JPH0445898B2 - - Google Patents
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- JPH0445898B2 JPH0445898B2 JP8568985A JP8568985A JPH0445898B2 JP H0445898 B2 JPH0445898 B2 JP H0445898B2 JP 8568985 A JP8568985 A JP 8568985A JP 8568985 A JP8568985 A JP 8568985A JP H0445898 B2 JPH0445898 B2 JP H0445898B2
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はＥ−DRAW型光デイスクに関し、特
に希土類金属と遷移金属を主成分とするアモルフ
アス合金からなりかつ膜面に垂直な方向に一軸磁
気異方性を有する光記録膜を担持した光磁気記録
媒体に関する。
に希土類金属と遷移金属を主成分とするアモルフ
アス合金からなりかつ膜面に垂直な方向に一軸磁
気異方性を有する光記録膜を担持した光磁気記録
媒体に関する。
背景技術
従来から、一定の条件下で例えば高周波スパツ
タリング等の方法で作成される希土類金属と遷移
金属との合金例えばGdTbFe（ガドリニウム−テ
ルビウム−鉄）、TbFeCo（テルビウム−鉄−コバ
ルト）等の合金薄膜は、アモルフアス構造をと
り、膜面に垂直な一軸磁気異方性を有することが
知られている。
タリング等の方法で作成される希土類金属と遷移
金属との合金例えばGdTbFe（ガドリニウム−テ
ルビウム−鉄）、TbFeCo（テルビウム−鉄−コバ
ルト）等の合金薄膜は、アモルフアス構造をと
り、膜面に垂直な一軸磁気異方性を有することが
知られている。
この性質を光磁気記録媒体の記録膜として利用
することが出来る。すなわち、情報の記録読取り
については次のように行う。先ず、一軸磁気異方
性を有するアモルフアス合金膜上にレーザ光を焦
光してその焦光部分を永久磁石又は電磁石を用い
て外部磁場を印加しながらキユーリー温度又は補
償温度付近まで局部的に加熱せしめる。この時の
焦光部分における熱消磁又は磁化反転の熱磁気的
効果によつて、一方向に一様に磁化された合金膜
面内に反転磁区を形成して情報を記録することが
出来る。次に、形成された反転磁区に偏光レーザ
光を入射し、その反射光におけるポーラ・カー効
果による偏波面の回転から反転磁区の有無を信号
として検出できる。このようにして、上記記録媒
体において反転磁区の有無を“１”、“０”に対応
させることによつて記録した情報の読取りが可能
となる。
することが出来る。すなわち、情報の記録読取り
については次のように行う。先ず、一軸磁気異方
性を有するアモルフアス合金膜上にレーザ光を焦
光してその焦光部分を永久磁石又は電磁石を用い
て外部磁場を印加しながらキユーリー温度又は補
償温度付近まで局部的に加熱せしめる。この時の
焦光部分における熱消磁又は磁化反転の熱磁気的
効果によつて、一方向に一様に磁化された合金膜
面内に反転磁区を形成して情報を記録することが
出来る。次に、形成された反転磁区に偏光レーザ
光を入射し、その反射光におけるポーラ・カー効
果による偏波面の回転から反転磁区の有無を信号
として検出できる。このようにして、上記記録媒
体において反転磁区の有無を“１”、“０”に対応
させることによつて記録した情報の読取りが可能
となる。
従来からの希土類金属と遷移金属とのアモルフ
アス合金例えばGdTbFe、TbFeCo等は光磁気効
果及び磁気特性、特にキユーリー点、補償温度が
室温から百数十度の範囲にあつてかつ数KOeの
保磁力があり光磁気記録材料として適しているた
め光磁気記録媒体の記録膜材料として注目され実
用化が検討されている。
アス合金例えばGdTbFe、TbFeCo等は光磁気効
果及び磁気特性、特にキユーリー点、補償温度が
室温から百数十度の範囲にあつてかつ数KOeの
保磁力があり光磁気記録材料として適しているた
め光磁気記録媒体の記録膜材料として注目され実
用化が検討されている。
しかしながら、これら希土類金属と遷移金属と
のアモルフアス合金薄膜は酸化し易いために長期
信頼性に欠けている。そのために該アモルフアス
合金膜においては、磁気特性光磁気特性に経時変
化が生じ易く、特に高温でかつ高湿度の環境中で
はその劣化が大きいという欠点があり、該アモル
フアス合金膜は、光磁気記録膜として使用する場
合に安定性に問題があつた。
のアモルフアス合金薄膜は酸化し易いために長期
信頼性に欠けている。そのために該アモルフアス
合金膜においては、磁気特性光磁気特性に経時変
化が生じ易く、特に高温でかつ高湿度の環境中で
はその劣化が大きいという欠点があり、該アモル
フアス合金膜は、光磁気記録膜として使用する場
合に安定性に問題があつた。
また、かかるアモルフアス合金膜は膜面に垂直
な方向に一軸磁気異方性を有する垂直磁化膜であ
ることが必要であるが、従来のアモルフアス合金
は、その磁化容易軸が理想的な膜面に垂直な方向
からかなり傾いて分布しており、レーザ光で信号
を読取るのに充分なカー回転角を有しているとは
言えなかつた。そこで従来から、より大きなカー
回転角を得るような磁化容易軸が膜面に垂直な方
向に出来るだけ向いた垂直磁化膜としてのアモル
フアス合金膜が求められている。
な方向に一軸磁気異方性を有する垂直磁化膜であ
ることが必要であるが、従来のアモルフアス合金
は、その磁化容易軸が理想的な膜面に垂直な方向
からかなり傾いて分布しており、レーザ光で信号
を読取るのに充分なカー回転角を有しているとは
言えなかつた。そこで従来から、より大きなカー
回転角を得るような磁化容易軸が膜面に垂直な方
向に出来るだけ向いた垂直磁化膜としてのアモル
フアス合金膜が求められている。
更に、アモルフアス合金のカー回転角を高める
ために、第１図の従来の光磁気記録媒体の概略断
面図にて示す如く、ZnS（硫化亜鉛）からなるカ
ー効果エンハンス膜２を基板１とアモルフアス合
金膜３との間に設け保護膜４を積層した光磁気記
録媒体も開発されている。しかしながら、この従
来の光磁気記録媒体おいても充分大きなカー回転
角を得るには至つていない。
ために、第１図の従来の光磁気記録媒体の概略断
面図にて示す如く、ZnS（硫化亜鉛）からなるカ
ー効果エンハンス膜２を基板１とアモルフアス合
金膜３との間に設け保護膜４を積層した光磁気記
録媒体も開発されている。しかしながら、この従
来の光磁気記録媒体おいても充分大きなカー回転
角を得るには至つていない。
発明の概要
本発明の目的は、経時変化の小さい長期保存性
に優れ、更に大きなカー回転角を有した光磁気記
録媒体を提供することを目的としている。
に優れ、更に大きなカー回転角を有した光磁気記
録媒体を提供することを目的としている。
本発明の光磁気記録媒体は、基板と、該基板に
担持されかつ膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性
を有するアモルフアス合金膜とを有する光磁気媒
体であつて、該アモルフアス合金膜Al（アルミニ
ウム）を添加元素として含む希土類金属−遷移金
属系合金膜であり、かつ基板とアモルフアス合金
膜との間にZnSからなる第１カー効果エンハンス
膜及びGe（ゲルマニウム）からなる第２カー効果
エンハンス膜を設けたことを特徴とする。
担持されかつ膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性
を有するアモルフアス合金膜とを有する光磁気媒
体であつて、該アモルフアス合金膜Al（アルミニ
ウム）を添加元素として含む希土類金属−遷移金
属系合金膜であり、かつ基板とアモルフアス合金
膜との間にZnSからなる第１カー効果エンハンス
膜及びGe（ゲルマニウム）からなる第２カー効果
エンハンス膜を設けたことを特徴とする。
実施例
以下、本発明の実施例を添附図面に基づいて説
明する。
明する。
第２図は本発明の光磁気記録媒体の拡大部分断
面概略図である。案内溝付き円板状PMMA基板
１の主面上に、膜厚830ÅのZnS（硫化亜鉛）から
なる第１カー効果エンハンス膜２ａ、膜厚50Åの
Ge（ゲルマニウム）からなる第２カー効果エンハ
ンス膜２ｂ、光磁気記録材料であるアモルフアス
合金膜３、SiO2かなる保護膜４を真空蒸着ある
いはスパツタリング等の製膜方法により順に積層
し光磁気記録媒体を作成する。尚、アモルフアス
合金膜３を次式の合金組成となるように形成す
る。
面概略図である。案内溝付き円板状PMMA基板
１の主面上に、膜厚830ÅのZnS（硫化亜鉛）から
なる第１カー効果エンハンス膜２ａ、膜厚50Åの
Ge（ゲルマニウム）からなる第２カー効果エンハ
ンス膜２ｂ、光磁気記録材料であるアモルフアス
合金膜３、SiO2かなる保護膜４を真空蒸着ある
いはスパツタリング等の製膜方法により順に積層
し光磁気記録媒体を作成する。尚、アモルフアス
合金膜３を次式の合金組成となるように形成す
る。
（RxT1-x）1-yAly
上式では、希土類金属Ｒは、Gd（ガドリニウ
ム）、Tb（テルビウム）及びDy（ジスプロシウム）
から選ばれる１種類以上の金属であり、遷移金属
Ｔは、Fe（鉄）及びCo（コバルト）から選ばれる
１種類以上の金属である。ｘは原子比率で0.1≦
ｘ≦0.4の範囲の値となるようにする。この範囲
で垂直磁化膜が真空蒸着又はスパツタリングによ
つて得られることが知られている。更に本実施例
では、この希土類金属−遷移金属合金へ添加元素
としてAl（アルミニウム）を添加する。アモルフ
アス合金における希土類金属−遷移金属合金とア
ルミニウムとの原子比率における組成式（RT）1-
ｙAlyは、以下に述べる理由でｙが0.005≦ｙ≦0.4
の範囲の値となるようにして、光磁気記録媒体の
アモルフアス合金膜を形成する。
ム）、Tb（テルビウム）及びDy（ジスプロシウム）
から選ばれる１種類以上の金属であり、遷移金属
Ｔは、Fe（鉄）及びCo（コバルト）から選ばれる
１種類以上の金属である。ｘは原子比率で0.1≦
ｘ≦0.4の範囲の値となるようにする。この範囲
で垂直磁化膜が真空蒸着又はスパツタリングによ
つて得られることが知られている。更に本実施例
では、この希土類金属−遷移金属合金へ添加元素
としてAl（アルミニウム）を添加する。アモルフ
アス合金における希土類金属−遷移金属合金とア
ルミニウムとの原子比率における組成式（RT）1-
ｙAlyは、以下に述べる理由でｙが0.005≦ｙ≦0.4
の範囲の値となるようにして、光磁気記録媒体の
アモルフアス合金膜を形成する。
光磁気記録膜としての添加元素Alを含む非晶
室の希土類金属−遷移金属合金膜における添加元
素Alの効果を調べてみる。実験結果によると、
0.5at.％未満のAl（即ちｙ＜0.005）の希土類金属
−遷移金属合金への添加では酸化による該記録膜
の経時変化を小さくする効果がないことが確認さ
れた。また、40at.％を超えるのAl（即ちｙ＞0.4）
の希土類金属−遷移金属合金への添加になると光
磁気記録膜の磁気的及び光磁気特性における保磁
力Hcやカー回転角の急激な低下が生じ、光磁気
記録媒体として使用することが不可能となること
も確認された。
室の希土類金属−遷移金属合金膜における添加元
素Alの効果を調べてみる。実験結果によると、
0.5at.％未満のAl（即ちｙ＜0.005）の希土類金属
−遷移金属合金への添加では酸化による該記録膜
の経時変化を小さくする効果がないことが確認さ
れた。また、40at.％を超えるのAl（即ちｙ＞0.4）
の希土類金属−遷移金属合金への添加になると光
磁気記録膜の磁気的及び光磁気特性における保磁
力Hcやカー回転角の急激な低下が生じ、光磁気
記録媒体として使用することが不可能となること
も確認された。
第３図は、本実施例の光磁気記録媒体と従来の
ものとについて、45℃90％R.H.（湿度）の状態で
波長830nｍの半導体レーザ光によつて測定した
場合におけるカー回転角θkの経時変化を調べた
結果を示すグラフである。第３図において、縦軸
にカー回転角、横軸に経過時間を示しており、曲
線は｛Tbx（Fe0.8Co0.2）1-x｝1-yAly合金においてｘ
＝0.18、ｙ＝0.08としてアモルフアス合金膜とし
て用いた本実施例の光磁気記録媒体の経時変化を
示し、曲線Ｂはカーエンハンス膜を用いることな
く基板の上にTbFeCo合金膜、そして保護膜をこ
の順に形成した従来の光磁気記録媒体の経時変化
を示している。グラフに示す如く本実施例の光記
録媒体は従来のものよりもθk（カー回転角）の劣
化が小さく酸化等による経時変化少ないことが分
る。
ものとについて、45℃90％R.H.（湿度）の状態で
波長830nｍの半導体レーザ光によつて測定した
場合におけるカー回転角θkの経時変化を調べた
結果を示すグラフである。第３図において、縦軸
にカー回転角、横軸に経過時間を示しており、曲
線は｛Tbx（Fe0.8Co0.2）1-x｝1-yAly合金においてｘ
＝0.18、ｙ＝0.08としてアモルフアス合金膜とし
て用いた本実施例の光磁気記録媒体の経時変化を
示し、曲線Ｂはカーエンハンス膜を用いることな
く基板の上にTbFeCo合金膜、そして保護膜をこ
の順に形成した従来の光磁気記録媒体の経時変化
を示している。グラフに示す如く本実施例の光記
録媒体は従来のものよりもθk（カー回転角）の劣
化が小さく酸化等による経時変化少ないことが分
る。
更に、本実施例の光磁気記録媒体と従来のもの
とを45℃90％R.H.（湿度）の状態である時間保持
した後、波長830nｍの半導体レーザ光を用いて
それぞれの光磁気記録媒体のカー回転角θkにつ
いて調べて見る。本実施例の光磁気記録媒体のカ
ー回転角θkは1.05°となり、従来の光記録媒体の
カー回転角θkは0.54°となることが分つた。この
ことは、本実施例では第２図に示す如く膜厚830
ÅのZnSからなる第１カー効果エンハンス膜２ａ
と膜厚50ÅのGeからなる第２カー効果エンハン
ス膜２ｂを基板１とアモルフアス合金膜３との間
に積層させているので、従来からのZnSの誘電体
の見掛上のカー回転角の増大効果にさらにGeに
よる増大効果が付与されることを示している。
とを45℃90％R.H.（湿度）の状態である時間保持
した後、波長830nｍの半導体レーザ光を用いて
それぞれの光磁気記録媒体のカー回転角θkにつ
いて調べて見る。本実施例の光磁気記録媒体のカ
ー回転角θkは1.05°となり、従来の光記録媒体の
カー回転角θkは0.54°となることが分つた。この
ことは、本実施例では第２図に示す如く膜厚830
ÅのZnSからなる第１カー効果エンハンス膜２ａ
と膜厚50ÅのGeからなる第２カー効果エンハン
ス膜２ｂを基板１とアモルフアス合金膜３との間
に積層させているので、従来からのZnSの誘電体
の見掛上のカー回転角の増大効果にさらにGeに
よる増大効果が付与されることを示している。
また、ZnSからなる第１カー効果エンハンス膜
の膜厚は50Å〜1500Åの範囲で変化させ、かつま
た、Ge（ゲルマニウム）からなる第２カー効果エ
ンハンス膜の膜厚は10Å〜100Åの範囲で変化さ
せるなど、これら両者のカー効果エンハンス膜の
膜厚を適当に選択することによつて、45℃90％
R.H.の状態で波長830nｍの半導体レーザ光を用
いてカー回転角θkを測定したところ、上記同様
のカー回転角の増大効果が得られることが確認で
きた。
の膜厚は50Å〜1500Åの範囲で変化させ、かつま
た、Ge（ゲルマニウム）からなる第２カー効果エ
ンハンス膜の膜厚は10Å〜100Åの範囲で変化さ
せるなど、これら両者のカー効果エンハンス膜の
膜厚を適当に選択することによつて、45℃90％
R.H.の状態で波長830nｍの半導体レーザ光を用
いてカー回転角θkを測定したところ、上記同様
のカー回転角の増大効果が得られることが確認で
きた。
発明の効果
以上の如く本発明によれば、希土類金属−遷移
金属合金に添加元素としてAlを添加することに
より、さらにまたZnSからなる第１カー効果エン
ハンス膜及びGeからなる第２カー効果エンハン
ス膜を記録膜と基板との間に設けることにより、
経時変化の少ない長期保存性に優れかつカー回転
角の増大した光磁気記録媒体を得ることができ
る。
金属合金に添加元素としてAlを添加することに
より、さらにまたZnSからなる第１カー効果エン
ハンス膜及びGeからなる第２カー効果エンハン
ス膜を記録膜と基板との間に設けることにより、
経時変化の少ない長期保存性に優れかつカー回転
角の増大した光磁気記録媒体を得ることができ
る。
第１図は従来の光磁気記記録媒体の概略断面図
であり、第２図は本発明による光磁気記録媒体の
概略断面図であり、第３図は従来の光記録媒体と
本発明にの光記録媒体との45℃、湿度90％の状態
におけるカー回路角θkの経時変化を示すグラフ
である。 主要部分の符号の説明、１……PMMA基板、
２，２ａ，２ｂ……カー効果エンハンス膜、３…
…アモルフアス合金膜、４……保護膜。
であり、第２図は本発明による光磁気記録媒体の
概略断面図であり、第３図は従来の光記録媒体と
本発明にの光記録媒体との45℃、湿度90％の状態
におけるカー回路角θkの経時変化を示すグラフ
である。 主要部分の符号の説明、１……PMMA基板、
２，２ａ，２ｂ……カー効果エンハンス膜、３…
…アモルフアス合金膜、４……保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板と該透明基板に担持されかつ膜面に
垂直な方向に一軸磁気異方性を有するアモルフア
ス合金膜とを有する光磁気記録媒体であつて、前
記アモルフアス合金膜はAlを添加元素として含
む希土類金属−遷移金属合金膜であり、かつ前記
基板と前記アモルフアス合金膜との間にZnSから
なる第１カー効果エンハンス膜及びGeからなる
第２カー効果エンハンス膜を設けたことを特徴と
する光磁気記録媒体。 ２ 前記アモルフアス合金膜は原子比としてｘ、
ｙを用いて、 （RxT1-x）1-yAly で示される組成を有する多元合金の膜であり、Ｒ
はGd、Tb、Dyから選ばれる１種類以上の希土
金属であり、ＴはFe、Coから選ばれる１種類以
上の遷移金属であり、かつｘ及びｙは0.1≦ｘ≦
0.4及び0.005≦ｙ≦0.4の各々の範囲にある値であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光磁気記録媒体。 ３ 前記ZnSからなる第１カー効果エンハンス膜
の膜厚は50Å〜1500Åでありかつ前記Geからな
る第２カー効果エンハンス膜の膜厚は10Å〜100
Åであることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8568985A JPS61243977A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8568985A JPS61243977A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243977A JPS61243977A (ja) | 1986-10-30 |
| JPH0445898B2 true JPH0445898B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=13865808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8568985A Granted JPS61243977A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243977A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2703003B2 (ja) * | 1988-12-05 | 1998-01-26 | 株式会社日立製作所 | 光ディスク及びその製造方法 |
| KR0172861B1 (ko) * | 1990-08-03 | 1999-04-15 | 이헌조 | 광자기 디스크구조 |
-
1985
- 1985-04-22 JP JP8568985A patent/JPS61243977A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61243977A (ja) | 1986-10-30 |
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