JPS6211237A - 有機薄膜結晶の作成方法 - Google Patents
有機薄膜結晶の作成方法Info
- Publication number
- JPS6211237A JPS6211237A JP60149355A JP14935585A JPS6211237A JP S6211237 A JPS6211237 A JP S6211237A JP 60149355 A JP60149355 A JP 60149355A JP 14935585 A JP14935585 A JP 14935585A JP S6211237 A JPS6211237 A JP S6211237A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film
- crystals
- crystal
- organic thin
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- Pending
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は有機薄膜結晶の作成方法に関するものである。
有機物結晶の作成方法として、気相からの結晶成長、溶
液からの結晶成長、溶融状態からの結晶成長の３種の方
法が用いられている。この３種の結晶成長方法について
は、丸善刊、新実験化学講座、第１巻、基本操作Ｉ１．
ｐｐ、６３９−７５０に詳細に述べられている。しかし
ながら、有機薄膜結晶の作成はこれまでほとんど検討さ
れたことがなく、その報告も高分子化合物の結晶に限ら
れている。例えば、「日本結晶成長学会誌、第１１巻、
ｐｐ、１１７−．１３４．１９８４年（泉による総合報
告）」には、ポリエチレン薄膜結晶やポリアセチレン薄
膜結晶の例が述べられている。高分子化合物ではない有
機薄膜結晶の作成方法には、未だ適切な方法が開発され
ていないというのが現状である。
液からの結晶成長、溶融状態からの結晶成長の３種の方
法が用いられている。この３種の結晶成長方法について
は、丸善刊、新実験化学講座、第１巻、基本操作Ｉ１．
ｐｐ、６３９−７５０に詳細に述べられている。しかし
ながら、有機薄膜結晶の作成はこれまでほとんど検討さ
れたことがなく、その報告も高分子化合物の結晶に限ら
れている。例えば、「日本結晶成長学会誌、第１１巻、
ｐｐ、１１７−．１３４．１９８４年（泉による総合報
告）」には、ポリエチレン薄膜結晶やポリアセチレン薄
膜結晶の例が述べられている。高分子化合物ではない有
機薄膜結晶の作成方法には、未だ適切な方法が開発され
ていないというのが現状である。
本発明の目的は、高分子膜上に有機薄膜結晶を作成する
方法を提供することにある。
方法を提供することにある。
本発明の有機薄膜結晶の作成方法は、高分子膜中に分散
した有機結晶を種結晶として、その膜上で有機物を薄膜
状に結晶化させることを特徴としている。
した有機結晶を種結晶として、その膜上で有機物を薄膜
状に結晶化させることを特徴としている。
本発明の一実施例を、作成工程を示す第１図を参照して
説明する。大きさ１８ｍｒｒＩＸ １３ｍｍ。
説明する。大きさ１８ｍｒｒＩＸ １３ｍｍ。
厚さ約０．１５ｍｍのガラス板１に、分子量６゜万のポ
リスチレン（０，５０ｇ）および２−ヒドワキシー４−
メトキシベンジリデン−４” −ブロモアニリン（以下
、ＭＳ４ＢｒＡと略す）（０゜２０ｇ）を溶解した１、
４−ジオキサン（１３゜０ｇ）溶液２を５００Ｏｒｐｍ
でスピン塗布した〔第１図（ａ）〕。８０℃で１時間乾
燥して、ＭＳ４ＢｒＡ微結晶が膜中に分散したポリスチ
レン膜３が、前記ガラス板１上に得られた〔第１図（ｂ
））。このようなガラス板を金属製の融点ブロック上に
配置し、ポリスチレン膜３上に２．０ｍｇの２−ヒドロ
キシ−４−メトキシベンジリデン−４°−ブチルアニリ
ン（以下、ＭＳ４ＢｕＡと略す）４をのせ〔第１図（ｃ
））、５０℃まで加熱して液晶状態とする〔第１図（ｄ
）〕。その上に何も塗布していないガラス板５をのせて
〔第１図（ｅ）） 、毎分およそ０．５℃の速度で３２
℃まで冷却した。３２℃で１０分間はど静置すると、ポ
リスチレン膜３中に分散しているＭ Ｓ ４ Ｂ ｒ
Ａ微結晶を種結晶としてＭＳ４ＢｕＡが結晶化し、ＭＳ
４ＢｕＡの薄膜結晶６が、ポリスチレン膜３と上にのせ
たガラス板５の間に得られた〔第１図（ｆ）〕。この薄
膜結晶は、顕微鏡視野内では、完全な単結晶となってい
る。以上のようにしてポリスチレン膜３上に成長した有
機薄膜結晶６の結晶一液晶転位温度は、３６．５℃であ
り、この薄膜は３６５ｎｍの紫外光照射で赤変する。
リスチレン（０，５０ｇ）および２−ヒドワキシー４−
メトキシベンジリデン−４” −ブロモアニリン（以下
、ＭＳ４ＢｒＡと略す）（０゜２０ｇ）を溶解した１、
４−ジオキサン（１３゜０ｇ）溶液２を５００Ｏｒｐｍ
でスピン塗布した〔第１図（ａ）〕。８０℃で１時間乾
燥して、ＭＳ４ＢｒＡ微結晶が膜中に分散したポリスチ
レン膜３が、前記ガラス板１上に得られた〔第１図（ｂ
））。このようなガラス板を金属製の融点ブロック上に
配置し、ポリスチレン膜３上に２．０ｍｇの２−ヒドロ
キシ−４−メトキシベンジリデン−４°−ブチルアニリ
ン（以下、ＭＳ４ＢｕＡと略す）４をのせ〔第１図（ｃ
））、５０℃まで加熱して液晶状態とする〔第１図（ｄ
）〕。その上に何も塗布していないガラス板５をのせて
〔第１図（ｅ）） 、毎分およそ０．５℃の速度で３２
℃まで冷却した。３２℃で１０分間はど静置すると、ポ
リスチレン膜３中に分散しているＭ Ｓ ４ Ｂ ｒ
Ａ微結晶を種結晶としてＭＳ４ＢｕＡが結晶化し、ＭＳ
４ＢｕＡの薄膜結晶６が、ポリスチレン膜３と上にのせ
たガラス板５の間に得られた〔第１図（ｆ）〕。この薄
膜結晶は、顕微鏡視野内では、完全な単結晶となってい
る。以上のようにしてポリスチレン膜３上に成長した有
機薄膜結晶６の結晶一液晶転位温度は、３６．５℃であ
り、この薄膜は３６５ｎｍの紫外光照射で赤変する。
なお比較例として、ＭＳ４ＢｒＡを含まないポリスチレ
ン膜をガラス板上に作成し、上記実施例と同様の条件で
実験したところ結晶化は起こらなかった。このことから
、結晶化にはＭＳ４ＢｒＡ微結晶が必要なことがわかる
。
ン膜をガラス板上に作成し、上記実施例と同様の条件で
実験したところ結晶化は起こらなかった。このことから
、結晶化にはＭＳ４ＢｒＡ微結晶が必要なことがわかる
。
上記実施例では、Ｍ Ｓ ４ Ｂ ｕ Ａの薄膜結晶を
作成したがこれ以外にも、２−ヒドロキシ−４−メトキ
シベンジリデン−４° −へブチルアニリン。
作成したがこれ以外にも、２−ヒドロキシ−４−メトキ
シベンジリデン−４° −へブチルアニリン。
２−ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４゜−オ
クチルアニリン等の薄膜結晶も同様な方法で作成できた
。また、上記実施例では、高分子膜中に分散させた種結
晶と、成長し薄膜結晶となる化合物は異なるが、同一の
化合物であっても差し支えない。また、高分子膜素材も
ポリスチレンに限られるものではなく、その塗布法もス
ピン塗布のみではなく、キャスト法、界面製膜法等も使
用できる。さらに°、必ずしもガラス板上に固定されて
いる必要はない。また、結晶成長時に上からのせるガラ
ス板は必ずしも必要でなく、ガラス板なしでも薄膜結晶
は作成可能であった。しかしながら、均一な膜厚を得る
ためには、ガラス板には限らないが、何らかの覆いがあ
る事が望ましい。
クチルアニリン等の薄膜結晶も同様な方法で作成できた
。また、上記実施例では、高分子膜中に分散させた種結
晶と、成長し薄膜結晶となる化合物は異なるが、同一の
化合物であっても差し支えない。また、高分子膜素材も
ポリスチレンに限られるものではなく、その塗布法もス
ピン塗布のみではなく、キャスト法、界面製膜法等も使
用できる。さらに°、必ずしもガラス板上に固定されて
いる必要はない。また、結晶成長時に上からのせるガラ
ス板は必ずしも必要でなく、ガラス板なしでも薄膜結晶
は作成可能であった。しかしながら、均一な膜厚を得る
ためには、ガラス板には限らないが、何らかの覆いがあ
る事が望ましい。
〔発明の効果）
本発明によれば、高分子膜中に分散した有機結晶を種結
晶として、その膜上で有機物を薄膜状に結晶化させるこ
とにより、有機薄膜結晶を高分子膜上に作成する方法が
得られる。
晶として、その膜上で有機物を薄膜状に結晶化させるこ
とにより、有機薄膜結晶を高分子膜上に作成する方法が
得られる。
第１図は、本発明の一実施例の作成工程を示す図である
。 １．５・・・ガラス板 ３・・・・・ポリスチレン膜 ４・・・・・ＭＳ４ＢｕＡ ６・・・・・薄膜結晶
。 １．５・・・ガラス板 ３・・・・・ポリスチレン膜 ４・・・・・ＭＳ４ＢｕＡ ６・・・・・薄膜結晶
Claims (1)
- （１）高分子膜中に分散した有機結晶を種結晶として、
その膜上で有機物を薄膜状に結晶化させることを特徴と
する有機薄膜結晶の作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149355A JPS6211237A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 有機薄膜結晶の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149355A JPS6211237A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 有機薄膜結晶の作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211237A true JPS6211237A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15473315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60149355A Pending JPS6211237A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 有機薄膜結晶の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211237A (ja) |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60149355A patent/JPS6211237A/ja active Pending
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