JPS62111442A - ウエハ保持治具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はウェハ保持治具ｌこ関する。

〔発明の背景〕

ウェハはウェハ保持治具に保持され、例えばイオンミリ
ング装置ｔこよって微細パターンが形成される。

かかるウェハ保持治具として、例えば第１図に示すよう
な静電吸着によるウェハ保持治具が知られている（特開
昭５９−１０５３２２号公報参照）。

即ち、セラミック基板１上ｌこは交互（こ高電圧を印加
する一対の静電極２ａ、２ｂが複数組配列されており、
その上をラバー絶縁層３で被覆してなる。

このよう（こ静電極２ａ、２ｂ及びラバー絶縁層３が形
成されたセラミック基板Ｉをウェハホルダ４Ｉこ固定し
、ウェハホルダ４とセラミック基板１とで形成される冷
却水槽５をこ冷却水を導き、セラミック基板１を冷却し
ている。

しかしながら、かかる静電吸着昏こよるウェハ保持では
、ウェハ６のラバー絶縁層３への吸着力が弱く、ウェハ
冷却効果が悪いという問題点があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、強い吸着力が得られるウェハ保持具を
提供することｔこある。

本発明の他の目的は、ウェハの取付は及び取外しが容易
憂こ行えるウェハ保持治具を提供することにある。

〔発明の概要〕

ウェハホルダｌこ真空吸着用パイプ穴を形成し、このウ
ェハホルダにシリコンラバーを接着剤等で一体ｌこ固定
してなる。シリコンラバーのウェハ吸着面Ｅこはウェハ
ホルダの真空吸着用パイプ穴ｔこ連通ずるように真空吸
着用溝が形成されている。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を第２図及び第３図ｔこより説
明する。ウェハホルダ１０には真空吸着用パイプ穴１０
ａが形成されている。このウェハホルダ１０上ｌこはシ
リコンラバー１１が接着等で一体ｌこ固定されており、
シリコンラバー１１のウェハ吸着面にはウェハホルダ１
０の真空吸着用パイプ穴１０ａｌこ連通するようｌこ真
空吸着用溝１１ａが形成されている。

そこで、ウェハ吸着時ｌこは、シリコンラバー１１リコ
ンラバー１日こ押付け、られる。その後は真空引きを止
めてもシリコンラバー１１の分子間引力Ｉｎ　ヨリ’）
エバ１２はシリコンラバー１１を介してウェハホルダ１
０１こ保持される。このようｆこ、シリコンラバー１１
の分子間引力Ｅこよりウェハ１２は保持されるので、吸
着力は強力であり、ウェハ冷却が向上する。

ウェハ取外し時（こは、真空吸着用パイプ穴１゜ａから
エアを吹き込むこと１こより、ウェハ１２だけシリコン
ラバー１１面から浮き上り、容易に取外すことができる
。またソリコノラバー１１はつ１　ハホ／Ｌ／ダ１０ｆ
こ一体ｌこ固定されていることにより、ウェハ１２の取
付けもウェハ１２のみでよく、容易である。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなよう（こ、本発明によれば、シ
リコンラバーの分子間引力によりウェハを保持するので
、吸着力が強力で冷却効果が高い。

またシリコンラバーはウェハホルダｔこ一体ｌこ固定さ
れているので、ウェハの取付は及び取外しが容易ｌこ行
える。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を示し、ｔａｒは断面図、（１））は正
面図、第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３図
は第２図のシリコンラバーの正面図である。 １０・・・ウェハホルダ、１０ａ・・・真空吸着用パイ
プ穴、１１・・・シリコンラバー、　　１１．２・・・
真空吸着用溝、】２・・・ウェハ。 ＷＩ　　図 （ａ）　　　　　　　　　　（ｂ） 第２図　　　第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空吸着用パイプ穴が形成されたウェハホルダと、この
   ウェハホルダに固定されウェハ吸着面に前記ウェハホル
   ダの真空吸着用パイプ穴と連通する真空吸着用溝が形成
   されたシリコンラバーとを備えていることを特徴とする
   ウェハ保持治具。