JPS62115708A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS62115708A JPS62115708A JP25472085A JP25472085A JPS62115708A JP S62115708 A JPS62115708 A JP S62115708A JP 25472085 A JP25472085 A JP 25472085A JP 25472085 A JP25472085 A JP 25472085A JP S62115708 A JPS62115708 A JP S62115708A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- reaction tube
- power source
- heating
- heating coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、処理技術、特に半導体装置の製造に用いられ
る低圧化学気相成長技術に適用して有効な技術に関する
。
る低圧化学気相成長技術に適用して有効な技術に関する
。
［背景技術〕
たとえば、半導体装置の製造におけるウェハ処理工程で
は、該ウェハの表面に所定の物質からなる薄膜を形成す
るため、低圧化学気相成長装置が使用される場合がある
。
は、該ウェハの表面に所定の物質からなる薄膜を形成す
るため、低圧化学気相成長装置が使用される場合がある
。
すなわち、石英などからなる反応管内にウェハを位置さ
せ、反応管外部に設けられたヒータなどによって反応管
内部を所定の温度に加熱するとともに内部を所定の真空
度に排気し、さらに所定の組成の反応ガスを供給するこ
とによって、ウェハの表面に該反応ガスから析出される
物質を堆積させ、所定の薄膜を形成させるものである。
せ、反応管外部に設けられたヒータなどによって反応管
内部を所定の温度に加熱するとともに内部を所定の真空
度に排気し、さらに所定の組成の反応ガスを供給するこ
とによって、ウェハの表面に該反応ガスから析出される
物質を堆積させ、所定の薄膜を形成させるものである。
この場合、前記の反応ガスに曝される反応管内部壁面な
どにも反応ガスから析出される物質が付着することは避
けられず、この反応管内に付着した物質から発生される
異物がウェハを汚染することなどを防止するため、定期
的に反応管内部に破着した物質を除去する洗浄Ｉ菓作が
必要となる。
どにも反応ガスから析出される物質が付着することは避
けられず、この反応管内に付着した物質から発生される
異物がウェハを汚染することなどを防止するため、定期
的に反応管内部に破着した物質を除去する洗浄Ｉ菓作が
必要となる。
このため、たとえば、反応管の開放端から高周波電源に
接続されるプラズマ発生電極を挿入し、さらに所定のエ
ツチングガスを供給することによラて反応性プラズマエ
ツチングを行わせ、反応管内部に付着した物質をエツチ
ング除去することが考えられる。
接続されるプラズマ発生電極を挿入し、さらに所定のエ
ツチングガスを供給することによラて反応性プラズマエ
ツチングを行わせ、反応管内部に付着した物質をエツチ
ング除去することが考えられる。
しかしながら、上記のような洗浄方法では、プラズマ発
生電極が直接反応管の内部に挿入されるため、たとえば
、ウェハに対する膜形成処理の直後など、反応管が比較
的高温度である場合においては、プラズマ発生電極を構
成する金属元素などによる反応管内部の汚染が避けられ
ず、さらに、通常反応管の開放端部にはウェハの挿入お
よび取り出し操作を行うソフトランディングなどの複雑
な機構が設けられており、プラズマ発生電極と高周波電
源との接続が技術的に困難であるばかりでなく、プラズ
マ発生電極の搬送に複雑な機構が必要となるなど種々の
不具合があることを本発明者は見いだした。
生電極が直接反応管の内部に挿入されるため、たとえば
、ウェハに対する膜形成処理の直後など、反応管が比較
的高温度である場合においては、プラズマ発生電極を構
成する金属元素などによる反応管内部の汚染が避けられ
ず、さらに、通常反応管の開放端部にはウェハの挿入お
よび取り出し操作を行うソフトランディングなどの複雑
な機構が設けられており、プラズマ発生電極と高周波電
源との接続が技術的に困難であるばかりでなく、プラズ
マ発生電極の搬送に複雑な機構が必要となるなど種々の
不具合があることを本発明者は見いだした。
なお、半導体装置の製造に用いられる低圧化学気相成長
技術について説明されている文献としては、株式会社工
業調査会昭和５８年１１月１５日発行ｒｔ子材料Ｊ Ｉ
９８３年＋ １月号別１ｆｆ）Ｐ ６９〜Ｐ７４があ
る。
技術について説明されている文献としては、株式会社工
業調査会昭和５８年１１月１５日発行ｒｔ子材料Ｊ Ｉ
９８３年＋ １月号別１ｆｆ）Ｐ ６９〜Ｐ７４があ
る。
［発明の目的］
本発明の目的は、構造が簡単で処理室内を汚染すること
なく洗浄を行うことが可能な処理技術を提供することに
ある。
なく洗浄を行うことが可能な処理技術を提供することに
ある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
すなわち、処理室の外部に巻回された加熱コイルに通電
する加熱電源とともに高周波電源を設け、切換機構によ
って前記加熱コイルに対する該加熱電源または高周波電
源の接続を切り換えることにより、所望の時期に、前記
加熱コイルを高周波コイルとして使用するプラズマエツ
チングによる処理室内部の洗浄が行われるようにして、
構造が簡単で処理室内を汚染することなく洗浄を行うこ
とを可能にしたものである。
する加熱電源とともに高周波電源を設け、切換機構によ
って前記加熱コイルに対する該加熱電源または高周波電
源の接続を切り換えることにより、所望の時期に、前記
加熱コイルを高周波コイルとして使用するプラズマエツ
チングによる処理室内部の洗浄が行われるようにして、
構造が簡単で処理室内を汚染することなく洗浄を行うこ
とを可能にしたものである。
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例である処理装置の要部を示
す説明図である。
す説明図である。
本実施例においては、半導体などからなるウェハ（被処
理物）に所定の物質からなる薄膜を形成させる低圧化学
気相成長装置として使用されている。
理物）に所定の物質からなる薄膜を形成させる低圧化学
気相成長装置として使用されている。
すなわち、石英などからなる反応管ｌ （処理室）の外
周部には、加熱コイル２が巻回され、該加熱コイル２に
通電することによって反応管１の内部が所定の温度に加
熱されるように構成されている。
周部には、加熱コイル２が巻回され、該加熱コイル２に
通電することによって反応管１の内部が所定の温度に加
熱されるように構成されている。
反応管ｌの一端は真空ポンプ３に接続されており 内部
が所望の真空度に排気されるとともに、他端部側にはガ
スインジェクタ４が設けられ、反応ガス供給源５に接続
されることによって所望の構成の反応ガス６が供給され
る構造とされている。
が所望の真空度に排気されるとともに、他端部側にはガ
スインジェクタ４が設けられ、反応ガス供給源５に接続
されることによって所望の構成の反応ガス６が供給され
る構造とされている。
また、反応管ｌの他端部には蓋体７が着脱自在に設けら
れており、該反応管１の内部に対するウェハ（図示せず
）の挿入および取り出し操作が行：ｂれるように構成さ
れている。
れており、該反応管１の内部に対するウェハ（図示せず
）の挿入および取り出し操作が行：ｂれるように構成さ
れている。
この場合、前記加熱コイル２に１ｌｌｉ電する加熱電源
８とともに高周波型ｓ９が設けられており、切換スイッ
チ３１（切換機構）および切換スイッチＳ２（切換機構
）を適宜操作することによって所望の時期に、加熱型ｒ
Ａ８および高周波電源９の加熱コイル２に対する接続が
切り換えられる構造とされている。
８とともに高周波型ｓ９が設けられており、切換スイッ
チ３１（切換機構）および切換スイッチＳ２（切換機構
）を適宜操作することによって所望の時期に、加熱型ｒ
Ａ８および高周波電源９の加熱コイル２に対する接続が
切り換えられる構造とされている。
以下、本実施例の作用について説明する。
通常、加熱コイル２は、切換スイッチＳｌおよびＳ２に
よって加熱ＴＦ１’６ｆＸ８に接続されている。
よって加熱ＴＦ１’６ｆＸ８に接続されている。
そして、加熱コイル２に通電することによって反応管１
の内部に挿入されたウェハ（図示せず）が所定の温度に
加熱されるとともに、反応管１の内部が所定の真空度に
排気され、さらにガスインジェクタ４を通じて、たとえ
ばモノシラン（ＳｉＨ４）などの反応ガス６が供給され
る。
の内部に挿入されたウェハ（図示せず）が所定の温度に
加熱されるとともに、反応管１の内部が所定の真空度に
排気され、さらにガスインジェクタ４を通じて、たとえ
ばモノシラン（ＳｉＨ４）などの反応ガス６が供給され
る。
そして、モノシランの熱分解などによってウェハの表面
には多結晶シリコンが析出され、多結晶シリコンなどか
らなるｍＦＩが形成された後、ウェハは反応管ｌの外部
に取り出される・ ここで、モノシランなどから構成される反応ガス６の熱
分解による多結晶シリコンなどの析出は…１記ウェハ表
面のみならず反応ガス６の雰囲気に接触される反応管１
の内壁面などにおいても発生され、反応管１の内壁面に
は多結晶シリコンなどが付着されることとなり、上記の
ようなウェハに対する膜形成処理が所定の回数だけ繰り
返された後に反応管１の内部に付着した物質を除去する
洗浄操作が必要となる。
には多結晶シリコンが析出され、多結晶シリコンなどか
らなるｍＦＩが形成された後、ウェハは反応管ｌの外部
に取り出される・ ここで、モノシランなどから構成される反応ガス６の熱
分解による多結晶シリコンなどの析出は…１記ウェハ表
面のみならず反応ガス６の雰囲気に接触される反応管１
の内壁面などにおいても発生され、反応管１の内壁面に
は多結晶シリコンなどが付着されることとなり、上記の
ようなウェハに対する膜形成処理が所定の回数だけ繰り
返された後に反応管１の内部に付着した物質を除去する
洗浄操作が必要となる。
その際に、本実施例においては、切換スイッチＳ１およ
びＳ２を操作して加熱コイル２の接続を加熱Ｔ１．源８
から高周波電源９に切り換え、加熱コイル２を３３ ｉ
結合型プラズマエツチングの高周波コイルとして使用す
るとともに、反応ガス６として、たとえばフッ化窒素（
ＮＦ３）などのエツチングガスを供給し、加熱コイル２
に作用される高周波電力によってプラズマ化することに
より反応管１の内部においてプラズマエツチング反応を
行わゼることができ、反応管１の内部の壁面などに付着
された多結晶ノリコンなどの物質がエツチング除去され
、清浄な状態に洗浄される。
びＳ２を操作して加熱コイル２の接続を加熱Ｔ１．源８
から高周波電源９に切り換え、加熱コイル２を３３ ｉ
結合型プラズマエツチングの高周波コイルとして使用す
るとともに、反応ガス６として、たとえばフッ化窒素（
ＮＦ３）などのエツチングガスを供給し、加熱コイル２
に作用される高周波電力によってプラズマ化することに
より反応管１の内部においてプラズマエツチング反応を
行わゼることができ、反応管１の内部の壁面などに付着
された多結晶ノリコンなどの物質がエツチング除去され
、清浄な状態に洗浄される。
このように、本実施例においては、切換スイッチＳ１お
よびＳ２によって加熱コイル２に対する接続を加熱電源
８から高周波電源９に切り換え、加熱コイル２を誘導結
合型プラズマエツチングの高周波コイルとして用いるこ
とで、プラズマエツチングによる反応管ｌの内部の洗浄
操作を行うことができるため、たとえば、プラズマ発生
電極の搬送機構などが不要となり構造が簡単化されると
ともに、ウェハに対する膜形成処理の直後など、反応管
１が比較的高温の状態で洗浄操作を実施する場合などに
おいても、プラズマ発生電極の挿入などに起因する反応
管１の内部の金属元素によるｌη染などがなく、？ｌｔ
浄な洗浄を行うことができる。
よびＳ２によって加熱コイル２に対する接続を加熱電源
８から高周波電源９に切り換え、加熱コイル２を誘導結
合型プラズマエツチングの高周波コイルとして用いるこ
とで、プラズマエツチングによる反応管ｌの内部の洗浄
操作を行うことができるため、たとえば、プラズマ発生
電極の搬送機構などが不要となり構造が簡単化されると
ともに、ウェハに対する膜形成処理の直後など、反応管
１が比較的高温の状態で洗浄操作を実施する場合などに
おいても、プラズマ発生電極の挿入などに起因する反応
管１の内部の金属元素によるｌη染などがなく、？ｌｔ
浄な洗浄を行うことができる。
また、誘導結合型のプラズマエツチングであるため、加
熱コイル２に近接した反応管１の内壁面など、除去すべ
き付着物の比較的多い部位におけるプラズマ密度が大と
なり、より大きなエツチング速度が得られるため、反応
管１の内部の洗浄処［■■が迅速かつ効果的に行われる
。
熱コイル２に近接した反応管１の内壁面など、除去すべ
き付着物の比較的多い部位におけるプラズマ密度が大と
なり、より大きなエツチング速度が得られるため、反応
管１の内部の洗浄処［■■が迅速かつ効果的に行われる
。
［効果］
（１）処理室の外部に巻回された加熱コイルに通電する
ことによって該処理室内部に位置される被処理物を加熱
しつつ処理流体を供給して所定の処理を施す処理装置で
、前記加熱コイルに通電する加熱電源と、高周波電源と
、前記加熱コイルに対する該加熱電源または高周波電源
の接続を切り換える切換機構とが備えられているため、
加熱コイルを誘導結合型プラズマエツチングの高周波コ
イルとして使用することによって、プラズマエツチング
による処理室内の洗浄を行うことができ、構造が籠１■
で処理室内部を汚染することなく洗浄を行うことができ
る。
ことによって該処理室内部に位置される被処理物を加熱
しつつ処理流体を供給して所定の処理を施す処理装置で
、前記加熱コイルに通電する加熱電源と、高周波電源と
、前記加熱コイルに対する該加熱電源または高周波電源
の接続を切り換える切換機構とが備えられているため、
加熱コイルを誘導結合型プラズマエツチングの高周波コ
イルとして使用することによって、プラズマエツチング
による処理室内の洗浄を行うことができ、構造が籠１■
で処理室内部を汚染することなく洗浄を行うことができ
る。
（２）、前記（１）の結果、加熱コイルに近接した処理
室の内壁面など、除去すべき付着物の比較的多い部位に
おけるプラズマ密度が大となり、より大きなエツチング
速度が得られるため、処理室内部の洗浄処理が迅速かつ
効果的に行われる。
室の内壁面など、除去すべき付着物の比較的多い部位に
おけるプラズマ密度が大となり、より大きなエツチング
速度が得られるため、処理室内部の洗浄処理が迅速かつ
効果的に行われる。
（３）、前記（１）の結果、処理室内において膜形成処
理されるウェハの汚染が防止され、歩留りが向」ニされ
る。
理されるウェハの汚染が防止され、歩留りが向」ニされ
る。
（４）、前記＋１１． （２１の結果、半導体装置の製
造においてウェハに対する膜形成処理に用いられる低圧
化学気相成長装置の稼働率が向上される。
造においてウェハに対する膜形成処理に用いられる低圧
化学気相成長装置の稼働率が向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明はｎｊ記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明はｎｊ記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、加熱コイルを複数設けることも可能である。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明Ｈによってなされた発明
をその背景となった利用分野である低圧化学気相成長技
術に通用した場合についＣ説明したが、それに限定され
るものではなく、気＋［１反応を用いる技術などに広（
通用できる。
をその背景となった利用分野である低圧化学気相成長技
術に通用した場合についＣ説明したが、それに限定され
るものではなく、気＋［１反応を用いる技術などに広（
通用できる。
図面のｆｉｉＹ１４な説明
第１図は、本発明の一実施例である処理装置６：の要部
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１・・・反応管（処理室）、２・・・加熱コイル、３・
・・真空ポンプ、４・・・ガスインジェクタ、５・・・
反応ガス供給源、６・・・反応ガス（処理流体）、７・
・・蓋体、８・・・加熱電源、９・・・高周波電源、３
１．Ｓ２・・・切換スイッチ（切損機構）。
・・真空ポンプ、４・・・ガスインジェクタ、５・・・
反応ガス供給源、６・・・反応ガス（処理流体）、７・
・・蓋体、８・・・加熱電源、９・・・高周波電源、３
１．Ｓ２・・・切換スイッチ（切損機構）。
代理人 弁理士 ／Ｊ′Ｊｌ＋ 勝 男、゛ 箔′
＼、・、−１／ 第 １ 図
＼、・、−１／ 第 １ 図
Claims (1)
- １、処理室の外部に巻回された加熱コイルに通電するこ
とによって該処理室内部に位置される被処理物を加熱し
つつ処理流体を供給して所定の処理を施す処理装置であ
って、前記加熱コイルに通電する加熱電源と、高周波電
源と、前記加熱コイルに対する該加熱電源または高周波
電源の接続を切り換える切換機構とを備えてなることを
特徴とする処理装置。２、前記処理装置が、低圧化学気
相成長装置であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25472085A JPS62115708A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25472085A JPS62115708A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115708A true JPS62115708A (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=17268908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25472085A Pending JPS62115708A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115708A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0214523A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-18 | Tel Sagami Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH03147317A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ処理における汚染を抑制するための方法及び装置 |
| WO1996041365A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-19 | Materials Research Corporation | Plasma sputter etching system with reduced particle contamination |
| WO1999014790A1 (en) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of power coil to reduce transient heating/start up effects |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP25472085A patent/JPS62115708A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0214523A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-18 | Tel Sagami Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH03147317A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ処理における汚染を抑制するための方法及び装置 |
| WO1996041365A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-19 | Materials Research Corporation | Plasma sputter etching system with reduced particle contamination |
| WO1999014790A1 (en) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of power coil to reduce transient heating/start up effects |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4860087B2 (ja) | エッチング方法 | |
| KR102245729B1 (ko) | 에피택셜 성장 이전에 기판 표면을 사전 세정하기 위한 방법 및 장치 | |
| TWI455194B (zh) | 清潔基板表面之方法及設備 | |
| JP2020532129A (ja) | エピタキシャル堆積前の表面調製方法及び装置 | |
| KR100855597B1 (ko) | 육불화황 원격 플라즈마 소스 세정 | |
| JP2002158180A (ja) | 基板プロセス・チャンバ内のガスの流れを導く方法 | |
| EP0020746B1 (en) | Process and apparatus for cleaning wall deposits from a film deposition furnace tube | |
| JPH10280151A (ja) | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| JPS62115708A (ja) | 処理装置 | |
| CN111681956A (zh) | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 | |
| JP2558738B2 (ja) | 表面処理方法 | |
| JPH01309315A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3404434B2 (ja) | マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法 | |
| JPH0582450A (ja) | 半導体装置製造用気相反応装置 | |
| JPH0331479A (ja) | クリーニング方法 | |
| JPS5821826A (ja) | 半導体製造装置の堆積物除去方法 | |
| KR100639517B1 (ko) | 확산기를 구비한 ｃｖｄ 장비 | |
| JP2807674B2 (ja) | 処理装置および処理装置のクリーニング方法 | |
| JPH07335563A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH05144743A (ja) | プラズマ装置のクリーニング方法 | |
| JP4570186B2 (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
| JPH1112742A (ja) | Ｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 | |
| KR20030021692A (ko) | 화학기상증착장치 및 그의 잔류물 제거방법 | |
| JP2721846B2 (ja) | 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置による処理方法 | |
| JP2001168033A (ja) | 半導体製造装置 |