料中のキセノン濃度が少なくとも1ppm
    である特許請求の範囲第1項記載の方法。
  4. (4)再沸帯域が塔内にある特許請求の範囲第1項記載
    の方法。
  5. (5)再沸帯域が塔とは別個のものである特許請求の範
    囲第1項記載の方法。
  6. (6)供給原料液及びよりリッチな液体が再沸帯域への
    導入に先立つて合流される特許請求の範囲第1項記載の
    方法。
  7. (7)塔が10〜75psiaの範囲内の圧力で操作さ
    れる特許請求の範囲第1項記載の方法。
  8. (8)加熱されたリーン蒸気が、その圧力をせいぜい3
    0psiまで増大するために圧縮される特許請求の範囲
    第1項記載の方法。
  9. (9)加熱されたリーン蒸気が、その圧力をせいぜい1
    5psiまで増大するために圧縮される特許請求の範囲
    第1項記載の方法。
  10. (10)塔に還流液として送られるリーン液のその部分
    がリーン液の10〜40%に相当する特許請求の範囲第
    1項記載の方法。
  11. (11)クリプトン−キセノン濃縮物中のクリプトンの
    濃度が少なくとも200ppmである特許請求の範囲第
    1項記載の方法。
  12. (12)クリプトン−キセノン濃縮物中のキセノンの濃
    度が少なくとも15ppmである特許請求の範囲第1項
    記載の方法。
  13. (13)希土類ガスを実質上含まない液状生成物が容積
    流量を基準にして供給原料液の少なくとも75%に相当
    する特許請求の範囲第1項記載の方法。
  14. (14)供給原料液が二重塔低温空気分離プラントから
    取られる特許請求の範囲第1項記載の方法。
  15. (15)空気分離プラントが、供給原料液を構成する液
    体の他にガス状酸素生成物を生成する特許請求の範囲第
    14項記載の方法。
  16. (16)ガス状酸素生成物が、供給原料液を構成する液
    体を抜き出すところの少なくとも1つの平衡段階よりも
    上方の点で空気分離プラントから抜き取られる特許請求
    の範囲第15項記載の方法。
JP24176285A 1984-08-16 1985-10-30 供給原料液からクリプトン−キセノン濃縮物を製造する方法 Granted JPS62102076A (ja)

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US06/641,553 US4574006A (en) 1984-08-16 1984-08-16 Process to produce a krypton-xenon concentrate from a liquid feed

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JPS6367638B2 JPS6367638B2 (ja) 1988-12-27

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0566085A (ja) * 1991-02-05 1993-03-19 Air Prod And Chem Inc 液体供給材料流れからのクリプトンとキセノンの生産法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3768270A (en) * 1970-11-27 1973-10-30 British Oxygen Co Ltd Air separation
US3779028A (en) * 1970-10-12 1973-12-18 British Oxygen Co Ltd Improved krypton xenon recovery method

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