JPS6211408B2 - - Google Patents
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- JPS6211408B2 JPS6211408B2 JP56056381A JP5638181A JPS6211408B2 JP S6211408 B2 JPS6211408 B2 JP S6211408B2 JP 56056381 A JP56056381 A JP 56056381A JP 5638181 A JP5638181 A JP 5638181A JP S6211408 B2 JPS6211408 B2 JP S6211408B2
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- substrate
- resin layer
- layer
- aluminum
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/30—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the intermediate layers, e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S205/922—Electrolytic coating of magnetic storage medium, other than selected area coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S428/90—Magnetic feature
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は合成樹脂層を含む多層磁気薄膜デイス
ク、ならびにその製造方法に関するものである。
ク、ならびにその製造方法に関するものである。
多層磁気薄膜デイスクは、西ドイツ国特許出願
公開第2556755号明細書に示されている様に、ア
ルミニウムを含む合金、すなわちアルミニウム―
マグネシウム合金AlMg5を基板として用いてい
る。この基板上に、薄い合成樹脂層が、続いて薄
い金属層および磁気記録層が配列される。多数の
試験により、この合成樹脂層をピン孔なしで連続
的に製造することは不可能なことがわかつてい
る。その結果、大部分の場合に見られるといつて
もよい腐食性雰囲気中での電気化学系列に応じ
て、合成樹脂層上に配列された金属層とアルミニ
ウムを含む基板との間で、電流腐食が起こる。こ
のアルミニウムと金属薄膜材料の電流腐食が薄膜
のピン孔の所で起こると、水泡が生じる。合成樹
脂層中のピン孔のために、その上に配列された金
属層および磁気記録層は、データの充分な記録に
は不利であり受入れられない欠陥を含んでいる。
その上、水泡はさらに不利な汚れをもたらす。
公開第2556755号明細書に示されている様に、ア
ルミニウムを含む合金、すなわちアルミニウム―
マグネシウム合金AlMg5を基板として用いてい
る。この基板上に、薄い合成樹脂層が、続いて薄
い金属層および磁気記録層が配列される。多数の
試験により、この合成樹脂層をピン孔なしで連続
的に製造することは不可能なことがわかつてい
る。その結果、大部分の場合に見られるといつて
もよい腐食性雰囲気中での電気化学系列に応じ
て、合成樹脂層上に配列された金属層とアルミニ
ウムを含む基板との間で、電流腐食が起こる。こ
のアルミニウムと金属薄膜材料の電流腐食が薄膜
のピン孔の所で起こると、水泡が生じる。合成樹
脂層中のピン孔のために、その上に配列された金
属層および磁気記録層は、データの充分な記録に
は不利であり受入れられない欠陥を含んでいる。
その上、水泡はさらに不利な汚れをもたらす。
本発明の目的は合成樹脂層中に存在するピン孔
が磁気層に悪影響を与えないようにした薄膜デイ
スクを提供することである。
が磁気層に悪影響を与えないようにした薄膜デイ
スクを提供することである。
本発明の他の目的は、かかる磁気デイスクを製
造するための適当な方法を提供することである。
造するための適当な方法を提供することである。
本発明によれば、この課題は、合成樹脂層中の
ピン孔をその中に含まれる酸化アルミニウムによ
つて不動態化することによつて解決される。
ピン孔をその中に含まれる酸化アルミニウムによ
つて不動態化することによつて解決される。
合成樹脂層中のピン孔をその中に含まれる酸化
アルミニウムによつて不動態化すると、金属薄膜
層と基板のアルミニウムとの間の電流腐食が防止
される。
アルミニウムによつて不動態化すると、金属薄膜
層と基板のアルミニウムとの間の電流腐食が防止
される。
使用する製造プロセスは、特に精巧なものでも
高価なものでもないが、それによつて、酸化アル
ミニウムが存在するピン孔中に形成されることが
保証される。基板中に含まれるアルミニウムの酸
化は、電解液がアルミニウムを含む基板に接触す
るその所で行なわれる。
高価なものでもないが、それによつて、酸化アル
ミニウムが存在するピン孔中に形成されることが
保証される。基板中に含まれるアルミニウムの酸
化は、電解液がアルミニウムを含む基板に接触す
るその所で行なわれる。
本発明にもとづいて磁気薄膜デイスクの製造の
ために薄膜材料を塗布するのに適した基板が得ら
れる。即ち、磁気記録層の基板として基本的にピ
ン孔がない基板が得られる。
ために薄膜材料を塗布するのに適した基板が得ら
れる。即ち、磁気記録層の基板として基本的にピ
ン孔がない基板が得られる。
次に、本発明を添付の図面に示した具体形によ
つて詳しく説明する。
つて詳しく説明する。
第１図の左側部分は、１と番号をつけた基板を
示したもので、これは通常使用されるアルミニウ
ム・マグネシウム（AlMg5）合金などのアルミニ
ウム含有合金からなるものとすることができる。
２の番号をつけた合成樹脂層は、例えばエポキシ
樹脂からなるものとすることができるが、それが
この基板に塗布される。層２に続いて一枚ないし
数枚の金属層３が塗布されるが、これは薄膜技術
で製造することができ、また磁気記録層をも含む
ことができる。エポキシ樹脂層２は、ピン孔４を
有し、層３を塗布すると、ピン孔４のその所で中
断される。問題は、一般に存在する腐食性環境に
おいて、ピン孔４中で層３の金属と基板１のアル
ミニウムの間に電流腐食が起こることである。こ
れは、電気化学系列中で順位が離れている結果、
属３の金属と基板１のアルミニウムの間に大きな
電気化学ポテンシヤルがあることによる。ピン孔
４はそれ自体有害であるばかりでなく、その中で
望ましくない水泡が生じる危険がある。
示したもので、これは通常使用されるアルミニウ
ム・マグネシウム（AlMg5）合金などのアルミニ
ウム含有合金からなるものとすることができる。
２の番号をつけた合成樹脂層は、例えばエポキシ
樹脂からなるものとすることができるが、それが
この基板に塗布される。層２に続いて一枚ないし
数枚の金属層３が塗布されるが、これは薄膜技術
で製造することができ、また磁気記録層をも含む
ことができる。エポキシ樹脂層２は、ピン孔４を
有し、層３を塗布すると、ピン孔４のその所で中
断される。問題は、一般に存在する腐食性環境に
おいて、ピン孔４中で層３の金属と基板１のアル
ミニウムの間に電流腐食が起こることである。こ
れは、電気化学系列中で順位が離れている結果、
属３の金属と基板１のアルミニウムの間に大きな
電気化学ポテンシヤルがあることによる。ピン孔
４はそれ自体有害であるばかりでなく、その中で
望ましくない水泡が生じる危険がある。
第１図の右側部分は、左側部分と原理的に同一
であり、基板１を示したものである。この基板１
も例えばAlMg5で造られ、更にその上に合成樹脂
層２および金属層３が塗布されている。金属層は
磁気記録層を含む複数の金属層から成ることがで
きる。この場合も、ピン孔４が合成樹脂層２中に
存在する。しかし、細い斜線を施して示した酸化
アルミニウム５がピン孔４の基部にある。破線６
で示した様に、酸化アルミニウムは、アルミニウ
ムを含む基板１中のピン孔４の付近にも形成され
ている。
であり、基板１を示したものである。この基板１
も例えばAlMg5で造られ、更にその上に合成樹脂
層２および金属層３が塗布されている。金属層は
磁気記録層を含む複数の金属層から成ることがで
きる。この場合も、ピン孔４が合成樹脂層２中に
存在する。しかし、細い斜線を施して示した酸化
アルミニウム５がピン孔４の基部にある。破線６
で示した様に、酸化アルミニウムは、アルミニウ
ムを含む基板１中のピン孔４の付近にも形成され
ている。
ピン孔４中の酸化アルミニウム５は、基板１を
周囲から電気的に絶縁し、ピン孔４中で層３また
はその一部と、下の基板１の間で電流腐食が起こ
るのを防止している。
周囲から電気的に絶縁し、ピン孔４中で層３また
はその一部と、下の基板１の間で電流腐食が起こ
るのを防止している。
ピン孔４中の酸化アルミニウムを利用して基板
１を不動態化し、電気的に絶縁するための本発明
の方法は、層２で覆われた基板１を電解浴に入れ
て陽極酸化を生じさせるものである。このプロセ
ス中に、電解液が基板１のアルミニウムと電気的
に接触した所に酸化物層が形成される。
１を不動態化し、電気的に絶縁するための本発明
の方法は、層２で覆われた基板１を電解浴に入れ
て陽極酸化を生じさせるものである。このプロセ
ス中に、電解液が基板１のアルミニウムと電気的
に接触した所に酸化物層が形成される。
第２図の曲線７からわかるように、酸化物を形
成するために、必要な電圧が、アルミニウムの場
合には一般に約80乃至150ボルトに及ぶという問
題がある。図の曲線７はAlMg5に関するものであ
り、電流密度Ｓを1mA／cm2と一定の値に保つも
のと仮定した場合、約８乃至10分の浴時間後に、
約150ボルトの不動態化電圧に達することを示し
ている。すなわち、一定の電流密度Ｓの電解浴中
である特定の時間が経過した後、電圧が一定にな
る。このことから、抵抗の変化する酸化プロセス
が終了したこと、すなわちそれ以上抵抗は増加し
ないことがわかる。
成するために、必要な電圧が、アルミニウムの場
合には一般に約80乃至150ボルトに及ぶという問
題がある。図の曲線７はAlMg5に関するものであ
り、電流密度Ｓを1mA／cm2と一定の値に保つも
のと仮定した場合、約８乃至10分の浴時間後に、
約150ボルトの不動態化電圧に達することを示し
ている。すなわち、一定の電流密度Ｓの電解浴中
である特定の時間が経過した後、電圧が一定にな
る。このことから、抵抗の変化する酸化プロセス
が終了したこと、すなわちそれ以上抵抗は増加し
ないことがわかる。
克服すべき主な問題は、エポキシ樹脂の厚さが
通常の１μｍのとき、電界の強さが105乃至
106V／cmに達することである。この電界の強さ
は、合成樹脂の破壊強度をかなり越えている。こ
の問題を考慮して本発明にもとづく試験を実施し
た。第２図の曲線８は、エポキシ樹脂をコーテイ
ングした基板材料、例えばAlMg5に関するもので
ある。この曲線は、比較的短時間の後に、約20ボ
ルトの不動態化電圧に達することを示している。
理論的には、曲線７によつて示される様に、酸化
アルミニウムの形成によつてアルミニウムを不動
態化するためには、AlMg5の酸化を生じさせる約
80乃至150ボルトの電圧が必要なのであるから、
曲線８の様に低い電圧では厚さ約１μｍのエポキ
シ樹脂層のピン孔の所での陽極酸化の成長は期待
できない。
通常の１μｍのとき、電界の強さが105乃至
106V／cmに達することである。この電界の強さ
は、合成樹脂の破壊強度をかなり越えている。こ
の問題を考慮して本発明にもとづく試験を実施し
た。第２図の曲線８は、エポキシ樹脂をコーテイ
ングした基板材料、例えばAlMg5に関するもので
ある。この曲線は、比較的短時間の後に、約20ボ
ルトの不動態化電圧に達することを示している。
理論的には、曲線７によつて示される様に、酸化
アルミニウムの形成によつてアルミニウムを不動
態化するためには、AlMg5の酸化を生じさせる約
80乃至150ボルトの電圧が必要なのであるから、
曲線８の様に低い電圧では厚さ約１μｍのエポキ
シ樹脂層のピン孔の所での陽極酸化の成長は期待
できない。
このことにもかかわらず、合成樹脂層２を含む
AlMg5基板１の標本を電解浴に入れ、第２図の曲
線８にもとづく陽極処理を行なつた。陽極処理の
効果は理論的には期待できなかつたにもかかわら
ず続いて腐食試験を行なつた所、驚くべきこと
に、陽極処理した標本がかなり改良された耐腐食
性をもつことがわかつた。第２図の曲線８に従う
ときには否定的な効果が予想されるにもかかわら
ず、ピン孔４（cf.第１図）中に実際に酸化アル
ミニウムを形成できるのがなぜかは、まだ解明さ
れていない。第２図の曲線８にもとづいて実施し
た試験では、いわゆる特定磁気デイスク、特に合
成樹脂層２中に余りに多くのピン孔をもつために
通常は不合格とされるものを使用した。層２は、
合成樹脂の他に、Fe2O3粒子などの磁性体をも含
んでいる。陽極酸化およびピン孔４中での酸化ア
ルミニウム不動態層５の形成によつて、これらの
デイスクは磁気薄膜デイスク製造用の基礎材料と
して特に適したものになる。
AlMg5基板１の標本を電解浴に入れ、第２図の曲
線８にもとづく陽極処理を行なつた。陽極処理の
効果は理論的には期待できなかつたにもかかわら
ず続いて腐食試験を行なつた所、驚くべきこと
に、陽極処理した標本がかなり改良された耐腐食
性をもつことがわかつた。第２図の曲線８に従う
ときには否定的な効果が予想されるにもかかわら
ず、ピン孔４（cf.第１図）中に実際に酸化アル
ミニウムを形成できるのがなぜかは、まだ解明さ
れていない。第２図の曲線８にもとづいて実施し
た試験では、いわゆる特定磁気デイスク、特に合
成樹脂層２中に余りに多くのピン孔をもつために
通常は不合格とされるものを使用した。層２は、
合成樹脂の他に、Fe2O3粒子などの磁性体をも含
んでいる。陽極酸化およびピン孔４中での酸化ア
ルミニウム不動態層５の形成によつて、これらの
デイスクは磁気薄膜デイスク製造用の基礎材料と
して特に適したものになる。
本発明にもとづく方法を使用した場合に起こる
陽極酸化中に、合成樹脂層２の付いた基板１は、
電解浴中で、合成樹脂層２の破壊電圧よりかなり
低い電圧をかけられる。電解浴の誘導時間は２〜
20分に及び、できれば約10分とするのがよいが、
電解浴の温度は20〜80℃の範囲に及び、できれば
20〜30℃とするのがよい。電解浴は、特に、ホウ
酸アンモニウムおよびシユウ酸ならびにホウ酸ま
たは酒石酸など通常の物質を含むものである。ピ
ン孔４中の酸化アルミニウム層５の厚さは、約
0.01μｍまでである。
陽極酸化中に、合成樹脂層２の付いた基板１は、
電解浴中で、合成樹脂層２の破壊電圧よりかなり
低い電圧をかけられる。電解浴の誘導時間は２〜
20分に及び、できれば約10分とするのがよいが、
電解浴の温度は20〜80℃の範囲に及び、できれば
20〜30℃とするのがよい。電解浴は、特に、ホウ
酸アンモニウムおよびシユウ酸ならびにホウ酸ま
たは酒石酸など通常の物質を含むものである。ピ
ン孔４中の酸化アルミニウム層５の厚さは、約
0.01μｍまでである。
第１図は不動態化されたピン孔および不動態化
されていないピン孔を含む磁気デイスクの一部の
概略断面図、第２図は合成樹脂を塗布した基板及
び合成樹脂を塗布していない基板に関する一定電
流密度での電解浴の電圧を時間の函数として示し
た図である。 １……基板、２……合成樹脂層、３……金属
層、４……ピン孔、５……酸化アルミニウム。
されていないピン孔を含む磁気デイスクの一部の
概略断面図、第２図は合成樹脂を塗布した基板及
び合成樹脂を塗布していない基板に関する一定電
流密度での電解浴の電圧を時間の函数として示し
た図である。 １……基板、２……合成樹脂層、３……金属
層、４……ピン孔、５……酸化アルミニウム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウムを含有する基板の上に合成樹脂
層及び磁気金属層を順次形成した磁気薄膜記録媒
体であつて、上記合成樹脂層のピン孔に面する上
記基板の部分表面に酸化アルミニウムを形成した
ことを特徴とする磁気薄膜記録媒体。 ２ アルミニウムを含有する基板の上に合成樹脂
層を形成したものを電解浴に浸して上記合成樹脂
層のピン孔に面する上記基板の部分表面における
アルミニウムの陽極酸化を行つた後、上記合成樹
脂層の上に磁気金属層を形成することを特徴とす
る磁気薄膜記録媒体の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803014718 DE3014718A1 (de) | 1980-04-17 | 1980-04-17 | Mehrschichtige magnetische duennfilmplatte mit kunstharzschicht sowie verfahren zur herstellung derselben |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56163524A JPS56163524A (en) | 1981-12-16 |
| JPS6211408B2 true JPS6211408B2 (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=6100241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5638181A Granted JPS56163524A (en) | 1980-04-17 | 1981-04-16 | Magnetic thin film recording medium and method of producing same |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4356066A (ja) |
| EP (1) | EP0038419B1 (ja) |
| JP (1) | JPS56163524A (ja) |
| CA (1) | CA1175774A (ja) |
| DE (2) | DE3014718A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671821A (en) | 1979-11-14 | 1981-06-15 | Hitachi Ltd | Substrate for magnetic disc and its manufacture |
| CA1188796A (en) * | 1981-04-14 | 1985-06-11 | Kenji Yazawa | Magnetic recording medium |
| US4517616A (en) * | 1982-04-12 | 1985-05-14 | Memorex Corporation | Thin film magnetic recording transducer having embedded pole piece design |
| JPS59177726A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Toshiba Corp | 垂直磁気デイスク記録媒体 |
| DE3664540D1 (en) * | 1985-03-29 | 1989-08-24 | Siemens Ag | Perpendicular magnetic-recording medium and process for its production |
| GB2231200A (en) * | 1989-04-28 | 1990-11-07 | Philips Electronic Associated | Mim devices, their method of fabrication and display devices incorporating such devices |
| DE69203029T2 (de) * | 1991-04-24 | 1995-11-30 | Nippon Electric Co | Magnetische Struktur. |
| US6632890B1 (en) | 1999-03-19 | 2003-10-14 | Dow Global Technologies Inc. | Hydrogenated block copolymer compositions |
| US6350820B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-02-26 | The Dow Chemical Company | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| DE60029104T2 (de) | 1999-06-11 | 2007-05-31 | Dow Global Technologies, Inc., Midland | Hydrogenierte block-copolymere und daraus hergestellte optische medienplatten |
| CN1123580C (zh) | 1999-08-16 | 2003-10-08 | 陶氏化学公司 | 氢化嵌段共聚物及由其制备的光学媒体盘 |
| US6429260B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-08-06 | The Dow Chemical Company | Olefinic polymer compositions |
| WO2002018491A1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | The Dow Chemical Company | Compositions for flexible optical media discs |
| DE60132422D1 (de) * | 2000-10-25 | 2008-03-06 | Gha Corp | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Aluminium und Aluminiumlegierung |
| GB0107708D0 (en) | 2001-03-28 | 2001-05-16 | Imp College Innovations Ltd | Bone fixated,articulated joint load control device |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3886052A (en) * | 1970-07-20 | 1975-05-27 | Digital Equipment Corp | Method of making a magnetic recording disc |
| JPS4722076U (ja) * | 1971-03-10 | 1972-11-11 | ||
| JPS5812065B1 (ja) * | 1971-06-29 | 1983-03-05 | Nikkei Riken Kk | |
| US3721613A (en) * | 1971-12-06 | 1973-03-20 | Sperry Rand Corp | Article having an electroless deposition and method of producing such article |
| JPS5337203B2 (ja) * | 1974-10-24 | 1978-10-07 | ||
| DE2451232C2 (de) * | 1974-10-29 | 1983-10-20 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur Herstellung starrer magnetischer Aufzeichnungsträger |
| JPS5168209A (en) * | 1974-12-11 | 1976-06-12 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Jikishiito |
| DE2556755C2 (de) * | 1975-12-17 | 1982-04-15 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Mehrschichtiger magnetischer Aufzeichnungsträger |
-
1980
- 1980-04-17 DE DE19803014718 patent/DE3014718A1/de not_active Withdrawn
-
1981
- 1981-03-12 EP EP81101821A patent/EP0038419B1/de not_active Expired
- 1981-03-12 DE DE8181101821T patent/DE3162204D1/de not_active Expired
- 1981-03-12 CA CA000372914A patent/CA1175774A/en not_active Expired
- 1981-03-30 US US06/248,141 patent/US4356066A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-04-16 JP JP5638181A patent/JPS56163524A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3014718A1 (de) | 1981-10-22 |
| CA1175774A (en) | 1984-10-09 |
| DE3162204D1 (en) | 1984-03-22 |
| EP0038419A1 (de) | 1981-10-28 |
| US4356066A (en) | 1982-10-26 |
| EP0038419B1 (de) | 1984-02-15 |
| JPS56163524A (en) | 1981-12-16 |
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|---|---|---|
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