JPS6210274A - 気相合成方法および装置 - Google Patents
気相合成方法および装置Info
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- JPS6210274A JPS6210274A JP14826785A JP14826785A JPS6210274A JP S6210274 A JPS6210274 A JP S6210274A JP 14826785 A JP14826785 A JP 14826785A JP 14826785 A JP14826785 A JP 14826785A JP S6210274 A JPS6210274 A JP S6210274A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は多結晶体の気相合成方法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶ
ａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ 、
以下ｃｖＤ法と略すン及び装置に関し、特にその形状が
球面状の多結晶体例えばＺｎ５ｅ 、 Ｚｎ８ 、 Ｚ
ｎ１３１−ＸＳｅ、 、 ＣａＳ 、 ＣａＴｅ。
ａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ 、
以下ｃｖＤ法と略すン及び装置に関し、特にその形状が
球面状の多結晶体例えばＺｎ５ｅ 、 Ｚｎ８ 、 Ｚ
ｎ１３１−ＸＳｅ、 、 ＣａＳ 、 ＣａＴｅ。
ＺｎＴｅ 、 ８１ 、 ＧａＡｓ などをクラック
等を生じることなく安定に合成できる新規な方法おＬび
装置に関する。
等を生じることなく安定に合成できる新規な方法おＬび
装置に関する。
（従来の技術］
多結晶体例えばＺｎ５ｅ 、 ＺｎＳ等はレーザーある
いは検知器用の窓材料として使用されており、その形状
が平板の場合は問題ないが、球状すなわち曲″４Ｒ０深
さｈ’２持つ場合には、原料歩留りの点で、また結晶粒
径の制御の点でも、ＣＶＤが最も優れた方法である。こ
の方法では、第５図に示す工うに１ず曲率Ｒ９深さｈの
形状全基板１０に作成（レリーフ）しておき、該基板上
に目的物質を気相合成して堆積させる。
いは検知器用の窓材料として使用されており、その形状
が平板の場合は問題ないが、球状すなわち曲″４Ｒ０深
さｈ’２持つ場合には、原料歩留りの点で、また結晶粒
径の制御の点でも、ＣＶＤが最も優れた方法である。こ
の方法では、第５図に示す工うに１ず曲率Ｒ９深さｈの
形状全基板１０に作成（レリーフ）しておき、該基板上
に目的物質を気相合成して堆積させる。
（発明が解決しょうとする問題点）
しかしながら、球状の多結晶体をＣＶＤ法にて作成する
場合に、球面状のレリーフ全基板の不適白な位ＲＫ作成
したシ、１之、２個以上の球面を一つの基板にレリーフ
した場合に合成した球面状の多結晶体にクランクが生じ
てし甘う。
場合に、球面状のレリーフ全基板の不適白な位ＲＫ作成
したシ、１之、２個以上の球面を一つの基板にレリーフ
した場合に合成した球面状の多結晶体にクランクが生じ
てし甘う。
これは、炉の冷却時に基板と合成された結晶の熱膨張係
数が異なることから生じる熱応力にニジ、結晶のある部
分に応力集中が生じるためと考えられる。また第４図の
矢印の部分には基板形状を主原因として応力集中が発生
する。
数が異なることから生じる熱応力にニジ、結晶のある部
分に応力集中が生じるためと考えられる。また第４図の
矢印の部分には基板形状を主原因として応力集中が発生
する。
本発明は球状結晶にクラックを生じない新規な気相合成
方法お工びその装置を提供すること金目的とするもので
ある。
方法お工びその装置を提供すること金目的とするもので
ある。
（問題点を解決するための手段）
クラックを生じる起因となる熱応力、応力集中は前述し
たように炉の冷却時に発生する。そこで炉の冷却に入る
前に基板と合成結晶を分離すれば、熱応力、応力集中を
防ぐことができるというアイデアに基き研究の結果、本
発明に到達し次ものである。
たように炉の冷却時に発生する。そこで炉の冷却に入る
前に基板と合成結晶を分離すれば、熱応力、応力集中を
防ぐことができるというアイデアに基き研究の結果、本
発明に到達し次ものである。
すなわち本発明は球面基板上に原料ガスを供給して結晶
を気相合成する方法において、合成終了後炉の冷却前に
、上記基板を合成された結晶から分離すること全特徴と
する気相合成方法に関する第１の発明及び、上記方法に
用いる装置として球面基板上に原料カスを供給する手段
と合成反応条件全保持する手段とからなる気相合成装置
において、複数の球面基板を支持する外枠基板と、結晶
から球面基板を分離するために該球面基板全外枠基板の
後方に移動させる手段とｔＶすることを特徴とする気相
合成装置でるる第２の発明から成るものである。
を気相合成する方法において、合成終了後炉の冷却前に
、上記基板を合成された結晶から分離すること全特徴と
する気相合成方法に関する第１の発明及び、上記方法に
用いる装置として球面基板上に原料カスを供給する手段
と合成反応条件全保持する手段とからなる気相合成装置
において、複数の球面基板を支持する外枠基板と、結晶
から球面基板を分離するために該球面基板全外枠基板の
後方に移動させる手段とｔＶすることを特徴とする気相
合成装置でるる第２の発明から成るものである。
（作用）
以下図面を参照して本発明の方法お工び装置を具体的に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の方法及び装置の１実施態様であって、
１４は基板１の外枠部分であり該外枠部１ｄＫ嵌入され
ている球面状にレリーフされ九球面基板ｔａ、１ｂ、Ｉ
ｃを、基板引出棒２ａ、２ｂ、２ｃによって、個別にヒ
ーターｓ側に引出すことが可能な構造となっている。な
おＭ２図は基板部分の横断面図、ｆｊｌｃ６図は正面囚
である。第４図は球面基板１ｅｉ一体となし、基板外枠
部１ｄから一度に分離できる。第２図の変形である。４
は炉体、５ａ、ｂ、ｃは７ランジ、６及び７は反応性ガ
ス導入用ノズル、８は基板台座であり、例えばノズル６
からＨ２Ｓ ｉノズル７からＺｎ蒸気を導入し、基板外
枠部１ｄ及び球面基板ｔａ、１ｂ、１ｃの表面にＺｎＳ
結晶全合成する。合成が終了した時点で、基板引出し棒
２ａ、２ｂ、２ａｆ操作することにより球面基板１ａ、
Ｉｂ、１ｃをヒーター３の側に引き出し、球面基板１ａ
、１ｂ、１ｃと基板外枠部に固定された合成結晶９とを
、炉４の冷却前に分離する。このＬつに応力が集中する
と考えられる基板１の球面レリーフ部分について熱膨張
係数の異なる球面基板１ａ、１ｂ、１０と合成された結
晶９とを分離することにＬす、合成された結晶９のクラ
ック生成を防止できる。
１４は基板１の外枠部分であり該外枠部１ｄＫ嵌入され
ている球面状にレリーフされ九球面基板ｔａ、１ｂ、Ｉ
ｃを、基板引出棒２ａ、２ｂ、２ｃによって、個別にヒ
ーターｓ側に引出すことが可能な構造となっている。な
おＭ２図は基板部分の横断面図、ｆｊｌｃ６図は正面囚
である。第４図は球面基板１ｅｉ一体となし、基板外枠
部１ｄから一度に分離できる。第２図の変形である。４
は炉体、５ａ、ｂ、ｃは７ランジ、６及び７は反応性ガ
ス導入用ノズル、８は基板台座であり、例えばノズル６
からＨ２Ｓ ｉノズル７からＺｎ蒸気を導入し、基板外
枠部１ｄ及び球面基板ｔａ、１ｂ、１ｃの表面にＺｎＳ
結晶全合成する。合成が終了した時点で、基板引出し棒
２ａ、２ｂ、２ａｆ操作することにより球面基板１ａ、
Ｉｂ、１ｃをヒーター３の側に引き出し、球面基板１ａ
、１ｂ、１ｃと基板外枠部に固定された合成結晶９とを
、炉４の冷却前に分離する。このＬつに応力が集中する
と考えられる基板１の球面レリーフ部分について熱膨張
係数の異なる球面基板１ａ、１ｂ、１０と合成された結
晶９とを分離することにＬす、合成された結晶９のクラ
ック生成を防止できる。
（実施例〉
第２図及び第６図の構造を持ち、球面状部分の尺が８０
ｗ、ｈが８０ｆｆｉｌ＋の半球状レリーフを有する基板
を用い、第１図の構成に工り、ＺｎＳの球面状結晶ｉ
ＣＶＤ法にニジ合成した。なお球面基板材料としてはカ
ーボンを用いた。
ｗ、ｈが８０ｆｆｉｌ＋の半球状レリーフを有する基板
を用い、第１図の構成に工り、ＺｎＳの球面状結晶ｉ
ＣＶＤ法にニジ合成した。なお球面基板材料としてはカ
ーボンを用いた。
炉の温度は７５０℃に保ち、原料混合ガス全２、４ Ｎ
ｔ／ｍｉｎ、キャリア用ガスｆ １．６ Ｎｔ／ｍｉｎ
で、２５０〜３００時間流して結晶合成を行った。
ｔ／ｍｉｎ、キャリア用ガスｆ １．６ Ｎｔ／ｍｉｎ
で、２５０〜３００時間流して結晶合成を行った。
次に、炉の温度が７５０℃〜７００℃である反応直後に
引き出しｉＩｓを自動的に、著しくは手動にニジ分離し
て厚さ１０日以上の結晶金得た。
引き出しｉＩｓを自動的に、著しくは手動にニジ分離し
て厚さ１０日以上の結晶金得た。
結晶にはクラック、割れが全くなかつ念。
なおＺｎＳとカーボンの熱膨張係数は次のとおシである
。
。
ＺｎＳ ７．８５ Ｘ １０−’ ／ ℃カー
ボン １．８〜５ Ｘ １０””／１：比較のため
に第５図に示す従来の基板を用いて同様な条件で結晶合
成を行うと、基板の球面部に堆積した結晶の中央部を横
断する形でクラックが発生した。
ボン １．８〜５ Ｘ １０””／１：比較のため
に第５図に示す従来の基板を用いて同様な条件で結晶合
成を行うと、基板の球面部に堆積した結晶の中央部を横
断する形でクラックが発生した。
（発明の効果）
本発明の方法は気相合成反応終了後、炉の冷却前圧生成
した結晶と球面基板を分離するので、該結晶と球面基板
の材質の差異による熱膨張係数差、あるいは球面基板上
のレリーフの位置、形状により生ずるクラック、割れを
防止できる効果を生じる。ま之、本発明の装置は、引き
出し棒を炉外から操作するだけで、上述の結晶と球面基
板との分離が簡単に行えるので、安定して割れのない基
板を製造できる装置である。本発明の方法及び装置は、
特に球面状レリーフを有する球面基板に↓る結晶の気相
合成において有利である。
した結晶と球面基板を分離するので、該結晶と球面基板
の材質の差異による熱膨張係数差、あるいは球面基板上
のレリーフの位置、形状により生ずるクラック、割れを
防止できる効果を生じる。ま之、本発明の装置は、引き
出し棒を炉外から操作するだけで、上述の結晶と球面基
板との分離が簡単に行えるので、安定して割れのない基
板を製造できる装置である。本発明の方法及び装置は、
特に球面状レリーフを有する球面基板に↓る結晶の気相
合成において有利である。
第１図は本発明の方法及び装置の実施態様を説明する図
、第２図及び第３図は本発明における基板の実施態様を
示し、第２図は横断面図、第３図は正面図、第４図は第
２図の球面基板を一体化した変形図、第５図は従来の基
板の横断面図である。
、第２図及び第３図は本発明における基板の実施態様を
示し、第２図は横断面図、第３図は正面図、第４図は第
２図の球面基板を一体化した変形図、第５図は従来の基
板の横断面図である。
Claims (2)
- （１）球面基板上に原料ガスを供給して結晶を気相合成
する方法において、合成終了後炉の冷却前に、上記基板
を合成された結晶から分離することを特徴とする気相合
成方法。 - （２）球面基板上に原料ガスを供給する手段と合成反応
条件を保持する手段とからなる気相合成装置において、
複数の球面基板を支持する外枠基板と、結晶から球面基
板を分離するために該球面基板を外枠基板の後方に移動
させる手段とを有することを特徴とする気相合成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14826785A JPS6210274A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 気相合成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14826785A JPS6210274A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 気相合成方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210274A true JPS6210274A (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=15448946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14826785A Pending JPS6210274A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 気相合成方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6210274A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5082496A (en) * | 1990-02-09 | 1992-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5127946A (en) * | 1990-01-30 | 1992-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5130723A (en) * | 1990-02-09 | 1992-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5178671A (en) * | 1990-02-09 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5215577A (en) * | 1990-01-30 | 1993-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5258505A (en) * | 1991-07-26 | 1993-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Trisazo compounds, and dye compositions containing same |
| CN108165951A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-15 | 清远先导材料有限公司 | 硫化锌或硒化锌球罩的制备设备 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP14826785A patent/JPS6210274A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5127946A (en) * | 1990-01-30 | 1992-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5215577A (en) * | 1990-01-30 | 1993-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5082496A (en) * | 1990-02-09 | 1992-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5130723A (en) * | 1990-02-09 | 1992-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5178671A (en) * | 1990-02-09 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and apparatus employing the ink |
| US5258505A (en) * | 1991-07-26 | 1993-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Trisazo compounds, and dye compositions containing same |
| CN108165951A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-15 | 清远先导材料有限公司 | 硫化锌或硒化锌球罩的制备设备 |
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