JPS62105152A - 光導電体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の技術分野〕 この発明は半導体レーザ装置等画像形成装置において静
電潜像の形成を行なう光導電体に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 近年電子写真装置等画像形成装置にあっては、その機能
や機種の多様化に伴い、感光体材料として、硫化カドミ
ウム［ＣｄＳ］　、酸化亜鉛（ＺｎＯ）　、セレン（Ｓ
ｅ）　、セレンテルル合金［５ｅ−Ｔｅ３．等の無機材
料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（以下ＰＶＣｚと
称す。）、トリニトロフルオレン（以下ＴＮＦと称す。 ）等の有機材料等種々のものが開発されている。 しかしながら前記感光体材料のうちセレン（Ｓａ）、硫
化カドミニウム（ＣｄＳ）等にあっては、本質的に人体
に有害な材料である事から、製造時には安全対策上その
製造装置が複雑となり、製造コストが上昇される一方、
使用後には回収する必要があり、これがコストにはね返
えり価格上昇を招く他、セレン（Ｓｅ）　、セレン−テ
ルル合金（Ｓｓ−Ｔｅ）にあっては結晶化温度が約６５
（’Ｃ）と、低い特性を有するため、結晶化し易く、複
写を繰り返し行なう間に、結晶化された部分に残留電荷
を生じ、画像を汚損する等の問題を生じ易く、結局は長
寿命化を図れないという欠点がある。そして酸化亜鉛（
ＺｎＯ）にあっては、その物性上、ｌ！１化還光還元じ
易く、温度や湿度等の環境雰囲気の影響を著しく受け、
画質が不安定となり、信頼性に劣るという欠点がある。 又、有機材料である（ＰＶＣｚ）や（ＴＮＦ）等は熱安
定性及び耐摩耗性に劣る事から長寿命化に難点がある丘
、最近では発がん性の疑いがもたれるという欠点を有し
ている。 このため近年上記欠点を解消するために、無公害である
事から回収処理が不要であり、又９表面硬度が高く耐摩
耗性及び耐衝撃性に優れ、更には従来に比し高い分光感
度を有するアモルファスシリコン（以下（ａ−５ｉ）と
称す。）の、感光体材料への適応が検討されている。即
ち具体的には感光体はその特性として高抵抗かつ分光感
度が高い事が要求される事から、これ等両特性を満たす
ため、導電性支持体と（ａ−５ｉ）光導電層の間に、感
光体に優れた電荷保持能を持たせると共に、光疲労特性
や繰返し特性等に優れた効果を有する電荷注入防止層を
設けた積層型の（ａ−５ｉ）感光体が開発されている。 しかしながら（ａ−５ｉ）はシラン（Ｓｉ）を含有する
ガスを用いたグロー放電分解法による成膜時、（ａ−３
ｉ）膜中に取り込まれる水素原子［Ｈｌの量に応じて電
気的特性及び光学的特性が大きく変動されてしまうとい
う問題を有している。即ち（ａ−５ｉ）膜中に取り込ま
れる水素原子（Ｈｌの量が多くなると、光学的バンドギ
ャップが大きくなり、高抵抗化する反面、これに伴い近
赤外線領域近傍の長波長光領域に対する分光感度が低下
し、半導体レーザを用いたレーザービームプリンタに使
用した場合、かぶりや活字のつぶれ、残像、干渉縞によ
る濃度むら等を生じ、その使用が不能になると共に、成
膜条件によっては、［（Ｓｉ＋！−）　ｎ〕結合や（Ｓ
ｉＬ）結合のような結合構造を有するもので、（ａ−５
ｉ）膜中で支配的となり、その結果［ＳｉＨ］結合が切
断され、ダングリングボンドやボイド等の構造欠陥が増
大し、光導電性が劣下するという問題を有する。一方（
ａ−５ｉ）膜中に取り込まれる水素原子（Ｈ）の量が低
下すると、長波長光に対する分光感度が増加する反面、
光学的バンドギャップが小さくなり、低抵抗化してしま
うと共に、水素原子（Ｈｌがダングリングボンドを補償
しなくなるため１発生したキャリアの移動度や寿命が低
下し、やはり光導電性が劣下し、感光体への使用が不能
になるという問題を有している。 このため長波長光に対する分光感度を増加させる方法と
して、シラン（Ｓｉ）を含有するガス及びゲルマンガス
（Ｇｅ１４）を混合し、グロー放電分解法により光学的
バンドギャップの狭い膜を成膜する方法が実施されてい
るが、一般にグロー放電時の最適支持体温度がシラン（
Ｓｉ）含有ガスとゲルマンガス（ＧｅＨ４）とでは４０
〜５０〔度〕異る事から、形成された膜に構造欠陥を生
じ易く、光導電性がやはり劣下してしまい、更にはゲル
マンガスＣＧｅＨ，）が酸化されると、有毒となる事が
ら、その廃ガス処理が複雑になるという欠点を生じてい
る。 〔発明の目的〕 この発明は上記事情にもとづいてなされたもので、高抵
抗を保持出来る事から帯電特性に優れるにもかかわらず
、広い波長領域にわたり高い分光感度特性を有し、ひい
てはレーザプリンタ等においても鮮明で良質な画像を得
られると共に製造も容易でコストの低減を図る事が出来
る光導電体を提供する事を目的とする。 〔発明の概要〕 この発明は上記目的を達成するため、導電性の支持体上
に、電荷注入防止層を介して層重される光導電層を、マ
イクロクリスタリンシリコン（以下（μＣ−５ｉ）と称
す。）からなる第１層及びｎ型の（μＣ−５ｉ）からな
る第２層並びに（ａ−３ｉ）からなる第３層を積層した
ものから形成する事により、帯電特性に優れ、かつ広い
波長領域にわたり高い分光感度特性を有する光導電体を
得るものである。 〔発明の実施例〕 この発明の詳細な説明するにあたり、光学的バンドギャ
ップが約１．７〔θＶ〕である（ａ−５ｉ）に比し、光
学的禁止帯幅が小さく、近赤外線領域近傍の長波長光領
域にも感度を有すると共に構造欠陥が少なく、モビリテ
ィが大きい（μＣ−５Ｌ）の特性について述べる。 即ちこの（μＣ−３ｉ）は非単結晶シリコンに属するも
のであるが、Ｘ線回折測定を行うと、第３図点線で示す
ように（ａ−３ｉ）が無定形であるため、ハローが現わ
れるのみで回折パターンを認められないのに対し、（μ
Ｃ−３ｉ）は第３図実線で示すように［２θ〕が２７〜
２８．５［度］の付近で結晶回折パターンを示すもので
ある。一方ポリクリスタリンシリコンは、暗抵抗が１０
＠〔Ω・ｌ〕以下であるのに対して（μＣ−５ｉ）は１
０″１〔Ω・１３以上と高抵抗を有している。上述の様
な特性により（μＣ−３Ｌ）は他の非単結晶シリコンで
ある（ａ−３ｉ）やポリクリスタリンシリコンと区別さ
れ、その構造は約数十〔人〕以上の粒径の微結晶が集合
して形成されていると考えられる。そしてこのような（
μＣ−５ｉ）を製造するには、（ａ−５ｉ）と同様スパ
ッタリングやグロー放電分解法等によるが、（ａ−３ｉ
）製造時に比し、成膜を行なう導電性の支持体の温度を
高めに設定するかあるいは高周波電力を大きくすると形
成され易くなる。 即ち、支持体の温度を高くし、高周波電力を大きくする
事により、原料であるシラン（ＳＬ）含有ガスの流量を
増大出来、その結果成膜速度が増大され（μＣ−３Ｌ）
が形成され易くなるからである。更に原料としてシラン
（Ｓｉｎ、）やジシラン（Ｓｉ２８Ｇ３等の高次シラン
ガスも含めて、水素［Ｈ］で希釈したガスを用いると、
（μＣ−３ｉ）がより効果的に形成され易くなる。 又、成膜される（μＣ−３ｉ）層にあっては、水素〔ｌ
（〕の含有量が多くなると結晶化度が大きくなり、ポリ
クリスタリシリコンに近付き、暗抵抗が小さくなるのに
対して、明抵抗が増大され、ひいては光導電性を示さな
くなってしまうので、暗抵抗と明抵抗の調和がとれた優
れた光導電性を得るためには、（μＣ−３ｉ）層中に水
素ＣＨ）が０．１〜３０〔原子％〕含まれている事が望
ましい。この（μＣ−５ｉ）層への水素のドーピングは
、原料としてシラン（Ｓｉｌ１４）やジシランＣ５ｘｚ
　Ｈｅ　３等のシラン含有ガスと、キャリアガスとして
の水素ガス（＋１．）を反応容器に導入し、グロー放電
を行ったり、あるいは４フツ化ケイ素［ＳｉＦ、）やト
リクロロシラン〔５ｉＣＱ４〕等のハロゲン化ケイ素と
水素ガス〔Ｈ２〕との混合ガスを原料として反応を行な
ったり、更にはシラン（Ｓｉ）含有ガスとハロゲン化ケ
イ素の混合ガスを原料として反応を行なっても良い。 更に（μＣ−５ｉ）層にあっては１例えば光導電層への
電荷の注入を防止したり、あるいは光感度特性を高めた
り、高抵抗化量る等のため、水素原子（Ｈ〕の他の不純
物をドーピングするが、ホウ素ＣＢ）、アルミニウム（
ｉ）等の周期律表第ｍａ族の元素のドーピング量の増大
に伴い、（μＣ−３ｉ）層の特性はｉ型からｎ型に移行
される一方、窒素〔Ｎ〕、リンＣＰ）等の周期律表第Ｖ
ａ族の元素をドーピングすると、（μＣ−５ｉ）層はｎ
型を示し、そのドーピング量の増大に伴い更にその特性
が顕著となる。 そしてこのｎ型の（μＣ−５ｉ）にあっては、例えばジ
シラン（Ｓｉ、　Ｉｔ、　］に対するホスフィン（ＰＨ
３）のドーピング量を増大するに伴い、暗中の導電率で
ある〔σｄａｒｋ）及び、半導体レーザの発振波長であ
る７９０　［ｎｍ］の波長を照射した場合の導電率であ
る（　ａ　ｐｈｏｔｏ　（ａｔ　７９０ｎｍ）：ｌのい
づれもが共に増大されるという特性を有し、ジシラン［
５１２１１Ｇ）に対するホスアイン［ＰＨ，］のドーピ
ング比である（ＰＨ３／５１２ＵＳ）が１０−６以上で
あれば、ノンドープの場合に比しく　ａ　ｄａｒｋ）、
［：ｃｒｐｈｏｔｏ（ａｔ　７９０（ｒ＋ｍ）））の導
電率はいづれも、少なくとも１桁程度あるいはそれ以上
に高くされる。一方１０−≦ＰＨＩ／５ｉｌｌ、≦１０
−５の範囲にあっては（ａ　ｐｈｏｔｏ）と（ａ　ｄａ
ｒｋ）の比であるＳ／Ｎ比は、はぼ３桁を保持出来る。 従ってこのような特性を有するｎ型の（μＣ−３ｉ）を
感光体の光導電層に用いる事により、７９０（ｎｍ）近
傍の長波長領域での分光感度を高める事が可能となる。 尚、このｎ型の（μＣ−５ｉ）の光学的バンドギャップ
及び活性化エネルギーを測定したところ、（ＰＨ３／　
Ｓｉ、　Ｈｅ　）が増大されても光学的バンドギャップ
が一定に保持されるのに対し、活性化エネルギーは減少
されてしまうという結果が得られた。この事からｎ型の
（μＣ−５ｉ）の長波長領域での高感度化は、ドーピン
グ比の増大に伴うフェルミレベルの伝導体側へのシフト
によるものである事が判明される。 更に、上記不純物以外にも、（μＣ−９ｉ）の暗抵抗を
大きくシ、光導電特性を高めるためには、窒素〔Ｎ〕、
炭素〔Ｃ〕、及び酸素

〔０〕の少なくとも一種をドーピ
ングする事が望ましい。この様にすれば。 これ等の元素は、（μＣ−５ｊ、）の粒界に析出し、シ
リコン（ＳＬ）のグングリングボンドのターミネータと
して作用し、バンド間の禁制体中に存在する状態密度を
減少させるからである。 次に上述のような特性を有する（μＣ−５ｉ）及びｎ型
の（μＣ−３ｉ）を用いるこの発明の一実施例を第１図
及び第２図を参照しながら説明する。グロー放電装［（
１０）の反応容器（１１）内には、導電性の支持体であ
り、アルミニウムからなるドラム状基体（１２）を支持
するため、ヒータ（１３）を内蔵し、モータ（１４）に
より回転される支持棒（１６）が設けられている。又、
支持体（１６）周囲は、　１３．５６［ＭＨｚ］の高周
波電源（１７）に接続される円筒状電Ｆｉ（１８）で囲
繞されると共に、支持体（］６）上方には、シランガス
［５ＩＨ４）　ｌジボランガス［１３，Ｈ６〕、水素ガ
ス（Ｈ２）、等を必要に応じて供給出来るように多数の
ガスボンベ（１９ａ）・・・（１９ｎ）及びガス混合器
（２０ａ）を有するガス供給系（２０）にガス導入バル
ブ（２１ａ）を介して接続されるガス導入管（２１）が
設けられている。 尚（１８ａ）　−（１８ｎ）は各ガスボンベ（１９ａ）
　−（１９ｎ）のバルブ、（９ａ）・・・（９ｎ）は圧
力調整器である。更に（２２）は反応容器（１１）内に
排気を行なう排気装置（図示せず）に接続される排気バ
ルブであり、（２３）は反応容器（１１）内の気圧を測
定する真空計である。 又（２４）は光導電体である電子写真装置の感光体であ
り、ドラム状基体（１２）上に順次電荷注入防止層（２
４ａ）及び（ｐ　Ｃ−３ｉ）からなる第１層（２５ａ）
、　ｎ型の（ａ　Ｃ−３Ｌ）からなる第２層（２５ｂ）
、　（ａ−５ｉ）からなる第３層（２５ｃ）を有する光
導電層（２５）並びに表面層（２４ｂ）が積層されてい
る。 しかしてグロー放電装置（ｌＯ）で感光体（２４）を形
成する場合、支持体（１６）にドラム状基体（１２）を
セットした後１反応容器（１１）内を所定の気圧にする
ように排気バルブ（２２）を開け、排気装置（図示せず
）により排ガス処理を行なうと共に、ヒータ（１３）に
よりドラム状基体（１２）を所定温度に加熱する。 そしてガス導入管（２１）を介し１反応容器（１１）内
のガス圧を一定に保持しつつ、高周波電源（１７）によ
り、ドラム状基体（１２）及び円筒状電極（１８）間に
必要とする電力を所定時間印加し、電荷注入防止層（２
４ａ）の成膜を行なう。続いて同一反応容器（１１）内
でドラム状基体（１２）の温度及び導入ガス、更には電
力量及び電力の印加時間等の成膜条件を順次所定の値に
設定し直しなから、電荷注入防止層（２４ａ）上に光導
ｆｆｌ　Ｍ　（２５）の第１Ｊｔｌ（２５ａ）ないし第
３層（２５ｃ）の成膜を行なう。更に同一反応容器（１
１）内で、各成膜条件を所定のものに設定し直し、光導
電Ｍ（２５）上に表面層（２４ｂ）を成膜し、感光体（
２４）の形成を終了する。 次に正帯電を行なわせる感光体（２４）の作用について
述べる。 先ず、支持体（１６）にドラム状基体（１２）をセット
し、排気バルブ（２２）を開け、排気装置（図示せず）
により反応容器（１１）内を０．　］、　ＣＴｏｒｒ）
以下に排気すると共に、ヒータ（１３）によりドラム状
基体（１２）を４００［’Ｃ］に加熱する。次いでガス
供給系（２ｏ）より、ガス導入管（２１）を介し、シラ
ンガス（Ｓｉ１１．）を２００（ＳＣＣＭ）、　メ９　
：／ガス（ＣＨ，〕を１０１００（ＳＣＣ、シボ−５ン
ガス［８，１１，）　ヲ（Ｂ２ＨＪＳｉＨ，）がＩ　Ｘ
　１０−’となるよう反応容器（１１）内に導入し、排
気装置（図示せず）により反応容器（１１）内の圧力を
１　（Ｔｏｒｒ）に維持しつつ、モータ（１５）により
ドラム状基体（１２）を回転させながら高周波電源（１
７）により３００［Ｗ）の電力をドラム状基体（１２）
及び円賀状電極（１８）間に１５分間印加し、非晶質炭
化シリコン（ａ−ｓｉ；Ｃ）からなる膜厚２〔μｍ〕の
電荷注入防止層（２４ａ）の成膜を行なった後、電力及
び各種ガスの供給を止める。続いて電荷注入防止ＪＷ（
２４ａ）上に光導電性層（２５）を成膜するため、反応
容器（１１）内にガス供給系よりシランガス（ＳｉＨｎ
　］を５００（ＳＣＣＭ）　、水素ガス〔Ｈ２〕を１０
１００（ＳＣＣ，ジボランガス（Ｂ、Ｉｌ、）をｌＸ１
０−”（原子％〕導入し、排気装置（図示せず）により
、反応容器（１１）内の圧力を２　（Ｔｏｒｒｌに維持
しつつ、ドラム状基体（１２）を回転させながら、高周
波電源（１７）により６００〔Ｗ〕の電力をドラム状基
体（１２）及び円筒状電極（１８）間に２時間印加し、
ｉ型の（μＣ−３ｉ）からなる膜厚１０〔μｍ〕の第１
層（２５ａ）を成膜し、次いで反応容器（１１）内にシ
ランガス（ＳｉＨ４）を５００（ＳＣＣＭ）　、水素ガ
ス〔Ｈ２〕を１０１００（ＳＣＣ，ホスフィン（ＰＨ，
）をｌ　Ｘ　１０−”〔原子％〕導入し、反応容器（１
１）内の圧力を２（Ｔｏｒｒ）とし、６００　（Ｗ　）
の電力を１時間印加し、ｎ型の（μＣ−３ｉ）からなる
膜厚５〔μｍ〕の第２層を成膜し、更に反応容器（１１
）内にシランガス［ＳｉＨ，］を５００ｃｓｃｃ河〕、
ジボランガス（Ｂ、　ＨＧ）をｔｘｔｏ−’（原子％）
導入し、反応容器（１１）内の圧力を１　（Ｔｏｒｒ）
とし、３００〔Ｗ〕の電力を２０分間印加し、　（ａ−
３ｉ）からなる膜厚３〔μｍ〕の第３層を成膜した後電
力及び各種ガスの供給を止める。次に反応容器（１１）
内にシランガス（Ｓｉｌ（、（を５０　ＥＳＣＣＭ）、
窒素ガス〔Ｎ２〕を６００ＥＳＣＣＭ）導入し、反応容
器（１１）内の圧力を１　（Ｔｏｒｒ）とし、４００（
Ｗｌの電力を５分間印加し、非晶質窒化シリコン（Ｑ−
５ｉ　；　Ｎ）からなる膜厚０．５（μｍ）の表面層（
２４ｂ）を成膜し、最後に電力及びガスの供給を止め、
感光体（２４）の製造を終了する。 尚このようにして形成された感光体（２４）の第２層（
２５ｂ）の光学的バンドギャップを測定したところ約１
．５（ｅＶ）であった。又、感光体（２４）を発振波長
７９０（ｎｍ）の半導体レーザを塔載したレーザプリン
タ装置に実際に装着して画像形成を行なったところ、干
渉縞による濃度むらも無く鮮明で良質な画像が得られた
。 このように構成すれば、光導電層（２５）中にｉ型及び
ｎ型の２種類の（μＣ−５ｉ）が層重され、ｉ型の（μ
Ｃ−５ｉ）からなる第１層（２５ａ）により、近赤外線
光領域での高感度化が図れると共に、ｎ型の（μＣ−３
ｉ）からなる第２層（２５ｂ）により、より長波長光領
域での高感度化も図られ、他方（μＣ−５ｉ）に比し比
抵抗の高い（ａ−３Ｌ）からなる第３層（２５ｃ）によ
り、可視光領域での高感度化と共に、比抵抗の低下によ
る帯電能の低下防止を図る事が出来、７９０　（ｎｍ）
付近に発振波長を有する半導体レーザ光に対しても充分
な感度を得られ、干渉縞による画像の濃度むらを生じる
事無くレーザプリンタ装置等への適用も可能となる。更
にこの感光体（２４）を用いれば、その材質が人体に無
害である事から、製造時に特に安全対策を施す必要が無
く、又その廃ガス処理が不要であり、使用後に感光体（
２４）を回収する必要も無く、ひいては、コスト低減を
図る事が出来る。一方、電荷注入防止層（２４ａ）には
ホウ素（Ｂ）の他に、ホウ素ＣＢ）のみの場合、膜の表
面に生じてしまう凹凸をうめるための炭素〔Ｃ〕がドー
ピングされている事から、ドラム状基体（１２）との密
着性が向上され、剥離しにくくなると共に、炭素〔Ｃ〕
自身の絶縁性により、電荷注入防止層（２４ａ）の絶縁
性も向上される。更には、この実施例のように表面層（
２４ｂ）を設ければ、光の吸収効率の低下防止を図れる
と共に第３層（２５ｃ）の保護も行なえる。 即ち（μＣ−５Ｌ）や（ａ−５ｉ）は特性上屈折率が３
〜４と比較的大きく、その表面で光反射を生じ易いが、
窒素（Ｎ）をドーピングする事により屈折率が低減され
る非晶質窒化シリコン（ａ−ｓｘ；Ｎ）を設ける事によ
り、この反射光が減少され、第３Ｆｍ（２５ｃ）に吸収
される光量が増大される。 尚この発明は上記実施例に限定されず種々設計変更可能
であり１例えば光導電体の層構造は任意であり、耐摩耗
性や光反射を補償出来るものであれば表面層は無くても
良いし、光導電層の各層の積層の順番あるいは膜厚等も
任意であるが、より高感度化を図るには、（ａ−５ｉ）
からなる第３層を光導電層の最上部に設ける事が好まし
いし、レーザプリンタ装置のように光源に近赤外線光を
用いる装置に適用する場合には、（μＣ−３ｉ）からな
る第１層が３〜５０〔μｍ〕、ｎ型の（μＣ−５ｉ）か
らなる第２層が１〜１０〔μｍ〕、（ａ−Ｓｉ）からな
る第３層が０．１〜５〔μｍ〕程度の範囲の厚さを有す
る事が好ましい。 又、第１層の（μＣ−５ｉ）の型は任意であるがｉ型で
あれば、その抵抗値が最大となる事から、帯電能をより
向上する事が出来る。更に電荷注入防止層の型も任意で
あり、光導電体表面に正帯電を行なわせるときは、支持
体からの電子の注入を阻止するために周期律表第ｍａ族
の元素をドーピングする事によりｐ型とし、他方、光導
電体表面に負帯電を行なわせるときは、支持体からの正
孔の注入を阻止するために周期律表第Ｖａ族の元素をド
ーピングする事によりｎ型としても良いし、その構造も
（ａ　−ＳＬ）であっても（μＣ−５ｉ）であっても良
いが、（μＣ−３ｉ　）で形成した場合は、レーザ光等
の光吸収がより優れ、支持体からの反射光を生じる事が
無く、ひいては表面での反射光とにより生じる干渉縞に
よる濃度むらをより確実に防止出来、より鮮明な画像に
得る事が出来る。又、支持体との接着性向上あるいは絶
縁性向上のための電荷注入防止層にドーピングするもの
としては炭素〔Ｃ〕に限定されず、窒素（Ｎ）あるいは
酸素〔○〕をドーピングし、非晶質炭化シリコン（ａ−
３ｉ；Ｃ）、あるいは非晶質酸化シリコン（ａ　−Ｓ　
ｉ；　０　）を電荷注入防止層としても良い。そしてそ
の厚さも任意であるが。 好ましくは１００Ｃ人〕ないし１０［μｍ〕とされる。 更には各層の製造方法も光ＣＶＤ方法やスパッタリング
方法等であっても良い。 尚、表面層を設ける場合その材料は、窒素シリコン〔８
１３Ｎ４〕、アルミナＵｇｚｏｉ）、非晶質酸化シリコ
ン（ａ　−Ｓ　１　：　Ｏ；　Ｈ）等の無機化合物や、
ポリ塩化ビニル、ポリアミド等の有機材料等任意である
。 〔発明の効果〕 以上説明したようにこの発明によれば、光導電層が、（
μＣ−５Ｌ）、ｎ型の（ｐ　Ｃ−３ｉ）　、　（ａ−５
ｉ）の三層からなる事から、必要な帯電能を保持しつつ
可視光領域から近赤外線光領域、更にはより長波長光領
域の拡い領域において高い分光感度を得る事が出来、光
源に長波長の半導体レーザ光を用いるレーザプリンタ等
への適用が充分可能となり、良質な画像を得る事が出来
る。又、その製造も反応容器を用いてクローズドシステ
ムの製造装置により安全に行なう事が出来、更にはその
材質も人体に無害である事から従来のように、特に廃ガ
ス処理設備を設けなくても良く、使用後に感光体を回収
する必要も無く、ひいてはコストの低減を図る事も出来
る。尚実施例のように表面層を設ければ。 光導電体の長寿命化を図れ、更にはその表面層に屈折率
の低い無機化合物等で形成すれば１表面での反射光が減
少される事から光の吸収効率が向上され更に画質の向上
が図られる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はこの発明の一実施例を示し。 第１図はその成膜装置を示す概略説明図、第２図はその
感光体を示す一部断面図、第３図は（μＣ−３ｉ）と（
ａ−Ｓｉ）のＸ線回折を示すグラフである。 １０・・・グロー放電装［１１・・・反応容器１２・・
・ドラム状基体　　　１３・・・ヒータ１６・・・支持
体　　　　　　１７・・・高周波電源１８・・・円筒状
電極　　　　２０・・・ガス供給系２４・・・感光体　
　　　　　２４ａ・・・電荷注入防止層２４ｂ・・・表
面層　　　　　　２５・・・光導電層２５ａ・・・第１
層　　　　　２５ｂ・・・第２層２５ｃ・・・第３層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性の支持体上に電荷注入防止層及び光導電層が
   設けられるものにおいて、前記光導電層がマイクロクリ
   スタリンシリコンからなる第１層及びｎ型のマイクロク
   リスタリンシリコンからなる第２層並びにアモルファス
   シリコンからなる第３層からなる事を特徴とする光導電
   体。 ２、第１層が膜層３〔μｍ〕ないし５０〔μｍ〕、第２
   層が膜厚１〔μｍ〕ないし１０〔μｍ〕、第３層が膜厚
   ０．１〔μｍ〕ないし５〔μｍ〕である事を特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の光導電体。