JPS61186291A - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造方法Info
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- JPS61186291A JPS61186291A JP60023572A JP2357285A JPS61186291A JP S61186291 A JPS61186291 A JP S61186291A JP 60023572 A JP60023572 A JP 60023572A JP 2357285 A JP2357285 A JP 2357285A JP S61186291 A JPS61186291 A JP S61186291A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＧａＡｅ 、 ＧａＰ 、 工ｎＰ
などの■−Ｖ族化合物半導体単結晶、及び０ｄＴｅ 、
Ｚｎ５ｅなどのＩＩ−Ｍ族化合物半導体単結晶の製
造方法に関するものである。
などの■−Ｖ族化合物半導体単結晶、及び０ｄＴｅ 、
Ｚｎ５ｅなどのＩＩ−Ｍ族化合物半導体単結晶の製
造方法に関するものである。
多くの化合物半導体には、揮発性の高い成分が含まれて
いるため、引上げ法にょシ単結晶を育成する場合には、
Ｂ２Ｏ３などの液体封止剤を用いてその成分の揮散を防
ぐ方法（Ｌ１！＋Ｏ法）が用いられる。また、化合物半
導体の高品質化には、転位密度を低減させることが必要
であるが、そのためには、単結晶育成中の温度環境を安
定化することが必要となる。従来技術としては、中西外
、゛封止剤中育成法による無転位ＧａＡ３単結晶の育成
”第３１回応用物理学関係連合講演会講演予稿集３１ｐ
−Ｄ−１１（１９８４）ｐ６２６、に提案されているよ
うに、Ｌｌ［ｉＯ法においてＢ、Ｏｓ 厚を８０−と厚
くすることにより、温度勾配を３５℃／３と小さくする
という方法がある。
いるため、引上げ法にょシ単結晶を育成する場合には、
Ｂ２Ｏ３などの液体封止剤を用いてその成分の揮散を防
ぐ方法（Ｌ１！＋Ｏ法）が用いられる。また、化合物半
導体の高品質化には、転位密度を低減させることが必要
であるが、そのためには、単結晶育成中の温度環境を安
定化することが必要となる。従来技術としては、中西外
、゛封止剤中育成法による無転位ＧａＡ３単結晶の育成
”第３１回応用物理学関係連合講演会講演予稿集３１ｐ
−Ｄ−１１（１９８４）ｐ６２６、に提案されているよ
うに、Ｌｌ［ｉＯ法においてＢ、Ｏｓ 厚を８０−と厚
くすることにより、温度勾配を３５℃／３と小さくする
という方法がある。
しかしながら上記の従来方法では、厚くした液体封止剤
の対流が抑えられないために、温度のゆらぎを十分に少
さくしきれないという問題があった。
の対流が抑えられないために、温度のゆらぎを十分に少
さくしきれないという問題があった。
そこで本発明の目的はこの問題の解決、すなわち厚くし
た液体封止剤の対流を防止して、温度環境を安定化する
ことにより転位密度を低減して高品質な化合物半導体単
結晶を製造できる方法を提供することにある。
た液体封止剤の対流を防止して、温度環境を安定化する
ことにより転位密度を低減して高品質な化合物半導体単
結晶を製造できる方法を提供することにある。
本発明は揮発性物質を含む化合物半導体の単結晶製造方
法で、液体封止剤により育成中の単結晶全体をおおい、
かつ、るつは内部に隔壁をもうけることを特徴とする化
合物半導体単結晶の製造方法である。
法で、液体封止剤により育成中の単結晶全体をおおい、
かつ、るつは内部に隔壁をもうけることを特徴とする化
合物半導体単結晶の製造方法である。
すなわち本発明はるつばの液体封止剤部分に隔壁を設け
ることにより、該液体封止剤の対流を抑制したものであ
る。
ることにより、該液体封止剤の対流を抑制したものであ
る。
以下図面を参照して本発明を具体的に説明する。
第１図は本発明の実施態様を示す図であって、基本構造
は通常のＬＥＯ法引上げ炉と同様である。すなわち、１
はるつぼ、２は原料融液、３は育成中の単結晶、４は液
体封止剤、５はヒーター、６は上軸、７は下軸、８はチ
ャンバーである。それらに加えて、液体封止剤対流防止
用の隔壁９が複数枚、るつは１内にもうけられている。
は通常のＬＥＯ法引上げ炉と同様である。すなわち、１
はるつぼ、２は原料融液、３は育成中の単結晶、４は液
体封止剤、５はヒーター、６は上軸、７は下軸、８はチ
ャンバーである。それらに加えて、液体封止剤対流防止
用の隔壁９が複数枚、るつは１内にもうけられている。
隔壁９の形状は、リング状の円板をガしておシ、中央部
の穴の直径は、引き上げる単結晶の外径よシも１０〜２
０目大きくしておく必要がある。また、隔壁間の間隔は
、８〜１２■程度とする。液体封止剤の厚さは８０〜１
２０■とし、隔壁は、７〜１０枚もうける。
の穴の直径は、引き上げる単結晶の外径よシも１０〜２
０目大きくしておく必要がある。また、隔壁間の間隔は
、８〜１２■程度とする。液体封止剤の厚さは８０〜１
２０■とし、隔壁は、７〜１０枚もうける。
本発明において隔壁に用いることのできる材料としては
、カーボン、ＰＢＮ、ＢＮ、７リコンナイトライド、ア
ルミナイドライド、カーボンやＢＮにＰ］３Ｎあるいは
ＢＮをコートしたもの、その他モリブデン等が挙げられ
る。
、カーボン、ＰＢＮ、ＢＮ、７リコンナイトライド、ア
ルミナイドライド、カーボンやＢＮにＰ］３Ｎあるいは
ＢＮをコートしたもの、その他モリブデン等が挙げられ
る。
以上の本発明の構成により化合物半導体単結晶を成長さ
せるには、通常のＬＥＯ法単結晶引上げ法と同じ操作・
手順によるが、液体封止剤４は溶融時にその厚さが８０
〜１２０露となるように、通常法に比べて大量にチャー
ジしなければならない。隔壁の穴の直径は引上げる単結
晶の外径よシラ０〜２０Ｉ＋Ｉ＋！大きく設定している
ので、育成中の単結晶とのすき間は５〜１０■となる。
せるには、通常のＬＥＯ法単結晶引上げ法と同じ操作・
手順によるが、液体封止剤４は溶融時にその厚さが８０
〜１２０露となるように、通常法に比べて大量にチャー
ジしなければならない。隔壁の穴の直径は引上げる単結
晶の外径よシラ０〜２０Ｉ＋Ｉ＋！大きく設定している
ので、育成中の単結晶とのすき間は５〜１０■となる。
液体封止剤は、通常Ｂ２Ｏ３などのガラス状材質を用い
るため粘度が高く、例えばＢ！ ｏｓでは、８００℃で
約４２０ ｐｏｉｓｅ、１２００℃で約５０ ｐｏｉｓ
ｅである。グリセリンの２０℃での粘性率が１５．０
ｐｏｉｓｅであることを考えると、この値はかなシ高い
ことが分る。この場合、５〜１０−のすき間に対しては
、熱対流をほぼ完全に抑えることができ、一定の温度勾
配を持った安定な温度環境下で化合物半導体単結晶を引
き上げることができる。温度勾配は、Ｂ、０３ 厚８０
■に対して３１℃／儒という値を得ることができた。
るため粘度が高く、例えばＢ！ ｏｓでは、８００℃で
約４２０ ｐｏｉｓｅ、１２００℃で約５０ ｐｏｉｓ
ｅである。グリセリンの２０℃での粘性率が１５．０
ｐｏｉｓｅであることを考えると、この値はかなシ高い
ことが分る。この場合、５〜１０−のすき間に対しては
、熱対流をほぼ完全に抑えることができ、一定の温度勾
配を持った安定な温度環境下で化合物半導体単結晶を引
き上げることができる。温度勾配は、Ｂ、０３ 厚８０
■に対して３１℃／儒という値を得ることができた。
本発明をＧａＡｓ単結晶製造に用いた。液体封止剤には
Ｂ２Ｏ３を用い、その厚さは、８０ｍとした。隔壁は８
ｗ間隔で７枚もうけた。チャンバー内はＮ、 ガスで
５０気圧に加圧し通常のＬＩＣ法の単結晶製造方法によ
り引上げを実施したが、転位の少ない良好な品質の単結
晶を得ることができた。
Ｂ２Ｏ３を用い、その厚さは、８０ｍとした。隔壁は８
ｗ間隔で７枚もうけた。チャンバー内はＮ、 ガスで
５０気圧に加圧し通常のＬＩＣ法の単結晶製造方法によ
り引上げを実施したが、転位の少ない良好な品質の単結
晶を得ることができた。
以上説明したように、るつは内に隔壁を設けることで単
結晶育成中の液体封止剤の温度勾配が小さくなシ、熱的
ゆらぎも小さくなるので、転位の発生が抑えられ、品質
のよい化合物半導体単結晶を製造することができるとい
う利点がある。
結晶育成中の液体封止剤の温度勾配が小さくなシ、熱的
ゆらぎも小さくなるので、転位の発生が抑えられ、品質
のよい化合物半導体単結晶を製造することができるとい
う利点がある。
第１図は本発明の化合物半導体単結晶の製造方法の１実
施態様を説明する図である。
施態様を説明する図である。
Claims (1)
- 揮発性物質を含む化合物半導体の単結晶製造方法で、
液体封止剤により育成中の単結晶全体をおおい、かつ、
るつぼ内部に隔壁をもうけることを特徴とする化合物半
導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023572A JPS61186291A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023572A JPS61186291A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61186291A true JPS61186291A (ja) | 1986-08-19 |
Family
ID=12114253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023572A Pending JPS61186291A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61186291A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005016848A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Daikin Ind Ltd | 空気調和機の室内機 |
| WO2006012924A1 (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-09 | Pusch, Bernard | Method of growing single crystals from melt |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60023572A patent/JPS61186291A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005016848A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Daikin Ind Ltd | 空気調和機の室内機 |
| WO2006012924A1 (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-09 | Pusch, Bernard | Method of growing single crystals from melt |
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