JPS62114143A - テ−プエンド検出装置 - Google Patents
テ−プエンド検出装置Info
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- JPS62114143A JPS62114143A JP60255455A JP25545585A JPS62114143A JP S62114143 A JPS62114143 A JP S62114143A JP 60255455 A JP60255455 A JP 60255455A JP 25545585 A JP25545585 A JP 25545585A JP S62114143 A JPS62114143 A JP S62114143A
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- Japan
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- tape
- light emitting
- light
- reel
- frequency
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光素子及び受光素子を用いて光学的に磁気
テープのエンドを検出するテープエンド検出装置に関す
る。
テープのエンドを検出するテープエンド検出装置に関す
る。
本発明は、磁気テープの端部に透明なリーダーテープが
接続され、供給リール側及び巻取リール側に夫々発光素
子からの光がテープを介して受光素子に供給されるよう
、に一対の発光素子及び受光素子が配され、供給9〜ル
側及び巻取リール側の受光素子の出力によって夫々磁気
テープの供給リール側及び巻取リール側のエンドが検出
されるテープエンド検出装置において、供給リール側及
び巻取リール側の発光素子は互いに位相反転されたノ母
ルスによって駆動されるようにしたことによシ、外光の
影響を受けることなく、シかも電源電圧の変動を回避で
きるようにしたものである。
接続され、供給リール側及び巻取リール側に夫々発光素
子からの光がテープを介して受光素子に供給されるよう
、に一対の発光素子及び受光素子が配され、供給9〜ル
側及び巻取リール側の受光素子の出力によって夫々磁気
テープの供給リール側及び巻取リール側のエンドが検出
されるテープエンド検出装置において、供給リール側及
び巻取リール側の発光素子は互いに位相反転されたノ母
ルスによって駆動されるようにしたことによシ、外光の
影響を受けることなく、シかも電源電圧の変動を回避で
きるようにしたものである。
従来磁気テープの端部に透明なリーダーテープが接続さ
れ1発光素子及び受光素子を用いて光学的に磁気テープ
のエンドを検出することが提案されている。
れ1発光素子及び受光素子を用いて光学的に磁気テープ
のエンドを検出することが提案されている。
第3図及び第4図はその一例を示すものである。
この例はアナログ信号をPCM信号に変換して記録再生
するPCM記録再生装置に適用され九例である。
するPCM記録再生装置に適用され九例である。
同図において、(1)はテープカセットを示し、(2)
及び(3)ハ夫々上ハーフ及び下ノ・−フである。また
、このテープカセット(1)には不使用時にその前面開
口部に張架され友磁気テープを保護するための蓋が設け
られる。第3図は前蓋を開けた使用状態を示すもので、
テープカセット(1)の前面開口部の蓋を形成する前蓋
(4)及び裏蓋(5)が開かれ、前面開口部に張架され
たテープ(6)が露呈されている。尚、磁気テープの走
行方向における両端部には、供給又は巻取ハブに固定さ
れた透明なリーダーテープが接続される。
及び(3)ハ夫々上ハーフ及び下ノ・−フである。また
、このテープカセット(1)には不使用時にその前面開
口部に張架され友磁気テープを保護するための蓋が設け
られる。第3図は前蓋を開けた使用状態を示すもので、
テープカセット(1)の前面開口部の蓋を形成する前蓋
(4)及び裏蓋(5)が開かれ、前面開口部に張架され
たテープ(6)が露呈されている。尚、磁気テープの走
行方向における両端部には、供給又は巻取ハブに固定さ
れた透明なリーダーテープが接続される。
また、(7S)及び(8S)は供給リール(20B)側
に配された発光素子及び受光素子であり、(7T)及び
(8T)は巻取リール(20T)側に配された発光素子
及び受光素子である。
に配された発光素子及び受光素子であり、(7T)及び
(8T)は巻取リール(20T)側に配された発光素子
及び受光素子である。
発光素子(7S)及び受光素子(8S)に対応する前蓋
(4)の側部(9)には2つの矩形透孔(10m)、(
iob)が穿設され1、さらに、との前蓋(4)が図の
ように開かれるとき、この側部(9)の2つの矩形透孔
(10m)、(10b)に対応して連通ずるように、テ
ープカセットの筐体側部αりに2つの矩形透孔(13m
) 、 (13b)が穿設される。
(4)の側部(9)には2つの矩形透孔(10m)、(
iob)が穿設され1、さらに、との前蓋(4)が図の
ように開かれるとき、この側部(9)の2つの矩形透孔
(10m)、(10b)に対応して連通ずるように、テ
ープカセットの筐体側部αりに2つの矩形透孔(13m
) 、 (13b)が穿設される。
ま喪、テープカセットの置体側部θ譜の内側には透明な
合成樹脂等で形成された光を導く小さなセンサーチップ
α◆が取付けられる。この場合、発光素子(7S)から
の光L0は、透孔(10m)、(13m)を介してセン
サーチップa◆に入射され、このセンサーチツfcI4
内の反射面(14m)及び(14b)で2度反射され、
その後このセンサーチップ(141より出てチーf(6
)を通過し、そして透孔(13b)、(10b)を介し
て受光素子(8S)に入射される。
合成樹脂等で形成された光を導く小さなセンサーチップ
α◆が取付けられる。この場合、発光素子(7S)から
の光L0は、透孔(10m)、(13m)を介してセン
サーチップa◆に入射され、このセンサーチツfcI4
内の反射面(14m)及び(14b)で2度反射され、
その後このセンサーチップ(141より出てチーf(6
)を通過し、そして透孔(13b)、(10b)を介し
て受光素子(8S)に入射される。
したがって、光路中のテープ(6)が記録再生用の磁性
面の形成されている磁気テープである場合には、光は遮
断され受光素子(8S)に届かないが、このテープ(6
)が透明なリーダーテープである場合には、光L0がこ
のリーダーテープを通過して受光素子(8S)に入射さ
れる。よって、受光素子(8S)の出力によって、磁気
テープの例えば供給リール(20B)側のテープエンド
の検出がなされる。
面の形成されている磁気テープである場合には、光は遮
断され受光素子(8S)に届かないが、このテープ(6
)が透明なリーダーテープである場合には、光L0がこ
のリーダーテープを通過して受光素子(8S)に入射さ
れる。よって、受光素子(8S)の出力によって、磁気
テープの例えば供給リール(20B)側のテープエンド
の検出がなされる。
また、発光素子(7T)及び受光素子(8T)に対応す
る部分も同様に構成され、受光素子(8T)の出力によ
って、磁気テープの例えば巻取リール(20T)(Il
llのテープエンドの検出がなされる。
る部分も同様に構成され、受光素子(8T)の出力によ
って、磁気テープの例えば巻取リール(20T)(Il
llのテープエンドの検出がなされる。
尚、以上の第1図及び第2図の構成は、例えば実開昭5
9−168894号公報に記載されている。
9−168894号公報に記載されている。
ところで、上述したようなテープエンド検出装置におい
ては、■発光素子(7S)、(7T)を発光させ続けて
受光素子(BS)、(8T)の出力レベルを測定してテ
ープエンドか否か判定する方法と、■発光素子(7S)
、(7T)を一定周期のノ4ルスで駆動して受光素子(
8日)、(8T)の出力の交流分のレベルを測定してテ
ープエンドか否か判定する方法とが知られている。
ては、■発光素子(7S)、(7T)を発光させ続けて
受光素子(BS)、(8T)の出力レベルを測定してテ
ープエンドか否か判定する方法と、■発光素子(7S)
、(7T)を一定周期のノ4ルスで駆動して受光素子(
8日)、(8T)の出力の交流分のレベルを測定してテ
ープエンドか否か判定する方法とが知られている。
■の方法の場合には、直流的な測定である丸め、外光の
影響を受は易いという問題があった。一方、■の方法の
場合には、発光素子(7S)及び(7T)Am例えば第
5図A及びBに示すパルスP1及びP2で駆動され、電
流消費が同図Cに示すようにパルスP1、P2の周期で
大小に変動するので、電源(特に容量の小さな電池電源
)の電圧もノ々ルスP、、 P2の周期で変動し、この
電源を共通に使用している他の回路(特に微少電流を扱
う回路)に悪影響を与える問題があった。
影響を受は易いという問題があった。一方、■の方法の
場合には、発光素子(7S)及び(7T)Am例えば第
5図A及びBに示すパルスP1及びP2で駆動され、電
流消費が同図Cに示すようにパルスP1、P2の周期で
大小に変動するので、電源(特に容量の小さな電池電源
)の電圧もノ々ルスP、、 P2の周期で変動し、この
電源を共通に使用している他の回路(特に微少電流を扱
う回路)に悪影響を与える問題があった。
本発明は斯る点に鑑み、外光の影響を受けることがなく
、シかも電源電圧の変動が回避されるようにするもので
ある。
、シかも電源電圧の変動が回避されるようにするもので
ある。
本発明は上述問題点を解決するため、供給y−ル側及び
巻取リール側の発光素子(7S)及び(7T)、例えば
発光ダイオード(308)及び(30T)は互いに位相
反転されたパルスP5及びP4によって駆動されるもの
である。
巻取リール側の発光素子(7S)及び(7T)、例えば
発光ダイオード(308)及び(30T)は互いに位相
反転されたパルスP5及びP4によって駆動されるもの
である。
供給リール側及び巻取リール側の発光素子(7S)及び
(7T)は互いに位相反転されf< ノ4ルスP、及び
P4で駆動されるので、供給リール側の発光素子(7S
)が発光状態のとき、巻取リール側の発光素子(7T)
は発光状態になく、一方巻取リール側の発光素子(7T
)が発光状態のとき、供給リール側の発光素子(7S)
は発光状態にない。その丸め、2つの発光素子(7B)
、(7T)による消費電流は均一化され、電源電圧変動
がほとんど生じなくなる。
(7T)は互いに位相反転されf< ノ4ルスP、及び
P4で駆動されるので、供給リール側の発光素子(7S
)が発光状態のとき、巻取リール側の発光素子(7T)
は発光状態になく、一方巻取リール側の発光素子(7T
)が発光状態のとき、供給リール側の発光素子(7S)
は発光状態にない。その丸め、2つの発光素子(7B)
、(7T)による消費電流は均一化され、電源電圧変動
がほとんど生じなくなる。
以下、第1図を参照しながら本発明の一実施例について
説明しよう。
説明しよう。
同図において、(308)は発光ダイオードであり、第
3図において、供給リール(208)側に配される発光
素子(7S)に対応している。この発光ダイオ−)”
(30B) t’i 、マイクロコンピュータよりなる
システムコントローラ(以下シスコンという)0阜の端
子(328)よ多テープ走行モード時に出力される一定
周波数10(一定周期)でオンデユーテイ−が例えば5
0%のパルスP5(第2図Aに図示)に基づいて駆動さ
れる。
3図において、供給リール(208)側に配される発光
素子(7S)に対応している。この発光ダイオ−)”
(30B) t’i 、マイクロコンピュータよりなる
システムコントローラ(以下シスコンという)0阜の端
子(328)よ多テープ走行モード時に出力される一定
周波数10(一定周期)でオンデユーテイ−が例えば5
0%のパルスP5(第2図Aに図示)に基づいて駆動さ
れる。
即ち、シスコン0)の端子(328)は抵抗器(ロ)及
び(ロ)の直列回路を介して接地され、この抵抗器(至
)及び(ロ)の接続点は発光ダイオード駆動回路(35
B)を構成するnpn形トランジスタ(ロ)のベースに
接続される。また、端子(32B)及び抵抗器(ロ)の
接続点は抵抗器(ロ)を介して直流電圧中B例えば5■
が供給される電源端子(至)に接続される。また、トラ
ンジスタ(ロ)のエイツタは接地され、そのコレクタは
抵抗器(ロ)を介して電源端子(ロ)に接続される。ま
た、トランジスタ(ハ)のコレクタと抵抗器(イ)の接
続点は抵抗器(イ)を介してpnp形トランジスタOル
のベースに接続され、そのトランジスタ(ロ)のニオツ
タは電源端子(至)に接続され、そのベースは抵抗器@
埠を介して電源端子(至)に接続され、そのコレクタは
抵抗器(至)及び発光ダイオード(308)の直列回路
を介して接地される。
び(ロ)の直列回路を介して接地され、この抵抗器(至
)及び(ロ)の接続点は発光ダイオード駆動回路(35
B)を構成するnpn形トランジスタ(ロ)のベースに
接続される。また、端子(32B)及び抵抗器(ロ)の
接続点は抵抗器(ロ)を介して直流電圧中B例えば5■
が供給される電源端子(至)に接続される。また、トラ
ンジスタ(ロ)のエイツタは接地され、そのコレクタは
抵抗器(ロ)を介して電源端子(ロ)に接続される。ま
た、トランジスタ(ハ)のコレクタと抵抗器(イ)の接
続点は抵抗器(イ)を介してpnp形トランジスタOル
のベースに接続され、そのトランジスタ(ロ)のニオツ
タは電源端子(至)に接続され、そのベースは抵抗器@
埠を介して電源端子(至)に接続され、そのコレクタは
抵抗器(至)及び発光ダイオード(308)の直列回路
を介して接地される。
以上の構成において、パルスP!が高レベル11#のと
き、トランジスタ(ト)、69はオンとなって発光ダイ
オード(308)に所定電流、例えば30〜40mAが
流れ発光する。一方、ノ母ルスPIIが低レベル“0”
のとき、トランジスタ(ト)、0乃はオフとなって発光
ダイオード(308)には電流が流れず発光しない。し
たがって、発光ダイオード(308)はパルスP4に基
づいて一定周波数10oで発光・非発光が繰り返えされ
る。
き、トランジスタ(ト)、69はオンとなって発光ダイ
オード(308)に所定電流、例えば30〜40mAが
流れ発光する。一方、ノ母ルスPIIが低レベル“0”
のとき、トランジスタ(ト)、0乃はオフとなって発光
ダイオード(308)には電流が流れず発光しない。し
たがって、発光ダイオード(308)はパルスP4に基
づいて一定周波数10oで発光・非発光が繰り返えされ
る。
また、(448)はフォトトランジスタであシ、第3図
において、供給リール(20B)側に配される受光素子
(8S)に対応している。このフォトトランジスタ(4
48)の出力は、周波数f0の交流成分を抜き出すフィ
ルタ回路及び比較器を有してなる信号処理回路(458
)に供給さ−れる。そして、この信号処理回路(458
)よシテーデエンド判定信号Besが出力され、これが
シスコン0めの端子(468)に供給される。
において、供給リール(20B)側に配される受光素子
(8S)に対応している。このフォトトランジスタ(4
48)の出力は、周波数f0の交流成分を抜き出すフィ
ルタ回路及び比較器を有してなる信号処理回路(458
)に供給さ−れる。そして、この信号処理回路(458
)よシテーデエンド判定信号Besが出力され、これが
シスコン0めの端子(468)に供給される。
即ち、フォトトランジスタ(44B)のコレクタは電源
端子(ロ)に接続され、そのエミッタはpnp形トラン
ジスタθカのエミッタに接続され、このトランジスタα
カのコレクタはnpn形トランジスタ0→のコレクタに
接続され、このトランジスタθ→のエミッタは抵抗器(
へ)を介して接地される。また、電源端子(ロ)は抵抗
器−及びツェナーダイオード(財)の直列回路を介して
接地され、これら抵抗器−及びツェナーダイオード1カ
の接続点Pに得られる一定電圧はトランジスタ@ηのベ
ースに供給される。
端子(ロ)に接続され、そのエミッタはpnp形トラン
ジスタθカのエミッタに接続され、このトランジスタα
カのコレクタはnpn形トランジスタ0→のコレクタに
接続され、このトランジスタθ→のエミッタは抵抗器(
へ)を介して接地される。また、電源端子(ロ)は抵抗
器−及びツェナーダイオード(財)の直列回路を介して
接地され、これら抵抗器−及びツェナーダイオード1カ
の接続点Pに得られる一定電圧はトランジスタ@ηのベ
ースに供給される。
また、トランジスタ00のベースはnpn形トランジス
タ輔のベースに接続され、このトランジスタ輔のコレク
タは抵抗器−を介して電源端子(ロ)に接続され、その
°エミッタは抵抗器−及びコンデンサに)の並列回路を
介して接地される。また、トランジスター力のコレクタ
及びトランジスタ(ロ)のコレクタの接続点はnpn形
トシトランジスターースKW続され、このトランジスタ
ーのエミッタはトランジスタに)及び輔のベースに接続
され、そのコレクタは電源端子(至)に接続される。
タ輔のベースに接続され、このトランジスタ輔のコレク
タは抵抗器−を介して電源端子(ロ)に接続され、その
°エミッタは抵抗器−及びコンデンサに)の並列回路を
介して接地される。また、トランジスター力のコレクタ
及びトランジスタ(ロ)のコレクタの接続点はnpn形
トシトランジスターースKW続され、このトランジスタ
ーのエミッタはトランジスタに)及び輔のベースに接続
され、そのコレクタは電源端子(至)に接続される。
この場合、トランジスタ輪のエミッタにコンデンサ曽が
接続されることによシ、トランジスタ働のエミッタ側の
インピーダンスが周波数70(発光ダイオード(30B
)の発光周波数)よシ低域では大となシ、10以上の高
域では小となるようにされる。
接続されることによシ、トランジスタ働のエミッタ側の
インピーダンスが周波数70(発光ダイオード(30B
)の発光周波数)よシ低域では大となシ、10以上の高
域では小となるようにされる。
L 7’t カって、トランジスタ輔のコレクタと抵抗
器−の接続点Qには、周波数10以上の高域の信号が低
域のものよシ大きなrインで取シ出される。
器−の接続点Qには、周波数10以上の高域の信号が低
域のものよシ大きなrインで取シ出される。
また、この接続点Qはオペアンプよ〕なるバッファ回路
←ηの入力側に接続され、このバッファ回路■の出力側
は、抵抗器−及びコンデンサーを介して接地され、この
抵抗器−及びコンデンサーの接続点Rは直流阻止用のコ
ンデンサ員を介してオペアンプよシなるバッファ回路I
ηに接続される。
←ηの入力側に接続され、このバッファ回路■の出力側
は、抵抗器−及びコンデンサーを介して接地され、この
抵抗器−及びコンデンサーの接続点Rは直流阻止用のコ
ンデンサ員を介してオペアンプよシなるバッファ回路I
ηに接続される。
この場合、抵抗器−及びコンデンサーよりなるローパス
フィルタは、周波数f、の成分を通過させるように各素
子の値が選定される。し九がって、コンデンサ輪を介し
て略周波数f0の成分が取シ出される。
フィルタは、周波数f、の成分を通過させるように各素
子の値が選定される。し九がって、コンデンサ輪を介し
て略周波数f0の成分が取シ出される。
また、接続点Pに得られる一定電圧は抵抗器■を介して
バッファ回路劫の入力側に供給され、直流電位が一定と
される。
バッファ回路劫の入力側に供給され、直流電位が一定と
される。
−ま九、バッファ回路Inの出力−に得られる周波数へ
の成分は比較器−に供給される。この比較器−からは、
周波数f0の成分のレベルが所定値よシ小さいときには
例えば低レベル″0”、所定値より大きいときには高レ
ベル@1#となるテープエンド判定信号81mが出力さ
れ、これがシスコン09の端子(46B)に供給される
。
の成分は比較器−に供給される。この比較器−からは、
周波数f0の成分のレベルが所定値よシ小さいときには
例えば低レベル″0”、所定値より大きいときには高レ
ベル@1#となるテープエンド判定信号81mが出力さ
れ、これがシスコン09の端子(46B)に供給される
。
以上の構成において、発光ダイオード(30B)とフォ
トトランジスタ(44B)の間に介在されるテープ(6
)が磁性面の形成されている磁気テープである場合には
、発光ダイオード(30g)からの一定周波数f0の光
はフォトトランジスタ(448)に#1とんど供給され
ず、・青ツファ回路参IJ比較器輪に供給される周波数
f0の成分のレベルは所定値よシ小さくテープエンド判
定信号S@−は低レベル′″0#とされる。一方1発光
ダイオード(aOS)とフォトトランジスタ(448)
の間に介在されるテープ(6)が透明なリーダーテープ
である場合には、発光ダイオード(30B)からの一定
周波数I0の光はフオ))ランジスタ(44B)に大部
分供給されるので、バッファ回路参)よル比較器−に供
給される周波数f0の成分のレベルは所定値よシ大きく
テープエンド判定信号BeBは高レベル″″1”とされ
る。したがって、この判定信号B@sによシ磁気テープ
の例えば供給リール(208)側のチーブエンドの検出
がなされる。
トトランジスタ(44B)の間に介在されるテープ(6
)が磁性面の形成されている磁気テープである場合には
、発光ダイオード(30g)からの一定周波数f0の光
はフォトトランジスタ(448)に#1とんど供給され
ず、・青ツファ回路参IJ比較器輪に供給される周波数
f0の成分のレベルは所定値よシ小さくテープエンド判
定信号S@−は低レベル′″0#とされる。一方1発光
ダイオード(aOS)とフォトトランジスタ(448)
の間に介在されるテープ(6)が透明なリーダーテープ
である場合には、発光ダイオード(30B)からの一定
周波数I0の光はフオ))ランジスタ(44B)に大部
分供給されるので、バッファ回路参)よル比較器−に供
給される周波数f0の成分のレベルは所定値よシ大きく
テープエンド判定信号BeBは高レベル″″1”とされ
る。したがって、この判定信号B@sによシ磁気テープ
の例えば供給リール(208)側のチーブエンドの検出
がなされる。
また、(30T)は発光ダイオードであシ、第3図にお
いて巻取リール(20T)側に配される発光素子(7T
)に対応している。この発光ダイオ−P (30T)は
シスコン0ルの端子(32T)よ)チーブ走行そ−ド時
に出力される一定周波数70(一定周期)でオンデユー
テイ−が例えば50チのノ母ルスP4(第2図Bに図示
)に基づいて駆動される。この場合、ノ臂ルスP4は上
述し九パルスpIs(第2図Aに図示)と互いに位相反
転関係におかれる。
いて巻取リール(20T)側に配される発光素子(7T
)に対応している。この発光ダイオ−P (30T)は
シスコン0ルの端子(32T)よ)チーブ走行そ−ド時
に出力される一定周波数70(一定周期)でオンデユー
テイ−が例えば50チのノ母ルスP4(第2図Bに図示
)に基づいて駆動される。この場合、ノ臂ルスP4は上
述し九パルスpIs(第2図Aに図示)と互いに位相反
転関係におかれる。
ここで、シスコン0)の端子(32T)からのパルスP
4は、発光ダイオード駆動回路(35T)に供給される
。この駆動回路(35T)は上述した駆動口1358)
と同様に構成され、この駆動回路(35T)の出力によ
シ発光ダイオード(30T)が発光駆動される。
4は、発光ダイオード駆動回路(35T)に供給される
。この駆動回路(35T)は上述した駆動口1358)
と同様に構成され、この駆動回路(35T)の出力によ
シ発光ダイオード(30T)が発光駆動される。
即ち、ノヤルスP4が高レベル@11#のとき、発光ダ
イオード(30T)に所定電流、例えば30”40mA
が流れ発光し、一方、ノ量ルスP4が低レベル″″0”
のとき、発光ダイオード(30T)には電流が流れず発
光しない、シタがって、発光ダイオード(30T)はノ
4ルスP4に基づいて一定周波数70で発光・非発光が
繰シ返えされる。
イオード(30T)に所定電流、例えば30”40mA
が流れ発光し、一方、ノ量ルスP4が低レベル″″0”
のとき、発光ダイオード(30T)には電流が流れず発
光しない、シタがって、発光ダイオード(30T)はノ
4ルスP4に基づいて一定周波数70で発光・非発光が
繰シ返えされる。
尚、パルスPiが端子(328)に出力されるときには
、ノ臂ルスP4が端子(32T)に出力され、発光ダイ
オード(30B)及び(30T)の発光・非発光は同時
に行なわれる。
、ノ臂ルスP4が端子(32T)に出力され、発光ダイ
オード(30B)及び(30T)の発光・非発光は同時
に行なわれる。
また、(44T)はフォトトランジスタであシ、第3図
において巻取リール(20T)側に配される受光素子(
8T)に対応している。このフォトトランジスタ(44
T)の出力は信号処理回路(45T)に供給される。こ
の信号処理回路(45T)は上述した信号処理回路(4
5B)と同様に構成され、この信号処理回路(45T)
よシテーデエンド判定信号S@Tが出力され、これがシ
スコン01の端子(46T)に供給される。
において巻取リール(20T)側に配される受光素子(
8T)に対応している。このフォトトランジスタ(44
T)の出力は信号処理回路(45T)に供給される。こ
の信号処理回路(45T)は上述した信号処理回路(4
5B)と同様に構成され、この信号処理回路(45T)
よシテーデエンド判定信号S@Tが出力され、これがシ
スコン01の端子(46T)に供給される。
即ち、発光ダイオード(30T)とフォトトランジスタ
(44T )の間に介在されるチーf(6)が磁性面の
形成されている磁気テープである場合には1発光ダイオ
ード(30T)からの一定周波数!、の光はフォトトラ
ンジスタ(44T)にはとんと供給されず、テープエン
ド判定信号S@Tは低レベル@0#とされる。
(44T )の間に介在されるチーf(6)が磁性面の
形成されている磁気テープである場合には1発光ダイオ
ード(30T)からの一定周波数!、の光はフォトトラ
ンジスタ(44T)にはとんと供給されず、テープエン
ド判定信号S@Tは低レベル@0#とされる。
一方、発光ダイオード(30T)とフォトトランジスタ
(44T)の間に介在されるチーf(6)が透明なリー
ダーチーブである場合には1発光〆イオー)”(30T
)からの一定周波数f0の光はフォトトランジスタ(4
4T)に大部分供給されるので、テープエイド判定信号
S・!は高しペAI”l”とされる。したがって、この
判定信号S@tにより磁気テープの例えば巻取リール(
20T)側のテープエンドの検出がなされる。
(44T)の間に介在されるチーf(6)が透明なリー
ダーチーブである場合には1発光〆イオー)”(30T
)からの一定周波数f0の光はフォトトランジスタ(4
4T)に大部分供給されるので、テープエイド判定信号
S・!は高しペAI”l”とされる。したがって、この
判定信号S@tにより磁気テープの例えば巻取リール(
20T)側のテープエンドの検出がなされる。
このように1本例によれば、発光ダイオード(30B)
、(30T) liAルスps%p4で駆動されるもの
であるので、直流的に駆動するものに比べ外光の影響を
受けることがなく、正確なテープエンド検出を行なうこ
とができる。また、本例によれば、発光ダイオード(a
OS)及び(30T)は互%AK位相反転されり/#ル
スPi及びP4で駆動され、発光ダイオード(30B)
及び(30T)には交互に電流が流れて発光されるので
1発光ダイオード(gos)及び(30T) (D総合
的な消費電流は、第2図Cに示すように均一化され、電
源電圧子Bの/4ルス周期の変動はほとんど生じなくな
る。したがって、この電源を共通に使用している他の回
路に悪影響を及ばずおそれもない。
、(30T) liAルスps%p4で駆動されるもの
であるので、直流的に駆動するものに比べ外光の影響を
受けることがなく、正確なテープエンド検出を行なうこ
とができる。また、本例によれば、発光ダイオード(a
OS)及び(30T)は互%AK位相反転されり/#ル
スPi及びP4で駆動され、発光ダイオード(30B)
及び(30T)には交互に電流が流れて発光されるので
1発光ダイオード(gos)及び(30T) (D総合
的な消費電流は、第2図Cに示すように均一化され、電
源電圧子Bの/4ルス周期の変動はほとんど生じなくな
る。したがって、この電源を共通に使用している他の回
路に悪影響を及ばずおそれもない。
尚、上述実施例は発光素子として発光ダイオード(30
B) 、 (3G?) 、受光素子としてフォトトラン
ジスタ(448) 、 (44T)を用いた例であるが
、他の素子を用いるものにも同様に適用することができ
る。
B) 、 (3G?) 、受光素子としてフォトトラン
ジスタ(448) 、 (44T)を用いた例であるが
、他の素子を用いるものにも同様に適用することができ
る。
以上述べた本発明によれば、供給リール側及び巻取リー
ル側の発光素子はzfルスによって駆動されるので、外
光の影響を受けることがなく、正確なテープエンド検出
を行表うことができる。しかも、供給リール側及び巻取
リール側の発光素子は互いに位相反転された/fルスに
よって駆動されるので、2つの発光素子の総合的な消費
電流は均一化され、電源電圧子Bの/llスス期の変動
はほとんど生じなくなる。したがって、電源を共通に使
用している他の回路に悪影響を及ぼすおそれもない。
ル側の発光素子はzfルスによって駆動されるので、外
光の影響を受けることがなく、正確なテープエンド検出
を行表うことができる。しかも、供給リール側及び巻取
リール側の発光素子は互いに位相反転された/fルスに
よって駆動されるので、2つの発光素子の総合的な消費
電流は均一化され、電源電圧子Bの/llスス期の変動
はほとんど生じなくなる。したがって、電源を共通に使
用している他の回路に悪影響を及ぼすおそれもない。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図はその
説明のための図、第3図及び第4図はテープエンド検出
装置の一例を示す図、第5図は従来例化。a、cあ、。 (6)はテープ、(78)及び(7T)は発光素子、(
80及び(8T)は受光素子、(aOS)及び(3G?
)は発光ダイオード、0ルはシステムーントローラ、(
35B)及び(35T)は発光ダイオード駆動回路、(
448)及び(44T)はフォトトランジスタ、(45
B)及び(45’r)は信号処理回路である。 宥方包イ列め言先日月のための口 第2図 料量 第3図 第5図 第4図
説明のための図、第3図及び第4図はテープエンド検出
装置の一例を示す図、第5図は従来例化。a、cあ、。 (6)はテープ、(78)及び(7T)は発光素子、(
80及び(8T)は受光素子、(aOS)及び(3G?
)は発光ダイオード、0ルはシステムーントローラ、(
35B)及び(35T)は発光ダイオード駆動回路、(
448)及び(44T)はフォトトランジスタ、(45
B)及び(45’r)は信号処理回路である。 宥方包イ列め言先日月のための口 第2図 料量 第3図 第5図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気テープの端部に透明なリーダーテープが接続され、
供給リール側に第1の発光素子とこの第1の発光素子か
らの光が上記テープを介して供給される第1の受光素子
が配されると共に、巻取リール側に第2の発光素子とこ
の第2の発光素子からの光が上記テープを介して供給さ
れる第2の受光素子が配され、上記第1及び第2の受光
素子の出力によつて、夫々上記磁気テープの供給リール
側及び巻取リール側のエンドが検出されるテープエンド
検出装置において、 上記第1及び第2の発光素子は互いに位相の反転された
第1及び第2のパルスによつて駆動されることを特徴と
するテープエンド検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60255455A JPS62114143A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | テ−プエンド検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60255455A JPS62114143A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | テ−プエンド検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62114143A true JPS62114143A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17279004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60255455A Pending JPS62114143A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | テ−プエンド検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62114143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144162U (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-06 |
-
1985
- 1985-11-14 JP JP60255455A patent/JPS62114143A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144162U (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-06 |
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