JPS6210906A - トランジスタ増幅装置 - Google Patents
トランジスタ増幅装置Info
- Publication number
- JPS6210906A JPS6210906A JP14818385A JP14818385A JPS6210906A JP S6210906 A JPS6210906 A JP S6210906A JP 14818385 A JP14818385 A JP 14818385A JP 14818385 A JP14818385 A JP 14818385A JP S6210906 A JPS6210906 A JP S6210906A
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- JP
- Japan
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- emitter
- transistor
- resistor
- circuit
- output
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- Pending
Links
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はUHF帯の高出力の増幅装置に関し。
特にモノリシックIC化に適したトランジスタ増幅装置
に関する。
に関する。
UHF帯で使用されるブースターアンプ等の高出力の電
力増幅器では電源効率を改善する手段どして、出力段の
コレクタ負荷をチョークコイルとした増幅回路が考えら
れている。
力増幅器では電源効率を改善する手段どして、出力段の
コレクタ負荷をチョークコイルとした増幅回路が考えら
れている。
このような増幅回路の従来例を第2図に示す。
第2図を参照して、この回路は入力段がトランジスタ1
からなるエミッタ接地回路、出力段がコレクタ負荷とし
てチョークコイルを用いたトランジスタ3からなるエミ
ッタ接地回路から構成される。またコレクタ・ベースジ
ョートドう/ジスタで構成されるレベルシフトダイオー
ド4がトランジスタ1のコレクタ・エミッタ間の直流バ
イアス電圧を確保する手段としてトランジスタ3のエミ
ッタ側に抵抗10と直列に設けられている。このレベル
シフトダイオード4はモノリシックIC化に適した直結
構成とされる。
からなるエミッタ接地回路、出力段がコレクタ負荷とし
てチョークコイルを用いたトランジスタ3からなるエミ
ッタ接地回路から構成される。またコレクタ・ベースジ
ョートドう/ジスタで構成されるレベルシフトダイオー
ド4がトランジスタ1のコレクタ・エミッタ間の直流バ
イアス電圧を確保する手段としてトランジスタ3のエミ
ッタ側に抵抗10と直列に設けられている。このレベル
シフトダイオード4はモノリシックIC化に適した直結
構成とされる。
UHF帯の高周波では出力段トランジスタ3の入力イン
ピーダンスがベース電極の浮遊容量等により低くなる。
ピーダンスがベース電極の浮遊容量等により低くなる。
第2図の従来例では、出力段トランジスタ3の出力限界
捷で入力段トランジスタのコレクタ出力で十分駆動する
ためには。
捷で入力段トランジスタのコレクタ出力で十分駆動する
ためには。
前段回路(入力段エミッタ接地回路)に大量の電流が必
要となり、増幅回路全体の電源効率が悪くなるという問
題がある。この問題を解決する手段として出力段を低イ
ンピーダンスで駆動するため入力段と出力段の股間にエ
ミッタフォロワ回路を挿入した第6図の回路が考えられ
ている。
要となり、増幅回路全体の電源効率が悪くなるという問
題がある。この問題を解決する手段として出力段を低イ
ンピーダンスで駆動するため入力段と出力段の股間にエ
ミッタフォロワ回路を挿入した第6図の回路が考えられ
ている。
第6図を参照して、入力端子aに高周波の高いレベルの
入力信号が入力され、出力段トランジスタ3が次段のエ
ミッタフォロワ回路により高い信号レベルで駆動されて
いる場合、 l−ランジスタ2のエミッタ電圧、即ち
トランジスタ3のベース電圧が上がる方向ではトランジ
スタ3のベース側からみた浮遊容量が正電圧にチャージ
する。このチャージはl・ランジスタ3のベース電圧が
下がる方向ではディスチャージされる。
入力信号が入力され、出力段トランジスタ3が次段のエ
ミッタフォロワ回路により高い信号レベルで駆動されて
いる場合、 l−ランジスタ2のエミッタ電圧、即ち
トランジスタ3のベース電圧が上がる方向ではトランジ
スタ3のベース側からみた浮遊容量が正電圧にチャージ
する。このチャージはl・ランジスタ3のベース電圧が
下がる方向ではディスチャージされる。
このときのディスチャージにかかる時間はトランジスタ
3のベース側からみた浮遊容量とトランジスタ2のエミ
ッタ抵抗9の時定数で決まる。
3のベース側からみた浮遊容量とトランジスタ2のエミ
ッタ抵抗9の時定数で決まる。
従って、抵抗9の値が大きいほどディスチャージに時間
がかかる。ところで、このディスチャージの時間が大き
いと、UHF帯の高周波においてはトランジスタ3のベ
ース電圧を下げる動作は不十分となり、その結果、トラ
ンジスタ3のコレクタ電圧は十分に上がらず、低周波に
おいて出力し得る電力よりもその出力は低下してしまう
。
がかかる。ところで、このディスチャージの時間が大き
いと、UHF帯の高周波においてはトランジスタ3のベ
ース電圧を下げる動作は不十分となり、その結果、トラ
ンジスタ3のコレクタ電圧は十分に上がらず、低周波に
おいて出力し得る電力よりもその出力は低下してしまう
。
本発明はトランジスタで構成されるUHF帯の高出力増
幅器において出力段のトランジスタを十分に駆動でき、
出力段トランジスタの限界まで出力させ得る駆動回路を
もった高出力の増幅装置を提供することを目的とする。
幅器において出力段のトランジスタを十分に駆動でき、
出力段トランジスタの限界まで出力させ得る駆動回路を
もった高出力の増幅装置を提供することを目的とする。
本発明による増幅装置は入力段増幅用トランジスタと1
次段エミッタフォロワトランジスタと、コレクタ負荷に
チョークコイルを有する出力段トランジスタで構成され
る増幅回路において、前記次段エミッタフォロワトラン
ジスタのエミッタにエミッタ抵抗とレベルシフトダイオ
ード2個を直列に設けたことを特徴とする。
次段エミッタフォロワトランジスタと、コレクタ負荷に
チョークコイルを有する出力段トランジスタで構成され
る増幅回路において、前記次段エミッタフォロワトラン
ジスタのエミッタにエミッタ抵抗とレベルシフトダイオ
ード2個を直列に設けたことを特徴とする。
以下本発明について図面に示す実施例に1つて説明する
。
。
第1図は本発明の実施例を示す回路図である。
第1図を参照してトランジスターは入力段エミツタ接地
回路を、トランジスタ2は次段エミッタフォロワ回路を
、トランジスタ3はコレクタ負荷としてチョークコイル
を用いた出力段のエミッタ接地回路を構成する。ところ
で、第3図に示す従来の増幅回路例のようにトランジス
タ2をエミッタ抵抗のみで構成されるエミッタフォロワ
回路にすると、上述のディスチャージの時間を短くする
ためには抵抗9の値を小さくしなければならない。その
結果トランジスタ2に流れるエミッタ電流が増大して電
源効率が悪くなる。ところが、第1図に示すようにトラ
ンジスタ2のエミッタにエミッタ抵抗9とレベルシフト
ダイオード13,1.4を直列に設けたエミッタフォロ
ワとすると、抵抗9の抵抗値を小さくしてもトランジス
タに流れるエミッタ電流が変化することはない。即ちト
ランジスタ2に流れるエミッタ電流を変えずに抵抗9の
値を小さくすることができる。従って上述のディスチャ
ージに要する時間は短縮され、トランジスタ3のベース
電圧を下げるという動作が高周波においても十分に行な
えるようになり、出力電力の低下を防ぐことができる。
回路を、トランジスタ2は次段エミッタフォロワ回路を
、トランジスタ3はコレクタ負荷としてチョークコイル
を用いた出力段のエミッタ接地回路を構成する。ところ
で、第3図に示す従来の増幅回路例のようにトランジス
タ2をエミッタ抵抗のみで構成されるエミッタフォロワ
回路にすると、上述のディスチャージの時間を短くする
ためには抵抗9の値を小さくしなければならない。その
結果トランジスタ2に流れるエミッタ電流が増大して電
源効率が悪くなる。ところが、第1図に示すようにトラ
ンジスタ2のエミッタにエミッタ抵抗9とレベルシフト
ダイオード13,1.4を直列に設けたエミッタフォロ
ワとすると、抵抗9の抵抗値を小さくしてもトランジス
タに流れるエミッタ電流が変化することはない。即ちト
ランジスタ2に流れるエミッタ電流を変えずに抵抗9の
値を小さくすることができる。従って上述のディスチャ
ージに要する時間は短縮され、トランジスタ3のベース
電圧を下げるという動作が高周波においても十分に行な
えるようになり、出力電力の低下を防ぐことができる。
ところで9通常、出力段のエミッタ接地回路は電力利得
を得るために抵抗10の抵抗値は小さくする必要がある
。また実用的な電流を考慮すると、抵抗100両端の電
圧差は小さく、レベルシフトダイオードの1ドロップ分
に満たない。
を得るために抵抗10の抵抗値は小さくする必要がある
。また実用的な電流を考慮すると、抵抗100両端の電
圧差は小さく、レベルシフトダイオードの1ドロップ分
に満たない。
このため抵抗9に直列に設けるレベルシフトダイオード
の数をトランジスタ3のベース・エミッタ間ドロップ及
びレベルシフトダイオード4のドロップに相当する2個
とすることによって。
の数をトランジスタ3のベース・エミッタ間ドロップ及
びレベルシフトダイオード4のドロップに相当する2個
とすることによって。
抵抗9の抵抗値を小さくでき、しかもモノリフツクIC
に適した直結構成で入力段トランジスタ1のコレクタ・
エミッタ間電圧も高くできる。
に適した直結構成で入力段トランジスタ1のコレクタ・
エミッタ間電圧も高くできる。
本発明によるトランジスタ増幅装置によれば出力段トラ
ンジスタを十分に駆動できる駆動回路を持つため、電源
効率が高く、高出力の増幅装置が得られる。
ンジスタを十分に駆動できる駆動回路を持つため、電源
効率が高く、高出力の増幅装置が得られる。
第1図は本発明による増幅装置の一実施例を示す回路図
、第2図及び第6図はそれぞれ従来のトランジスタ増幅
装置の一例を示す回路図である。 1.2.3・・・トランジスタ、4・・・レベルシフト
ダイオード、 5,6,7,8,9.10・・・抵抗、
11・・・チョークコイル、12・・・コンデンサ、1
3.14・・・レベルシフト第1図 扼2図
、第2図及び第6図はそれぞれ従来のトランジスタ増幅
装置の一例を示す回路図である。 1.2.3・・・トランジスタ、4・・・レベルシフト
ダイオード、 5,6,7,8,9.10・・・抵抗、
11・・・チョークコイル、12・・・コンデンサ、1
3.14・・・レベルシフト第1図 扼2図
Claims (1)
- 1、入力段トランジスタ増幅回路出力に次段エミッタフ
ォロワ回路を接続し、前記エミッタフォロワ回路の出力
にコレクタ負荷としてチョークコイルを用いたエミッタ
接地トランジスタ増幅回路を接続した増幅装置において
、前記エミッタフォロワ回路を構成するトランジスタの
エミッタと接地電位間に抵抗とダイオード2個を直列に
設けたことを特徴とするトランジスタ増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14818385A JPS6210906A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | トランジスタ増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14818385A JPS6210906A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | トランジスタ増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210906A true JPS6210906A (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=15447100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14818385A Pending JPS6210906A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | トランジスタ増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6210906A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009506586A (ja) * | 2005-05-18 | 2009-02-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ミリメートル波用途の電力増幅器の実施のための回路及び方法 |
| CN105743450A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-07-06 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 射频功率放大器 |
| WO2019082793A1 (ja) * | 2017-10-23 | 2019-05-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波電力増幅回路及び通信装置 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP14818385A patent/JPS6210906A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009506586A (ja) * | 2005-05-18 | 2009-02-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ミリメートル波用途の電力増幅器の実施のための回路及び方法 |
| CN105743450A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-07-06 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 射频功率放大器 |
| WO2019082793A1 (ja) * | 2017-10-23 | 2019-05-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波電力増幅回路及び通信装置 |
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