JPS62112007A - 形状測定方法 - Google Patents
形状測定方法Info
- Publication number
- JPS62112007A JPS62112007A JP60253068A JP25306885A JPS62112007A JP S62112007 A JPS62112007 A JP S62112007A JP 60253068 A JP60253068 A JP 60253068A JP 25306885 A JP25306885 A JP 25306885A JP S62112007 A JPS62112007 A JP S62112007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- detector
- shape
- sample surface
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010186 staining Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細加工により形成された・卆ターンの形状測
定方法に関するものである。
定方法に関するものである。
従来、微細加工により形成された・ンターン上に電子線
を走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力
信号からパターンの形状を測定するに際して前記検出器
を試料面からの仰角９０°の位置に置いてその測定を行
っていた。
を走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力
信号からパターンの形状を測定するに際して前記検出器
を試料面からの仰角９０°の位置に置いてその測定を行
っていた。
しかしながら、この方法によるときには強度、つ小さい
信号しか得られず、したがって、・やターン形状の測定
精度に限界があり、これを補うために電子ビームの電流
値を上げるなどの方法によって行わざるを得す、試料が
汚染され、また損傷を受けるという問題があった。
信号しか得られず、したがって、・やターン形状の測定
精度に限界があり、これを補うために電子ビームの電流
値を上げるなどの方法によって行わざるを得す、試料が
汚染され、また損傷を受けるという問題があった。
本発明は試料面に対する検出器の関係位置全規制して信
号強度を増大させることにより上記間１点を解消する方
法を提供するものである。
号強度を増大させることにより上記間１点を解消する方
法を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段］
すなわち、本発明は、基体上の凸形パターン上に電子線
を走査し、検出器により反射′ｉヱ子含検出し、検出器
出力信号から・ぐターンの形状全測定する方法において
、前記検出器を凸形・にターンを有する試料面からの仰
角４５°以下の位Ｒ１に１．２いてＪｌ：１定を行うこ
とを特徴とする形状測定方法である。
を走査し、検出器により反射′ｉヱ子含検出し、検出器
出力信号から・ぐターンの形状全測定する方法において
、前記検出器を凸形・にターンを有する試料面からの仰
角４５°以下の位Ｒ１に１．２いてＪｌ：１定を行うこ
とを特徴とする形状測定方法である。
試料パターンからの反射電子信号に基づいて・ぜターン
の形状を測定する場合、信号に含まれる雑音が測定結果
の誤差要因となる。従って、雑音に対する信号強度を大
きくすることが必要となる。
の形状を測定する場合、信号に含まれる雑音が測定結果
の誤差要因となる。従って、雑音に対する信号強度を大
きくすることが必要となる。
第２図は試料面からの仰角Ｏ０から４５°をカバーする
ように検出器を置いた場合の凸形−！ターンからの反射
電子信号のシミュレーション結果である。
ように検出器を置いた場合の凸形−！ターンからの反射
電子信号のシミュレーション結果である。
また、第３図は試料面からの仰角４５０から９０°をカ
バーするように検出器を置いた場合の第２図と同じツヤ
ターンからの反射電子信号のシミーレージ璽ン結果であ
る。第２図と第３図とを比較すると、第２図の方が信号
強度の大きいことがわかる。従って、検出器を試料面か
らの仰角４５°以下に置くことによって凸形パターンか
ら強度の大きな信号を得ることができる。
バーするように検出器を置いた場合の第２図と同じツヤ
ターンからの反射電子信号のシミーレージ璽ン結果であ
る。第２図と第３図とを比較すると、第２図の方が信号
強度の大きいことがわかる。従って、検出器を試料面か
らの仰角４５°以下に置くことによって凸形パターンか
ら強度の大きな信号を得ることができる。
以下、第１図に図示の実施例によシ本発明を説明する。
シリコン基板１上にアルミニウムを蒸着後、アルミニウ
ムを凸形の線状ツクターンに加工した。次にシリコン基
板１上のアルミニウムパターン２の上に加速電圧４ ｋ
Ｖ 、電流１００ ｐＡの電子ビーム３を走査し、試料
面からの仰角２０°から３０°をカバーするように置か
れた検出器４（マイクロチャネルプレートを使用）によ
って反射電子５を検出し、その出力信号波形を計算機の
メモリ上に蓄積した。
ムを凸形の線状ツクターンに加工した。次にシリコン基
板１上のアルミニウムパターン２の上に加速電圧４ ｋ
Ｖ 、電流１００ ｐＡの電子ビーム３を走査し、試料
面からの仰角２０°から３０°をカバーするように置か
れた検出器４（マイクロチャネルプレートを使用）によ
って反射電子５を検出し、その出力信号波形を計算機の
メモリ上に蓄積した。
出力信号は信号強度対雑音強度比が１８であった。
次に、信号波形の最大値と最小値の平均値となる２点か
らアルミニウムパターン２の線幅が１．２μｍであるこ
とがわかった。
らアルミニウムパターン２の線幅が１．２μｍであるこ
とがわかった。
従って、本発明によれば、電子ビームの電流値を増やさ
ずに信号強度が雑音強度に比べて十分大きな信号が得ら
れるため、試料の汚染、損傷なしに凸形・ぐターンの形
状を測定できる効果を有するものである。
ずに信号強度が雑音強度に比べて十分大きな信号が得ら
れるため、試料の汚染、損傷なしに凸形・ぐターンの形
状を測定できる効果を有するものである。
第１図は反射電子信号を得る方法を表わす模式図、第２
図は検出器を試料面からの仰角ＯＯから４５゜をカバー
するように置いた場合の反射電子信号のシミ、レーショ
ン結果を示す図、Ｋ３図は検出器を試料面からの仰角４
５°から９０°をカバーするように置いた場合の反射電
子信号のシミーレーション結果を示す図である。 １・・・基板、２・・・・やターン、３・・・電子線、
４・・・検出器、５・・・反射電子。 特許出題人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 内 原 晋 ゝ〆１
図は検出器を試料面からの仰角ＯＯから４５゜をカバー
するように置いた場合の反射電子信号のシミ、レーショ
ン結果を示す図、Ｋ３図は検出器を試料面からの仰角４
５°から９０°をカバーするように置いた場合の反射電
子信号のシミーレーション結果を示す図である。 １・・・基板、２・・・・やターン、３・・・電子線、
４・・・検出器、５・・・反射電子。 特許出題人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 内 原 晋 ゝ〆１
Claims (1)
- （１）基板上の凸形パターン上に電子線を走査し、検出
器により反射電子を検出し、検出器出力信号からパター
ンの形状を測定する方法において、前記検出器を凸形パ
ターンを有する試料面からの仰角４５°以下の位置に置
いて測定を行うことを特徴とする形状測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253068A JPS62112007A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253068A JPS62112007A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112007A true JPS62112007A (ja) | 1987-05-23 |
Family
ID=17246042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60253068A Pending JPS62112007A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112007A (ja) |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP60253068A patent/JPS62112007A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59163506A (ja) | 電子ビ−ム測長装置 | |
| JP2835097B2 (ja) | 荷電ビームの非点収差補正方法 | |
| US4588890A (en) | Apparatus and method for composite image formation by scanning electron beam | |
| US5182454A (en) | Scanning electron microscope | |
| KR880004550A (ko) | 일차입자 비임 조사장치 및 그의 조사방법 | |
| EP0130497B1 (en) | Alignment technique for a scanning beam | |
| JPS62112008A (ja) | 形状測定方法 | |
| JPS6348411A (ja) | パタ−ン形状測定方法 | |
| JPS60741A (ja) | 電子線露光方法 | |
| JPS62112006A (ja) | 形状測定方法 | |
| JPS62261911A (ja) | 形状測定方法 | |
| JPS6348410A (ja) | パタ−ン形状測定方法 | |
| JPH04105010A (ja) | 形状寸法測定装置および測定方法 | |
| JPS63238412A (ja) | 形状測定方法 | |
| JPS62112005A (ja) | 形状測定方法 | |
| JP3194986B2 (ja) | マーク検出方法および装置並びにそれを用いた電子線描画方法およびその装置 | |
| JPS63238413A (ja) | 形状測定方法 | |
| JPH03235949A (ja) | マスク検査方法 | |
| JPH09166698A (ja) | 荷電粒子ビームの測定方法 | |
| Rajopadhye et al. | New method for directly monitoring the electron beam intensity profile in a scanning electron microscope | |
| JPH0682399A (ja) | 電子線分析方法と分析装置 | |
| JPS61177719A (ja) | マ−ク位置検出方法 | |
| JPS6177784A (ja) | イオンビ−ム径測定方法 | |
| JPH05172765A (ja) | Ａｅｓ分析におけるドリフト補正方法 | |
| JPS62212509A (ja) | 電子ビ−ム測長装置 |