JPS62119445A - 結晶粒界表示法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は各隣接結晶特性値の差を各結晶粒界の線幅によ
り画像表示する方法に関するものであり、特に、微小領
域の結晶方位測定試料の走査電子顕微鏡像または光顕像
を画像処理したディジタル画像に従い測定試料を自動駆
動させて各測定点のＸ線コツセル回折像を逐次画像メモ
リに入力し、画像処理を行なったのち測定試料のディジ
タル化を行なった微小領域の結晶方位を自動的に解析し
、結晶方位カラーマツプを作成する装置を使用して、マ
ツプ上の隣接する結晶粒の方位差を自動的に計算し、方
位差に応じて結晶方位カラーマツプの結晶粒界の太さを
変化させて表示する方法に関するものである。

（従来の技術） 微小領域の結晶方位を測定する手法として、走査電子顕
微鏡像（以下、３２Ｍ像という）を利用したコツセル線
解析手法が従来のマイクロラウェ法やエッチピット法に
代わって使用されつつある。

この手法は、発明者らがさきに特開昭５５−３３６６０
号および実公昭５７−４７７９１号各公報において開示
したように走査型電子顕微鏡とコツセルカメラとを組合
わせ、結晶解析すべき微小領域に走査電子顕微鏡用の直
径数ミクロンまで絞りこんだ電子線を照射して、微小領
域中の原子が励起されて発生したコツセル線の像をコツ
セルカメラによって撮影するものである。

しかしながら、Ｘ線フィルムを用いている都合上、装置
へのフィルムのセツティング、フィルムの現像、定着、
フィルムの解析等に時間と労力がかかり、広範囲の集合
組織に関する情報を得るのは大変困難であった。

上述した欠点を解決するため、発明者らは特開昭５６−
２６２４８号公報においてＸ線イメージインテンシファ
イヤを用いたＸｖＡコツセル回折像観察装置を開示した
。この装置は、従来のＸ線フィルムに代わって、Ｘ線イ
メージインテンシファイヤの出力をディジタルデータに
変換してブラウン管上に表示させることができる。しか
しながら、このようにして得られるコツセル回折像もこ
のままでは実験データとして使用することはできず、コ
ツセル回折像解析にあたり誤差を最小限に抑えるために
も、また省力化のためにも、解析の自動化が必要不可欠
のものであった。

１９６０年代初頭からコンピュータによる画像解析法が
発達し、Ｘ線ラウェ法や電子線回折法による回折スポッ
トの距離の自動測定などが行なわれてきているが、発明
者らはｘｙＡイメージインテンシファイヤに画像解析装
置を接続することによりコツセル線像の方位、歪み量解
析の自動化が可能であると考え、多数のデータを高精度
にしかも短時間に処理できるものとして、特願昭５９−
２１５８０号において上述した欠点を解消し、自動的に
コツセル回折像の方位、歪み量を解析することによって
、多数のデータを高精度、短時間に処理でき誤差も少な
いｘ′ｆａコツセル回折像解析装置を提案した。

１９８０年代に入り、画像処理・解析装置は、これまで
のような汎用コンピュータでなくパソコンを用いた専用
のプロセンサーの導入により、データ処理が高速化し、
かつ現場に即したソフトプログラムが組めるようになっ
たため、工業、通信、医療、商業などの分野で幅広く活
用されるようになり、またメモリーの大容量化にともな
い異なる種類の人力データを並行して処理、解析できる
（マルチメモリーチャンネル）ほかカラー画像メモリを
設けることができ、処理、解析結果をカラー表示するこ
とも可能となった。

発明者らは、特開昭５６−２６２４８号公報に開示した
Ｘ線コツセル回折像観察装置に上述のマルチメモリーチ
ャンネルシステムを導入した画像処理／解析専用のイメ
ージプロセッサー、オートフォーカス／ステージコント
ローラおよびカラーディスプレイ装置（ＣＲＴ、プリン
ター等）を接続することにより電子線の逐次自動照射、
極点図の自動作成およびカラーマツピング可能なＸ線コ
ツセル回折像自動解析装置を特願昭６０−７０１８６号
において提案した。これによれば、微小領域に存在する
結晶粒の光顕像またはＳＥＭ像から結晶粒界のみを抽出
した２値化画像を作成したのち、領域全体の個々の結晶
粒の結晶方位を逐次自動的に測定し、画像処理／解析専
用のイメージプロセッサーにより結晶方位解析を行ない
、結果を、（ｈｋ　６　）正極点図でプリントアウトす
るとともに逆極点（Ｎ、Ｄ、とＲ，Ｄ、）による結晶粒
個々の結晶方位カラーイメージを、結晶粒界２値化画像
に重ねあわせることにより、微小領域の結晶方位カラー
マツプを作成することができるようになった。このカラ
ーマツプは個々の結晶粒の方位を視覚的にわかりやすく
表示するものであるから、再結晶集合組織の優先方位形
成状況を記述するうえで有力な手法であるといえる。

（発明が解決しようとする問題点） ところで、焼鈍による結晶粒界の移動、および消滅等の
問題を扱ううえで結晶粒界の性質、たとえば隣接結晶粒
間の方位差が大きい大角粒界であるか、亜粒界（サブバ
ウンダリー）とも言われる小角粒界であるかという点が
注目されること力（ある。この問題を解決するためにさ
まざまな表示法。

粒界モデルが今までに考えられてきており、例えば対応
粒界によるΣ値表示（ｔＬＭｙｋｕｒａ：“Ｇｒａｉｎ
−Ｂｏｕｎｄａｒｙ　５ｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　Ｋ
ｉｎｅｔｉｃｓ”、Ａ、Ｓ、Ｍ。

Ｓｅｍ１ｎａｒ（１９７９）　、清水ら二鉄と鋼、　７
１（１９８５）、Ｓ、５５４゜石田洋−二日本結晶学会
誌、１２（１９７０）、１４２．）、＾ｄａｍｓ−Ｍｕ
ｒｒａｙＪａｔｈ−Ｂｅｒｎｓｔｅｉｎ、Ｗａｔａｎａ
ｂｅ−Ｄａｖｉｓらによる図的方法（それぞれり、＾、
＾ｄａｍｓ　ａｎｄＧ、Ｔ、Ｍｕｒｒａｙ：Ｊ、Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙｓ、　、　３３（１９６２）　、　２１２６
、Ｂ、Ｂ、Ｒａｔｈａｎｄ　Ｊ、Ｍ、Ｂｅｒｎｓｔｅｉ
ｎ：Ｍｅｔ、Ｔｒａｎｓ、＋２（１９７１）＋２８４５
、Ｔ、Ｗａｔａｎａｂｅ　ａｎｄ　Ｐ、Ｗ、Ｄａｖｉｓ
、Ｐｈ１１．Ｍａｇ、、Ａ３７（１９７８）。

６４９、）等が存在するが、未だ一般的に確立された方
法がない。

本発明の目的は上述した不具合を解消し、結晶粒界表示
をするにあたり、例えばＸ線コ・ノセル回折像自動解析
装置を用いて作成した結晶方位カラーマツピングに、結
晶特性値特に隣接結晶粒間の結晶方位差等の結晶粒界情
報をつけ加えて表示することにより直感的にわかりやす
い表示ができる結晶粒界表示法を提供しようとするもの
である。

（問題点を解決するための手段） 本発明の結晶粒界表示法は、各結晶粒界を表示するデー
タと各結晶粒ごとの結晶特性値のデータとに基づき、各
結晶粒界の隣接結晶特性値の差に応じた結晶粒界の線幅
をもって結晶粒界を画像表示することを特徴とするもの
である。

（作　用） 上述した構成において、結晶粒界表示をするにあたり、
隣接結晶粒界の特性値の差をその差に応じた結晶粒界の
線幅をもって結晶粒界と共に画像表示しているため、隣
接結晶粒界の特性値の差を直感的にわかりやすく理解す
ることができる。

（実施例） 以下にその詳細を結晶方位カラーマ・ノブを例として述
べる。

第１図は本発明の結晶粒界表示法を実施するのに好適な
特願昭６０−７０１８６号で提案したＸ線コツセル回折
像自動解析装置のブロックダイヤグラムである。すなわ
ち、Ｘ線コツセル回折像観察装置本体１に装入された測
定試料１−４はＳ６Ｍ像検出装置４か又は先頭像検出装
置３で検出され、入力インターフェース５を中継するこ
とによりイメージプロセッサー６にディジタル画像とし
て入力される。

このディジタル画像に、画像処理／解析専用ｃｐｕ６−
２を用いて必要な２値化処理を行なったのち、結晶粒界
だけの２値化画像として画像メモリー６−１に記憶させ
るとともに、制′ａ／ｌｉｄ集ＣＰＵにより、ステージ
駆動／電子銃起動停止装置９に１７０信号が送られ、反
射又は透過法によるＸ線コツセル回折測定が逐次自動的
に行なわれる。試料１−４により回折されたＸ線コツセ
ル回折像は、Ｘ線イメージインテンシファイヤ１−５の
受像面に設けられた高感度Ｘ線センサー１−５−１で検
知され、これも組織の画像と同様人力インターフェース
５を中継することによりＡ／Ｄ変換され画像メモリー６
−１に記憶される。このＸ線コツセル回折像から結晶方
位解析に必要な２又は３本の（ｈｋ　１　）回折線が抽
出され、個々の回折線の原点からの最短距離にある点の
座標を読出し、画像処理／解析専用ｃｐｕを用いてこれ
らのデータから（ｈｋ　１　）正極点図に必要な残りの
すべての（ｈｋ　Ｊ　）極点を計算したのち、ディスプ
レイ群８のプロッター８−１から（ｈｋ　ｌ　）正極点
図が出力される。一方、結晶方位カラーマツプは、測定
値から（１００）極点の座標を球面座標系にて読出し、
座標変換を行なうことによりＮ、Ｄ、。

Ｒ，Ｄ、ともに基本ステレオ三角形内に存在するような
それぞれ２種類の逆極点図が作成される。ここで基本ス
テレオ三角形の３つの頂点（００１）　、　（０１１）
および（１１１）に光の３原色、青、赤および緑をおき
、各頂点からの角度差をおもみとして混色することによ
り個々の結晶粒のＮ、Ｄ、、　Ｒ，Ｄ、の方位を表わす
色情報が得られ、カラーディスプレイ８−５から結晶方
位カラーマツプが出力される。

第２図は、このようにして得られたカラーマツプの１例
で微量Ｍｏ添加高級方向性珪素鋼の脱炭・１次再結晶焼
鈍後の１次再結晶組織の結晶方位分布を表示している。

第２図において、結晶粒界はＳＥＭ像の写真から撮像管
を通して入力されたものであるため、写真の凹凸をとも
なう陰影により結晶粒界の太さが均一ではない。この結
晶粒界を一度１画素分の太さの均一結晶粒界にした後、
次に述べる方法により隣接粒の結晶方位差を基準として
結晶粒界を表示することが可能となった。まずコツセル
回折像から結晶方位を決定する方法はＦｅｒｒａｎらに
よる方法（Ｇ、Ｆｅｒｒａｎ　＆　Ｒ，＾、Ｗｏｏｄ　
：Ｊ、＾ｐｐ１゜Ｃｒｙｓｔ、ｖｏｌ、３（１９７０）
）を使用する。すなわち、試料に垂直に電子ビームを照
射すると、試料内で洋梨型の特性）ｌが発生し、これが
試料内を通過するにあたりその結晶格子によりブラッグ
回折をおこしＸｖＡ発生源を頂点とする回折円錐が形成
される。

この像はＸ線発生源から垂直方向にｌ離れたＸ線イメー
ジインテンシファイヤ１−５の水平な受像面１−５−１
上では（１）式で示される２次曲線として近似される。

ｃｏｓｚ（−一θｈｋ　ｆｆ　） ＋６ｃｏｓＴｌ　”　−（ｘ”＋ｊ７ｚ）　　−−（１
１ここでて−）は受像面１−５−１と平行な試料面（圧
延面）上の直交座標系で７軸は試料面と（ｈｋ　Ｎ　）
回折面の交線である。θｈｋｌは（ｈｋ　Ａ　）回折面
のブラッグ角、またＴは（ｈｋｌ）回折面と、試料面の
なす角である。（ｈｌｉ）正極点図は試料座標系ｘ−ｙ
−ｚ（ｘ軸＝Ｒ，Ｄ、ｙ軸＝Ｔ、Ｄ、　ｚ軸＝Ｎ、Ｄ、
）を基準とした場合の結晶座標系ｘ−ｙ−ｚ　＜立方晶
の場合は単位格子ベクトルに相当）の記述で、すべての
（ｈｋ　６　）面法線のステレオ投影点として表わされ
る。

すなわち、（１）式のｘ−ｙ座標系と、試料座標系ｘ−
ｙの回転角ψ（了と２は一致している。）と、Ｔの値を
求めることにより（ｈｌ／り極点が決定される。

（１）式で７＝０についてとくと７は（２）式ので。と
なる。

この外は、原点から（ｈｋ７り回折線までの最短距離に
相当する。この点をｐとし、ｘ−ｙ座標系における点ｐ
の座標を（ｘｐ　、’ｉｐ　）　、点ｐにおける（ｈｋ
　１　）　　回折線の曲率をξ２とおくと、γおよびψ
は（３）および（４）式から求められる。（ただし０≦
ψ≦２π、０≦γ≦−） （３）式によればγを決定するためには任意に選択した
回折線の回折面指数（ｈｋｌ）を判別しなければならな
い。例えば、α鉄のコツセル回折線の場合、ブラッグ条
件を満足する回折面は（２００）　、　（１１０）（２
１１１、（２２０）の４種類に限られる。点ｐにおける
回折線の曲率ξ２は、 であるから、Ｔについての各θｈｋＡのルックアップテ
ーブルを作成しておけばξ、を測定することにより（ｈ
ｋ　Ａ　）の判別を行なうことができる。

次に、画像解析により決定された任意の（ｈｋ　Ａ　）
回折線の（ｒ、　　ψ）から（ｈｋ　１　）極点図を作
成する方法について述べる。

ステレオ投影によれば回折面法線を示す（ｈｋｌ）極点
は第３図の点Ａで表わされる。すなわち、点ＡはＲ，Ｄ
、から時計まわりにψ回転したマ軸上の０Ａ＝ｔｔａｎ
　−（ｔは極点図の半径）を満たす点である。

（ｈｋｆｆ）極点図は空間的に等価な（ｈｋ　Ａ　）の
組み合わせのすべての極点を示す必要があるが、結晶の
回転対称性から＋２００）極点であれば２点（１１０）
極点であれば３点が決まれば残りのすべての極点の位置
が決定できる。

（２００）極点図の作成例を第４図に示す。

点Ａ２点Ｂは、コツセル回折線から求めた（２００）お
よび（００２）極点でそれぞれの測定値は（γ１．ψＡ
）および（γ３．ψ、）である。これら２点から点Ｃ（
ｒｅ、　　ψＣ）を決定する。

２点Ａ、Ｂを通る晶帯軸（大円のステレオ投影）はＯＡ
Ｂ面と、圧延面の交ｖＡＲＯ３に垂直なＯＱによりＲＡ
ＱＢＳ　と決まる。点Ｑ（γ。、ψ０）とすればＯＡと
ＯＱのなす角度ψ、゛はステレオ投影による角度ＺＡＯ
Ｑにより（６）式で表わされる。

・・・（７） ただし、０≦γえ、γ６．γ０≦　−９０≦ψ０．　ψ
６．　ψ。≦２π ステレオ投影では、一般に（８１，＋９１式が成立する
。

ｔａｎ　Ｔ　ｏ　＝　ｔａｎ　Ｔ　ｈｃＯ９（ψＯ−ψ
ａ）　−（８）ｔａｎ　ｒ　ｏ　＝　ｔａｎγＢｃｏｓ
　（ψＩＩ−ψｏ）１＋＋（９）（８１，（９１式を（
６）、　＋７１式に代入し、ＯＡと０８のなす角度ψ、
′＋ψ２′＝−であるから、Ｔｏは００式から計算でき
る。

これを（８）または（９）式に代入すれば、ψ。が（１
１）式により計算できる。

ＯＡ、　０８いずれにも垂直なＯＣはＯＯとも垂直であ
りかつ、４ＱＯＣ＝πであるから、点Ｃは（２）、ａＪ
式により決定される。

ψ。＝ψ。＋π＝π＋ψ１＋ ・・・α勇 この（２００）極点図から（１１０）極点図への変換は
、点ＡとＢ２点ＢとＣ１点ＣとＡの各晶帯軸を（６）〜
（１１）式より求め、（２００）面と（１１０）面の面
間の関係から表示に必要な６つの（１１０）　ｉ点を決
定することができる。

次に、この正極点図から結晶方位のミラー指数（ｈｋ　
１　）　　（ｕｖｗ）を決定し隣接粒間の方位差を計算
で求める。結晶方位のミラー指数を計算させるために、
まず測定粒の（２００）正極点図を作成し、次に逆極点
図への変換を行なう。逆極点図は（２００）正極点図を
（２００）標準投影図に合致するように等角回転させた
ときのＮ、Ｄ、とＲ，Ｄ、で表わされるが、一般にこの
等角回転は幾とおりも存在する。ここでは以下に述べる
ようにＮ、Ｄ、を基準にとり最小の回転角度で変換する
方法を用いる。すなわち第４図の（２００）正極点図を
第５図の破線経路をたどり第６図の逆極点図へ変換する
。

第４図の点Ａ−Ｃ３つの（２００）極点のうち原点０（
Ｎ、Ｄ、）に一番近い点（Ｔ値最小の点）を（００１）
極点として原点まで回転移動させる。いまＴｃ〈γ、く
ＴＢとすれば第５図に示すように点Ｃは原点Ｃ′まで回
転移動する。それに従い、点Ａ、点Ｂおよび点０　（Ｎ
、Ｄ、）、点Ｐ　（Ｒ，Ｄ、）はＲＳを回転軸として等
角移動し、それぞれ点Ａ′、点Ｂ′および点Ｎ点Ｒとな
る。ここで点Ａ′と点Ｂ′は立方晶の（２００）標準投
影における円周上の極点（２００）　、　（０２０）（
２００）　、　（０２０）のいずれかに相当するが、（
００２）まわりの１８０６回転方位を等価にとり点Ａ′
と点Ｂ′のいずれかが（２００）極点に対応するように
逆極点図を決定する。いま第５図においてψ′１〈ψ′
２であるから、点Ａ′が（２００）極点と決定され、第
４図のＮ、Ｄ、とＲ，Ｄ、は第６図の（２００）標準投
影上の点Ｎと点Ｒへそれぞれ変換される。（２００）標
準投影上の点Ｎと点Ｒの座標をそれぞれ（ω１．ψいお
よび（ωえ、ψＲ）（ωは経度、ψは円周角）とすれば
これらは以下の０４）〜αη式により計算することがで
きる。（ただしψ。はγ＝ｍｉｎを与える円周角） （ＩＪ、　＝　ｔａｎ−’　（ｊａｎ　Ｔ　ｃｃＯ５ψ
Ｎ）　　　　　　　　−Ｃ４）次に結晶方位のミラー指
数（ｈｋβ）　（ｕｖｗ）は点Ｎ（ω８．ψＮ）および
点Ｒ（ω７．ψＲ）を用いてα８）〜（２１）式により
計算される。

ｉ）ωｉ’０＋　　±９０°のとき ｉｉ　）ω８＝９０°又は−９０’のときｉｉｉ　）ω
８＝０のときψ、１−９０°又は−９０″・・・（２１
） 次に、隣接結晶粒の方位差は第２図に示すＮ、Ｄ。

（又はＲ，Ｄ、）の逆極点図に結晶粒界の情報としてつ
け加えるため、方位差角は、Ｎ、Ｄ、およびｌ？、Ｄ、
それぞれの方向を表わすベクトルのなす角θとして以下
の（２２）、　（２３）式から計算する。

θｓ　＝　ｃｏｓ−’　（ｈ＋ｈｚ＋に＋ｋｚ＋　１２
　＋　１　ｚ）　　　　　・”　（２２）θ＊　＝　Ｃ
Ｏ３−’（ｕ＋ｕｚ＋Ｖ＋Ｖｚ＋Ｗ＋Ｗｚ）　　　　　
　”’（２３）ここで（ｔ＋＋に＋ｊ！υ（ｕｌＶＩＷ
Ｉ）および（ｈ２ｋｚ　（ｌ　ｚ）Ｃｕｔν２−２〕は
隣接する結晶粒１と２と結晶方位を示すミラー指数であ
る。θはＯ≦θ≦１８０°であるがθ〉９０６のときは
補角をとって１８０°−〇を計算する。

第１図のイメージプロセッサー６により結晶方位差角θ
８．θ１を自動的に計算し、次のようにしてＮ、Ｄ、と
Ｒ，Ｄ、の方位を示す結晶方位カラーマツプの結晶粒界
の情報として出力させる。

簡単のためにいま第７図に示した結晶粒界のみによる結
晶粒１と２の２値化画像を用い、隣接結晶粒の方位差角
により結晶粒界の太さを表示する方法について述べる。

一般にＣＲＴ上の結晶粒界による結晶粒２値化画像は、
個々の単位画素のメモリ一番地に黒（０）か白（１）の
灰調値が入力される。

すなわち、結晶粒の領域の画素の２値化メモリーにはす
べて１結晶粒界には０が入力される。第７図の２値化画
像では斜線をひいた画素Ｂが結晶粒界で、（粒界太さは
、はじめすべて１画素とする。）２値化メモリーには０
が入力されている。次にこの２値化画素から結晶方位測
定を行なう結晶粒を抽出し濃淡画像メモリーの各画素の
メモリ一番地（１６ビツト単位）に結晶粒番号が入力さ
れる。第７図では結晶粒１の占める各画素のすべてに１
、結晶粒２の占める各画素のすべてに２が入力される。

この番号に従いコツセルＸ線回折および結晶方位測定が
逐次自動的に行なわれ、２又は３組の（Ｔ、　　ψ）パ
ラメータが各結晶粒の結晶粒番号を索引番号として、外
部記憶部のディスクメモリーに入力される。これらは第
１図面像処理／解析専用ＣＰＵ６−２によりカラーマツ
プに必要なパラメータを計算するとともに００〜０７）
式に示す各結晶粒のＮ、Ｄ。

（ω８．ψＮ）とＲ，Ｄ、　（ω８．ψ９）を計算し、
前者は各画素のＩｌ、Ｇ、ＢのカラーメモリＡに、後者
はカラーメモリーＢに入力される。すなわち、第７図の
結晶粒１を示す画素Ｇ１すべてに（ω□、ψ９．）およ
び（ωＲ１＋ψＲ１）が結晶粒２を示す画素Ｇ２すべて
に（ω８□、ψ８□）および（ω８□、ψ、Ｉ２）が入
力される。

隣接結晶粒すべての結晶方位差を計算するには、ＣＲＴ
の２値化メモリーを左から右へラスタースキャンさせ、
結晶粒界を示す画素Ｂに到達したときに画素Ｂの左に隣
接する画素Ｇ、と右に隣接するＧ２のメモリー内容から
それぞれ０８）〜（２１）を計算し、（２２）および（
２３）弐によりＮ、Ｄ、とＲ，Ｄ、の方位差角θＮＩ２
およびθ□、２を求めてこれらを画素Ｂのメモリーに入
力する。さらに、図における画素Ｂの上に隣接する画素
と下に隣接する画素についても同様な処理を行なう。こ
れが上段から下段へすべての段について行なわれ、ラス
ター領域内に存在するすべての結晶粒界画素Ｂにはこれ
をはさむ両隣の結晶粒のＮ、Ｄ、およびＲ，Ｄ、方位差
角θ８．θ８が対応される。この方位差角θ８．θＲの
大きさにより表示すべき結晶粒界の太さを決定する。た
とえば第８図はこの方位差角をＯ≦θＨ２θＢ　：！１
０ｄｅｇ、を工画゛素、１０＜θＮ、θ穴≦２５ｄｅｇ
、を２画素、θ８．θ、〉２５ｄｅｇ、を３画素分の太
さとした結晶粒界、結晶方位カラーマツプである。この
ように粒界画素Ｂに人力されたθ８．θえを大きさで数
段階に分け、そのランクにより画素Ｂの右隣か又は左隣
、上部。

上隣の画素を粒界画素とするようカラーメモリーＡおよ
びカラーメモリーＢの該当画素のＲ，Ｇ、Ｂの灰調がＯ
に変換される。

なお、上述した実施例では、本発明を結晶方位カラーマ
ツプ作成方法とともに説明してきたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、結晶粒界を表示するデータで
あれば特に制限はない。又、結晶特性値に関しては、本
発明において主として結晶方位を取り上げたが、これに
限定されるものではない。

（発明の効果） 以上詳細に説明したところから明らかなように、本発明
の結晶粒界表示法によれば、結晶粒界表示をするにあた
り隣接結晶粒界の特性値の差をその差に応じた結晶粒界
の線幅をもって結晶粒界と共に画像表示しているため、
隣接する結晶粒界の特性値の差を直感的にわかりやすく
表示することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は結晶粒界、結晶方位カラーマツプを自動的に作
成するＸ線コツセル回折像自動回折装置のブロック図、 第２図は結晶粒界２値化画像を用いた結晶方位カラーマ
ツプによる結晶の構造を示す写真、第３図は測定値と正
極点図の関係図、 第４図は（２００）正極点図の作成例の説明図、第５図
は（２００）正極点図からの逆極点図への変換経路図、 第６図は逆極点図の作成例の説明図、 第７図はＣＲＴ上の結晶粒界２値化画像の模式図、第８
図は第２図に方位差による結晶粒界表示を付加した結晶
粒界、結晶方位カラーマツプによる結晶の構造を示す写
真である。 １・・・Ｘ線コツセル回折像観察装置 ■−１・・・電子銃、　　　　　１−２・・・収束レン
ズ■−３・・・対物レンズ　　　１−４・・・試料１−
５・・・Ｘ線イメージインテンシファイヤ１−５−１・
・・高感度Ｘ線センサ ３・・・光学顕微鏡像検出装置 ３−１・・・光学顕微鏡　　　３−２・・・テレビカメ
ラ４・・・ＳＥＭ像検出装置　　４−１・・・検出器４
−２・・・スキャニングコンバータ ５・・・人力インターフェース ６・・・イメージプロセッサー ６−１・・・画像メモリ ６−２・・・画像処理／回折専用ＣＰＵ６−３・・・制
御／編集専用ＣＰＵ ７・・・出力インターフェース ８・・・ディスプレイ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、各結晶粒界を表示するデータと各結晶粒ごとの結晶
   特性値のデータとに基づき、各結晶粒界の隣接結晶特性
   値の差に応じた結晶粒界の線幅をもって結晶粒界を画像
   表示することを特徴とする結晶粒界表示方法。