JPS62107054A - 精密パタ−ン製造方法 - Google Patents
精密パタ−ン製造方法Info
- Publication number
- JPS62107054A JPS62107054A JP60246778A JP24677885A JPS62107054A JP S62107054 A JPS62107054 A JP S62107054A JP 60246778 A JP60246778 A JP 60246778A JP 24677885 A JP24677885 A JP 24677885A JP S62107054 A JPS62107054 A JP S62107054A
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- JP
- Japan
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- film
- pattern
- plasma spraying
- substrate
- tungsten
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/01—Selective coating, e.g. pattern coating, without pre-treatment of the material to be coated
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は精密機械部品及び電子部品に適用される精密パ
ターンの製造方法に関する。
ターンの製造方法に関する。
く従来技術〉
近年、精密機械部品及び電子部品において精密なパター
ンが必要になり、その加工法としてフォトリソグラフィ
ーと呼ばれる、材料表面の非加工部分を耐薬品性の皮膜
で被覆し、不用の部分をエツチングすることによりパタ
ーン形成する方法や、７オト７オーミンクと呼ばれる、
ネガパターンの皮膜上に電気メッキや化学メッキ等の方
法で求める材料を析出させ、上記皮膜を除去することで
所定のパターン膜を得る方法が知られている。
ンが必要になり、その加工法としてフォトリソグラフィ
ーと呼ばれる、材料表面の非加工部分を耐薬品性の皮膜
で被覆し、不用の部分をエツチングすることによりパタ
ーン形成する方法や、７オト７オーミンクと呼ばれる、
ネガパターンの皮膜上に電気メッキや化学メッキ等の方
法で求める材料を析出させ、上記皮膜を除去することで
所定のパターン膜を得る方法が知られている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、従来の７オトリソグラフイーの方法では、セラ
ミックや一部の金属類等の者しく耐食性が高く、電気化
学的あるいは化学的に腐食しにくい材料では、エツチン
グ速度が遅く、コストが高く、エツチング条件の管理や
エツチング液の処理が難しく、サイドエツチング等の影
響が避けられない等の問題があった。又、従来の７オト
７オーミングの方法では電析反応をほとんど示さない金
属類や、化学的にメッキが困難な金属類、セラミンク等
のパターン形成が困難であった。
ミックや一部の金属類等の者しく耐食性が高く、電気化
学的あるいは化学的に腐食しにくい材料では、エツチン
グ速度が遅く、コストが高く、エツチング条件の管理や
エツチング液の処理が難しく、サイドエツチング等の影
響が避けられない等の問題があった。又、従来の７オト
７オーミングの方法では電析反応をほとんど示さない金
属類や、化学的にメッキが困難な金属類、セラミンク等
のパターン形成が困難であった。
く問題を解決するための手段〉
本発明は以上の問題点に鑑みなされたものであり、レノ
ストとしての役割をもつ微細パターンの上からプラズマ
溶射を用いて一般にエツチングが困難あるいは化学的な
析出が困難なセラミンクやタングステン等の金属材料を
熔融飛行させて、基板及びレジスト膜表面に付着、積Ｗ
Ｊさせた後で、レジスＹを剥離して、微細パターンを形
成するものである。
ストとしての役割をもつ微細パターンの上からプラズマ
溶射を用いて一般にエツチングが困難あるいは化学的な
析出が困難なセラミンクやタングステン等の金属材料を
熔融飛行させて、基板及びレジスト膜表面に付着、積Ｗ
Ｊさせた後で、レジスＹを剥離して、微細パターンを形
成するものである。
く作用〉
本発明では上記方法によってセラミ／りやタングステン
等の金属類でも、微細精密なパターンを特殊な薬液を使
わずとも短時間で大面積にわたって高品質に形成できる
。
等の金属類でも、微細精密なパターンを特殊な薬液を使
わずとも短時間で大面積にわたって高品質に形成できる
。
〈実施例〉
以下本発明にかかる精密パターン製造方法の実施例につ
いて説明を行う。
いて説明を行う。
第１図は基板２上にタングステン層からなる電極１を有
するプリンター（放電プリンターや通電転写プリンター
）の印字ヘッド部分の平面図である。従来ではこの様な
電極を形成する際は、第３図に示すように基板２上にタ
ングステン層３を形成しく第４図参照）、その上１こ７
オトレジスト（ポリイミド）の微細パターン４を形成し
く同図ａ）、不要部分をエツチングによって除去しく同
図ｂ）、７オ）レノストを除去（同図ｃ）していた。こ
れに対し本発明では第２図に示すように基板２上に直接
フォトレノストの微細パターン４を形成しく同図ａ）、
次にタングステンのプラズマ溶射を行う二と警こよって
、タングステン層５を形成しく同図ｂ）、次に７オトレ
ノストを剥離する（同図Ｃ）ものである。この処理によ
れば高能率に、しかも高品質な微細パターンを得ること
ができる。
するプリンター（放電プリンターや通電転写プリンター
）の印字ヘッド部分の平面図である。従来ではこの様な
電極を形成する際は、第３図に示すように基板２上にタ
ングステン層３を形成しく第４図参照）、その上１こ７
オトレジスト（ポリイミド）の微細パターン４を形成し
く同図ａ）、不要部分をエツチングによって除去しく同
図ｂ）、７オ）レノストを除去（同図ｃ）していた。こ
れに対し本発明では第２図に示すように基板２上に直接
フォトレノストの微細パターン４を形成しく同図ａ）、
次にタングステンのプラズマ溶射を行う二と警こよって
、タングステン層５を形成しく同図ｂ）、次に７オトレ
ノストを剥離する（同図Ｃ）ものである。この処理によ
れば高能率に、しかも高品質な微細パターンを得ること
ができる。
ここで、上記プラズマ溶射について説明を行う。
溶射とは被覆を行う為の材料を熔融または半熔融し、こ
れを高速で基板に吹き付けて基板表面に皮膜を形晟する
方法である。そして、プラズマ溶射はプラズマ（高度に
電離し、全体として電気的中性の状態にある遁高温ガス
）を細いノズルから噴出させて形成したプラズマジェッ
トに、粉末状の材料を吹き込んで熔融、飛行させ、これ
を基板表面に付着、積層させて皮膜を形成するものであ
る。この装置の公知の６１或は、＠５図に示すように、
プラズマジェットを発生させるプラズマ溶射〃ン１０、
アーク発生を開始させる高周波スタータ１１、アークを
持続させるエネルギー供給源としての直流電源１２、ア
ークがスの供給、制御ならびに電気系の制御のための制
御ｖｃ置１３、プラズマジェットへ粉末材料を供給する
ためのホッパー１４及び〃ンを高温より保護するための
冷却装置１５からなる。
れを高速で基板に吹き付けて基板表面に皮膜を形晟する
方法である。そして、プラズマ溶射はプラズマ（高度に
電離し、全体として電気的中性の状態にある遁高温ガス
）を細いノズルから噴出させて形成したプラズマジェッ
トに、粉末状の材料を吹き込んで熔融、飛行させ、これ
を基板表面に付着、積層させて皮膜を形成するものであ
る。この装置の公知の６１或は、＠５図に示すように、
プラズマジェットを発生させるプラズマ溶射〃ン１０、
アーク発生を開始させる高周波スタータ１１、アークを
持続させるエネルギー供給源としての直流電源１２、ア
ークがスの供給、制御ならびに電気系の制御のための制
御ｖｃ置１３、プラズマジェットへ粉末材料を供給する
ためのホッパー１４及び〃ンを高温より保護するための
冷却装置１５からなる。
このプラズマ溶射はプラズマジェットの温度が高いので
高融点材料をコーティングでき、プラズマジェット流速
が速いので熔融粒子の衝突エネルギーが大きく結合力の
強い緻密な皮膜が得られ、素材の機械強度を劣化させな
り熱歪を与えず、コーティングスピードが速いので低コ
ストで皮膜を得ることが出来るものである。
高融点材料をコーティングでき、プラズマジェット流速
が速いので熔融粒子の衝突エネルギーが大きく結合力の
強い緻密な皮膜が得られ、素材の機械強度を劣化させな
り熱歪を与えず、コーティングスピードが速いので低コ
ストで皮膜を得ることが出来るものである。
以上の実施例ではタングステンを用いた電極について説
明したが、チタン合金等の高耐摩耗合金や、Ｓ ｉ ３
Ｎ ４”ｌの絶縁膜や、導電性セラミックを用いた微
細パターンの製造についても本発明は適用可能である。
明したが、チタン合金等の高耐摩耗合金や、Ｓ ｉ ３
Ｎ ４”ｌの絶縁膜や、導電性セラミックを用いた微
細パターンの製造についても本発明は適用可能である。
尚、７オトレンスト（ポリイミド）がプラズマ溶射によ
って傷む場合には、まず、基板上に、所定パターンの７
オトレジスト上にニッケル、銅等のメッキ膜を形成し、
フォトレノストの除去によってメッキ膜のパターン化を
行い、その上から上記プラズマ溶射を行なうようにする
ことが安定な膜を得る為に極めて好ましい。
って傷む場合には、まず、基板上に、所定パターンの７
オトレジスト上にニッケル、銅等のメッキ膜を形成し、
フォトレノストの除去によってメッキ膜のパターン化を
行い、その上から上記プラズマ溶射を行なうようにする
ことが安定な膜を得る為に極めて好ましい。
尚、以上の説明ではプリンターの印字ヘッドのような幅
数ミリのものを示したが、それ以外に本発明によれば通
常の用紙幅程度の広い面積にわたる精密な微細パターン
をも容易に得ることができる。
数ミリのものを示したが、それ以外に本発明によれば通
常の用紙幅程度の広い面積にわたる精密な微細パターン
をも容易に得ることができる。
く効果〉
本発明によればタングステン等の高融点の材料を用いた
精密且つ微細なパターンを容易に高能率で品質良く形成
することが出来る。
精密且つ微細なパターンを容易に高能率で品質良く形成
することが出来る。
４、図面のｆ２！１ｉｌｉｔな説明
第１図は印字へンド部分の平面図、第２図は本発明にか
かる製法を示す工程説明図、第３図は従来の製法の工程
説明図、第４図はその斜視図、第５図はプラズマ溶射装
置の説明図である。
かる製法を示す工程説明図、第３図は従来の製法の工程
説明図、第４図はその斜視図、第５図はプラズマ溶射装
置の説明図である。
図中 １：印字ヘッド電極 ２：基板
３：タングステンメタライズ層
４ニアオドレノスト層
５：プラズマ溶射タングステン層
第４図
第５図
（ａ）
第２図
第３図
Claims (1)
- （１）基板上に所定パターンの皮膜を形成し、該皮膜上
に成膜材料をプラズマ溶射によって被覆し、上記皮膜を
除去し、精密パターン膜を形成したことを特徴とする精
密パターン製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246778A JPS62107054A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 精密パタ−ン製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246778A JPS62107054A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 精密パタ−ン製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62107054A true JPS62107054A (ja) | 1987-05-18 |
Family
ID=17153517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60246778A Pending JPS62107054A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 精密パタ−ン製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62107054A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016159A1 (de) * | 1998-09-12 | 2000-03-23 | INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH | Verfahren zur herstellung eines körpers mit mikrostrukturen aus thermisch aufgespritztem material |
| JP2011509349A (ja) * | 2008-01-08 | 2011-03-24 | トレッドストーン テクノロジーズ インク． | 電気化学的用途のための高導電性表面 |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP60246778A patent/JPS62107054A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016159A1 (de) * | 1998-09-12 | 2000-03-23 | INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH | Verfahren zur herstellung eines körpers mit mikrostrukturen aus thermisch aufgespritztem material |
| JP2011509349A (ja) * | 2008-01-08 | 2011-03-24 | トレッドストーン テクノロジーズ インク． | 電気化学的用途のための高導電性表面 |
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