JPS62117331A - 芳香族ポリエ−テルアミド樹脂のエツチング法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は芳香族ポリエーテルアミド樹脂のエツチング方
法に関する。さらに詳しく述べると芳香族ポリエーテル
アミド樹脂膜上にアクリルアミド及びジアセトンアクリ
ルアミドの共重合体に感光剤を添加１〜た感光性フォト
レジスト膜を被覆１−１該レジスト膜の所望部分に紫外
線を照射１７てパターンを描画し、さらに現像処理１−
で所望のレジストパターンを形成［７た後、蚊レジスト
パターンをマスクとして露出する芳香族ポリエーテルア
ミド樹脂部分を極性溶剤で選択的にウェットエツチング
する方法に関する。

（従来の技術） 従来、芳香族ポリエーテルアミド樹脂は９強度。

耐熱性、耐摩耗性、耐溶剤性、透明性等に優れ。

月つ特定の有機溶剤に溶解するため、ワニス化が可能で
あり、半導体のパッシベーション、表示素子の保護膜等
の用途に利用されて来た。ところで。

上記用途の中にはハイブリッドＩＣＩＣＣＤ等の電極取
出し部（スルーホール）や保護膜のパターンが必要な場
合があり、このだめに芳香族ポリエーテルアミド樹脂を
エツチングすることが必要になって来ている。エツチン
グ方法にはガスを用いるドライエツチングとエツチング
液を用いるウエットエツチングとの２つの方法がある。

前者は例えば酸素プラズマふん囲気中で高分子を酸化分
解してエツチングする方法である。この場合エツチング
のマスクに汎用のフォトレジストなどの高分子膜を用い
ると同じようにエツチングされるため他の金属材料をエ
ツチングのマスクに使用しなければならず工程数が増加
し好ましくない。これに対してエツチング液を用いる方
法では汎用のフォトレジストを用いることができ、量産
プロセスに適している。

（発明が解決しようとする問題点） しかし、芳香族ポリエーテルアミド樹脂をウェットエツ
チングしようとする時１次の問題点があり汎用のフォト
レジストを用いることができない。すなわち１通常用い
られているポジ型のレジスト、例えばノボラック樹脂と
ナフトキノン（１，２）ジアジドとの縮合物では、芳香
族ポリエーテルアミド樹脂を極性溶剤でエツチングする
時にレジストが極性溶剤に耐えることができない。芳香
族ポリエーテルアミド樹脂は耐溶剤性が優れていて１通
常の有機溶剤には溶解せず、沸点１５０℃以上の一部の
極性溶剤にのみ溶解する。このためレジストが耐えるよ
うな汎用の有機溶剤では芳香族ポリエーテルアミド樹脂
をエツチングすることはできない。一方、ポリイミド系
樹脂等のエツチングに用いられているネガ型レジスト、
例えば、環化ゴムとビスアジドの反応硬化物では、レジ
ストを剥離する時に下地の芳香族ポリエーテルアミド樹
脂がけく離液１例えば加熱メタクレゾールに耐えること
ができない。以上のことから２本発明は芳香族ポリエー
テルアミド樹脂に適したウェットエツチング方法を開発
しようとしたものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、樹脂膜上に成膜されたフォトレジスト用皮膜
の所望部分に紫外線を照射して照射部分を硬化させたの
ち、現像処理して感光性フォトレジスト膜の未硬化部分
を除き、ついで霧出した樹脂膜部分をエツチング液によ
ってウェットエツチングする方法において、上記樹脂が
芳香族ポリエーテルアミド樹脂、上記フォトレジスト用
被膜の主剤がアクリルアミドとジアセトンアクリルアミ
ドの共重合体及び上記エツチング液が該芳香族ポリエー
テルアミド樹脂を溶解する極性溶剤であることを特徴と
する芳香族ポリエーテルアミド樹脂のエツチングＩ法に
関する。

本発明において用いられる芳香族ポリエーテルアミド樹
脂は、芳香族基がエーテル結合及びアミド結合を介して
結合された樹脂であり、一般式（Ｔｌで貴わされる繰り
返し単位を有する樹脂を用いることができる。

芳香族ポリエーテルアミド樹脂には、一般式ＩＵＩで表
わされる繰り返し単位を有していてもよい。

ただし、一般式（Ｉ）および（ＩＩ）においてａ　Ｒｔ
　＋　Ｒｌｌ　ｔＲ３およびＲ４は水素、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、塩素又は臭素を示し、これらは
互いに同じであっても異なっていてもよく、Ｒ５および
Ｒ６は水素、メチル基、エチル基、プロピル基、トリフ
ルオロメチル基又はトリクロロメチル基を示し。

これらは互いに同じであっても異なっていてもよ＜　ｅ
　ＡｒおよびＡｒ’はＰ−フェニレン基２Ｍ−フェニレ
ン基、ジフェニレン基、ナフチレン基又ハ（ここでＹは
結合−〇−，８０！　　、　−Ｃ。

Ｈｓ −８−、−〇　−、−ＣＨ＊−を示す）を示し、これＨ
ｓ らは、互いに同一でも異なっていて本よく、Ｘはエーテ
ル結合を含んでいてもよい炭素数２〜１０の脂肪族基又
けＡｒ’と同様の基を示す。

上紀芳香族ポリエーテルアミド樹脂は、還元粘度が０．
４〜４ｄｆ／９（０，２重ｔチホルムアルデヒド溶液、
３０℃）のものが好件しい。還元粘度が小さすぎると樹
脂の耐熱性が低下しやすくなり。

大きすぎると溶剤に対する溶解性が低下（２やすくなる
。

該芳香族ポリエーテルアミド樹脂は、芳香族ジカルボン
酸又はその反応性誘導体と一般式（１１１１％式％ （ただし１式中ｒ　　Ｒ１ｒ　Ｒス、　ｎｓ　＋　Ｒ４
＋　Ｒｓおよびルは前記一般式（Ｉ）の場合と同じもの
を意味する）で表されるエーテル結合を有する芳香族ジ
アミンおよび必要に応じて一般式＋ＩＶＩ ＨＯ−Ｘ−ＯＨｆｌＶ） （ただし２式中、Ｘけ、一般式（Ｉ［）の場合と同じも
のを意味する）で宍わされる化合物とを溶液重合。

溶融重合又は特開昭５１−２３１９８号公報に示された
方法等の既知の芳香族ポリアミドの製造方法により縮重
合させて得ることができる。

ここで、一般式＋ｌ１ｌ）と一般式（１％’）で表わさ
れる化合物は１モル比で前者／後者が５１５〜１０１０
になるように配合されるのが好ましい。この比が小さす
ぎると耐熱性が低下しやすくなる。ｔｆｒ、、この比は
、樹脂の接着性を改善するためには、特に９／１以下が
好ましい。

また、一般式（Ｉ’ｌｌで表わされる化合物及び必要に
応じて使用される一般式（ＩＶＩで表わされる化合物の
総量に対（７て、芳香族ジカルボン酸又はその反応性酸
誘導体を９０〜１３０モルチ使用するのが好ましく、特
に１００モルチまたはほぼ１００モルチ使用するのが好
ましい。

前記一般式（１１１１で表されるエーテル結合を有する
芳香族ジアミンと１．ては、２．２−ビスＣ４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２．２−ビス
〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕フロパン、　　２．２−ビス［：３−７’ロモー４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕フロパン、２．２
−ビス〔３−エチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３−プロピル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、スター
ビス〔３−イソプロピル−４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３−ブチル−４
−（４−アミノフェノキシ〕フェニル〕プロパン、２．
２−ビス（３−５ｅｃ−ブチル−４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−メト
キシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、２．２−ビス〔３−エトキシ−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン。

２．２−ビス〔亀５−ジメチル−４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２１２−ビス〔３，５−
ジクロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、　　２．２−ビス〔３，５−シフロモ−４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２．２−
ビス〔＆５−ジメトキシー４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕プロパン。

λ２−ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフエノキシ
）−５−メチルフェニル〕プロパン、ｉ、ｉ−ビス（４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１
−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕エタン、１．１−ビス〔３−クロロ−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１−ビス
〔３−ブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕エタン、１゜１−ビス〔３−エチル−４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１−ビス〔３−
プロピル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エ
タン、１．１−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１゜１−ビス〔３
−ブチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エ
タン、１．１−ビス（３−ｓｅｅ−ブチル−４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１−ビス〔
３−メトキシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕エタン、１゜１−ビス〔３−エトキシ−４−（４アミ
ノフエノキシ）フェニル〕エタン、１，１−ビス（３，
５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕エタン、１，１−ビス〔３，５−ジクロロ−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．ｌ−ビス
（３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕エタン、１，１−ビス〔３，５−ジメトキシ−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，
１−ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）
−５−メチルフェニル〕エタン、ビスＣ４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メチル−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス
〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
コメタン、ビス〔３−ブロモ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニルコメタン、ビス〔３−エチル−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−プ
ロピル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタ
ン、ビス〔３−イソプロピル−４−（４−アミノフェノ
キシ〕フェニル〕メタン、ビス〔３−ブチル−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス（３−ｓ
ｅｅ　−−７’チル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルコメタン、ビス〔３−メトキシ−１−（４−アミ
ノフェノキシ）フエ＝ル〕メタン、ビス〔３−ニトキシ
ー４−（１−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビ
ス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフＪノギシ〕
ノエニル〕メタン、ビス〔３゜５−ジクロロ−４−（４
−アミノフェノキシ〕フェニル〕メタン、ビス［３，５
−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコ
メタン、ビス［３，５−ジメトキシ・−４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−クロロ−
４−（４−アミノフェノキシ）−５−メチルフェニルコ
メタン、１，１，１，３．３，３−へキサフルオロ−４
２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、　　１，１，１，３，３．３−ヘギザクロロー
４２−ビスＣ４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン、３．３−ビス（４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン。

１、１．１．３．３．３−−ヘキ世フルオロー２．２−
ビス〔３゜５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕プロパン、　　１．１．１．３．３．３−
ベキザクロロー２．２−ビス〔３，５−ジメチル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３．３
−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕ペンタン、１．１−ヒス［３，５−ジメ
チル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ン、　　１．１．１．３．３．３−ヘキサフルオロ−２
，２−ビス〔３，５−ジブロモ−４（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、　　１，１，１，３，３．
３−ヘキサクロロ−２，２−ビス〔３＋５−ジブロモ−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３
．３−ビス〔３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス［３，５−
ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、ス２−ビスＣ４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕ブタン″、λ２−ビス〔３−メチル−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコブタン、２．２−ビス
〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルコブタン、２゜２−ビス〔λ５−ジブロモー４−
（４−アミツクエノキシ）フェニルコブタン、　　１，
１，１，３，３．３・−へキサフルオロ−２，２−ビス
〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕プロパン等がある。とわらのうちでは、２．２−ビス
〔４＝−（４−’７”ミノフエノギシ〕フェニル〕プロ
パンが代表的である。もし、必要ならば、上記のジアミ
ンの混合物を用いるととができる。

更に、既知のジアミン例えば４．４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン、
４．４’−ジアミノジフェニルスルホン、メタフェニレ
ンジアミン、４．４’−ジ（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルスルホン、バラフェニレンジアミン、４．４’−
ジ（３−アミノフェノキシ）フェニルスルホン、３．３
’−ジアミノジフェニルスルホン等の少なくとも１種を
併用１５．て用いるととができる。これらのジアミン類
のジアミン類全体に対する割合とし７ては８０モルチ以
下が望ま１７い。この割合が８０モル係を越えると２重
合体の溶解性に悪影醤を及はすため好ましく々い。特に
３０モルチ以下が望棟しい。

一般式ｆｌＶ）で表わされる化合物の代表例としては。

ビスフェノールＡを挙げることができる。

一般式（■）で衆わされる化合物を共重合させることに
より、基材（特にポリエチレンテレフタレートフィルム
）との接着性を改良することができる。

本発明における芳香族ジカルボン酸と［７てけ。

例えばテレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテ
ルジカルボン酸−４，４’ｅジフエニルスルホンジカル
ボン酸−４，４’、−ジフェニルジカルボン酸−４，４
′、及ヒナフタレンジカルボン酸−１，５％Ｑ挙げるこ
とができるが、テレフタル酸及びイソフタル酸が一般に
製造されているので好適に使用することができる。特に
、テレフタル酸とイソフタル酸の混合物は、生成する重
合体の溶解性の点から望ましい。なお２本発明における
芳香族ジカルボン酸の反応性酸誘導体とは、帥配芳香族
ジカルボン酸のジクロライド、ジプロマイド、ジエステ
ル等を意味する。

本発明において、テレフタル酸とイソフタル酸の混合物
を使用する場合には、ベンゼン核のメタ位にカルボキシ
ル基を有するイソフタル酸とベンゼン核のバラ位にカル
ボキシル基を有するテレフタル酸の配合割合は、前者２
０〜８０％に対して後者８０〜２０チの範囲内とするこ
とが、特に有機溶剤に対する溶解性の点で望ましい。

上記芳香族ポリエーテル＝＝芋１アミド重合体け、極性
溶媒に溶解する。

該極性溶媒と１２ではアセトアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド。

Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジエチルア
セトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルス
ルホキシド、ニトロベンゼン、り１１コールカーボネー
ト、シクロヘキサノン等がアリ、これらは単独で又は二
種具−ト併用して使用される。

芳香族ポリエーテルアミド樹脂は、エツチングが必要な
基板上に成膜される。基板としては１例えば、液晶表示
素子用に使用される酸化インジウム等の透明電極が形成
されたガラス又はポリエチレンテレフタレートフィルム
、半導体装置の基板として使用されるセラミック、ガラ
スエポキシ等。

酸化ケイ素皮膜を有するケイ素板、アルミニウム板、シ
リコンウェハー等がある。

成膜は、芳香族ポリエーテルアミド樹脂を上記した極性
溶剤に溶解してなるワニスを基板上に塗布乾燥すること
により行なうことができる。ワニスの樹脂濃度は、特に
制限はなく、１〜３５重量％が好ましい。乾燥温度は、
場合によって適宜決定され２例えば、１００℃でも１８
０℃でもよい。

また、膜厚は用途によって適宜決定され２通常５００オ
ングストロームから３００μｍ−５での範囲である。

フォトレジスト用皮膜は、アクリルアミドとジアセトン
アクリルアミドの共重合体を主剤として含み、さらに紫
外線に対する感光剤を含む。

本発明におけるアクリルアミドとジアセトンアクリルア
ミドの共重合体は、アクリルアミド、ジアセトンアクリ
ルアミド及び必要に応じ他の重合性上ツマ−を共重合さ
せて得られる。該共重合体において、アクリルアミド／
−）アセトンアクリルアミドがモル比で１．５　／　１
〜２．２／１が好ましい。

アクリルアミドが少なすぎると紫外線照射時の感度が低
くなる（照射部分の硬化反応が不十分になる）傾向があ
り１反対に多すぎると硬化部分のレジストが極性溶剤に
侵されやすくなる傾向がある。

アクリルアミド／ジアセトンアクリルアミドはモル比で
１．７　／　１〜２．０　／　１が好ましい。

上記他の１合性モノマーとしては、アクリル酸。

メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート。

ヒドロキシエチルアクリレート、メチルメタクリレート
、スチレン、スルホン化スチレン等があるが、これらは
、Ｌ記共重合体中に５重量％以下で使用されるのが好ま
しい。

−Ｕピ共重合体は、上記モノマーの所定量を水中で共重
合させることにより得ることができる。との場合１重合
開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アゾビスイ
ソブチロニトリル等のラジカル重合開始剤、過硫酸カリ
ウム、レドックス開始剤等が使用できる。

前茜己感光剤としては、４．４’−ジアジドスチルベン
−２，２′−ジスルホン酸ナトリウム、１．５−シア１
８−一 シト−ナフタレン−３，７−ジスルホン酸ナトリウム、
４．４’−ジアジド−ベンゾフェノン、４．４”−ジア
ジド−ジフェニルメタン、４．４’−ジアジド−スチル
ベン等のアジド化合物があり、前記共重合体に対して５
〜４０重址チ使用するのが好ましく。

特ＶＣ１０〜２０重散チが好ま１７い。感光剤が少なす
ぎると紫外線照射のときに、共重合体間の架橋反応が不
充分となり、多すぎるとこの架橋反応が不均一になりや
すい。

フォトレジスト用皮膜の形成は、前記共重合体及び感光
剤を水に溶解してフォトレジスト用組成物とし、これを
芳香族ポリニーデルアミド樹脂膜上に、スピンナー塗布
、スクリーン印刷、オフセット印刷等により塗布し、風
乾又はホットエアーで乾燥して行なうことができる。

フォトレジスト用組成物は、２５℃で２００〜１０００
ｃｐになるように調整されるのが好ましい。粘度が小さ
すぎると皮膜が薄くなりすぎ、大きすぎると塗布しにく
くなる。またフォトレジスト用皮膜は、２，０００オン
グストロームから２μｍの厚さが好ましい。薄すぎると
エツチング時に十分に残存すべき芳香族ポリエーテルア
ミド樹脂膜を保饅することができず、厚すぎると紫外線
の照射時に、照射部分が完全に硬化しにくくなる。

フォトレジスト用皮膜には、所望部分に紫外線が照射さ
れるが、このためには、該皮膜上にマスクパターンをの
せて、これに紫外線を照射する方法がある。紫外線の照
射には、汎用の超高圧水銀灯を用いることができ、照射
量は、４０〜６０ｍ、Ｔ／ｃｍ’が好せしい。

紫外線照射の後、現像処理してフォトレジストが形成さ
れる。現像処理は、４０〜８０℃の温水で、　紫外ｎ照
射されたフォトレジスト用皮膜を洗浄し、非照射部分を
溶解することにより行なうことができる。洗浄法として
は、シャワー法、温水に上記皮膜を浸漬し２．振とりす
る方法などがある。

以上のようにして、芳香族ポリエーテルアミド樹脂膜上
にフォトレジストが形成された後、該樹脂膜の霧出部分
がエツチング液によねエツチングされる。エツチング液
としては、前記した極性溶剤を使用することができ、エ
ツチング法として。

該極性溶剤を芳香族ポリエーテルアミド樹脂膜上にシャ
ワーする方法、該極性溶剤に樹脂膜を浸漬し振とりする
方法などがある。

エツチングの後は、フォトレジストに過酸化水素及びス
ルファミン酸２次亜塩素酸ソータ“等を溶解した希釈水
溶液を散布する方法、フォトレジストを該希釈水溶液に
浸漬し振とりする方法などにより、該フォトレジストを
剥離することができる。

ここで、過酸化水素の濃度ｉｊ：　０．２〜５重を係、
スルファミン酸１次亜塩素酸ソーダ等の濃度は。

０．０２〜０，５重ｔチが好ましい。これらの濃度が小
さすぎるとフォトレジストの剥離が不十分となり、大き
すぎると基板又は基板上に形成された配線を侵しやすく
なる。

本発明において、芳香族ポリエーテルアミド樹脂をエツ
チングするに際し、フォトレジスト用皮膜の主剤として
、アクリルアミドとジアセトンアクリルアミドの共重合
体を使用することにより。

フォトレジスト用皮膜の現像、芳香族ポリエーテルアミ
ド樹脂のエツチング及びフォトレジストの剥離に使用さ
れる液が、目的とするもののみを溶解又は剥離すること
ができるため効果的に芳香族ポリニーデルアミド樹脂を
エツチングすることができる。

（実施例） 以Ｆ１本発明を実施例によりさらに詳１〜く説明するが
、とれらは例示的なものであり１本発明の範囲を限定す
るものではない。

実施例 第１図は本発明に従って行なわれるエツチング工程の断
面構造模式図である。（Ａ）けガラス基板に２０重量％
の芳香族ポリエーテルアミド樹脂のＮ−メチル−２−ピ
ロリドン溶液を塗布した状態を示したものである。芳香
族ポリエーテルアミド樹脂は１．５０　Ｏｒ、ｐ、ｍで
スピンナーで塗布した後。

１５０℃で２時間乾燥し、膜厚を４μｍに調整１゜た。

（８１け芳香族ポリエーテルアミド樹脂膜の上にフォト
レジスト用組成物を塗布しフォトレジスト用皮膜を形成
１７た状態を示す。フォトレジスト用組成物としてアク
リルアミド−ジアセトンアクリルアミド共重合体（アク
リルアミド：ジアセトンアクリルアミド−１，８：１；
モル比）の４重両゛チ水溶液に、４．４’−ジアジドス
チルベン−４２′−ジスルホン酸ナトリウム塩を対樹脂
２０重せチで添加［またものを使用【７た。塗布１スピ
ンナー全用い２．００　Ｏｒ、ｐ、ｍで行ない、乾燥は
５０℃のドライエアーで５分間行なった。乾燥後のフォ
トレジスト用皮膜の膜厚は１．５μｍＶｒ′、ｆＡ整し
た。（Ｃ１はフォトレジスト用皮膜の−Ｆにマスクをか
ぶせ紫外線を照射した後の状態を示す。紫外線照射は５
００Ｗ超高圧水銀灯（生産電機製）を用い５０　ｔｎ、
Ｔ　／ｃｍ”で露光させた。

（Ｄｌはレジスト組成物を現像した後の状態を示す。

現像は６０℃の温水中３０秒で行なった。現像後は流水
で洗い流し、５０℃のドライエアーで５分間乾燥させた
。（Ｅ）は芳香族ポリエーテルアミド樹脂膜をエツチン
グ１〜た後の状態を示す。エツチング液にけＮ−メチル
−２−ピロリドンを使用し。

室温で３０秒間エツチングを行なった。エツチング後は
イソプロパツールで洗浄シた。

ｆＦ）はレジストを剥＃１．た後の状態を示す。剥離液
は過酸化水素０，５重！９１＝及びスルファミン酸０．
０５重量％の水溶液を用い、６０℃、１分間で剥離させ
た。

なお、上舵にふ・いて、芳香族ポリエーテルアミド樹脂
と１〜て次に示す二通りの製造法で得られたものを別々
に使用ｌ−だ。いずれも同様の結果であった。

（１）　　１０１００Ｏ！のフラスコに、かくけん棒、
温度計２滴下漏斗をセットし、　ＮａＯＨ１７，２ｇを
水８０ｍ１に溶解してフラスコに入れる。次に、２゜２
ビス（４（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
４４．３９とビスフェノールＡ、　１６．４９をシクロ
ヘキサノン３４０ｇに溶解し、」二記フラスコ中に注入
し、−２℃まで冷却した。一方、テレフタル酸ジクロラ
イド１８．２９及びイソフタル酸ジクロライドｉｓ、２
ｇをシクロヘキサノン２４０９に溶解し、この酸クロラ
イド溶液を滴下ロートからフラスコ中に注入し、この際
２反応温度が１０℃を越えないようにして３時間反応さ
せた。

反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。

これを乾燥後、再びジメチルホルムアミドに溶解し、こ
れをメタノール中に投入して芳香族ポリエーテルエステ
ルアミド縮重合体を精製し九。

この重合体の還元粘度（ｖｓｐ／ｃ　）　（ジメチルホ
ルムアミド０．２重量％溶液、３０℃で測定、以下同様
）けｏ、９ｄＩ！／ｇであった。

（２）軍配組成の原料を用いた以外は上記（１）と同様
の方法によりワニスを調製した。

この重合体の還元粘度（ηｓｐ／ｅ）は１．３　ｄｌ／
　９であった。

（発明の効果） 本発明により、芳香族ポリエーテルアミド樹脂のウェッ
トエツチング方法が可能になり、該樹脂をスルーホール
やパターンが必要とされる半導体素子、その他の電子部
品等に適用することが可能になった。

また２本発明になるエツチング方法は、エツチング液に
有機溶剤を用いることができ、また現像処理に温水を用
いることができ、この場合１通常のエツチング方法より
も簡便であり、ｉ産プロセスに適している。

【図面の簡単な説明】

第１図は芳香族ポリエーテルアミド樹脂のエツチングＴ
程を段階的に示す断面模式図である。 符号の説明 １・・・ガラス基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、樹脂膜上に成膜されたフォトレジスト用皮膜の所望
   部分に紫外線を照射して照射部分を硬化させたのち、現
   像処理してフォトレジストを形成し、ついで露出した樹
   脂膜部分をエッチング液によつてウェットエッチングす
   る方法において、上記樹脂が芳香族ポリエーテルアミド
   樹脂、上記フォトレジスト用皮膜の主剤がアクリルアミ
   ドとジアセトンアクリルアミドの共重合体及び上記エッ
   チング液が該芳香族ポリエーテルアミド樹脂を溶解する
   極性溶剤であることを特徴とする芳香族ポリエーテルア
   ミド樹脂のエッチング方法。