JPS6348411A - パタ−ン形状測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は微細加工により形成されたパターンの形状測定
方法に関するものである。

［従来の技術］ 従来、微細加工により形成されたパターン上に電子線を
走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力信
号からパターンの形状を測定するに際して、パターンの
方向を考慮せずに前記検出器をおいてその測定を行って
いた。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、この方法による時に、場合によっては強
度の小さい信号しか得られず、従って、パターン形状の
測定精度に限界があり、これを補うために電子ビームの
電流値を上げるなどの方法によって行わざるをえず、試
料が汚染され、また損傷を受けるという問題があった。

本発明は試料面に対する検出器の関係位置を規制して信
号強度を増大させることにより上記の問題点を解決する
方法を提供するものである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板上に形成されたパターン上に電子線を走査
し、検出器によりパターンからの反射電子を検出し、検
出器出力信号からパターンの形状を測定する方法におい
て、パターンの反射率が基板の反射率よりも低い場合に
、前記検出器を線状パターンの長手方向と垂直な方向の
位置において測定を行うことを特徴とするパターン形状
測定方法である。

［作　用］ 試料パターンからの反射電子信号に基づいてパターンの
形状を測定する場合、信号に含まれる雑音が測定結果の
誤差要因となる。従って、雑音に対する信号強度を大き
くすることが必要になる。

第２図は線状パターンの長手方向と垂直の位置に検出器
を置いた場合の反射電子信号でおる。また、第３図は線
状パターンの長手方向の位置に検出器を置いた場合の反
射電子信号でおる。第２図と第３図を比較すると、第２
図の方が信号強度が大きいことがわかる。従って、検出
器を線状パターンの長手方向と垂直の位置に置くことに
よって、強度の大きな信号を得ることができる。

［実施例コ 次に本発明を実施例によって説明する。

第１図は本発明の方法の一実施例を説明するための概略
図でおる。

シリコン基板１上に有機レジストを塗布後、有機レジス
トを線状パターンに加工した。次にシリコン基板１上の
パターン２の上に加速電圧４　ｋＶ。

電流１００１）Ａの電子線３を走査し、線状パターンの
長手方向と垂直の位置に置かれた検出器４（マイクロチ
ャネルプレートを使用）によって、反射電子５を検出し
、その出力信号波形を計算機のメモリー上に蓄積した。

出力信号は信号強度対雑音強度比が１５でめった。次に
、信号強度の最大値と最小値の平均値となる２点から、
有機レジストパターン２の線幅が１．３μｍであること
がわかった。

［発明の効果１ 以上説明したように本発明によれば、電子ビームの電流
値を増やさずに信号強度が雑音強度に比べて十分大きな
信号が得られるため、試料の汚染、損傷無しにパターン
の形状を測定できる効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法の一実施例を説明するための概略
図、第２図はパターンの長手方向と垂直の位置に検出器
を置いた場合の反射電子信号を示ｓ；ｊ：’ツ ト・・シリコン基板　　　２・・・パターン３・・・電
子線　　　　　　４・・・検出器５・・・反射電子 ・−） 、ｌ；　ｆ！−−ｒ＼。 、す１、・夏 代理人弁理士　　内　　原　　　　Ｓ（シ第１図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成されたパターン上に電子線を走査し
   、検出器によりパターンからの反射電子を検出し、検出
   器出力信号からパターンの形状を測定する方法において
   、パターンの反射率が基板の反射率よりも低い場合に、
   前記検出器を線状パターンの長手方向と垂直な方向の位
   置において測定を行うことを特徴とするパターン形状測
   定方法。