JPS6236095A - 有機薄膜結晶の作成方法 - Google Patents
有機薄膜結晶の作成方法Info
- Publication number
- JPS6236095A JPS6236095A JP17343185A JP17343185A JPS6236095A JP S6236095 A JPS6236095 A JP S6236095A JP 17343185 A JP17343185 A JP 17343185A JP 17343185 A JP17343185 A JP 17343185A JP S6236095 A JPS6236095 A JP S6236095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- crystal
- thin film
- glass sheet
- crystals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は有機薄膜結晶の作成方法に関するものである。
（従来の技術）
有機物結晶の作成方法として、気相からの結晶成長、溶
液からの結晶成長、溶融状態からの結晶′ 成長の３
種が用いられている。
液からの結晶成長、溶融状態からの結晶′ 成長の３
種が用いられている。
（この３種の結晶成長方法については、丸善刊、新実験
化学講座、第１巻、基本操作［、ＰＰ、６３９−７５０
、によく才とめられている。） （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、有機薄膜結晶の作成はこれまでほとんど
検討されたことがなく、その報告も高分子化合物の結晶
に限られている。（例えば、泉の総合報告（日本結晶成
長学会誌、第１１巻、ＰＰ・１１７−１３４．１９８４
年）には、ポリエチレン薄膜結晶やポリアセチレン薄膜
結晶の例が述べられている。）高分子化合物ではない有
機薄膜単結晶の作成方法には適当なものがないという現
状である。
化学講座、第１巻、基本操作［、ＰＰ、６３９−７５０
、によく才とめられている。） （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、有機薄膜結晶の作成はこれまでほとんど
検討されたことがなく、その報告も高分子化合物の結晶
に限られている。（例えば、泉の総合報告（日本結晶成
長学会誌、第１１巻、ＰＰ・１１７−１３４．１９８４
年）には、ポリエチレン薄膜結晶やポリアセチレン薄膜
結晶の例が述べられている。）高分子化合物ではない有
機薄膜単結晶の作成方法には適当なものがないという現
状である。
本発明の目的は、高分子膜上ζこ有機薄膜単結晶を作成
する方法を提供することにある。
する方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、高分子膜中に分散した有機結晶を種結
晶として、その膜上で有機物を薄膜状に結晶化させる有
機薄膜結晶の作成方法において、高分子膜の面内のある
方向に温度勾配をつけ、かかる方向に結晶成長させるこ
とを特徴とする有機薄膜結晶の作成方法が得られる。
晶として、その膜上で有機物を薄膜状に結晶化させる有
機薄膜結晶の作成方法において、高分子膜の面内のある
方向に温度勾配をつけ、かかる方向に結晶成長させるこ
とを特徴とする有機薄膜結晶の作成方法が得られる。
本発明で用いる高分子膜素材は薄膜形成能があれば何で
も良い。−例としては、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル
等があげられる。本発明で用いる種結晶となる化合物は
、高分子膜中に結晶として分散でき、かつ目的とする化
合物の結晶成長を引き起こし得る化合物であれば何でも
良い。本発明の種結晶を含む高分子膜の面内方向の温度
勾配はいかなる方法によって持たせても良いが、面内の
ある方向のみに勾配が得られなくてはならない。
も良い。−例としては、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル
等があげられる。本発明で用いる種結晶となる化合物は
、高分子膜中に結晶として分散でき、かつ目的とする化
合物の結晶成長を引き起こし得る化合物であれば何でも
良い。本発明の種結晶を含む高分子膜の面内方向の温度
勾配はいかなる方法によって持たせても良いが、面内の
ある方向のみに勾配が得られなくてはならない。
−例としては、基板の一辺のみを熱源に接触させる方法
や、温度勾配を持った液体や気体中に基板を設置する方
法があげられる。温度勾配の大きさやその絶対温度は種
結晶と結晶成長させる化合物の組み合わせによって決ま
るが、温度勾配が少なすぎると、種結晶が膜全体に存在
するために多結晶化する場合があるため注意して設定す
る必要がある。かかる高分子膜の面内のある方向に温度
勾配を持たせる際に、面と垂直な方向に勾配を生じても
差し支えない。
や、温度勾配を持った液体や気体中に基板を設置する方
法があげられる。温度勾配の大きさやその絶対温度は種
結晶と結晶成長させる化合物の組み合わせによって決ま
るが、温度勾配が少なすぎると、種結晶が膜全体に存在
するために多結晶化する場合があるため注意して設定す
る必要がある。かかる高分子膜の面内のある方向に温度
勾配を持たせる際に、面と垂直な方向に勾配を生じても
差し支えない。
（作用）
一般に単結晶を種結晶から成長させる場合、種結晶は１
個である必要がある。複数の種結晶があると、それぞれ
から成長が始まり単結晶となることはない。
個である必要がある。複数の種結晶があると、それぞれ
から成長が始まり単結晶となることはない。
しかしながら本発明においては、複数の種結晶があるに
もかかわらず、温度勾配がついているために、最も早く
成長開始温度に達した種結晶のみから成長が起こる。一
旦成長が如才ると、温度勾配に応じて結晶化が進行し、
かつ種結晶からの成長（ヘテロエビクキシャル成長）よ
りも、成長した結晶がさらに成長（ホモエビタキンヤル
成長）する方が速いため、単結晶が得られる。
もかかわらず、温度勾配がついているために、最も早く
成長開始温度に達した種結晶のみから成長が起こる。一
旦成長が如才ると、温度勾配に応じて結晶化が進行し、
かつ種結晶からの成長（ヘテロエビクキシャル成長）よ
りも、成長した結晶がさらに成長（ホモエビタキンヤル
成長）する方が速いため、単結晶が得られる。
（実施例）
第１図は本発明の実施例を示す模式図である。
１８＋ａ＊Ｘ１８ｍのガラス板２．（厚さ約０．１５ｍ
）に、分子量６０万のポリスチレン（０，５０ｆ）お
よび２−ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４１
−ブロモアニリン（以下、ＭＳ４ＢｒＡと略す）（０，
２０ｆ）を溶解した１、４−ジオキサン（１３，ＯＦ
）溶液を５００゜ｒｐｍでスピン塗布した。８０℃で１
時間乾燥してＭＳ４ＢｒＡ微結晶が膜中に分散したポリ
スチレン膜３が、前記ガラス板２上に得られた。
）に、分子量６０万のポリスチレン（０，５０ｆ）お
よび２−ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４１
−ブロモアニリン（以下、ＭＳ４ＢｒＡと略す）（０，
２０ｆ）を溶解した１、４−ジオキサン（１３，ＯＦ
）溶液を５００゜ｒｐｍでスピン塗布した。８０℃で１
時間乾燥してＭＳ４ＢｒＡ微結晶が膜中に分散したポリ
スチレン膜３が、前記ガラス板２上に得られた。
以下の結晶成長実験には融点ブロック１を熱源として用
いた。膜３を塗布した前記ガラス板を一辺のみが直接融
点ブロックに接触する様にプラスチック族のスペーサ７
を用いて傾斜させて静置し２、Ｑｍｔの２−ヒドロキシ
−４−メトキシベンジリデン−４１−ブチルアニリン４
（以下、Ｍ８４ＢｕＡと略す）をのせ、融点ブロックｌ
を５０℃まで加熱して液晶状態にした。５０℃に保った
まま、その上に何も塗布していないガラス板５をのせて
、毎分およそ０．５℃の速度で３２℃まで冷却した。３
２℃で１０分間はど静置するとＭ８４ＢｕＡの薄膜単結
晶４が、膜３と、上にのせたガラス板５の間に得られた
。顕微鏡観察によると、結晶成長は融点ブロック１と接
触している辺の対向辺から開始し、融点ブロック１と接
触している辺に向かって進行していき、複数の細長い単
結晶を与えることがわかる。
いた。膜３を塗布した前記ガラス板を一辺のみが直接融
点ブロックに接触する様にプラスチック族のスペーサ７
を用いて傾斜させて静置し２、Ｑｍｔの２−ヒドロキシ
−４−メトキシベンジリデン−４１−ブチルアニリン４
（以下、Ｍ８４ＢｕＡと略す）をのせ、融点ブロックｌ
を５０℃まで加熱して液晶状態にした。５０℃に保った
まま、その上に何も塗布していないガラス板５をのせて
、毎分およそ０．５℃の速度で３２℃まで冷却した。３
２℃で１０分間はど静置するとＭ８４ＢｕＡの薄膜単結
晶４が、膜３と、上にのせたガラス板５の間に得られた
。顕微鏡観察によると、結晶成長は融点ブロック１と接
触している辺の対向辺から開始し、融点ブロック１と接
触している辺に向かって進行していき、複数の細長い単
結晶を与えることがわかる。
なお、膜３上に成長した有機薄膜結晶の結晶一液晶転移
温度は、３６．５℃であり、この薄膜は３６５ｎｍの紫
外光照射で赤変する。また、ガラス板２の１辺を接触さ
せる方法の他に、ガラス板２の角の１点を接触させて同
様の実験を行なっても単結晶が作成できた。
温度は、３６．５℃であり、この薄膜は３６５ｎｍの紫
外光照射で赤変する。また、ガラス板２の１辺を接触さ
せる方法の他に、ガラス板２の角の１点を接触させて同
様の実験を行なっても単結晶が作成できた。
さらに、膜３上で、２−ヒドロキシ−４−メトキシベン
ジリデン−４１−へブチルアニリン、２−ヒドロキシ−
４−メトキシベンジリデン−４１−オクチルアニリン等
サリチリデンアニリン類の薄膜結晶も同様な方法で作成
できた。結晶成長時に上からのせるガラス板５は必らず
しも必要でなく、ガラス板５なしでも薄膜結晶は作成可
能であった。しかしながら、均一な膜厚を得るためには
、ガラス板には限らないが、何らかのおおいがある事が
望ましい。
ジリデン−４１−へブチルアニリン、２−ヒドロキシ−
４−メトキシベンジリデン−４１−オクチルアニリン等
サリチリデンアニリン類の薄膜結晶も同様な方法で作成
できた。結晶成長時に上からのせるガラス板５は必らず
しも必要でなく、ガラス板５なしでも薄膜結晶は作成可
能であった。しかしながら、均一な膜厚を得るためには
、ガラス板には限らないが、何らかのおおいがある事が
望ましい。
参考例として、前述の薄膜結晶作成を、高分子膜を塗布
したガラス板を融点ブロックに密着させて行なったとこ
ろ、結晶成長が複数の点から起こり、全体が薄膜単結晶
となるこきはなかった。よって本発明の温度勾配は、全
体を単結晶化させるために有効であることが明らかであ
る。
したガラス板を融点ブロックに密着させて行なったとこ
ろ、結晶成長が複数の点から起こり、全体が薄膜単結晶
となるこきはなかった。よって本発明の温度勾配は、全
体を単結晶化させるために有効であることが明らかであ
る。
（発明の効果）
本発明によって、有機薄膜単結晶を高分子膜上に作成す
る方法が得られた。本来雄側では、高分子膜中に分散さ
せた種結晶と、成長し薄膜結晶となる化合物は異なるが
、同一の化合物であっても差し支えない。また、高分子
膜素材もポリスチレンに限られるものではなく、その塗
布法もスピン塗布のみではなく、キャスト法、界面製膜
法等も使用できる。さらに必らずしもガラス板上（こ固
定されている必要はない。
る方法が得られた。本来雄側では、高分子膜中に分散さ
せた種結晶と、成長し薄膜結晶となる化合物は異なるが
、同一の化合物であっても差し支えない。また、高分子
膜素材もポリスチレンに限られるものではなく、その塗
布法もスピン塗布のみではなく、キャスト法、界面製膜
法等も使用できる。さらに必らずしもガラス板上（こ固
定されている必要はない。
第１図は、本発明の実施例を示した図である。
図において、
１は温度制御可能な熱源、２はガラス板、３は種結晶の
分散した高分子フィルム、４は被結晶化層（例えば液晶
）、５はガラス板によるおおい、６は全体のカバー、７
はプラスチック製のスペーサをそれぞれ示す０ 代
理人フ＋’Ｊ’ｉ！−Ｉ： 内ｆ２’、ｊ ｇ第１図 １ ：融点ブロック ２ニガラス板 ３：種結晶の分散した高分子フィルム ４：被結晶化層 ５：おおい（ガラス板） ６：全体のカバー ７：プラスチツク製スペーサ−
分散した高分子フィルム、４は被結晶化層（例えば液晶
）、５はガラス板によるおおい、６は全体のカバー、７
はプラスチック製のスペーサをそれぞれ示す０ 代
理人フ＋’Ｊ’ｉ！−Ｉ： 内ｆ２’、ｊ ｇ第１図 １ ：融点ブロック ２ニガラス板 ３：種結晶の分散した高分子フィルム ４：被結晶化層 ５：おおい（ガラス板） ６：全体のカバー ７：プラスチツク製スペーサ−
Claims (1)
- 高分子膜中に分散した有機結晶を種結晶としてその膜上
で有機物を薄膜状に結晶化させる有機薄膜結晶の作成方
法において、高分子膜の面内のある方向に温度勾配をつ
け、かかる方向に結晶成長させることを特徴とする有機
薄膜結晶の作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17343185A JPH0631190B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 有機薄膜結晶の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17343185A JPH0631190B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 有機薄膜結晶の作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236095A true JPS6236095A (ja) | 1987-02-17 |
| JPH0631190B2 JPH0631190B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=15960326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17343185A Expired - Lifetime JPH0631190B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 有機薄膜結晶の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0631190B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456424A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Fujitsu Ltd | Production of organic film |
| JPH01172297A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Toray Ind Inc | 有機単結晶の製造法 |
| US6982104B2 (en) | 1999-08-31 | 2006-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Single-crystalline film and process for production thereof |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP17343185A patent/JPH0631190B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456424A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Fujitsu Ltd | Production of organic film |
| JPH01172297A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Toray Ind Inc | 有機単結晶の製造法 |
| US6982104B2 (en) | 1999-08-31 | 2006-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Single-crystalline film and process for production thereof |
| US7153551B2 (en) | 1999-08-31 | 2006-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Single-crystalline film and process for production thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0631190B2 (ja) | 1994-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6238700B1 (en) | Method for preventing crystal formation in a dispersion of a liquid in a matrix | |
| KR890003354A (ko) | 비수성 메트릭스내의 액상의 분산물중에서의 결정질 수화물 형성 방지방법 | |
| JP4166276B2 (ja) | マトリックスにおける液体の分散液中での結晶形成を防止するための改良された方法 | |
| JPS6236095A (ja) | 有機薄膜結晶の作成方法 | |
| US4793893A (en) | Methods for the preparation of thin large-area single crystals of diacetylenes and polydiacetylenes | |
| Patel et al. | Single crystals of high polymers by film formation | |
| JPS6211237A (ja) | 有機薄膜結晶の作成方法 | |
| JPH02175697A (ja) | 非線形光学結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH01172297A (ja) | 有機単結晶の製造法 | |
| JPS62227122A (ja) | 高分子液晶の配向方法 | |
| JPH0676280B2 (ja) | 成長方位制御された有機単結晶の製造方法 | |
| JPH02226126A (ja) | 配向ポリジアセチレン層 | |
| JP2006021976A (ja) | 薄膜状有機単結晶の作製方法および作製装置 | |
| JPH03294827A (ja) | 積層型有機非線形光学結晶体およびその製造法 | |
| JPS61197496A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPH02197822A (ja) | 有機化合物薄膜の製法 | |
| JP2001139389A (ja) | 単結晶性薄膜およびその製造方法 | |
| JPH04349200A (ja) | 有機単結晶の製造方法 | |
| JPS63270456A (ja) | 薄膜成長用蒸着装置 | |
| JPH02259605A (ja) | 有機単結晶光導波路の製造方法 | |
| JPH026384A (ja) | 結晶性有機薄膜の作製方法 | |
| JP2003231185A (ja) | 配向したビスフェノールａポリカーボネートの製造方法 | |
| JPS61197495A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPH07138096A (ja) | 硼酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JPH0266525A (ja) | 波長変換デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |