JPS621152A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS621152A JPS621152A JP13977085A JP13977085A JPS621152A JP S621152 A JPS621152 A JP S621152A JP 13977085 A JP13977085 A JP 13977085A JP 13977085 A JP13977085 A JP 13977085A JP S621152 A JPS621152 A JP S621152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magnetic film
- magnetic
- magneto
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技帆立夏
本発明は、ドキュメントファイル、フロッピーディスク
、ハードディスクなどに使用される光磁気記録媒体に関
する。
、ハードディスクなどに使用される光磁気記録媒体に関
する。
災來勿技宜
近年、光の熱効果などを利用して磁性薄膜に磁区を書込
んで情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み
出すようにした光磁気記録媒体が注目されている。
んで情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み
出すようにした光磁気記録媒体が注目されている。
従来、光磁気記録媒体に用いられる記録層としては、Ｔ
ｂ−Ｆｅ合金のような希土類−遷移金属系アモルファス
磁性体からなる薄膜が知られている（特公昭５７−２０
６９１）、このような光磁気記録媒体への情報の記録は
、磁性体のキュー、り温度または補償温度における保磁
力の急激な変化特性を利用して実施され、具体的には２
値信号で変調されたレーザー光を垂直磁化された磁性薄
膜に照射、加熱して磁化の向きを反転させることにより
行われる。また、再生は、反転記録された磁性膜の磁気
光学効果の差を利用して行われる。
ｂ−Ｆｅ合金のような希土類−遷移金属系アモルファス
磁性体からなる薄膜が知られている（特公昭５７−２０
６９１）、このような光磁気記録媒体への情報の記録は
、磁性体のキュー、り温度または補償温度における保磁
力の急激な変化特性を利用して実施され、具体的には２
値信号で変調されたレーザー光を垂直磁化された磁性薄
膜に照射、加熱して磁化の向きを反転させることにより
行われる。また、再生は、反転記録された磁性膜の磁気
光学効果の差を利用して行われる。
希土類−遷移金属アモルファス磁性体薄膜は、垂直磁気
異方性を示し、保磁力Ｈｃが大きくメモリ材料に適して
いるが、カー回転角θｋが約０゜１８ｄｅｇと小さく、
再生感度の点でよりいっそうの改善がまたれていた。
異方性を示し、保磁力Ｈｃが大きくメモリ材料に適して
いるが、カー回転角θｋが約０゜１８ｄｅｇと小さく、
再生感度の点でよりいっそうの改善がまたれていた。
見豆段且煎
本発明は、磁気光学特性の優れた希土類−遷移金属系ア
モルファス磁性体を用いた光記録媒体を提供するもので
ある。
モルファス磁性体を用いた光記録媒体を提供するもので
ある。
災１Ｊ１１支
本・発明の光磁気記録媒体は、垂直磁気異方性を有する
希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜を設けた光磁気
記録媒体において、該磁性膜が少なくともＩＭ子％のＰ
ｍ、Ｅｕ、ＨｏまたはＥｒを含むことを特徴とする。
希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜を設けた光磁気
記録媒体において、該磁性膜が少なくともＩＭ子％のＰ
ｍ、Ｅｕ、ＨｏまたはＥｒを含むことを特徴とする。
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
第１図は、本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す断面
図であり、基板１１上に磁性膜１３および保護膜１５が
積層されている。磁性膜１３は。
図であり、基板１１上に磁性膜１３および保護膜１５が
積層されている。磁性膜１３は。
Ｐｍ（プロメチウム）、Ｅｕ（ユーロピウム）、Ｈｏ
（ホルミウム）またはＥｒ（エルビウム）を含む希土類
金属−遷移金属°の非晶質合金膜からなり、スパッタ法
、蒸着法、イオンブレーティング法などにより基板１１
上に形成される。希土類金属としてはＳｍ（サマリウム
）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ
（ジスプロシウム）などが挙げられ、また、遷移金属と
してはＦｅ（鉄）、Ｇｏ（コバルト）などが例示される
。好ましくは、磁性膜は次の一般式（１）で示される組
成を有する。
（ホルミウム）またはＥｒ（エルビウム）を含む希土類
金属−遷移金属°の非晶質合金膜からなり、スパッタ法
、蒸着法、イオンブレーティング法などにより基板１１
上に形成される。希土類金属としてはＳｍ（サマリウム
）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ
（ジスプロシウム）などが挙げられ、また、遷移金属と
してはＦｅ（鉄）、Ｇｏ（コバルト）などが例示される
。好ましくは、磁性膜は次の一般式（１）で示される組
成を有する。
Ｍｌ−Ｘ（Ｒ１−ＹＡＹ）Ｘ （
１）（式中、Ｍ、Ｒ，Ａ、ｘ、ｙはそれぞれ次のものを
表わす。
１）（式中、Ｍ、Ｒ，Ａ、ｘ、ｙはそれぞれ次のものを
表わす。
Ｍ：Ｆｅ、Ｇｏのうち少なくとも１種の元素Ｒ： Ｓｍ
、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうち少なくとも１種の元素 Ａ ： Ｐｍ、Ｅｕ、Ｈａ、Ｅ ｒのうち少なくとも１
種の元素 ｘ：ｏ、１≦Ｘ≦０．４ ｙ ： ０．０２＜ ｙ≦０．３） Ｘおよびｙを上記範囲とすることにより、優れた垂直異
方性と保磁力が得られる。置換数ｙの好ましい範囲は０
．０５≦ｙ≦０．１５である。
、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうち少なくとも１種の元素 Ａ ： Ｐｍ、Ｅｕ、Ｈａ、Ｅ ｒのうち少なくとも１
種の元素 ｘ：ｏ、１≦Ｘ≦０．４ ｙ ： ０．０２＜ ｙ≦０．３） Ｘおよびｙを上記範囲とすることにより、優れた垂直異
方性と保磁力が得られる。置換数ｙの好ましい範囲は０
．０５≦ｙ≦０．１５である。
磁性膜１３の膜厚は０，０３〜０．５μ薦程度が適当で
ある。
ある。
保護膜１５は、アモルファス磁性体が酸素や水により酸
化腐食されるのを防止するためのものであり、Ｓｉｎ、
、Ｓｉｎ、Ｓｉ、Ｎ、、ＡＩＮなどからなる。保護膜は
蒸着法、スパッタ法。
化腐食されるのを防止するためのものであり、Ｓｉｎ、
、Ｓｉｎ、Ｓｉ、Ｎ、、ＡＩＮなどからなる。保護膜は
蒸着法、スパッタ法。
イオンブレーティング法などにより形成することができ
る。保護膜の厚さは０．０５〜１μｍ程度が好適である
。
る。保護膜の厚さは０．０５〜１μｍ程度が好適である
。
基板１１としては非磁性材料が用いられ、たとえば、ガ
ラス、プラスチック、セラミックなどの透明基板あるい
は不透明基板が用いられる。
ラス、プラスチック、セラミックなどの透明基板あるい
は不透明基板が用いられる。
第２図は、本発明のさらに他の実施例を示し。
磁性膜１３をはさむ形で保護膜１５．１７を設け、磁性
膜の安定性をよりいっそう改善したものである。
膜の安定性をよりいっそう改善したものである。
また、磁性膜の上部に断熱膜や反射膜を設けることもで
きる。
きる。
月ＩＩυ碩１
本発明によれば、アモルファス希土類−遷移金属系磁性
膜に少なくとも１原子％のＰｍ、Ｅｕ。
膜に少なくとも１原子％のＰｍ、Ｅｕ。
ＨａまたはＥｒを添加することにより、カー回転角ｏｋ
が大きくなり、再生特性のよい光磁気記録媒体が得られ
る。
が大きくなり、再生特性のよい光磁気記録媒体が得られ
る。
実施例１
２元マグネトロンスパッタ装置を用い、 Ｐｍのチップ
（ＩＱａ＋ｍ Ｘ １０ａ＋ａ＋ Ｘ １ ＋ａｍ”）
を１５０＋ａｍφ、 ３ ｖｓｒｓ”のＴｂターゲット
の上にのせ、 Ｆ ｅａ、、、Ｃｏ、、の合金ターゲッ
ト（１５０＋＊ｍφ、３ｍｍ”）と同時に以下の条件で
スパッタして、回転している基板の上に磁性膜を作成し
た。ここで、Ｐｍのチップ数を調整して、Ｔｂの一部を
Ｐｍ置換することにより、磁性膜のＰｍ置換量を制御し
た。
（ＩＱａ＋ｍ Ｘ １０ａ＋ａ＋ Ｘ １ ＋ａｍ”）
を１５０＋ａｍφ、 ３ ｖｓｒｓ”のＴｂターゲット
の上にのせ、 Ｆ ｅａ、、、Ｃｏ、、の合金ターゲッ
ト（１５０＋＊ｍφ、３ｍｍ”）と同時に以下の条件で
スパッタして、回転している基板の上に磁性膜を作成し
た。ここで、Ｐｍのチップ数を調整して、Ｔｂの一部を
Ｐｍ置換することにより、磁性膜のＰｍ置換量を制御し
た。
得られた磁性膜は、基板側からＨｅ−Ｎｅレーザ（λ＝
６３３ｎｍ）を照射し、対称角振動法によりカー回転角
θｋを求め、Ｐｍの置換数ｙとθにとの関係を調べ第３
図に示した。
６３３ｎｍ）を照射し、対称角振動法によりカー回転角
θｋを求め、Ｐｍの置換数ｙとθにとの関係を調べ第３
図に示した。
孟Ｕの４」記」軒−
残留ガス圧： Ｉ Ｘｌ０−＠ＴｏｒｒＡｒガス圧：
５ Ｘｌ０−３Ｔｏｒｒターゲット材： Ｆｅ、、、Ｃ
ｏｌ１．、、Ｔｂ＋Ｐｍ放電電カニ ４００Ｗ（Ｆ ｅ
、、、Ｃｏｆｉ、□）、１００Ｗ（Ｔ ｂ＋Ｐｍ） スパッタ時間： １５ｍ１ｎ （膜厚１０００人）基板
ニスライドガラス 基板回転： ３０ｒｐｍ 実施例２ Ｔｂの一部をＥｕで置換して、磁性膜組成を変化させて
、Ｅｕの置換数ｙとカー回転角θにとの関係を調べ第４
図に示した。磁性膜の作成条件は、ターゲットを除いて
実施例１と全て同じである。
５ Ｘｌ０−３Ｔｏｒｒターゲット材： Ｆｅ、、、Ｃ
ｏｌ１．、、Ｔｂ＋Ｐｍ放電電カニ ４００Ｗ（Ｆ ｅ
、、、Ｃｏｆｉ、□）、１００Ｗ（Ｔ ｂ＋Ｐｍ） スパッタ時間： １５ｍ１ｎ （膜厚１０００人）基板
ニスライドガラス 基板回転： ３０ｒｐｍ 実施例２ Ｔｂの一部をＥｕで置換して、磁性膜組成を変化させて
、Ｅｕの置換数ｙとカー回転角θにとの関係を調べ第４
図に示した。磁性膜の作成条件は、ターゲットを除いて
実施例１と全て同じである。
ターゲット材： Ｆ ｅ、、、Ｇ ｏ。０． Ｔ ｂ
＋Ｅ ｕ実施例３ Ｔｂの一部をＨＯで置換して、磁性膜組成を変化させて
、Ｈｏの置換数ｙとカー回転角θにとの関係を調べ第４
図に示した。磁性膜の作成条件は、ターゲットを除いて
実施例１と全て同じである。
＋Ｅ ｕ実施例３ Ｔｂの一部をＨＯで置換して、磁性膜組成を変化させて
、Ｈｏの置換数ｙとカー回転角θにとの関係を調べ第４
図に示した。磁性膜の作成条件は、ターゲットを除いて
実施例１と全て同じである。
ターゲット材： Ｆ ｅｌＬ、Ｇ ｏ。、、、 Ｔ ｂ
＋Ｈ。
＋Ｈ。
実施例４
Ｔｂの一部をＥｒで置換して、磁性膜組成を変化させて
、Ｅｒの置換数ｙとカー回転角θにとの関係を調べ第４
図に示した６磁性膜の作成条件は、ターゲットを除いて
実施例１と全て同じである。
、Ｅｒの置換数ｙとカー回転角θにとの関係を調べ第４
図に示した６磁性膜の作成条件は、ターゲットを除いて
実施例１と全て同じである。
ターゲット材： Ｆ ｅｏ、ｓＣＯｎｌ、 Ｔ ｂ ＋
Ｅ ｒ第３図〜第６図より、Ｐｍ、Ｅｕ、ＨｏまたはＥ
ｒを添加することにより、カー回転角が約０．０２〜０
、０４ｄｅｇ大きくなり再生特性が改善されることが
判る。
Ｅ ｒ第３図〜第６図より、Ｐｍ、Ｅｕ、ＨｏまたはＥ
ｒを添加することにより、カー回転角が約０．０２〜０
、０４ｄｅｇ大きくなり再生特性が改善されることが
判る。
第１図および第２図は、本発明の実施例を示す断面図で
ある。 第３図、第４図、第５図および第６図は、それぞれ磁性
膜中のＰｍ、、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒの置換数ｙとカー回転
角θにとの関係を示すグラフである。 １１・・・基 板 Ｉ３・・・磁 性 膜１
５．１７・・・保護膜 毘ｌ聞 剤３図 （Ｆｅ０．９ＣＯＯ，ｌ）０．７９（Ｔｋ）Ｉ−ｙＰｍ
、）Ｈ２１中ｎｙ陥２聞 鷺４閉 （Ｒ１０，ｇｃｏ□、１）０．７ｇ（Ｔｏｌ−ｙＥｕｙ
）α２１中のＹ手続補正書 “ 昭和６０年１０月１７日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１３９７７０号 ２、発明の名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 一番町フェニックスビル 明細書の［発明の詳細な説明」の欄 ｉ、補正の内容 （１）明細書第４頁１１行に、ｒｙ ：Ｑ、０２＜ｙ≦
０．３」とあルノヲ、ｆｙ：ｏ、０２≦ｙ≦０．３Ｊｌ
ニ訂正する。 以上
ある。 第３図、第４図、第５図および第６図は、それぞれ磁性
膜中のＰｍ、、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒの置換数ｙとカー回転
角θにとの関係を示すグラフである。 １１・・・基 板 Ｉ３・・・磁 性 膜１
５．１７・・・保護膜 毘ｌ聞 剤３図 （Ｆｅ０．９ＣＯＯ，ｌ）０．７９（Ｔｋ）Ｉ−ｙＰｍ
、）Ｈ２１中ｎｙ陥２聞 鷺４閉 （Ｒ１０，ｇｃｏ□、１）０．７ｇ（Ｔｏｌ−ｙＥｕｙ
）α２１中のＹ手続補正書 “ 昭和６０年１０月１７日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１３９７７０号 ２、発明の名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 一番町フェニックスビル 明細書の［発明の詳細な説明」の欄 ｉ、補正の内容 （１）明細書第４頁１１行に、ｒｙ ：Ｑ、０２＜ｙ≦
０．３」とあルノヲ、ｆｙ：ｏ、０２≦ｙ≦０．３Ｊｌ
ニ訂正する。 以上
Claims (1)
- １、垂直磁気異方性を有する希土類−遷移金属系アモル
ファス磁性膜を設けた光磁気記録媒体において、該磁性
膜が少なくとも１原子％のＰｍ、Ｅｕ、ＨｏまたはＥｒ
を含むことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13977085A JPS621152A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13977085A JPS621152A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621152A true JPS621152A (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=15252995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13977085A Pending JPS621152A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS621152A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03113852A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP13977085A patent/JPS621152A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03113852A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
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