JPS62112165A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、ｒ＃Ｊ等を示す）の様な電磁波に感受性
のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などＯ可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することＫより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行ない、画像ｔ−記録する方法が知られて
おシ、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザ
ーとして、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは
半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長
を有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である
。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に２ｉ１したな
子写真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合
性が他の欅急の光受容部材と比べて優れているのに加え
て、ビッカース硬度が高く、公害の問題が少々い等の点
から評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や
特開昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコ
ン原子を含む非晶質材料（以後「５−８ｆＪと略記する
ｐから成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求さゝれる１０′２Ωα以上
の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロダン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があシ、た
めに層形成に肖って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に町成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題をある程度低暗抵抗でおっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１
７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異な
る層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部
に空乏層を形成したシ、或いは特開昭５７−５２１７８
号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号
、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられる
ように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上
部表面にｗＥ壁層を設けた多層構造としたシして、見掛
は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがらシ、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）よシ反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容Ｎを構成するある層に入
射した光重０と上部界面６０２で区射した反射光Ｒい下
部界面６０１で反射した反射光Ｒ１が示されている。

そこにあって、層の平均層厚をｄ１屈折率を１１光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだλ らかＫＴ−以上の厚層差で不均一であると、反射光ＲＩ
　ｒ　Ｒ２が２ｎｄ−ｍλ（ｍはｍｕ、反射光は強め合
う）と２ｎｄ−（ｍ十丁）λ（ｍは整数、反射光は弱め
合う）の条件のどちらに合うかＫよって、ある膚の吸収
光ｌおよび透過光量に変化が生じる。即ち、光受容部材
が第７図に示すような、２着しくはそれ以上の層（多層
）構成のものであるものにおいては、それらの各層につ
いて第６図に示すような干渉効果が起って、第７図に示
すような状態とな９、その結果、それぞれの干渉が相乗
的に作用し合フて干渉縞模様を呈するところとなシ、そ
れがそのｉま転写部材に影響し、該部材上に前記干渉縞
模様に対応した干渉縞が転写、定着され可視画像に現出
して不良画像をもたらしてしまうといった問題がある。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００λ〜±ｘｏｏｏｏＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開４５８−
１６２９７５号公報参照）、（ｂｌアルミニウム支持体
表面を黒色アルマイト処理したυ、或いは、樹脂中にカ
ーボン、着色顔料、染料を分散したシして光吸収層を設
ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報参照
）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイ
ト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸
を設けたシして、支持体表面に光散乱反射防止層を設け
る方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照）等
が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の＠来はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それな）に防止はされるものの、
光散乱としては依然として足反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果によ）照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理で″は、
完全吸収は不ｉ■能であり、支持体表面での反射光は残
存してしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合
は、ａ−８＋層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生
じ、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること
、樹脂層がａ−８：ｆｌ形成の際のプラズマによってダ
メージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、
表面状態の悪化によるその後のａ−８＋層の形成に悪影
響を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光重。は、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ８となシ、残シは、光受容層８０２の内部
に進入して透過光重１となる。透過光１１は、支持体８
０１の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光
に、、に、、に、・・となシ、残りが正反射されて反射
光Ｒ１となり、その一部が出射光Ｒ８となって外部に出
ては行くが、出射光Ｒ３は、反射光Ｒ６と干渉する成分
で６．ていずれにしろ残留するため依然として干渉縞模
様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するＫついて、光受容
層内部での多重反射が起らないように１支持体８０１０
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で光が拡散してハレーシ璽ンを
生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように１支持体９０１表面を不規則（へ）に荒しても、
第１層９０２での表面での反射光Ｒ，、＃ｃ２層での反
射光Ｒ１、支持体９０１面での正反射光Ｒ８の夫々が干
渉して、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が
生じる。従って、多層構成の光受容部材においては、支
持体９０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全
に防止することは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト関に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある０加えて、比較的大きな
突起かランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面を規則的に荒し死場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
００８に沿って、光受容層１００２が堆積するため、支
持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹凸
の傾斜面とが１００３’　、　１００４’で示すように
平行になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｉｄ、ｓ＋＋ｍ
ｍλまたは２ｎｄ、　−（ｍ−）−Ｌ）λの関係が成立
ち、夫々明部または暗部となる。また、光受容層全体で
は光受容層の層厚ｄ１　ｔｄ２　ｔｄ３　ｔｄ＋の夫々
λ の差の中の最大が７丁以上である様な層厚の不均一性が
あるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１００１表面を規則的に荒したたけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８＋で構成された光受容層を有
する光受容部材につｂて、上述の諸問題を排除し、各Ｍ
要求を満たすもＯＫすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導（的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んどｋＭ側されなく、裂造管坦が容易
である、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容
部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が蔦＜
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８＋で構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することＫある。

本発明の更（別の目的は、高光感度性、高８Ｎ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、５−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高”Ｘ１１
　　Ｓｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提
供することにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し便用（あっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高ｈ１高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
九結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方とを含有する
非晶質材料で構成された第一の層と、反射防止機能を奏
する第二の層とを有する光受容１を備え走光受容部材に
おいて、前記支持体の表面が、主ピークに副ピークが１
畳して複数の微小な凹凸形状を成している。断面形状の
ものであυ、且つ、該支持本表面上の前記光受容層が、
ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し
、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一
方向く多数配列しているものであることを骨子とする光
受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、歓要、支持体上に複数の層を有する光受容部材（’
Ｃおｈて、該光受容部材に要求される解像度よシも微小
な凹凸形状を支持体表面に形成するとともに１該凹凸形
状の１周期内の微小部分（以下、「シｗ　−）レンジ」
と称す０）円に、少くとも一対の非平行な界面を有する
よってし、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少
なくとも一方向に多数配列せしめた場合、画像形成時に
現われる干渉縞模様の問題が解消されること、そして、
その場合、支持体表面に設ける凹凸の凸部のＭ断面形状
は、ショートレンジ円６Ｃ形成される各層の層厚の管理
された不均一化、支持体と支持体上に直接設けられる層
との間の良好な密着性、あるいはさらに１所望の電気的
接触性等を確保するために、主ピークに：ｉ！ＩＩビー
クが重畳した形状を呈することが望ましいというもので
ある。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を８易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る多層構成の光受容層を有する光
受容部材の一例を示す模式図である０、この例では、支
持体１０１の表ｆが、主ピークに副ピークがｉ畳して複
数の微小な凹凸形状をなしている断面形状のものであり
、該支持体１０１上に、その凹凸形状に沿って、第一の
層１０２と第二の層１０３とからなる光受容層を備えて
いる。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の光受容層の
一部と拡大して示した図であシ、第２（Ｂ）図は同部分
における明るさを示す図であ夛、図中、２０２は第一の
鳩、２０３は第二の層、２０４は自由表面、２０５は第
一の鳩と第二の層との界面を示している。第２（Ａ）図
に示すごとく、第二の層２０３の層厚は、ショートレン
ジβ内においてｄ□からｄ！！に連続的に変化している
ため、自由表面２０４と界面２０５とは互いに異なる傾
きを有している。したがって、このショートレンジｌ内
に入射したレーザー光等の可干渉性光は、該ショートレ
ンジＩＩにおいて干渉をおこし、微小な干渉縞模様が生
成はする。しかし、ショートレンジｌ　Ｋお込て生ずる
干渉縞は、ショートレンジｌの大きさがｊ＋ｈ射光スポ
ット径よシ小さい、即ち、解像度限界よシ小さいため、
画像に現われることはない。又、はとんどないことでは
あるが、仮に、画像に現われる状況が生じたとしても肉
眼の分解能以下なので、呆質的には何等の支障もない。

一方、第３図（但し図中、３０２は第一の層、３０３は
第二の層、３０４は自由表面、３０５は第一の層３０２
と第二の層３０３との界面を示す。）Ｋ示すように、第
一のＰＪ３０２と第二の１３０３との界面３０５と、自
由表面３０４とが非平行である（　ｍ　３１Ａ）図参照
）４１合には、入射光Ｉ０に対する反射光Ｒ１と出射光
Ｒｓとはその進行方向が異なるため、界面３０５と自由
表面３０４とが平行である（第３（Ｂ）図参照）場合に
比べて、干渉の度合が減少する。即ち、干渉が生じても
、第３（Ｃ）図に示すごとく、一対の界面が平行な関係
にある場合よりも、一対の界面が非平行な関係にある場
合の方が干渉の度合が小さくなるため、干渉縞模様の明
暗の差か無視しうる程度に小さくなシ、その結果、入射
光量は平均化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すように、第二の層２０
３の１厚がマクロ的に不均一でおる場合、即ち、異なる
任意の２つの位置における第二の層の層ｙＩｄｔｓ　＊
　ｄｔ＋がｄ。′＋’１ｇ４である場合であっても同様
であって、全層領域において入射する光量は第２（ｑ図
に示すように均一となる。

以上、光受容層が第一の膚と第二の層とで構成されてい
る場合について記載したが、本発明の光受容部材が３層
以上の条理構成の光受容層を有している場合、例えば、
第４図に示すように支持体４０１上ににつの構成層４０
２′と４０２′から構成される第一のｒｔｉ　４０２　
、および第二の層４０３を積層してなる場合であっても
、入射光量＠に対して、反射光”１　ｙ　Ｒ２＊　”３
　＋　Ｒ４およびＲ５が存在するが、４０２　、４０３
および４０４の各層において、第３図よよって説明した
ごとき入射する光量が平均化される現象か生ずる。

その上、ショートレンジｌ内の各層の界面は、−ｉのス
リットとして働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は第一の層を構成する層の数が増大するにつれ、よシ一
層干渉による影響を防止することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よ）も微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが重畳し
た形状を呈しているものである。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することによ）干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｌは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、ｊ≦Ｌの関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第
二の唐とからなシ、該第−の層は、シリコン原子とグル
マニクム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方と
、さらに好ましくは水素原子及びへログン原子の少をく
ともいずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下
、「ａ−５８（Ｇｅ　、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する
。〕、あるいは、酸素原子、炭Ｘ原子及び窒素原子の中
から選ばれる少くとも一種とを含有するａ　−Ｓ　ｊ（
Ｇａ、ａｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成されてお夛、さらに必要
に応じて伝導性を制御する物質を含有せしめることかで
きる。そして、該第−の層は、多層構造を有することも
おシ、特に好ましくは、伝導性＆　ｆｌｌＪ　！１する
！Ｉｌ！！Ｉ質を含有する電荷注入阻止Ｉ？ｊ１ト構成
層の１つとして有するか、または／及び、障壁層を構成
層の１つとして有するものである。

また、前記第二の層は、無機弗化物、無機酸化物及び無
機硫化物の中から選ばれる少なくとも一種で構成されて
いて、反射防止機能を奏するものである。

本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上に１第一の層と第二の層とをｍａｒ、て有し、さ
らに第一の層にあっては、後で詳記するようく、干渉を
防止することを目的として、第一の層の支持体側の端部
にダルマニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に
含有する局在領域を形成せしめるか、又は／及び第一の
層の支持体側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多
量に含有する局在領域（すなわち、電荷阻止＃）を形成
せしめるか、又は／及び第一の層の支持体側の端部に障
壁層を形成することが望ましく、こうした構成の本発明
の光受容部材は支持体上に複数の層による複数の界面が
形成されることとなるが、本発明の光受容部材において
は、シ璽−トレンジｊ円に少なくとも一対の非平行な界
面が存在するようにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、シ１−トレンジＪｉＣ於ける層厚の差、例えば、前述
の第２（（転）図におけるｄＩとｄ！ｆｆｉの差は照射
光の波長をλとすると、次式：ｄ２ドｄ宜２２２．　（
ｎ　：構成層の屈折率）を満足することが望ましい。そ
して該層厚の差の上限は、好ましくは０．１μｍ〜２μ
ｍ１よシ好ましくはＱ、ｌ、４ｍ　〜１．５μｆｆｌ、
最適には０．２　ｐｒｎ　〜ｌ　μｍとすることが望ま
しい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においては、シ菖−
トレンジｊ円において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限りにおいて、平行な関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある
界面につ（４て、任意の２つの位置をとって、それらの
位置における層厚の差をΔｌとし、照射光の波長をλと
層の屈折率ｆｆ：ｎとした場合、次を満足するよう（（
層又は層領域を形成するのが望ましい。

本発明の第一の層及び第二の層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成する念めに、そのＮ厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図によｐ本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的〈示した図であり、図中、１００け光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３は第二の
層、１０４は自由表面を示す。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よシも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが
重畳した形状を呈しているものである。

支持体表面に設けられる該凹凸形状は、化学的エツチン
グ、電気メッキ等の化学的方法、蒸着、スパッタリング
などの物理的方法、旋盤加工などの機械的方法などによ
って形成されるが、生産管理を容易に行なうためには、
旋盤などの機械的加工方法が好ましい。

たとえば、支持体の表面を旋盤で加工する場合、７字形
状の切刃を■するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加
工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め
所望に従って設計されたプログラムに従って回転させな
がら規則的に所定方向に移動させることにより、支持体
表面を正確に切削加工することで、所望の凹凸形状、ピ
ッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によって
形成される凹凸が作シ出す線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋
構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造
とされても差支えない。或いは、螺旋構造に加えて中心
軸に沿った直線構造を導入してもよい。

また、前記凹凸形状は、本発明ｔの目的を効率的に達成
するために、規則的、または周期的に配列されているこ
とが好ましい。更に１これに加えて、入射光を効率よく
一方向に散乱するために、前記凹凸形状が、その主ピー
クを中心に対称（第５図（Ａ））、ｔａは、非対称（＄
５図（Ｂ））に統一されていることが好まし’ｈｏしか
し、支持体の加工管理の自由度を高める九めＫは、両方
が混在してｈるのがよい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表ｒＩＫ設け
られる微小な凹凸の各デイメンシヨンは、以下の点を考
慮した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設
定される。

即ち、第１には光受容層を構成するａ−８ｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−ｓｉ　ｍの層品質の低下を招来しな＾様に
支持体表面に設けられる微小な凹凸のデイメンジ盲ンを
設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記し九層堆積上の問題点、′１子写真法のプロセス上
の問題点および、干渉縞楔様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の凹部のピッチは、通常は０，３μｍ〜５
００μｍ１好ましくは１μｍ〜２００μｍ１よシ好まし
くは５μｍ〜５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
１よシ好ましくは０．３μｍ〜３μｍ１　最適には０．
６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹
部のピッチと熾大深さが上記の範囲にある場合、凹部（
又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜
２０度、よシ好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜
１０度とするのが望ましい。

本発明に用いφ支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ。

ステンレス、ＡＪ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、
　Ｎｂ　、　Ｔａ　。

Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　、　ｐｂ等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリゾ／、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ｋｌ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｉｒ　、　
Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ。

Ｐｉ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ、Ｏ，、８ｎＯ，、ＩＴＯ（
Ｉｎ、０．−１−　ＳｎＯ，）等から成る薄膜を設ける
ことによって導電性を付与し、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　ｋ
ｌ　、　Ａｇ　、　Ｐｂ。

Ｚｎ　、Ｎｉ　、Ａｕ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ
　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　。

Ｔｌ　、　ＰＬ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金
属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性
を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状
等任意の形状であることができるが、用途、所望によっ
て、その形状は適宜に決めることのできるものである。

例えば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形成
部材として使用するのであれば、連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通夛の光受容部材を形成しうる様に適
宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求される場
合（では、支持体としての機能が充分発揮される範囲内
で可能な限く薄くすることかできる。しかしながら、支
持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通
常は、１０μ以上とされる。

笛−の層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に第一の層１０２を設けるものであり、該第−の層は、
シリコン原子とゲルマニウム原子又はスズ原子の少なく
ともいずれか一方と、好ましくはさらに水素原子又はハ
ロゲン原子の少なくとも＾ずれか一方を含有する非晶質
材料で構成され、さらに、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめるこ
とができる。更にまた、該第−の層には、必要に応じて
伝導性を制御する物質を含有せしめることが可能であっ
て、伝導性を制御する物質を比較的多黛に含有する電荷
注入阻止Ｍ及び／又は障壁層を、支持体側の端部に有す
ることが望ましい。

本発明の第一の層中に含有せしめる前記ハロゲン原子と
しては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられるが、特に１フツ素及び塩素が好ましいものとし
て挙げられる。

第一の゛層中に含有される水素原子ｔＨ）の量、又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは０．０１〜４Ｑａｔｏ
ｒｎｉｃ％、より好適には０゜０５〜３０　ａｔｏｍｉ
ｃ％、′！＆適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とす
るのが望ましい。

また、本発明において、第一の層の層厚は、本発明の目
的を効率的に達成するには重要な要因の１つであって、
光受容部材に所望の特性が与えられるように、光受容部
材の設計の際には充分な注意を払う必要があシ、通常は
１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０μ、よシ好
ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の第−ｏ／？！＃にゲル
マニウム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は
、主として該光受容部材の長波長側における吸収スペク
トル特性を向上せしめることにある。

即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることによ）、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長
波長患の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
を光源とした場合に特に顕著である。

本発明における第一の層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、第一の層の全層領域に均一な分
布状態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態で
含有せしめるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、第一の層の支持本表面と平
行な面方向において均一であり、第一の層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、第
一の層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
第一の層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして本発明の第一の層においては、特に、支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
鼠に均一な分布状態で含有する層を設けるか、あるｈは
自由表面側よりも支持体側の方に多く分布した状態とな
る様にゲルマニウム原子父は／及びスズ原子を含有せし
めることが望ましく、こうした場合、支持体側の端部に
おいてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度
を極端に大きくすることにより、半導体レーザ等の長波
長の光源を用いた励合に、光受容層の自由表面側に近い
構成層又は層領域においては殆んど吸収しきれない長波
長の光を、光受容層の支持体と接する構成層又は層領域
において実質的に完全に吸収されろため、支持体表面か
らの反射光による干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の第一の層にはダルマニウム原子
又は／及びスズ原子を全層中に均一に分布せしめること
もでき、また層厚方向に連続的かつ不均一に分布せしめ
ることもできるが、以下、層厚方向の分布状態の典型的
な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例として、第１
１乃至１９図により説明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第一の層の層厚を示し、”
Ｂは支持体側の第一の層の端面の位ｊｔｔ−１ｔＴは支
持体側とは反対側の第二の層側の端面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される第一の層はＩＢ側よ
シｔＴ側に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違りか明確でなくなる為、極端な形
で図示しておりこれらの図はあくまでも理解を容易にす
るための説明のための模式的なものである。

第１１図には、第一の１中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第一の層が形成される支持体表面と第一の層とが接
する界面位１ｔＢより１．の位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取プ乍らゲ
ルマニウム原子が第一の１に含有され、位置ｔ、よシは
濃度Ｃ２よシ界面位置ｔテに至るまで徐々に連続的に減
少されている。位ＷＬｔ〒においてはゲルマニウムｉ子
の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。

（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である。

） 第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ、１より位置ＩＴに至る
まで濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔｆにお
いて濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢよシ位置ｔ、までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３と一定位置とさ
れ、位置１．と位置ｔ７との間にお込て、徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に
零とされてｂる。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢよシ位置ｔｆに至るまで、濃度Ｃ０よシ初め連
続的に徐々に減少され、位置【Ｓよシは急速に一連続的
に減少されて位置ｔＴにおいて実質的に零とされている
。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位Ｒｔｇと位置１４間においては、濃度Ｃγと
一定値であシ、位置を丁に於ては分布濃度Ｃは零とされ
る。位置ｔ４と位ｉｔτとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４よシ位置ｔｙに至るまで減少されてい
る。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１
Ｂよ）位置ｔ、までは一度Ｃ８の一定値を取シ、位置ｔ
５よ）位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度ＣｔＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例におりては、位置ｔＢより位置を丁に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ！
より一次関数的に減少されて、零に至っている。

第１８図においては、位置１．よシ位置ｔ、に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩｔよシ濃
度Ｃｔａまで一次関数的に減少され、位置ｔｓ　ト位！
１１と（７）ｌ’＆ｉｊＫオイテＵ、１ＩＩＩ度ＣＩ。

の一定値とされた例が示されている。

＠１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ４であシ、位ｆ
ｌｔｙに至るまではこの濃度ＣＩ４よシ初めはゆっく）
と減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ、では濃度Ｃ１ｆｆとされる。

位置ｔ、と位置輸との間においては、初め急激に減少さ
れて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ、で
一度Ｃ１８となシ、位置１．と位置ｔ、との間では、徐
々に減少されて位置ｔ。

におｈて、濃度０．丁に至る。位置ｔ、と位置ｅ７との
間においては濃度Ｃ，アより実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、８１１図乃至第１９図により、第一の層中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に１本発明の
光受容部材においては、支持体側において、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、端面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べてかなシ低くされ九部分を有するゲルマニウム原
子又＃ｉ／及びス：ｅＨ子の分布状態が第一の膚に設け
られているのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する第一の層は
、好ましくは上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位１１
ｔａより５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位１ｔｍよシ５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜法め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子欠は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍ５ｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適ＫｄｌＸ１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成さ
れるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される第一の層は、支持体
側からの層厚で５μ以内＜　ｌｉｔから５μ厚の層領域
）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成され
るのが好ましいものである。

本発明の光受容部材において、第一の層中に含ａせしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含・装置は、
本発明の目的を効果的に達成しうる様に所望に従って適
宜法める必要があり、通常は１〜６　Ｘ　１０’　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍとするか、好ましくは１０〜３　Ｘ　
１０’　ａ　ｔｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍ　、より好ましく　
ｉ’：ｌ：　Ｉ　Ｘ　１０２〜２　Ｘ　１０’　ａｔｏ
ｍｊｃ　ｐｐｍとする。

また、本発明において、第一の層の層厚は、本発明の目
的を効率的に達成するにはＭ要な要因の１つであって、
光受容部材に）ｌの特性が与えられるように、光受容部
材の設計の際には充分な注意き払う必要があり、通常は
１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０μ、より好
ましくは２〜５０μとする。

本発明の先受８部材の第一の層に、酸素原子、炭素原干
支び窒素原子の中から選ばれる少くとも一部き含Ｈせし
める目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高暗
抵抗化、そして支持体と第一の層との間の密着性の向上
にある。

本発明の第一の層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少くとも一部を含有せしめる
場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、あ
るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかけ
、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によっ
て異なシ、したがって、含有せしめる憧も異ｉるところ
となる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、苓−の層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめる炭素
原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少くとも−
＋・「の澁は比較的少量でよい。

また、支持体と第一の層との密謀性の向上を目的とする
場合には、第一の膚の支持体側端部の一部の層領域に均
一に含有せしめるか、あるいは、？ＩＴ−の層の支持体
側端部におりで、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の
中から選ばれる少くとも一種の分布濃度が高くなるよう
な分布状態で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せ
しめる酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種の址は、支持体との密着性の向上を確
実に図るために１比較的多童にされる。

本発明の光受容部材において、第一の層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少
くとも一種の量は、しかし、上述のごとき第一の層に要
求される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面に
おける特性等、有機的関連性にも考Ｍ１をはらって決定
されるものであシ、通常は０．００１〜５０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、好ましくは０．００２〜４０　ａ　ｔｏｍｉ　
ｃ％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とす
る。

ところで、第一の層の全層領域に含有せしめるか、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の第一の層の層
厚中に占める割合か大きい場合には、前述の含有せしめ
る社の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例
えば、含有せしめるｌ−領域の層厚が、第一の層の層厚
の主となるような場合には、含有せしめる量は通常３Ｑ
ａｔｏａｘｉｅ％以下、好普しくは２０　ａｔｏｍｉｃ
％以下、最適にはＩＱ　ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。

次に、本発明の第一の層に含有せしめる酸素原子、炭素
原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の皺
が、支持体側においては比較的多源であり、支持体側の
端部から第二の層側の端部に向かって減少し、第一の層
の第二の層側の端部付近においては、比較的少量となる
か、あるいは実質的にゼロに近くなるように分布せしめ
る場合の典型的な例のいくつかを、第２０図乃至第２８
図によって説明する。しかし、本発明はこれらの例によ
って限定されるものではない。以下、炭素原子、酸素原
子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，Ｃ，Ｎ
）Ｊと表記する。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原子（０，Ｃ，
Ｎ）の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の暦の層厚を示し、ｔ
ｎは支持体と第一の膚との界面位置を、ｔＴは第一の層
の第二の層との界面の位置を示す。

第２０図は、第一の〕中【含有せしめる原子（０，Ｃ，
Ｎ）の層厚方向の分布状態の第一の典型例金示してｈる
。該例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有するＡ−の贋と
支持体との界面位：＆ｔｓよす位置ｔ、までは、原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布４１度ＣがＣ１なる一定値をと９、
位置ｔ、より第二の層との界面位１ａｔｒまでは原子（
０、Ｃ’　、　Ｎ）の分布濃度Ｃがｔａ濃度２から連続
的に減少し、位置ｔｒにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度がＣ３となる。

第２１図に示す他の典型例の１つでは、第一の贋に含有
せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位１ｉｔ
Ｂから位１Ｗｊｔにいたるまで、濃度Ｃ４から連続的に
減少し、位置ｔ７において濃（ｆ、ｃ、となる。

第２２図に示す例では、位置ｌＩ］から位置ｔ２までは
原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値
を保ち、位置ｔ、から位置ｔｙにいたるまでは、原子（
０、Ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度０丁から徐々く連続的
に減少して位置ｔ↑においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２３図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔ１よシ位置ｔｒＫいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位置１Ｔにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２４図に示す例では、原子（Ｏｔ　Ｃｐ　Ｎ）の分布
濃度Ｃは、位置１Ｂよシ位置ｔ、の間においては濃度Ｃ
９の一定値にあシ、位置ｔ、から位置１丁の間において
は、濃度Ｃ，から濃度ＣＩＯとなるまで、−次間数的に
減少する。

第２５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置【１よす位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ１１
の一定値にあシ、位置ｔ４よシ位置ｔＴＫｌｎたるまで
は濃度Ｃ１２から濃度ＣＩ３となるまで一次関数的【減
少する。

第２６図に示す例においては、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは、位置１Ｂから位置ＩＴにいたるまで、濃度
ＣＩ４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少す
る。

第２７図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ、にいたるまで゛濃度Ｃ１５
から濃度Ｃｔａとなるまで一次関数的に減少し、位置ｔ
、から位置ｔｉまでは濃度（１８）の一定値を保つ。

最後に、第２８図に示す例では、原子（Ｏｐ　ＣｔＮ）
の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１゜であシ、
位置ｔＢから位置１．までは、濃度ｃｓ’ｒからはじめ
はゆっくシ減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、
位１ｔｅａでは濃度Ｃｔａとなる。

次に、位置ｔ６から位置ＩＴまでははじめのうちは急激
に減少し、その後は緩かに徐々に減少し、位置ｔ、にお
いては濃度Ｃ□となる。更に位置ｔ。

と位置ｔ８の間では極めてゆっくシと徐々に減少し、位
Ｒｔｇにおいて濃度Ｃ！ｏとなる。また更に、位Ｍ’ｓ
から位置ｔＴにいたるまでは濃度ＣｔＯから実質的てゼ
ロとなるまで徐々に減少する。

第２０図〜第２８図に示した例のごとく、第一の層の支
持体側の端部に原子（ｏ　、　ｃ　、　Ｎ）　　の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、第一の膚の第二の層側の端部
においては、該分布濃度Ｃがかなり低い部分を有するか
、あるいは実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合
にあっては、第一の層の支持体側の端部に原子（ｏ、ｅ
、Ｎ　）の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設
けること、好ましくは該局在領域を支持体表面と第一の
層との界面位置ｔＢから５μ以内に設けることにより、
支持体と第一の層との＠信性の向上をよシー魔効率的に
達成することができる。

前記局在領域は、原子（ＯｊＣ＃Ｎ）を含有せしめる第
一の層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても
、あるｈは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される第一の層に要求される特性に従って適宜状める
。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ９Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５００　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８００ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、最適には１０００　ａ’ｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて第一
の層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第１族に属する原子（以下単に「第１
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝樽性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第■族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第１族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａｌ　（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム
）、Ｉｎ　（インジウム）、ＴＪ　（タリウム）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ　、　Ｇ
ａである。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、Ａｓ（
ｌｉｆｔ、素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビス７
ン）等を挙げることができるが、特に好ましいものは、
Ｐ、Ｓｂである。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第１族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なシ、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、第一の七の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容部の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第１族原子又は第Ｖ族原
子の含有鼠は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
−”　〜Ｉ　Ｘ　１０″ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、好
ましくは５×１０−！〜５×１０２１０２ａｔｏ　ｐｐ
ｍ５＠適にはＩＸ　１０−１〜２　Ｘ　１０”ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍである。

また、支持体と接する一部のＮ領域に第夏族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第１族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうし九第１族原子又は＃ｃＶ族原
子を含有する構成層あるいは２ｇＩ族原子を高濃度に含
有する層領域は、電荷注入阻止層として機能するところ
となる。

即ち、第厘族原子を含有せしめた場合には、光受容層の
自由表面が■極性の帯電処理を受けた際に、支持体側か
ら光受容層中へ注入される電子の移動をよシ効率的に阻
止することができ、又、第Ｖ族原子を含有せしめた場合
には、光受容層の自由表面が○極性に帯電処理を受けた
際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移Ｉ
ＪＪをより効率的に阻止することができる。

そして、こうした場合の含有近は比較的多量であって、
具体的には、３０〜５　Ｘ　ＩＱ’　ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０　’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ。

最適にはＩ　Ｘ　１０”〜５　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとする。

さらに、該電荷注入阻止層としての効果を効率的に奏す
るためには、第１Ｆｊｃ原子を含有する支持体側の端部
に設けられる層又は層領域の層厚を電とし、光受容層の
ＮＪ！ｉｌをＴとした場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関係が成
立することが望−ましく、より好ましくは該関係式の値
が０．３５以下、最適には０．３以下となるようにする
のが望ましい。

また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的【は３　Ｘ　
１０−”〜工０μとするが、好ましくは４Ｘ１０−１〜
８μ、最適には５　Ｘ　１０−’〜５μとするのが望ま
しい。

第一の層に含有せしめる第［Ｓ原子又は第Ｖ族原子の輩
が、支持体側においては比較的多量であって、支持体側
から第二の層側に向って減少し、第二の層側の端面付近
においては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロ
に近くなるように第厘涙原子又は第Ｖ族原子を分布させ
る場合の典型的な例は、前述の鴫−の層に酸素原子、炭
：ＪＲ原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれか１
つを含有せしめる場合に例示した第２０図乃至第２８図
のと同様な例によって説明することができるが、本発明
はこれらの例にょって限定されるものではない。

そして、第２０図〜第２８図に示した例のごとく、第一
の層の支持体側に近い側に第１族原子又は第Ｖ族原子の
分布濃度Ｃの高い部分を傅し、第二の層の第二の層に近
す側においては、該分布ａ度Ｃがかなシ低い濃度の部分
あるいは実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合に
あっては、支持体側に近い部分に第［族原子又は第Ｖ族
原子の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設ける
こと、好ましくは該局在領域を支持体表面と接触する界
面位置から５μ以内に設けることにより、第１族原子又
はＪＶ族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷注
入阻止層を形成するという前述の作用効果がより一層効
果的に奏される。

以上、第１族原子又は第Ｖ展原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を封する光受容部材を得るについては、これ
らの第１族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および第一の
層に含有せしめる第１康原子又は第Ｖ族原子の壇を、必
要に応じて適宜組み合わせてｍ−るものであることは、
いうまでもない。例えば、肩−の層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の第
一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめ良伝導性を制
御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質
を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制
御する物質を、電荷注入阻止層に含Ｈされる世よりも一
段と少なか＠にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材におｈては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わシに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料とＬ４Ｕ、Ａｄ２０３．５ｉ０２　、８ｉ３Ｎ、等
）無機１気絶縁材料やポリカーボネート等の有機戒気絶
縁材料全挙げることができる。

次に本発明における第一の層の形成方法について説明す
る。

本発明における第一の層′ｆｃ構成する非晶質材料はい
ｆｆ’Ｌもグロー放電法、スパッタリング法、或いはイ
オンブレーティング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によって行われる。これ等の製造法は、製造条件、設
備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光受容部
材に所望される特性叫の要因によって適宜選択されて採
用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造する
に当っての条件の制御が比較的容易であシ、シリコン原
子と共に炭素原子及び水素原子の導入を容易に行い得る
等のことからして、グロー放電法或すはスパッタリング
法が好適である。そして、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ　−５ｊＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第一の＃全形成するには、シリコン原子（８ｉ）
全供給しうる８１供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原
子（Ｇｅ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素
原子（［Ｉ）又は／及びハロゲノ原子（Ｘ）を供給しう
る水素原子（ＩＱ又は／及びハロゲノ原子（Ｘ）供給用
の原料ガスを、内部を減圧にしうる堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せし
めて、予め所定位置に設置しである所定の支持本表面上
に、ａ　−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）で構成される層を形
成する。

前記８ｉ供給用の原料ガスとなりうる物質としては、８
１Ｈ４，８Ａ１Ｈ４，１ｌＨ３Ｈ６、５ｉ４Ｈ，。等の
ガス状態の又はガス化しりろ水素化硅素（シラン類）が
挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、ｓｉ供給
効率の良さ等の点から、８ｉＨ。

およびＳｔ、Ｈ，が好ましい。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなシうる物質として
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ，＊Ｇｅ４Ｈ１０
。

Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇａ４　Ｈ，、、Ｇｏ、ＨＩ６　、　”
ａＨ１８＋　”９ＨｔＯ等のガス状態又はガス化しりる
水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に、層作
成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点から
、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６およびＧｅ３Ｈ，が好ましい。

更に、前記ハロゲノ原子供給用の原料ガスとなシうる物
質としては、多くのハロゲン化合物があり、例えばハロ
ゲノガス、ハロゲン化物、へロダン間化合物、ハロゲノ
で置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し
うるハロゲン化合物を用いることができる。具体的には
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲノガス、ＢｒＦ
　、　ＣＩＦ　、　Ｃ６Ｆ３　、　ＢｒＦ６　、　Ｂｒ
Ｆ＠　、　ＩＦ３　、　ＩＦ７　。

ＩＣｄ　、　ＩＢｒ等ノ八（へＴ　’Ｉ’　７間化合物
、およびＳｉＦ、。

８１！Ｆｌｌ　、　５ｉＣＪ４　、５ｉＢｒ、等（Ｄ　
八ａ　ｙ　／化硅素等が好ましいものとして挙げられる
。

上述のごときへ口ｒ／原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法によシ形成する場合には、８１原子供給用原料ガス
としての水＊化硅素ガスを使用することなく、所定の支
持体上にへロダ／原子を含有するａ−８３で構成される
層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて第一の層を形成する場合には、基
本的（は、Ｓｉ供給用の原料ガスとなるハロゲノ化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ダルマニウムとＡｒ　
、　ＨＩ　、　Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流
量になるようにして堆積室に導入し、グロー放電を生起
してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
り、支持体上に第一の層を形成するものであるが、電気
的あるいは光電的特性の制御という点で極めて有効であ
るところの水素原子（Ｈ）の含装置の制御を一層容易に
するためには、これ等のガスに更に水素原子供給用の原
料ガスを混合することもできる。該水素原子供給用のガ
スとしては、水素ガスあるいは、８ｉＨ，、８ｊ２Ｈ６
、５ｆ３Ｈ６゜５ｉ４Ｈ，。等の水素化硅素のガスが用
いられる。また、水素原子供給用ガスとして、ＨＦ　、
　ＨＣＩ　。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等（７）　ハＯｊ’　：／化物、８ｔ
Ｈ２Ｆ２　、８ｉＨ２Ｉ２゜５ＩＨ２Ｃ１２、８１ＨＣ
ｅ３　、８ｉｌ（、Ｂｒ、　、　５ｉＨＢｒ、等のへロ
グ／置換水素化硅素等のガス状態のあるいはガス化しう
るものを用いた場合には、へロダ／原子（Ｘ）の導入と
同時に水素原子（Ｈ）も導入されるので、有効である。

スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第一の層を形成するには、シリコンから成るタ
ーゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚
を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲ
ットを用匹、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて第一の層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又Ｆｉ　Ｑ’　？ｓ　
Ｍｉシリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニ
ウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容し、この蒸
発源を抵抗加熱法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、
Ｂ、法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望の
ガスプラズマ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る
。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にへログン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロダン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＩＮ。

あるいは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲル
マニウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導
入してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよ
い。ざらにノ）ロダン原子供給用の原料ガスとしては、
前記のハロゲン化物或いはハロゲンを含む砒素化合物が
有効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ。

ＨＣｌ、　ＨＢｒ　、　ＨＩ等のへＣ７ゲン化水素、５
ｉｌ（２に’２゜５ｉＨＩ１１　、８ｉＨ２Ｃｈ　、　
５ｉｎ（Ｊ３　、８ｉＨ！Ｂｒ、　。

８　ｉ　ＨＢ　ｒ　３等のハロゲンｄ換水素化硅素、お
よびＧｅＨＦ、　、　ＧｅＨ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ　
、　ＧｅＨＣ７１！３　ＨＧｅＨｚｃ４＊ＧｅＨＨＣｅ
　、　ＧｃＨＢｒ、　、　ＧｅＨＩＢｒ２　、　Ｇｅ１
（、Ｂｒ　、　ＧｅＨＩ、　。

Ｇｅ１ｌｌ　Ｉ　２　、　ＧｅＨＢ　Ｉ等の水素化へロ
グン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４　、　ＧｅＣ：ｌ、　
、　ＧｅＢｒ、　、　ＧｅＸ４　。

ＧｅＦ２　、　ＧｅＣ１ｚ　、　ＧｅＢｒ２　、　Ｇｅ
Ｉ２等のハＩ］グン化ゲルマニウム等々のガス状態の又
はガス化しうる物質も有効な出発物質として使用できる
。

本発明の好ましい例において、形成される第一の層中Ｃ
Ｃ含有される水素原子（Ｈ）のｆよ又はノ）ログン原子
（Ｘ）のｔ又は水素原子とノ）ロダン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ　）は、好ましくは０．０１〜４０ａｔｏｍｉｃ％
、よシ好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適
には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望まし
い。

グロー孜電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含−ｉするアモルファ
スシリコン（以下、ｒａ−８ｉＳｎ　（Ｈ、Ｘ　）Ｊと
表記する。）で構成される第一の１脅を形成するには、
上述のａ　−８ｉＧｅ　（Ｈ。

Ｘ）で構成される層の形成の際に、ゲルマニウム原子供
給用の出発物質を、スズ原子（Ｓｎ　）供給用の出発物
質にかえて使用し、形成する層中へのその産金制御しな
がら含有せしめることによって行なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなシうる物質
としては、水素化スズ（５ｎＨ４）や８　ｎＰ！　。

５ｎＦ４　　、　５ｎ（Ｊｉｙ　　、　　８ｎＣ＃、　
　、　　ＳｎＢｒ２　、　５ｒＢｒ４　。

８ｎ５　、８ｎＩ４　等のへログン化スズ等のガス状態
の又はガス化しうるものを用いること力よでき、へログ
ン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にへロダン
原子を含有するａ　−Ｓ　ｉで構成される層を形成する
ことができるので、特に有効である。なかでも層作成作
業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点から、８
ｎＣＪ、が好ましい。

そして、８ｎＣムをスズ原子（８ｎ）供給用の出発物質
として用いる場合、これをガス化するには、固体状の８
ｎＣ７ｌ、を加熱するとともに、Ａｒ。

Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いて
バブリングするのが望ましく、こうして生成したガスを
、内部を減圧【した堆積室内に所望のガス圧状態で導入
する。

グロー放１法を用いて、酸素原子、炭素原子、又は窒素
原子を含有するａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）、ａ−８
ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）父はａ　−５ＩＧｅ８ｎ（Ｈ、Ｘ　）
で構成される層又は一部の層領域を形成するには、上述
のａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ　−Ｓｉｇ
ｎ（Ｈ、Ｘ）で構成される層の形成の際に、原子（０，
Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質をａ　−８ｉＧｅ（Ｈ。

Ｘ）又は／及びａ　−８４８ｎ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発
物質とともに使用して、形成する層中へのそれらの１１
を制御しながら含有せしめることによって行なう。

そのような原子（０，Ｃ，Ｎ　）導入用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構ｇ原子とする
ガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどの
ものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０り、オゾン（０３）、−酸化窒素（ＮＯ
）、二酸化窒素（Ｎｏり、−二酸化窒素（ＮＺＯ）、三
二酸化窒素（Ｎ２０り、四二酸化窒素（Ｎ、Ｏ，）、三
二酸化窒素（Ｎ２０う）、三酸化窒素（ＮＯり、シリコ
ン原子（８１）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｂ３５ｉＯ８
ｉＨ３）　、トリシロキサン（Ｂ３　Ｓ　＋０８１Ｈ２
Ｏ８＋Ｈ，）等の低級シロキサン等が挙げられ、炭素原
子（Ｃ）導入用の出発物質とじては、例えば、メタン（
ＣＨ４）、エタン（ＣｔＨｓ）、プロパｙ（ａｓＨｓ）
、ｎ−ブタｙ　（ｎ　−Ｃ４Ｈ１Ｇ　）、ペンタン（Ｃ
ｓＨｎ）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（
ＣすＨ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ
４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（Ｃ
ｔＨｓ　）、ペンテン（ＣｓＨｍｏ）等の炭素数２〜５
のエチレン系炭化水素、アセチレン（ＣｔＨｓ）、メチ
ルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（ＣＡＨ＃　）　等
の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられ、
窒素原子（Ｎ）導入用の出発物質としては、例えば、窒
素（Ｎり　、アンモニアＣＮＨ３）、ヒドラジ（Ｈ，Ｎ
ＮＨす、アジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（
ＮＨ４Ｎ３　）、三弗化窒素（ＦｓＮ）、四弗化窒素（
Ｆ４Ｎ）等が挙げられる。

また、スパッタリング法を用いて原子（Ｏ，Ｃ。

Ｎ）を含有するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）、ａ　−Ｓｉｇ
ｎ（Ｈ，Ｘ）またはａ　−８ｉＧｅ８ｎ（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成する場合には、原子（０，ｃ、Ｎ）導
入用の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した
前記のガス化可能々出発物質の外に、固体化出発物質と
して、８ｆＯ，、８ｉ、Ｎ４、カーボンブラック等を挙
げることか出来る。これ等は、Ｓｉ等のターグットとし
ての形で使用することができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用すて、第１族原子又は第Ｖ族原子を含有
するａ　−５ＩＧｓ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ　−５ｉＳ
ｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は一部の層領域を形成す
るには、上述のａ　−８１Ｇｅ（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ
−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、第
１族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、ａ　−５
（Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ−８ｉ８ｎ（Ｈ，Ｘ）
形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中への
それらの量を制御しながら含有せしめることによって行
なう。

第１族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用として＃′１ＮＢｔ　Ｈ６１Ｂ４ＨＩ　Ｏ・Ｂ、
Ｈ，、ＢツＨＩＩ　ｅ　Ｂ６Ｈ１゜、　Ｂ、）（、！、
　Ｂ、）Ｉ、、等の水素化硼素、ＢＦｓ　＋　ＢＣ！１
３　、　ＢＢｒ、等のへ〇グン化硼素等が挙げられる。

この他、Ａｒｃら、　ＧａＣ島。

Ｇａ　（ＣＨ３）２、ＩｎＣ１１、ＴｌＣｌ５等も挙げ
ることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ，、Ｐ、Ｈ，等の水素化燐、ＰＨ４
１、ＰＦ３　、　ＰＦ５　、　ＰＣｌ５　＋　ＰＣｌ５
　＊　ＰＢ’Ｓ　ｅＰＢｒｌ　、　ＲＩ３等のへログン
化燐が挙げられる。この他、＾ｓＨ３、＾ｓＦ、　、　
ＡｓＣ１ｊ、　Ａ農Ｂｒ３　、＾”９Ｍ＋８ｂＨ，、８
ｂＦ、　　、　　　８ｂＦ、　　、　　　８ｂＣＪ、　
　、　　　８ｂＣ１，、Ｂ五ＨＩ　　　ｐＢｉＣＪｇ　
、　Ｂ１Ｂｒ１　　等も′７ａｖ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の第一の層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第厘族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原そ又は／及びへロ
グン原子の各々の含有遣の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流源あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流１比を制御することによ
り行われる。

また、第一の層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電パワー等の条件は、所望の特性を有する光受容部
材を得るためには重要な要因であり、形成する層の機能
に考慮をはらって適宜選択されるものである。さら（、
これらの層形成条件は、第一の層に含有せしめる上記の
各原子の種類及び量によっても異なることもあることか
ら、含有せしめる原子の種類ある匹はその証等にも考慮
をはらって決定する必要もある。

具体的には第一の鳩を形成する場合、支持体温度は、通
常５０〜３５０℃とするが、よシ好ましくは５０〜３０
０℃、特に好ましくは１００〜３００℃とする。そして
、堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒと
するが、好ましくは０．００１〜３Ｔｏｒｒとし、特に
好ましくは０．１〜ｌ　Ｔｏｒｒとする。

また、放電パワーは０．００５〜５０Ｗ／ｃｉとするの
が通常であるが、好ましくは０．０１〜３０Ｗ／−とし
、特に好ましくは０．０１〜２０　Ｗ／ｃｙｌとする。

しかし、これらの、層形成を行う【ついての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め雅いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料Ｎを形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、シアートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面？
有するように形成されて−ることか必要であシ、そのた
めに支持体上に形成される層の表面が支持体表面に対し
非平行となるように形成されるわけであるが、そのよう
にするについては、成膜操作中、放電パワー、ガス圧を
比較的高く保つことによって行われる。

そしてそれらの放電パワー、ガス圧は、使用ガスの種類
、支持体の材質、支持本表面の形状、支持体温度等によ
つて異シ、これらの種々の条件を考慮して決定される。

ところで、本発明の第一の膚に含９せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ　）、第
１族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子又は／及び
ハロゲン原子の分布状態を均一とするためには、第一の
層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保つこと
が必要である。

また、本発明において、第一の層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（
０，Ｃ，Ｎ　）あるいは第１族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
！！を有する光受容層を形成するには、グロー放１ｉ！
法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子又は／及び
スズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ）、あるいは第１族原子又
は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入
する際のガス流量を、所望のｚ化率に従って適宜変化さ
せ、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして、
ガス流量を変化させるには、具体的には、例えば手動あ
るいは外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの
方法によシ、ガス流路系の途中に設けられた所定のニー
ドルバルブの開口ｔｉ斬次変化させる操作を行えばよい
。このとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例
えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率
曲線に従って流量を？１ｌｉｌＪ御し、所望の含有率曲
線を辱ることもできる。

また、第一の層をスパッタリング法を用Ａで形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスーＸ：原子、原子（ｏ、ｅ
、Ｎ　）、あるいは第１袂原子又ｔよ渠Ｖ族原子の層厚
方向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向
の分布状態層形成するには、グロー放電法を用いた場合
と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（（Ｊ
　Ｉ　ＣＩ　Ｎ　）あるいは第１康原子又は第Ｖ族原子
導入用の出発′吻質をガス状態で使用し、該ガスを堆墳
室内へ導入する際のガスσＩｔ−を所望の変化率に従っ
て変化させる。

第二〇盾 本発明の光受容部材の第二のＮ１１０３は、上述の第一
の層１０２上に設けられ、自由表面１０４を存する層、
すなわち表面層であって、光受容層の自由表面１０４で
の反射をへらし、透過率を増加させる機能、即ち、反射
防止機能を奏するとともに、光受容部材の耐湿性、連続
繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境性および耐久
性等の緒特性を向上せしめる機能を奏するものでちる。

そして、第二の層の形成材料は、それをもってして構成
される層が優れた反射防止機能を奏するとともに、前述
の緒特性を向上せしめる機能上奏するという条件の他に
、光受容部材の光導電性に悪影響を与えないこと、電子
写真特性、例えばある程度以上の抵抗を有すること、液
体現像法を採用する場合には耐溶剤性にすぐれているこ
と、既に形成されている第一の層の緒特性を低下させな
いこと等の条件が要求されるものであって、こうした諸
条件を満たし、有効に使用しうるものとしては、例えば
、ＭｇＦ２　ｔ　Ａ６２０３　＊ＺｒＯ２、Ｔ　’０２
　＃　ｚｎｓ　）　ＣｅＯ２ＨＣｅＦ３．　Ｔａ２０５
　、　ＡＩＦＢ　。

ＮａＰ等の無機弗化物、無機酸化物及び無機硫化物の中
から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。

また、反射防止を効率的に達成するには、第二の層の形
成材料として、第二の層の形成材料の屈折率をｎとし、
第二の層が直接積層される第一の層の構成層の屈折率を
ｎ、とじた場合、次式： の条件を満たす材料を選択使用することが望ましい０ 以下、前述の無機弗化物、無機酸化物及び無機硫化物、
あるいはそれらの混合物の屈折率の例のいくつかを挙げ
るが、これらの屈折率については、作成する層の種類、
条件等により多少変動するものであることはいうまでも
ない。なお、かっこ書きの数字が屈折率を表わしている
。

Ｚｒ０２（２，００）　、　ＴｉＯ２（２，２６）　、
　Ｚｒ０１／Ｔｉ０１−６／　１　（２，０９）　、　
ＴｉＯ２／　Ｚｒ０２−３／１　（２，２０）　、　Ｇ
ｅ０１（２，２３）　、　Ｚｎ８　（２，２４）　、　
ＡＪｚＯｓ　（１，６３）　、　ＣｅＦ。

（１−６０）　＝　ＡｅｔＯｓ／　ｚｒＯｔ−ｍａ１／
　１　（１，６８）　１ＭｇＦｔ（１，３８） また、更に第二の層の淳さは、第二の層の厚さをｄ、第
二の層全構成する材料の屈折率をｎ１照射元の波長をλ
とした場合、次式： ｄ　−ｍ　、　、　ｚ　（但し、ｍは正の奇数）の条件
を満たすようにすることが望ましい。具体的には、露光
光の波長が近旗外から可視光の波長域ＩＣある場合、第
二の層の層厚は、０．０５〜２μｍとするのが好ましい
。

Ｍ第二の層を形成するについては、本発明の目的を効率
的に達成するために、そのＭ厚を光学的レベルでｍｊ’
ｄ４Ｊする必要があることから、蒸着法、スパッタリン
グ法、プラズマ気相法、光ＣＶＤ法、ｌ＃５ＣｖＤ法等
が使用される。これらの形成方法は、表面層の形成材料
の種類、製造条件、゛設備資本投下の負荷程度、表造規
摸等の要因を考慮して適宜選択されて使用されることは
いうまでもない。

ところで、操作の容易さ、条件設定の容易さ等の観点か
らして、表面１を形成するについて、前述の無機化合物
が使用される場合スパッタリング法を採用するのがよい
。即ち、表面層形成用の無機化合物をターゲットとして
用い、スパッタリングガスとしてはＡｒガスｔ−用い、
グロー放電を生起せしめて、無機化合物をスパッタリン
グすることによシ、第一の層が形成された支持体上に、
第二の層を堆積する。

本発明の光受容部材は前記のごときｆｆＩｋ構成とし九
ことによシ、前記したアモルファスシリコンで構成され
た光受容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決で
き、特に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源と
して用いた場合にも、干渉現象による形成画像における
干渉縞模様の現出１ｆＩ：Ｓ著に防止し、きわめて良質
な可視画像を形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全町視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性？示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合（は
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高８ＮＪｔ、を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１５に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、第一の層をグロー放電法を用いて
形成し、第二の層はスパッタリング法全用いて形成した
。第２９図は本発明の光受容部材の製造装置である。

図中の２９０２　、２９０３　、２９０４　、２９０５
　、２９０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形
成するための原料ガスが密封されておシ、その１例とし
て、たとえば、２９０２はＳｉＦ、ガス（Ｍ度９９．９
９９％）ボンベ、２９０３はＨ，で稀釈され九Ｂ、Ｈ６
ガス（純度９９．９９９％、以上Ｂ、　Ｈ，／Ｈ，と略
す。）ボンベ、２９０４はＣ）（、ガス（純度９９．９
９９Ｘ）ボンへ、２９０５はＧｅＦ　４ガス（純度９９
．９９９％）ボンベ、２９Ｏ６は不活性ガス（Ｈｅ）ボ
ンベである。

そして、２９０６’は８ｎＣ１＋が入っ九密閉容器であ
る。

これらのガスを反応室２９０１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６のバルブ２９２２〜２９２６％
リークバルブ２９３５が閉じられていることを確認し又
、流入パルプ２９１２〜２９１６、ｄ出パルプ２９１７
〜２９２１　、補助パルプ２９３２　、２９３３が開か
れていることを確認して、先ずメインパルプ２９３４を
開いて反応室２９０１、ガス配管内を排気する。次に真
空Ａ／シリンダー２９３７上ｉ１ｔ＋第一の層及び第二
の層を形成する場合の１例を以下に記載する〇 まず、ガスボンベ２９０２よｐ　８ｉ？４ガス、ガスボ
ンベ２９０３よシＢ！ｌ（、／Ｈ，ガス、ガスボンベ２
９０４より　ＣＨ４ガス、ガスボンベ２９０５よｐ　Ｇ
ｅＦ４ガスの夫々をパルプ２９２２　、２９２３　、２
９２４　。

２９２５を開いて出口圧ゲージ２９２７　、２９２８　
。

２９２９　、２９３０　＋７）圧をＩ　Ｋｙ７ｃａ１７
ｃｍ整’シ、流入パルプ２９１２．２９１３　、２９１
４　、２９１５を徐々に開けて、マスクロコントローラ
２９０７　、２９０８．２９０９゜２９１０内に流入さ
れる。引き続いて流出バルブ２９１７　、２９１８　、
２９１９　、２９２０　、補助バルブ２９３２を徐々に
開いてガスを反応室２９０１内に流入される。このとき
の８ｉＦ４ガス流ｆｉｌ、ＧｅＦ、ガス流孟、ＣＨ，ガ
ス流量、Ｂ！Ｈ６７Ｈｔガス流量の比が所望の値になる
ように流出バルブ２９１７　、２９１８　、２９１９゜
２９２０を調整し、又、反応室２９０１内の圧力が所望
の値になるように貞空計２９３６の読みを見ながらメイ
ンパルプ２９３４の開口を調整する。そして基体シリン
ダー２９３７の温度が加熱ヒーター　２９３８によシ５
０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認
された後、電源２９４０　ｋ所望の電力に設定して反応
Ｎ　２９０１内（グロー放電を生起せしめるとともに、
マイクロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あらか
じめ設計され九流欲変化率線に従、て、ＳｉＦ４ガス、
Ｇｅｍ。

ガス、ＣＨ，ガス校びＢ、Ｈ，／）（、ガスのガス流ｔ
ｔ−制御しながら、基体シリンダー２９３７上に先ず、
シリコン原子、ゲルマニウム原子、炭素原子及びａ素原
子を含有する第一の層を形成する。

また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣｊ？４　ｔ”出発物質とした
ガスを用いる場合には、２９０６′に入れられた固体状
８ｎＣ１ｌ、　ｔ−加熱手段（図示せず）を用いて加熱
するとともに、級５ｎＣ１４中にＡｒ、Ｈｅ等の不活性
ガスボンベ２９０６よりＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス
を吹き込み、バブリングする。発主した８ｎＣ１ｌのガ
スは、前述のＳｉＦ、ガス、Ｇｅｍ’、ガス、ＣＨ，ガ
ス、ＢｔＨ６／Ｈｔガス等と同様の手順により反応室内
に流入させる。

前述のようにして第一の層をグロー放電法により形成し
た後、第一の層を形成するのに用いた各原料ガス及び稀
釈ガスのバルブを閉じたのち、リークパッシブ２９３５
を徐々に開いて堆積装置内を大気圧に戻し、次にアルゴ
ンガスを用いて堆積室内を清掃する。

次にカソード電、極（図示せず）上に、第二の１形成用
の無機化合物からなるターデッドを一面に張り、リーク
バルブ２９３５を閉じて堆積装置内を減圧した後、アル
ゴンガスを堆積装置四が０．０１５〜０．０２　Ｔｏｒ
ｒ程度になるまで導入する。

こうしたところに高周波電力（１５０〜１７０Ｗ程度）
でグロー放電を生起せしめ、無機化合物をスパッタリン
グして、すでに形成されている第一の層上に第二の層を
堆積する。

実施例１ 支持体として、シリンダー状Ａｌ基体（長さ３５７１１
１１１％径８０ｍ５）に旋盤で第３０（Ａ）図に示すよ
うな溝を形成した。このときの溝の形の断面形状は１Ｗ
３０ｆＢ）図に示すとおりであった。なお、第３０ｆＡ
）図は該Ａ７支持体の全体図であり、第３０　ｆＢ）図
は、その表面の一部分の断面形状を示す図である。

次に、該ＡＪ支持体上に、第２９図に示した製造装置に
よシ、第一の膚を以下の第１Ａ表に示す条件で、第二の
層を以下の第１Ｂ表に示す条件で形成した。なお、第一
の層形成時におけるＳ　ｉＰ、ガスおよびＧｅＦ、ガス
のガス流量は、第３２図に示す流’ｄｆ化線に従って、
マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調整した
。

こうしてイ０られた光受容部材の各々について、それら
の光受容層を電子顕微鏡で測定したとζろ、いずれも第
１図に示す様に第二の層の表面と、支持体の表面とは非
平行となっていた。ま九、ＡＪ支持体の中央と両端とで
光受容層の層厚の差は平均２μｍ”’（あった。

さらに、これらの光受容部材について、第３１図に示す
１ｉｌｊｆ２　露光装置を用い、妓長７３Ｑａｍ。

スポット径８０μｍのレーザー光を照射して画像露光を
行ない、それらを現像、転写して画像を得た。得られた
画像には干渉縞の発生ｉｔ観察されず、良好な電子写真
特性を有するものであり九。

なお、第３１（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であシ、第３１　（Ｂ１図は露光装置の全体を
模式的に示す側面略図である。図中、３１０１は光受容
部材、３１０２は半導体レーザー、３１０３　ｕ　ｆθ
レンズ、３１０４はポリゴンミラーを示している。

実施例２ 実施例１で用い九人ｊ支持体上に、第２表に示す層形成
条件により第一の層を形成しな。なお、第一の増巾に含
有せしめる硼素原子は、Ｂ、Ｈ，／８ｉＦ４＋ＧｅＦ、
＃　１００　ｐｐｍであって、核層の全層について約２
００　ｐｐｍドーピングされているようＫなるべく導入
した。第一の層形成後、第二層を、実施例１と同様に第
１Ｂ表に示す条件で形成した。

こうして得られた光受容部材の各々につ＾て、それらの
微小部分内の光受容層の層厚の差を、電子顕４ＩＣ鏡で
測定したところ、光受容層の表面は支持体表面に対して
非平行となっており、また光受容層のシリンダー中央と
両端の平均層厚の差は２．３μｍで６つ九〇 さらに、これらの光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、各々の画像において、干
渉縞の発生は見られず、実用性の良好な電子写真特性を
示すものが得られた。

実施例３ 実施例１と同様にして、第３０（Ｏ〜（困に示す断面形
状を有するＡｌ支持体（シリンダーｆｆ１３０１〜３０
３）を得た。

該Ａｌ支持体（シリンダー箋３０１〜３０３）上に、４
３８表に示す層形成条件で、第一の層を形成した。なお
、第一の層形成時におけるＢ２Ｈ６／Ｈｔガス及びＨｚ
ガスのガス流量は第３３図に示す流量変化曲線に従って
マイクロコンピュータ−制御により自動的に調整した。

また、第一の層中に含有せしめる硼素原子は実施例２と
同様の条件で導入した。第一の層形成後、第二の層の虜
成材料としてＺｒＯ２を用い、スパッタリング法によシ
、嬉−の層上に１−厚０．２９３μｍの第二の層を形成
した。

こうして得られた光受容部材の各々について、微小部分
内の光受容層の層厚の差を、実施例１と同様にして測定
したところ、光・受容層の表面は支持体の表面に付して
非平行となっていた。

また、光受容層のシリンダー中央と両端の平均層厚の差
は２．２μｍであった。

これらの光受容部材（（ついて、実施例１と同様にして
画像を形成したところ、各々の得られた画像において、
干渉縞の発生は観察されず、実用性の良好な１子写真特
性を示すものが得られた。

実施例４〜１５ 実施例３で用いたＡｌ支持体（シリンダー東３０１〜３
０３）上に、第４〜１５表に示す層形成条件に従って第
一の層を形成した。なお、実施例４，７〜１０、および
１２〜１５の第一の層形成時における使用ガスのガス流
量は、各々、第３４　、３５　、３３　、３６〜４１図
に示すガス流は変（１１に従って、マイクロコンピュー
タ−制御により、自動的に調整した。また、第一の層に
含有せしめる硼素原子は、実施例２と同じ条件で導入し
た。各実施例において、第一の層形成後、下記の第１６
表に示すごとき第二の層を、スパッタリング法により、
第一の層上に形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった０ 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

第７表 Ａｌ基板温度：２５０℃ 放電周波数：　１３．５６ＭＨｚ 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた′電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境性・性を示す
。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させ念場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その′電気
的特性が安定しておシ高感度で、高８Ｎ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、／Ｎ　−７）−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い
高品質の画像を安定して繰返し得ることかできる０

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を模式的に示し
た図であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡
大図であや、第２図は、自由表面と第一の層と第二の層
の界面とが非平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろこ
とを示す図、第３図は、支持体上に設けられる構成層各
層の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光
強度を比較する図、第４図は、第一の層を構成する層が
二以上の多層である場合における干渉縞の発生の防止を
説明する図である。第５図は、本発明の光受容部材の支
持体の表面形状の典型例を示す図である。第６乃至１０
図は、従来の光受容部材における干渉縞の発生を説明す
る図であって、第６図は、光受容層における干渉縞の発
生、第７図は、条理構成の光受容層における干渉縞の発
生、第８図は、散乱光による干渉縞の発生、第９図は、
多層構成の光受容層における散乱光による干渉縞の発生
、第１０図は、光受容層の構成層各層の界面が平行であ
る場合の干渉縞の発生を各々示している。第１１〜１９
図は、本発明の第一の層中におけるゲルマニウム原子又
はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす図であシ、＄
２０〜２８図は、本発明の第一の層中における酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一部
、および第厘族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布状
態を表わす図であり、各図において、縦軸は第一の層の
Ｎ厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。 第２９図は、本発明の光受容部材の第一の層及び第二の
層を製造するための装置の例で、グロー放電法による製
造装置菫の模式的説明図である。第３０（Ａ）図は、旋
盤による機械的加工によ層形成された、本発明の光受容
部材の支持体の全体図であ夛、第３０（Ｂ）〜（Ｅ１図
は、該支持体の表酊の一部分の断面形状を示す図である
。第３１図は、レーザー光による画像露光装置を説明す
る図である。第３２乃至４１図は、本発明の第一の層形
成におけるガス流量の変化状態を示す図であり、縦軸は
第一の層の層厚、横軸は使用ガスのガス流１を示してい
る。 第１乃至第４図及び第３１図について、１００・・・光
受容部材　　　１０１・・・支持体１０２　、２０２　
、３０２　、４０２−・・第一の層１０３　、２０３　
、３０３　、４０３・・・第二の層４０２’　、　４０
２’・・・第一の層を構成する層１０４　、２０４　、
３０４中自由表面２０５　、３０５　中温−の層と第二
の層との界面第６乃至１０図について ６０１・・・下部界面　　６０２・・・上部界面７０１
・・・支持体　　　７０２　、７０３・・・光受容層８
０１・・・支持体　８０２・・・光受容層　９０１・・
・支持体９０２・・・第１層　９０３・・・第２層　　
１００１−支持体１００２・・・光受容Ｎ１００３・・
・支持体表面１００４・・・光受容層表面 第２９図において、 ２９０１・・・反応室　　２９０２〜２９０６−　　ガ
スボンベ２９０６’−５ｎｃｉ＋ｆｉ ２９０７〜２９１１・・・マス７０コントローラ２９１
２〜２９１６・・・流入バルブ ２９１７〜２９２１・・・流出バルブ ２９２２〜２９２６・・・バルブ ２９２７〜２９３１・・・圧力調整器 ２９３２　、２９３３・・・補助バルブ２９３４・・・
メインバルブ ２９３５・・・リークバルブ　　２９３６・・・真空計
２９３７・・・基体シリンダー　２９３８・・・加熱ヒ
ーター２す３９・・・モー　ター　　　　　２９４０・
・・高周波五源第３１図において ３１０１・・・光受容部材　　３１０２・・・半導体レ
ーザー３１０３・・・ｆＯレンズ　　３１０４　用ポリ
ゴンミラー図面の浄コ（内容に変更なし） 第１図 く　　　　　　　　　　に） ＾　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　へ０口 第３図 （Ａ）　　　　　（Ｂ） （Ｃ） ■り 位置 位置 位置 第８図 第９図 位置 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図 第１９図 −Ｃ 第２０図 第２１図 第２６図 □Ｃ 第３０図 （ＩＥ） （ノイｍ） 第３０図　　　　（Ｃ１ （ＤＪ （Ｅ） （）ｉ　ｍ　） 第３２図 ＳＣＣＭ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　ＳＣＣＭＳ＋Ｆ（ガス　　　　　　　　　　
　　Ｇ　ｅ　Ｆ４ガス手続　補圧雪（方式） 昭和６１年２月２０日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 ■、事件の表示 昭和６０年特許願第２５２０７９号 ２、発明の名称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ６、補正の対象 明ＭＢ書および図面 ７、補正の内容 願書に巌初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   又はスズ原子の少なくとも一方とを含有する非晶質材料
   で構成された第一の層と、反射防止機能を奏する第二の
   層とからなる光受容層を有する光受容部材であって、前
   記支持体の表面が、主ピークに副ピークが重畳して複数
   の微小な凹凸形状を成している断面形状のものであり、
   且つ、該支持本表面上の前記光受容層が、ショートレン
   ジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し、該非平行な
   界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方向に多数配
   列しているものであることを特徴とする光受容部材。
2. （２）第一の層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
   中から選ばれる少なくとも一種を含有する特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）第一の層が多層構成である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。
5. （５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（４）項に記載の光受容部材。
6. （６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
7. （７）第二の層が、無機弗化物、無機酸化物及び無機硫
   化物の中から選ばれる少なくとも一種で構成されたもの
   である特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
8. （８）第二の層を構成する物質の屈折率をｎ、照射光の
   波長をλとした場合、第二の層の厚さｄが次式： ｄ＝（λ／４ｎ）ｍ（但し、ｍは正の奇数である。）を
   満足する特許請求の範囲第（７）項に記載の光受容部材
   。
9. （９）第二の層を構成する物質の屈折率をｎとし、第二
   の層と接する第一の層を構成する非晶質材料の屈折率を
   ｎ＿ａとした場合、次式： ｎ＝√ｎ＿ａ を満足する特許請求の範囲第（７）項に記載の光受容部
   材。
10. （１０）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の
    範囲第（１）項に記載の光受容部材。
11. （１１）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の
    範囲第（１）項に記載の光受容部材。
12. （１２）ショートレンジが０．３〜５００μである特許
    請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（
    １）項に記載の光受容部材。
14. （１４）前記支持体の表面に設けられた凹凸形状が、螺
    旋構造を有する線状突起部を形成している特許請求の範
    囲第（１３）項に記載の光受容部材。
15. （１５）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の
    範囲第（１４）項に記載の光受容部材。
16. （１６）前記線状突起がその稜線方向に於いて区分され
    ている特許請求の範囲第（１４）項に記載の光受容部材
    。
17. （１７）前記線状突起の稜線方向が円筒状支持体の中心
    軸に沿っている特許請求の範囲（１４）項に記載の光受
    容部材。
18. （１８）前記支持体表面に設けられた凹凸は傾斜面を有
    する特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
19. （１９）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第（１８）項に記載の光受容部材。
20. （２０）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた微小な凹凸と同一のピッチで配列された微小な凹凸
    が形成されている特許請求の範囲第（１）項に記載の光
    受容部材。