JPS62105610A - 電子・電気部品の樹脂封止方法 - Google Patents
電子・電気部品の樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPS62105610A JPS62105610A JP24605885A JP24605885A JPS62105610A JP S62105610 A JPS62105610 A JP S62105610A JP 24605885 A JP24605885 A JP 24605885A JP 24605885 A JP24605885 A JP 24605885A JP S62105610 A JPS62105610 A JP S62105610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- norbornene
- catalyst
- electronic
- monomer containing
- resin sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は新規な電子・電気部品の樹脂封止方法に関し、
さらに詳しくはノルボルネン単位含有単量体をメタセシ
ス重合触媒用いて反応射出成形による容易な樹脂封止方
法に関する。
さらに詳しくはノルボルネン単位含有単量体をメタセシ
ス重合触媒用いて反応射出成形による容易な樹脂封止方
法に関する。
（従来の技術）
従来、電子・電気部品の樹脂封止する方法として、エホ
キシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンナどの熱硬化性ポ
リマーを、ボッティング、７−リング、コーティング、
トランスファー成形法などにより、絶縁封止する方法が
知られている。これらの樹脂による封止方法、には、封
止の前工程に樹脂をＢ−ステージ（予備硬化状態）に調
整したり、封止樹脂の特性を引き出すために硬化時間が
長時間必要であり、かつ後硬化を必要とするなど、生産
性が悪いという重大な欠点を有していた。
キシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンナどの熱硬化性ポ
リマーを、ボッティング、７−リング、コーティング、
トランスファー成形法などにより、絶縁封止する方法が
知られている。これらの樹脂による封止方法、には、封
止の前工程に樹脂をＢ−ステージ（予備硬化状態）に調
整したり、封止樹脂の特性を引き出すために硬化時間が
長時間必要であり、かつ後硬化を必要とするなど、生産
性が悪いという重大な欠点を有していた。
こうした欠点を解決する方法とし、熱可塑性ポリマーｔ
−電子・電気部品をインサートした金型に直接、射出成
形することにより生産性を高めようとする試みがなされ
ている。しかし、熱可塑性ポリマーを射出成形により樹
脂封止する方法は、熱可塑性ポリマーを射出成形する際
には通常、２００℃以上の高温と３００ ’ｑ／ｃｍ”
以上の高圧を要するため、電子・電気部品が破損したシ
、ＩＣの封止の場合はボンディングワイヤーが切断した
りするなどの欠点を有している。
−電子・電気部品をインサートした金型に直接、射出成
形することにより生産性を高めようとする試みがなされ
ている。しかし、熱可塑性ポリマーを射出成形により樹
脂封止する方法は、熱可塑性ポリマーを射出成形する際
には通常、２００℃以上の高温と３００ ’ｑ／ｃｍ”
以上の高圧を要するため、電子・電気部品が破損したシ
、ＩＣの封止の場合はボンディングワイヤーが切断した
りするなどの欠点を有している。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明者らは、前記欠点を解決すべ（鋭意検討の結果、
ノルボルネン単位含有単量体を反応射出成形することに
よって、樹脂封止製品を容易に製造できることを見い出
し本発明を完成するに到った。
ノルボルネン単位含有単量体を反応射出成形することに
よって、樹脂封止製品を容易に製造できることを見い出
し本発明を完成するに到った。
（問題点を解決するための手段）
か（して本発明によれば、ノルボルネン単位含有単歓体
をメタセシス触媒を用いて反応射出成形方式で開環重合
と成形とを同時に行うことを％徴とする電子・電気部品
の樹脂封止方法が提供される。
をメタセシス触媒を用いて反応射出成形方式で開環重合
と成形とを同時に行うことを％徴とする電子・電気部品
の樹脂封止方法が提供される。
本発明において用いられるノルボルネン単位含有単量体
は一般式＋１）又は（２）で示される（式中Ｒ１〜Ｒ４
は水素又は置換基を表わし、Ｒ１とＲ２、Ｒ５とＲ４は
飽和又は不飽和の猿を形成してもよい）０ 具体的には２−ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボ
ルネン、５，６−シメチルー２−ノルボルネン、５−エ
テル−２−ノルボルネン、シンクロペンタジェン、メチ
ルシクロドデセン、ジヒドロジシクロペンタジェン、メ
チルテトラシクロドデセンなど及びこれらの混合物が挙
げられる。又これらのモノマーの１種以上と共に開環共
重合し得るシクロブテン、シクロペンテン、７クロオク
テン、シクロドデセンなどのモノ及びジシクロオレフィ
ンなどを併用することができる。
は一般式＋１）又は（２）で示される（式中Ｒ１〜Ｒ４
は水素又は置換基を表わし、Ｒ１とＲ２、Ｒ５とＲ４は
飽和又は不飽和の猿を形成してもよい）０ 具体的には２−ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボ
ルネン、５，６−シメチルー２−ノルボルネン、５−エ
テル−２−ノルボルネン、シンクロペンタジェン、メチ
ルシクロドデセン、ジヒドロジシクロペンタジェン、メ
チルテトラシクロドデセンなど及びこれらの混合物が挙
げられる。又これらのモノマーの１種以上と共に開環共
重合し得るシクロブテン、シクロペンテン、７クロオク
テン、シクロドデセンなどのモノ及びジシクロオレフィ
ンなどを併用することができる。
これらの単量体は公知の開環重合により重合体に転化さ
れるが、開環重合に使用される触媒としては公知のメタ
セシス重合触媒が用いられ、代表的な例としては、特開
昭５８−１２９０１３号公報開示の大塩化タングステン
、オキシ四塩化タングステンなどのタングステン含有化
合物と塩化ジエチルアルミニウム、二塩化エチルアルミ
ニウムなどのハロゲン化アルキルアルミニウムから成る
触媒系、特開昭５８−１２７７２８号公報開示の前記Ｐ
［のハロゲン化アルキルアルミニウムとトリドテシルア
ンモニウムモリブデン酸塩、同タングステン酸塩などの
有機アンモニウムモリブデン酸塩あるいは同タングステ
ン酸塩から成る触媒系などの遷移金属化合物と有機金属
化合物あるいはルイス酸などの共触媒から成るメタセシ
ス重合触媒が挙げられる。又、重合速度を速めるために
アルコール、フェノールなどの酸素含有化合物等の活性
剤を使用することもできる。これら二成分の触媒を別々
にノルボルネン単位含有単量体に混合し、二液の反応液
として使用する◇例えば、モリブデン又はタングステン
含有触媒の使用量は、モリブデン又はタングステンとし
て通常全単量体１モル当り０．０１〜５０ミリモルの範
囲である。））ロゲン化アルキルアルミニウム融媒の使
用量はアルミニウムとして通常モリブデン又はタングス
テンに対してモル比で２００： １〜１：１０の範囲で
ある。
れるが、開環重合に使用される触媒としては公知のメタ
セシス重合触媒が用いられ、代表的な例としては、特開
昭５８−１２９０１３号公報開示の大塩化タングステン
、オキシ四塩化タングステンなどのタングステン含有化
合物と塩化ジエチルアルミニウム、二塩化エチルアルミ
ニウムなどのハロゲン化アルキルアルミニウムから成る
触媒系、特開昭５８−１２７７２８号公報開示の前記Ｐ
［のハロゲン化アルキルアルミニウムとトリドテシルア
ンモニウムモリブデン酸塩、同タングステン酸塩などの
有機アンモニウムモリブデン酸塩あるいは同タングステ
ン酸塩から成る触媒系などの遷移金属化合物と有機金属
化合物あるいはルイス酸などの共触媒から成るメタセシ
ス重合触媒が挙げられる。又、重合速度を速めるために
アルコール、フェノールなどの酸素含有化合物等の活性
剤を使用することもできる。これら二成分の触媒を別々
にノルボルネン単位含有単量体に混合し、二液の反応液
として使用する◇例えば、モリブデン又はタングステン
含有触媒の使用量は、モリブデン又はタングステンとし
て通常全単量体１モル当り０．０１〜５０ミリモルの範
囲である。））ロゲン化アルキルアルミニウム融媒の使
用量はアルミニウムとして通常モリブデン又はタングス
テンに対してモル比で２００： １〜１：１０の範囲で
ある。
本発明に使用される反応射出成形（Ｒ工Ｍと称される）
方式は、ポリオールとジイソシアナートからポリウレタ
ン成形体を製造する方式として公知である。本発明では
、熱可塑性ポリマーの射出成形はもとよりウレタンＲＩ
Ｍ方式よシはるかに低粘度の二液の反応液を使用するこ
とに特徴を有し、わずか１０ ｋｇ／ｃｓ＋”以下の低
圧で目的物を金型に注入でき、かつ金型内で迅速に重合
させて目的とする成形体を製造するグロセスである。
方式は、ポリオールとジイソシアナートからポリウレタ
ン成形体を製造する方式として公知である。本発明では
、熱可塑性ポリマーの射出成形はもとよりウレタンＲＩ
Ｍ方式よシはるかに低粘度の二液の反応液を使用するこ
とに特徴を有し、わずか１０ ｋｇ／ｃｓ＋”以下の低
圧で目的物を金型に注入でき、かつ金型内で迅速に重合
させて目的とする成形体を製造するグロセスである。
本発明においては、例えば使用する単量体を二分し、一
方に前記の触媒の第１成分を、他方に触媒の第２成分を
添加し、得られた二液はＲＩＭ方式により成形金型内に
射出され、重合と成形が同時に実施される。射出に際し
ては二つの反応液は通常ＲＩＭ機で混合され（流動性を
高める為に反応液を必要に応じ加熱してもよい）、成形
金型に注入される。金型の温度は通常４０〜１５０’（
３の範囲である。
方に前記の触媒の第１成分を、他方に触媒の第２成分を
添加し、得られた二液はＲＩＭ方式により成形金型内に
射出され、重合と成形が同時に実施される。射出に際し
ては二つの反応液は通常ＲＩＭ機で混合され（流動性を
高める為に反応液を必要に応じ加熱してもよい）、成形
金型に注入される。金型の温度は通常４０〜１５０’（
３の範囲である。
金型は目的とする電気・電子部品の形状に応じた金型を
使用する。又、コイル、フィルムコンデンサー、素子な
どの封止の場合にはこれらの被封止物を予め金型にセン
トする。
使用する。又、コイル、フィルムコンデンサー、素子な
どの封止の場合にはこれらの被封止物を予め金型にセン
トする。
また、本発明においては、必要に応じて可塑剤や耐衝撃
付与剤、フィラー類、難燃剤および酸化防止剤などを反
応液中に混合させることが出来る。
付与剤、フィラー類、難燃剤および酸化防止剤などを反
応液中に混合させることが出来る。
（発明の効果）
かくして本発明によれば、従来技術に比較して電子・電
気部品の樹脂封止方法が容易に提供される。
気部品の樹脂封止方法が容易に提供される。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、実施例中の部及び係はとくに断りのないかぎ９
重量基準である。
。なお、実施例中の部及び係はとくに断りのないかぎ９
重量基準である。
実施例１
所望量のジシクロペンタジェンを二つの容器に入れ、一
方の容器にはジエチルアルミニウムクロライドを該単量
体１モルに対し０．０４８モルの濃度になるように調整
した。他方の容器には同様に０．００７モル濃度となる
ようにＷＣ／６を添加した。
方の容器にはジエチルアルミニウムクロライドを該単量
体１モルに対し０．０４８モルの濃度になるように調整
した。他方の容器には同様に０．００７モル濃度となる
ようにＷＣ／６を添加した。
また、フィルムコンデンサーを金型内にセントした後に
、前記の２液の反応液を１＝１の割合で混合し、５０℃
に加温した金型内に直接注入し２分間重量反応を行った
後に、封止されたフィルムコンデンサーを得た。このも
のは、実用上、従来の方法で製造した樹脂封止コンデン
サーと同等であった０ 実施例２ シンクロペンタジェンをメチルテトラシクロドデセンに
代え、２液の反応液のそれぞれに２０％になるように溶
融シリカを分散される以外は実施例１と同様にして反応
液を調整した０また、ＩＣ等をセラミック基板上に掲さ
いしたノ・イブリツドエＣを金型内にセットし、前記の
２液の反応液を１：１の割合で混合し、５０゛Ｃに加熱
した金型内に直接注入し２分間重合反応を行った後に、
封止されたハイブリッドエＯｉ得た。このＩＣは従来法
で製造した樹脂封止工Ｃと実用上間等であった。
、前記の２液の反応液を１＝１の割合で混合し、５０℃
に加温した金型内に直接注入し２分間重量反応を行った
後に、封止されたフィルムコンデンサーを得た。このも
のは、実用上、従来の方法で製造した樹脂封止コンデン
サーと同等であった０ 実施例２ シンクロペンタジェンをメチルテトラシクロドデセンに
代え、２液の反応液のそれぞれに２０％になるように溶
融シリカを分散される以外は実施例１と同様にして反応
液を調整した０また、ＩＣ等をセラミック基板上に掲さ
いしたノ・イブリツドエＣを金型内にセットし、前記の
２液の反応液を１：１の割合で混合し、５０゛Ｃに加熱
した金型内に直接注入し２分間重合反応を行った後に、
封止されたハイブリッドエＯｉ得た。このＩＣは従来法
で製造した樹脂封止工Ｃと実用上間等であった。
Claims (1)
- ノルボルネン単位含有単量体をメタセシス重合触媒を用
いて反応射出成形することを特徴とする電子・電気部品
の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24605885A JPS62105610A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 電子・電気部品の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24605885A JPS62105610A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 電子・電気部品の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62105610A true JPS62105610A (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=17142838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24605885A Withdrawn JPS62105610A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 電子・電気部品の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62105610A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231451A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| JPH0315212A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-23 | Nippon Zeon Co Ltd | ケーブル用封止または接合剤、およびケーブルの封止または接合方法 |
| US5218759A (en) * | 1991-03-18 | 1993-06-15 | Motorola, Inc. | Method of making a transfer molded semiconductor device |
| US5286439A (en) * | 1991-06-17 | 1994-02-15 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Packaging for semiconductors |
| WO1997013545A1 (en) * | 1995-10-10 | 1997-04-17 | Iris Materials B.V. I.O. | Material with radiation-shielding properties |
| WO2000051178A1 (fr) * | 1999-02-26 | 2000-08-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Dispositif electronique |
| WO2008078491A1 (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Panasonic Corporation | 電子部品、及びその作成方法 |
| JP2008244362A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体回路、電気光学装置および電子機器 |
| WO2015198992A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Rimtec株式会社 | ゲル化促進剤 |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP24605885A patent/JPS62105610A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231451A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 発光ダイオード |
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| JP2008159723A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品、及びその作成方法 |
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| US8105870B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-01-31 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, semiconductor circuit, electro-optical device, and electronic apparatus |
| WO2015198992A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Rimtec株式会社 | ゲル化促進剤 |
| CN106459384A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-02-22 | Rimtec株式会社 | 凝胶化促进剂 |
| JPWO2015198992A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2017-04-20 | Rimtec株式会社 | ゲル化促進剤 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |