JPS6211545B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6211545B2 JPS6211545B2 JP58222022A JP22202283A JPS6211545B2 JP S6211545 B2 JPS6211545 B2 JP S6211545B2 JP 58222022 A JP58222022 A JP 58222022A JP 22202283 A JP22202283 A JP 22202283A JP S6211545 B2 JPS6211545 B2 JP S6211545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- photosensitive layer
- light
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はフアクシミリ信号などを得るために用
いる一次元の撮像素子に関するものである。
いる一次元の撮像素子に関するものである。
一次元の撮像素子としては走査光源の原稿から
の反射光を固定の受光素子で電気信号に変換する
方式が用いられてきたが、近年は固定光源の原稿
からの反射光を走査機能を有する受光素子で電気
信号に変換する方式が用いられつつある。
の反射光を固定の受光素子で電気信号に変換する
方式が用いられてきたが、近年は固定光源の原稿
からの反射光を走査機能を有する受光素子で電気
信号に変換する方式が用いられつつある。
後者の代表例として、フオトダイオードアレー
から得られる光電流をスイツチで順次切り換えて
読み出すもの、あるいは光電流を順次転送しなが
ら読み出すものなどがある。しかし、これらの撮
像素子はいずれもシリコンを用いる場合が多く、
その大きさに制限を受ける。たとえば、長さ２〜
３cm程度が限度となる。
から得られる光電流をスイツチで順次切り換えて
読み出すもの、あるいは光電流を順次転送しなが
ら読み出すものなどがある。しかし、これらの撮
像素子はいずれもシリコンを用いる場合が多く、
その大きさに制限を受ける。たとえば、長さ２〜
３cm程度が限度となる。
したがつて、従来の撮像素子を用いてフアクシ
ミリ信号を得ようとすれば、原稿の像をレンズ系
を用いて光学的に縮尺し受光素子に結像する必要
が生じる。このために光学系に大きな体積を要
し、その体積以下にフアクシミリ装置を小形化で
きない欠点があつた。さらに、大きな撮像素子が
できないために、一個の撮像素子に含みうる受光
素子の数に上限があり（たとえば256〜512素子程
度）、原稿の一行分のフアクシミリ信号をうるた
めに複数個の撮像素子が必要となる。これに伴つ
て複数個の像を作るための複雑な光学系が必要と
なる欠点も生じていた。
ミリ信号を得ようとすれば、原稿の像をレンズ系
を用いて光学的に縮尺し受光素子に結像する必要
が生じる。このために光学系に大きな体積を要
し、その体積以下にフアクシミリ装置を小形化で
きない欠点があつた。さらに、大きな撮像素子が
できないために、一個の撮像素子に含みうる受光
素子の数に上限があり（たとえば256〜512素子程
度）、原稿の一行分のフアクシミリ信号をうるた
めに複数個の撮像素子が必要となる。これに伴つ
て複数個の像を作るための複雑な光学系が必要と
なる欠点も生じていた。
本発明の目的は、上記の問題を解決し、読み取
り得る長さが大きく、複雑なレンズ系が不要で、
所要体積の小さな一次元の撮像素子を提供するこ
とである。
り得る長さが大きく、複雑なレンズ系が不要で、
所要体積の小さな一次元の撮像素子を提供するこ
とである。
以下、本発明を実施例を用いて詳しく説明す
る。
る。
第１図は本発明の撮像素子の基本構成例を示
す。基板１の上にストライプ状に分離された電極
２、その上に感光層３、その上に電極４が形成さ
れている。ストライプ電極２はシフトレジスタ、
スイツチよりなる走査部５に接続線６で１本ずつ
接続されている。走査部５は端子７に接続線６を
１本ずつ順次接続する機能を有する。電極４は端
子１０に引き出され、端子７，１０の間に電源
８、抵抗９を有する。
す。基板１の上にストライプ状に分離された電極
２、その上に感光層３、その上に電極４が形成さ
れている。ストライプ電極２はシフトレジスタ、
スイツチよりなる走査部５に接続線６で１本ずつ
接続されている。走査部５は端子７に接続線６を
１本ずつ順次接続する機能を有する。電極４は端
子１０に引き出され、端子７，１０の間に電源
８、抵抗９を有する。
感光層３としては、撮像管に使われている、た
とえば三硫化アンチモンよりなる光導電層、無定
形セレンよりなる非晶質光ダイオード層などが用
いうる。これらは蒸着により形成することができ
るので、シリコン素子の大きさが結晶の大きさに
より制限を受けるのに比べて、大形のもの（たと
えば20〜30cm）が実現できる。
とえば三硫化アンチモンよりなる光導電層、無定
形セレンよりなる非晶質光ダイオード層などが用
いうる。これらは蒸着により形成することができ
るので、シリコン素子の大きさが結晶の大きさに
より制限を受けるのに比べて、大形のもの（たと
えば20〜30cm）が実現できる。
走査部５は感光層とは独立に製作し、接続すれ
ばよいので、従来のようにシリコンのプロセスで
製作することができる。第１図においては感光層
の基板側にストライプ電極、その反対側に一様な
電極を構成する例を示しているが、この逆の場合
もありうる。
ばよいので、従来のようにシリコンのプロセスで
製作することができる。第１図においては感光層
の基板側にストライプ電極、その反対側に一様な
電極を構成する例を示しているが、この逆の場合
もありうる。
第２図は第１図の撮像素子の等価回路を示す。
感光層３は光ダイオード３ａと容量３ｂで示され
光ダイオード３ａより発生する光電流は容量３ａ
に蓄積され、走査部５に含まれるスイツチ５ａが
短絡される度に端子１０，７間に信号として読み
出される。
感光層３は光ダイオード３ａと容量３ｂで示され
光ダイオード３ａより発生する光電流は容量３ａ
に蓄積され、走査部５に含まれるスイツチ５ａが
短絡される度に端子１０，７間に信号として読み
出される。
ストライプ電極２はたとえば６〜10本／mm程度
の密度で、数100〜2000本程度の本数を有する。
の密度で、数100〜2000本程度の本数を有する。
以下、第１図の撮像素子を用いた撮像装置の実
施例を示す。
施例を示す。
第３図において基板１はガラスなどの透明な絶
縁体よりなり、ストライプ電極２はアルミニウ
ム、クロームなどの不透明な導電体よりなる。ま
た、電極４はネサ、金などの透明あるいは半透明
な導電体よりなる。１１は電極４上に形成された
不透明な遮光媒体であり、電極４を微小量（たと
えば100μｍ程度）を露出させて残りをおおつて
いる。なお、感光層３あるいは電極４の幅を100
μｍ程度にすれば、後述の例のように１１は不要
である。１２はガラスなどの透明なスペーサで、
感光層３の上にたとえば100μｍ程度堆積されて
いる。
縁体よりなり、ストライプ電極２はアルミニウ
ム、クロームなどの不透明な導電体よりなる。ま
た、電極４はネサ、金などの透明あるいは半透明
な導電体よりなる。１１は電極４上に形成された
不透明な遮光媒体であり、電極４を微小量（たと
えば100μｍ程度）を露出させて残りをおおつて
いる。なお、感光層３あるいは電極４の幅を100
μｍ程度にすれば、後述の例のように１１は不要
である。１２はガラスなどの透明なスペーサで、
感光層３の上にたとえば100μｍ程度堆積されて
いる。
以上のような撮像装置は原稿１３に接し、基板
１の背部の光源１４より供給される光のうち、原
稿１３で反射した成分のみをスペーサ１２、透明
電極４を経て感光層３に受光する。光源１４はス
ペーサ１２の表面で入射光が全反射しない程度の
角度から光を供給する。
１の背部の光源１４より供給される光のうち、原
稿１３で反射した成分のみをスペーサ１２、透明
電極４を経て感光層３に受光する。光源１４はス
ペーサ１２の表面で入射光が全反射しない程度の
角度から光を供給する。
スペーサ１２は電極、感光層などの保護および
原稿面と感光層の間に距離を一定に保つ作用を有
する。
原稿面と感光層の間に距離を一定に保つ作用を有
する。
原稿面からの反射光のうち、電極４が露出して
いる近傍の平均光量が感光層で電気信号に変換さ
れるので、スペーサの厚みを考慮しても上記の数
値例では６〜８本／mm程度の実用的な解像度の信
号を得ることができる。かつ、本実施例の撮像装
置は原稿面に直接接しているために、光学結像系
が一切不要で、撮像装置全体がきわめて小形にな
る。
いる近傍の平均光量が感光層で電気信号に変換さ
れるので、スペーサの厚みを考慮しても上記の数
値例では６〜８本／mm程度の実用的な解像度の信
号を得ることができる。かつ、本実施例の撮像装
置は原稿面に直接接しているために、光学結像系
が一切不要で、撮像装置全体がきわめて小形にな
る。
第４図は感光層などを基板１の端部に形成した
例で、この場合は光を基板の外より供給しうるの
で基板１は不透明でもよく、またストライプ電極
２は透明でもよい。また、第４図は透明電極４の
幅を狭くし、遮光媒体１１を省略した例を示して
いるが、第３図のようにこれを用いてもよい。
例で、この場合は光を基板の外より供給しうるの
で基板１は不透明でもよく、またストライプ電極
２は透明でもよい。また、第４図は透明電極４の
幅を狭くし、遮光媒体１１を省略した例を示して
いるが、第３図のようにこれを用いてもよい。
第５図はスペーサ１２の代りにたとえば10μｍ
程度の直径のオプテイカルフアイバーを束ねた光
ガイド１５により原稿面からの反射光を感光層に
受光する例で、この場合には反射光は光ガイドの
中を巨視的には直進するので、透明電極と原稿間
の距離を任意にとつても解像度に変化が生じない
特徴がある。
程度の直径のオプテイカルフアイバーを束ねた光
ガイド１５により原稿面からの反射光を感光層に
受光する例で、この場合には反射光は光ガイドの
中を巨視的には直進するので、透明電極と原稿間
の距離を任意にとつても解像度に変化が生じない
特徴がある。
第６図は発光ダイオードなどの発光素子１６を
基板１上に形成し、これを光源として原稿面から
の反射光をうる例で、撮像装置全体の大きさは第
３図などの例よりさらに小形になる特徴を有す
る。
基板１上に形成し、これを光源として原稿面から
の反射光をうる例で、撮像装置全体の大きさは第
３図などの例よりさらに小形になる特徴を有す
る。
本発明によれば、従来よりも、はるかに長大で
簡単な構造の撮像素子を容易に得ることができ
る。さらに原稿の像を縮小するための、複雑で大
きな体積を要する光学系が不要になり、従来より
もはるかに所要体積の小さな一次元の撮像素子を
得ることができる。
簡単な構造の撮像素子を容易に得ることができ
る。さらに原稿の像を縮小するための、複雑で大
きな体積を要する光学系が不要になり、従来より
もはるかに所要体積の小さな一次元の撮像素子を
得ることができる。
第１図、第３図〜第６図は本発明の構成例、第
２図は本発明の撮像素子の等価回路を示す図であ
る。
２図は本発明の撮像素子の等価回路を示す図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所望の基板上に設けられ且つストライプ電
極、共通電極および上記ストライプ電極と上記共
通電極の間にはさまれた感光層からなる受光部
と、上記ストライプ電極と電気的に接続された走
査部とを少なくとも有する撮像素子。 ２ 上記ストライプ電極、上記感光層および上記
共通電極が、この順序で上記基板上に設けられて
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の撮像素子。 ３ 上記共通電極、上記感光層および上記ストラ
イプ電極が、この順序で上記基板上に設けられて
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の撮像素子。 ４ 上記受光部は透明媒体を介して被写体に対向
し、上記透明媒体を介して被写体よりの反射光成
分を受光することを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項又は第３項記載の撮像素子。 ５ 上記基板が透明体よりなり、上記受光部の基
板側の電極が不透明な導電体よりなり、被写体側
の電極が透光性の導電体よりなることを特徴とす
る特許請求の範囲第４項記載の撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222022A JPS59131263A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222022A JPS59131263A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 撮像素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51007477A Division JPS6016787B2 (ja) | 1976-01-28 | 1976-01-28 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59131263A JPS59131263A (ja) | 1984-07-28 |
| JPS6211545B2 true JPS6211545B2 (ja) | 1987-03-13 |
Family
ID=16775870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222022A Granted JPS59131263A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59131263A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128748A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Ricoh Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3488508A (en) * | 1965-12-30 | 1970-01-06 | Rca Corp | Solid state image sensor panel |
| JPS4915807U (ja) * | 1972-05-15 | 1974-02-09 | ||
| JPS4984667A (ja) * | 1972-12-20 | 1974-08-14 | ||
| US3914309A (en) * | 1973-12-26 | 1975-10-21 | Eugene T Swensen | Sensing device |
| JPS5318386B2 (ja) * | 1974-02-13 | 1978-06-14 | ||
| US3903364A (en) * | 1974-08-23 | 1975-09-02 | Ibm | High resolution line scanner |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58222022A patent/JPS59131263A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59131263A (ja) | 1984-07-28 |
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