JPS6210317B2 - - Google Patents
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- JPS6210317B2 JPS6210317B2 JP58019901A JP1990183A JPS6210317B2 JP S6210317 B2 JPS6210317 B2 JP S6210317B2 JP 58019901 A JP58019901 A JP 58019901A JP 1990183 A JP1990183 A JP 1990183A JP S6210317 B2 JPS6210317 B2 JP S6210317B2
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- substrate
- layer
- laser beam
- irradiated
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/024—Electroplating of selected surface areas using locally applied electromagnetic radiation, e.g. lasers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱を伝導する金属基板の表面が少な
くとも１つの領域において浴中でレーザービーム
によつて照射され、基板上の前記領域において浴
から金属を堆積させる熱を伝導する金属基板上に
金属を堆積する方法に関するものである。
くとも１つの領域において浴中でレーザービーム
によつて照射され、基板上の前記領域において浴
から金属を堆積させる熱を伝導する金属基板上に
金属を堆積する方法に関するものである。
技術において、基板に金属層を設ける方法がし
ばしば用いられる。この場合にそのねらいは、基
板表面を完全に又は部分的に被覆することであ
る。基板表面を部分的に被覆する場合には、例え
ば、この基板表面のマスキング、つまりマスク掛
けが用いられ、その結果金属で被覆しようとする
この表面の部分を露出したまゝにしておく。全基
板表面に又金属を堆積させ、次いで、例えば、好
適のマスキング技術によつて、金属を望まない領
域から金属を取除くこともできる。
ばしば用いられる。この場合にそのねらいは、基
板表面を完全に又は部分的に被覆することであ
る。基板表面を部分的に被覆する場合には、例え
ば、この基板表面のマスキング、つまりマスク掛
けが用いられ、その結果金属で被覆しようとする
この表面の部分を露出したまゝにしておく。全基
板表面に又金属を堆積させ、次いで、例えば、好
適のマスキング技術によつて、金属を望まない領
域から金属を取除くこともできる。
基板表面を部分的に被覆する場合、重大な問題
は必要コストである。マスクを用いて、金属を貼
り付け、すなわち被着する場合も、金属を取除く
場合も共に、比較的大きな表面積一面に金属が貼
り付けられ、その結果金属がそれを必要としない
領域に堆積するのがしばしばである。その上、通
常のマスク掛け技術にしばしば労力がかかり、又
時間がかかる。
は必要コストである。マスクを用いて、金属を貼
り付け、すなわち被着する場合も、金属を取除く
場合も共に、比較的大きな表面積一面に金属が貼
り付けられ、その結果金属がそれを必要としない
領域に堆積するのがしばしばである。その上、通
常のマスク掛け技術にしばしば労力がかかり、又
時間がかかる。
マスク掛け技術を回避する一方、熱を絶縁する
基板上のレーザービームにより照射された領域
と、それらの領域の極く近傍とに、電気メツキに
より金属を堆積することは知られている〔応用物
理書簡（Appl.Phys.Letters）第35巻、第651〜
653頁（1979年）〕。局部的の金属化は多分、レー
ザービームを用いた照射による局部的の熱発生と
連結される。
基板上のレーザービームにより照射された領域
と、それらの領域の極く近傍とに、電気メツキに
より金属を堆積することは知られている〔応用物
理書簡（Appl.Phys.Letters）第35巻、第651〜
653頁（1979年）〕。局部的の金属化は多分、レー
ザービームを用いた照射による局部的の熱発生と
連結される。
しかしながら、熱を伝導する基板上に、そのと
きの事情次第で電気メツキにより、金属を局部的
に堆積させるのを又可能にすることが重要であ
る。そのような技術は、例えば、熱を吸収する基
板（いわゆるヒートシンク、すなわち熱だめ）上
に半導体本体を固着するのを可能にするため重要
である。
きの事情次第で電気メツキにより、金属を局部的
に堆積させるのを又可能にすることが重要であ
る。そのような技術は、例えば、熱を吸収する基
板（いわゆるヒートシンク、すなわち熱だめ）上
に半導体本体を固着するのを可能にするため重要
である。
この金属製の基板がレーザービームによつて照
射される領域においてこの金属基板上に金属が堆
積されることが前述の記事に記載されている。
射される領域においてこの金属基板上に金属が堆
積されることが前述の記事に記載されている。
本発明に導いた実験は、照射領域及びそれらの
すぐ周囲の外側にも、照射領域からの距離と共に
減少する厚さにおいて金属が堆積されるためこの
金属堆積の望ましい限定が容易に得られないこと
を示した。
すぐ周囲の外側にも、照射領域からの距離と共に
減少する厚さにおいて金属が堆積されるためこの
金属堆積の望ましい限定が容易に得られないこと
を示した。
本発明の目的は、とりわけ、金属堆積の厚さの
均一性と、堆積領域の限定とを少なくとも可成り
の程度まで改善することである。
均一性と、堆積領域の限定とを少なくとも可成り
の程度まで改善することである。
本発明はとりわけ、選択性（すなわち分離性）
の欠如が、用いられる基板の往々にして高い熱伝
導率とおそらく同盟、すなわち連合し、その結果
照射領域からこの照射領域の非照射の周囲までレ
ーザービームの効果が強く増大するという事実の
認識にその基礎をおく。
の欠如が、用いられる基板の往々にして高い熱伝
導率とおそらく同盟、すなわち連合し、その結果
照射領域からこの照射領域の非照射の周囲までレ
ーザービームの効果が強く増大するという事実の
認識にその基礎をおく。
前文に記述した方法はそれ故本発明によれば、
例えば歯４，６，９の部分を有する前記金属基板
１に、該金属基板１の熱伝導率よりも小さい熱伝
導率を有する層７を設けることと、レーザービー
ムによつて照射される層７の前記領域において前
記層７上に金属５を堆積させることとを特徴とす
る。
例えば歯４，６，９の部分を有する前記金属基板
１に、該金属基板１の熱伝導率よりも小さい熱伝
導率を有する層７を設けることと、レーザービー
ムによつて照射される層７の前記領域において前
記層７上に金属５を堆積させることとを特徴とす
る。
本発明による方法においては、金属の堆積は、
レーザービームにより照射される領域と、これら
の領域のすぐ周囲とに限定される一方、この金属
堆積が、略々均一な厚さを有しかつ限定される。
レーザービームにより照射される領域と、これら
の領域のすぐ周囲とに限定される一方、この金属
堆積が、略々均一な厚さを有しかつ限定される。
本発明による方法を無電メツキ法によつて実施
することができるが、金属は好ましくは電気メツ
キによつて堆積される。
することができるが、金属は好ましくは電気メツ
キによつて堆積される。
層の材料の熱伝導率と、隣接する基板の材料の
熱伝導率との間の比が、層の厚さと、レーザービ
ームの直径との間の比よりも小さい場合に、選択
性に関しては特に満足すべき結果が得られる。
熱伝導率との間の比が、層の厚さと、レーザービ
ームの直径との間の比よりも小さい場合に、選択
性に関しては特に満足すべき結果が得られる。
基板は好ましくは平らであるように選ばれ、層
はこの基板の少なくとも１個の主表面に沿つて延
在する。
はこの基板の少なくとも１個の主表面に沿つて延
在する。
一般に、そのような基板を簡単な方法で製造す
ることができる一方、次いでさらに、局部的熱処
理を行なわなければならない他の処理工程で有利
に基板上のどこか他の場所で前記の層を用いるこ
とができる。
ることができる一方、次いでさらに、局部的熱処
理を行なわなければならない他の処理工程で有利
に基板上のどこか他の場所で前記の層を用いるこ
とができる。
半導体装置用基板の使用がいわゆる「ヒートシ
ンク」として役立たせる必要がある場合には、銅
又は銅を含有する合金、例えば、銅―亜鉛、銅―
錫及び銅―ジルコニウム合金がしばしば用いられ
る。そのような材料は高い熱伝導率を有し、別の
工程をとらなければ、それらの材料は、レーザー
ビームによる選択的被覆の方法に用いるのに特に
好適ではない。
ンク」として役立たせる必要がある場合には、銅
又は銅を含有する合金、例えば、銅―亜鉛、銅―
錫及び銅―ジルコニウム合金がしばしば用いられ
る。そのような材料は高い熱伝導率を有し、別の
工程をとらなければ、それらの材料は、レーザー
ビームによる選択的被覆の方法に用いるのに特に
好適ではない。
好ましくは、この層は、コバルト―燐及びニツ
ケル―燐合金、ニツケル―硼素合金、及び窒化チ
タンから成る群から選ばれる材料の堆積によつて
得られる。かくして、例えば、半導体装置に必要
な金属化領域の被着、貼り付けに関して満足すべ
き結果が得られる一方、基板のヒートシンクすな
わち熱だめ効果に悪影響を及ぼさない。
ケル―燐合金、ニツケル―硼素合金、及び窒化チ
タンから成る群から選ばれる材料の堆積によつて
得られる。かくして、例えば、半導体装置に必要
な金属化領域の被着、貼り付けに関して満足すべ
き結果が得られる一方、基板のヒートシンクすな
わち熱だめ効果に悪影響を及ぼさない。
好ましくは、この堆積金属は金である。この堆
積は、例えば、ニツケル―燐合金層上に行なわれ
る。この選択的の金の堆積を次いで、例えば、シ
リコンからなる半導体本体に半田付けするのに用
いることができる一方、基板上のどこか他の場所
でこのニツケル―燐合金層をアルミニウムボンデ
イングによる半導体本体の一部への外部接続に用
いることができる。
積は、例えば、ニツケル―燐合金層上に行なわれ
る。この選択的の金の堆積を次いで、例えば、シ
リコンからなる半導体本体に半田付けするのに用
いることができる一方、基板上のどこか他の場所
でこのニツケル―燐合金層をアルミニウムボンデ
イングによる半導体本体の一部への外部接続に用
いることができる。
本発明を図面につき例に関して説明する。
第１図は本発明方法の製造工程における半導体
装置の一部を示す模式正面図であり、第２図は模
式断面図である。
装置の一部を示す模式正面図であり、第２図は模
式断面図である。
例によつて選んだ半導体装置の製造において、
その出発部材は伝熱基板１である。この基板１の
表面２のある一定の領域３が浴中でレーザービー
ムによつて照射され、金属が基板１上の領域３に
おいて浴から堆積される。
その出発部材は伝熱基板１である。この基板１の
表面２のある一定の領域３が浴中でレーザービー
ムによつて照射され、金属が基板１上の領域３に
おいて浴から堆積される。
得られた金属堆積は参照数字５によつて示され
る。
る。
本発明によれば、少なくとも照射領域３及びそ
の非照射の周囲に配置される基板１の層７上に金
属が堆積され、この層７に接合する基板１の材料
の熱伝導度よりも小さい熱伝導度を有する。
の非照射の周囲に配置される基板１の層７上に金
属が堆積され、この層７に接合する基板１の材料
の熱伝導度よりも小さい熱伝導度を有する。
本発明方法によつて、金属堆積５が、レーザー
によつて照射される領域３とそのすぐ近くの周囲
とに略々限定されるのを保証することができ、例
えば、金の場合には、選択的に堆積するのは可成
りのコストの節約に導くことができる。
によつて照射される領域３とそのすぐ近くの周囲
とに略々限定されるのを保証することができ、例
えば、金の場合には、選択的に堆積するのは可成
りのコストの節約に導くことができる。
好ましくは、出発部材は、平らな、例えば、
0.4mmの厚さと歯４，６及び９とを有するくし形
の基板である一方、この基板１の頂部全表面にわ
たつて層７が延在する。
0.4mmの厚さと歯４，６及び９とを有するくし形
の基板である一方、この基板１の頂部全表面にわ
たつて層７が延在する。
この基板１に対しては、好ましくは、例えば、
85重量％の銅と15重量％の亜鉛との組成を有する
銅―亜鉛合金が用いられる。この材料は20℃にお
いて約0.38cal／cm・sec・Ｋ（159.1W／ｍＫ）の
熱伝導率を有する。
85重量％の銅と15重量％の亜鉛との組成を有する
銅―亜鉛合金が用いられる。この材料は20℃にお
いて約0.38cal／cm・sec・Ｋ（159.1W／ｍＫ）の
熱伝導率を有する。
好ましくは、この層７は、通常の方法でニツケ
ル―燐合金層を電気メツキ又は無電メツキ法によ
つて堆積して得られる。この層７のこの材料は、
20℃において約0.01cal／cm・sec・Ｋ（4.2W／ｍ
Ｋ）の熱伝導率を有する。この層７は、例えば、
４μｍの厚さを有する。
ル―燐合金層を電気メツキ又は無電メツキ法によ
つて堆積して得られる。この層７のこの材料は、
20℃において約0.01cal／cm・sec・Ｋ（4.2W／ｍ
Ｋ）の熱伝導率を有する。この層７は、例えば、
４μｍの厚さを有する。
金属堆積５は、例えば、金シヤン化カリ
KAu・（CN）2 100ｇ／及びクエン酸C6H8O7
100ｇ／から成り、そのPH値をKOHによつて
5.6に調節した組成を有する金浴３６から電気堆
積（電気析出）（第３図を見よ）によつて得られ
る。
KAu・（CN）2 100ｇ／及びクエン酸C6H8O7
100ｇ／から成り、そのPH値をKOHによつて
5.6に調節した組成を有する金浴３６から電気堆
積（電気析出）（第３図を見よ）によつて得られ
る。
この電気堆積のため必要とする電圧は、静電電
圧源４０によつて供給され、それによつて陰極３
９として接続される基板と、参考電極３８との間
の電圧は、この陰極３９と金陽極３７との間の電
圧を調節することによつて、800mVに一定に保
たれる。照射されるべき基板１の領域３は、光学
レンズ系３２，３３，３５及びシヤツター３４を
通して、20Wアルゴンレーザー３１によつて照射
される。陰極３９のこの領域においてレーザービ
ームは100μｍの直径を有する。堆積速度は約２
μｍ／sec.である。
圧源４０によつて供給され、それによつて陰極３
９として接続される基板と、参考電極３８との間
の電圧は、この陰極３９と金陽極３７との間の電
圧を調節することによつて、800mVに一定に保
たれる。照射されるべき基板１の領域３は、光学
レンズ系３２，３３，３５及びシヤツター３４を
通して、20Wアルゴンレーザー３１によつて照射
される。陰極３９のこの領域においてレーザービ
ームは100μｍの直径を有する。堆積速度は約２
μｍ／sec.である。
ここに記載する例では、層７の材料の熱伝導率
と、これに接合している基板１の熱伝導率との間
の比は1/38であり、これは、この層７の厚さと、
レーザービームの直径との間の比1/25よりも可成
り小さい。
と、これに接合している基板１の熱伝導率との間
の比は1/38であり、これは、この層７の厚さと、
レーザービームの直径との間の比1/25よりも可成
り小さい。
金属堆積５は、例えば、直径300μｍの円形を
呈し、４μｍの厚さを有し、さらに金から成る。
略々同じ大きさを有し、又そのときの事情次第
で、金の層を設けた表面を有する半導体本体８
を、この金属堆積５上に半田付けによつて固着す
ることができる。
呈し、４μｍの厚さを有し、さらに金から成る。
略々同じ大きさを有し、又そのときの事情次第
で、金の層を設けた表面を有する半導体本体８
を、この金属堆積５上に半田付けによつて固着す
ることができる。
回路素子、例えば、トランジスタがすでに半導
体本体８に形成されている。この場合に、この基
板１は、接続のためと、この半導体本体８からの
熱の消散のためとに用いられる。この半導体本体
８上にすでに存在する接触領域を、歯６及び９に
おいて層７にアルミニウム接着（ポンデイング）
によつて接続することができる一方、この半導体
装置を外被中に配列した後は、これらの歯４，６
及び９を接続を断つて分離し、これらの歯がこの
半導体装置の外部接触に役立つ。
体本体８に形成されている。この場合に、この基
板１は、接続のためと、この半導体本体８からの
熱の消散のためとに用いられる。この半導体本体
８上にすでに存在する接触領域を、歯６及び９に
おいて層７にアルミニウム接着（ポンデイング）
によつて接続することができる一方、この半導体
装置を外被中に配列した後は、これらの歯４，６
及び９を接続を断つて分離し、これらの歯がこの
半導体装置の外部接触に役立つ。
本発明による方法は、ここに与えられた例に限
定されなくして、本発明の範囲内において多くの
方法で修正又は変更することができる。金の代わ
りに、例えば、白金又はイリジウムをこの金属と
して堆積することができる。
定されなくして、本発明の範囲内において多くの
方法で修正又は変更することができる。金の代わ
りに、例えば、白金又はイリジウムをこの金属と
して堆積することができる。
以上要するに本発明は、熱を伝導する基板上に
金属を堆積する方法に関するものであつて、この
基板表面２が少なくとも１つの領域３において浴
中でレーザービームによつて照射され、基板１上
のこの領域３において浴から金属が堆積される。
金属を堆積する方法に関するものであつて、この
基板表面２が少なくとも１つの領域３において浴
中でレーザービームによつて照射され、基板１上
のこの領域３において浴から金属が堆積される。
照射領域とそのすぐ近くの周囲とにおける堆積
金属の局限化すなわち集中化を促進改善するた
め、本発明によれば、少なくとも照射領域３とそ
の非照射周囲とに位置する基板１の層７上に金属
を堆積する。
金属の局限化すなわち集中化を促進改善するた
め、本発明によれば、少なくとも照射領域３とそ
の非照射周囲とに位置する基板１の層７上に金属
を堆積する。
この基板の層７は、この層７に接合する基板１
の材料の熱伝導率より小さい熱伝導率を有する。
の材料の熱伝導率より小さい熱伝導率を有する。
第１図は本発明方法の製造工程における半導体
装置の一部の模式正面図を示し、第２図はこの工
程における半導体装置の第１図の―線にて切
断した模式断面図を示し、第３図は本発明方法を
行なうための装置を模式的に示す。 １……伝熱基板、２……伝熱基板表面、３……
照射領域、４，６，９……歯、５……金属堆積、
７……層、８……半導体本体、３１……20Wアル
ゴンレーザー、３２，３３，３５……光学レンズ
系、３４……シヤツター、３６……金浴、３７…
…金陽極、３８……参考電極（関連電極）、３９
……陰極、４０……静電電圧源。
装置の一部の模式正面図を示し、第２図はこの工
程における半導体装置の第１図の―線にて切
断した模式断面図を示し、第３図は本発明方法を
行なうための装置を模式的に示す。 １……伝熱基板、２……伝熱基板表面、３……
照射領域、４，６，９……歯、５……金属堆積、
７……層、８……半導体本体、３１……20Wアル
ゴンレーザー、３２，３３，３５……光学レンズ
系、３４……シヤツター、３６……金浴、３７…
…金陽極、３８……参考電極（関連電極）、３９
……陰極、４０……静電電圧源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 熱を伝導する金属基板の表面が少なくとも１
つの領域において浴中でレーザービームによつて
照射され、基板上の前記領域において浴から金属
を堆積させる熱を伝導する金属基板上に金属を堆
積させる方法において、 前記金属基板に、該金属基板の熱伝導率よりも
小さい熱伝導率を有する層を設けることと、レー
ザービームによつて照射される層の前記領域にお
いて前記層上に金属を堆積させることとを特徴と
する熱を伝導する金属基板上に金属を堆積させる
方法。 ２ 前記金属を電気メツキによつて堆積させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ３ 前記層の材料の熱伝導率と、前記の接合する
基板の材料の熱伝導率との間の比が、前記層の厚
さと、レーザービームの直径との間の比よりも小
さいことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項いずれかの記載の方法。 ４ 前記基板を平らになるように選び、かつ前記
層を基板の少なくとも１個の主表面全面にわたつ
て延在させることを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第３項いずれかの記載の方法。 ５ 基板に用いられる材料が銅又は銅合金から成
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第４項いずれかの記載の方法。 ６ 前記層が、コバルト―燐及びニツケル―燐合
金と、ニツケル―硼素合金と、さらに窒化チタン
とから成る群から選ばれる材料の堆積によつて得
られることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第５項いずれかの記載の方法。 ７ 前記の堆積させる金属が金であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第６項いずれ
かの記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8200561A NL8200561A (nl) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | Werkwijze voor het neerslaan van een metaal. |
| NL8200561 | 1982-02-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147584A JPS58147584A (ja) | 1983-09-02 |
| JPS6210317B2 true JPS6210317B2 (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=19839257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58019901A Granted JPS58147584A (ja) | 1982-02-15 | 1983-02-10 | 金属を堆積する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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