JPS62120478A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
- Publication number
- JPS62120478A JPS62120478A JP60259072A JP25907285A JPS62120478A JP S62120478 A JPS62120478 A JP S62120478A JP 60259072 A JP60259072 A JP 60259072A JP 25907285 A JP25907285 A JP 25907285A JP S62120478 A JPS62120478 A JP S62120478A
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- Japan
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- thin film
- discharge electrode
- discharge
- cylindrical
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明はグロー放電ＣＶＤ装置によりレーザプリンクや
電子写真記録装置等に用いられる感光体の非晶質シリコ
ンなどからなる感光層を形成する際に、初期プラズマ放
電により堆積するｉ膜に異常成長が発生することを解消
するため、薄膜形成用基体に連続して初期プラズマ放電
を発生させるダミー基体を設けて、当初、放電電極と前
記ダミー基体間にて初期プラズマ放電を発生させ、その
プラズマ放電が安定化したところで、該ダミー基体を移
動して放電電極面に薄膜形成用の基体を対向配置し、薄
膜を堆積することにより、異常成長のない均一な厚さの
Ｓ膜を容易に形成可能としたことである。
電子写真記録装置等に用いられる感光体の非晶質シリコ
ンなどからなる感光層を形成する際に、初期プラズマ放
電により堆積するｉ膜に異常成長が発生することを解消
するため、薄膜形成用基体に連続して初期プラズマ放電
を発生させるダミー基体を設けて、当初、放電電極と前
記ダミー基体間にて初期プラズマ放電を発生させ、その
プラズマ放電が安定化したところで、該ダミー基体を移
動して放電電極面に薄膜形成用の基体を対向配置し、薄
膜を堆積することにより、異常成長のない均一な厚さの
Ｓ膜を容易に形成可能としたことである。
本発明はグロー放電時のプラズマによって原料ガスを分
解・活性化して薄膜を堆積形成するＷＪ膜製造装置に係
り、特に初期プラズマ放電時における薄膜の異常成長を
排除して、良質の薄膜を堆積形成し得るグロー放電ＣＶ
Ｄ装置（グロー放電化学気相堆積装置）に関するもので
ある。
解・活性化して薄膜を堆積形成するＷＪ膜製造装置に係
り、特に初期プラズマ放電時における薄膜の異常成長を
排除して、良質の薄膜を堆積形成し得るグロー放電ＣＶ
Ｄ装置（グロー放電化学気相堆積装置）に関するもので
ある。
レーザプリンタや電子写真記録装置等の非晶質シリコン
などの電子写真感光層、或いは半導体素子等を製造する
際の各種薄膜等としては異常成長などの欠陥のない均一
な良質の薄膜層が要求される。
などの電子写真感光層、或いは半導体素子等を製造する
際の各種薄膜等としては異常成長などの欠陥のない均一
な良質の薄膜層が要求される。
第３図は従来の薄膜製造装置、例えばグロー放電により
円筒状基体の外周表面に薄膜を形成させるＣＶＤ装置を
示す概略構成図である。
円筒状基体の外周表面に薄膜を形成させるＣＶＤ装置を
示す概略構成図である。
図において、１は真空気密室、２は加熱ヒータ３を内蔵
し、かつ回転機構４により回転可能に設置された保持体
、５は該保持体２に配設された円筒状基体であり、６は
内面に多数のガス噴出孔７を備えたガス導入部を兼ねた
円筒状の放電電極である。
し、かつ回転機構４により回転可能に設置された保持体
、５は該保持体２に配設された円筒状基体であり、６は
内面に多数のガス噴出孔７を備えたガス導入部を兼ねた
円筒状の放電電極である。
また、８，９．１０は各々炭化水素系ガス、ジシラン（
またはモノシラン）及びジボランが充填されたガスボン
ベ、１１．１２．１３はガス流量を精密制御するマスフ
ロー制御器、１４は高周波電源（通常１３．５６ ＭＨ
ｚ）、前記真空気密室１の排気口１５にはロータリポン
プ１６と油拡散ポンプ１７とのＡ排気系と、ロータリポ
ンプ１８とメカニカルブースタポンプ１９とのＢ排気系
が接続されている。
またはモノシラン）及びジボランが充填されたガスボン
ベ、１１．１２．１３はガス流量を精密制御するマスフ
ロー制御器、１４は高周波電源（通常１３．５６ ＭＨ
ｚ）、前記真空気密室１の排気口１５にはロータリポン
プ１６と油拡散ポンプ１７とのＡ排気系と、ロータリポ
ンプ１８とメカニカルブースタポンプ１９とのＢ排気系
が接続されている。
しかして、前記該保持体２に配設された円筒状基体５の
外周表面に薄膜を形成するに際しては、円筒状基体５を
回転機構４により回転すると共に、加熱し−タ３によっ
て２００〜３００℃に加熱し、真空気密室１をＡ排気系
により１Ｏ−６ｔｏｒｒ程度に排気し、その後、Ａ排気
系をＢ排気系に切り換えた状態で排気する。
外周表面に薄膜を形成するに際しては、円筒状基体５を
回転機構４により回転すると共に、加熱し−タ３によっ
て２００〜３００℃に加熱し、真空気密室１をＡ排気系
により１Ｏ−６ｔｏｒｒ程度に排気し、その後、Ａ排気
系をＢ排気系に切り換えた状態で排気する。
次にその真空気密室１内に前記ガス導入部を兼ねた円筒
状の放電電極６を介して３種類のガスボンベ８．９．１
０からの炭化水素系ガス、ジシラン（またはモノシラン
）及びジボランを各マスフロー制御器１１．１２．１３
により適当な混合比で、かつ所定の内圧となるように導
入する。
状の放電電極６を介して３種類のガスボンベ８．９．１
０からの炭化水素系ガス、ジシラン（またはモノシラン
）及びジボランを各マスフロー制御器１１．１２．１３
により適当な混合比で、かつ所定の内圧となるように導
入する。
次に高周波電源工４により電力を供給して、前記円筒状
の放電電極６と円筒状基体５との間でグロー放電を起こ
させ、発生するプラズマによって前記混合ガスを分解し
て該円筒状基体５の外周表面に非晶質シリコン等からな
るｉ膜を堆積形成している。
の放電電極６と円筒状基体５との間でグロー放電を起こ
させ、発生するプラズマによって前記混合ガスを分解し
て該円筒状基体５の外周表面に非晶質シリコン等からな
るｉ膜を堆積形成している。
ところで上記のような従来の薄膜製造装置においては、
グロー放電により円筒状基体５の外周表面にＷｔ模を形
成する成膜開始時、乃至は円筒状基体５の外周表面に膜
質の異なる複数の薄膜を積層形成する際の原料ガス切り
換え後の、初期プラズマの異常放電により該基体５の外
周表面に堆積する薄膜に異常成長が発生したり、膜厚が
不均一になる欠点があった。
グロー放電により円筒状基体５の外周表面にＷｔ模を形
成する成膜開始時、乃至は円筒状基体５の外周表面に膜
質の異なる複数の薄膜を積層形成する際の原料ガス切り
換え後の、初期プラズマの異常放電により該基体５の外
周表面に堆積する薄膜に異常成長が発生したり、膜厚が
不均一になる欠点があった。
本発明はこのような従来の欠点に鑑み、Ｗ／＃膜形成開
始時の初期プラズマ放電、或いは膜質の異なる複数のｉ
膜を積層形成する際の原料ガス切り換え後における初期
プラズマ放電を、薄膜を形成すべき基体表面に曝さない
ようにし、該プラズマ放電が安定化した状態で該基体表
面にｇ膜を堆積形成することにより、異常成長のない、
均一な膜厚の薄膜を容易に得ることができる新規な薄膜
製造装置を提供することを目的とするものである。
始時の初期プラズマ放電、或いは膜質の異なる複数のｉ
膜を積層形成する際の原料ガス切り換え後における初期
プラズマ放電を、薄膜を形成すべき基体表面に曝さない
ようにし、該プラズマ放電が安定化した状態で該基体表
面にｇ膜を堆積形成することにより、異常成長のない、
均一な膜厚の薄膜を容易に得ることができる新規な薄膜
製造装置を提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、第１図に示すように
真空気密室２１内において、円筒状の放電電極２７と対
向配置した円筒状基体２５を保持した保持体２２に、該
基体２５の一端に連続して初期プラズマ放電を発生させ
る円筒状ダミー基体２６を配置すると共に、該保持体２
２はベローズ３２により被包した支持部材３１により支
持され、該支持部材３１を上下動させる駆動部３３等か
らなる送り機構３０により、対向する放電電極と平行に
移動可能とした構成とする。
真空気密室２１内において、円筒状の放電電極２７と対
向配置した円筒状基体２５を保持した保持体２２に、該
基体２５の一端に連続して初期プラズマ放電を発生させ
る円筒状ダミー基体２６を配置すると共に、該保持体２
２はベローズ３２により被包した支持部材３１により支
持され、該支持部材３１を上下動させる駆動部３３等か
らなる送り機構３０により、対向する放電電極と平行に
移動可能とした構成とする。
このような構成の薄膜製造装置によって、グロー放電に
より円筒状基体２５の外周表面に薄膜を形成するに際し
ては、所定の内圧となるように原料ガスが導入された真
空気密室２１内に配置され、内蔵加熱ヒータ２３により
数百℃に加熱された基体２５と、これに連なるダミー基
体２６とを保持した保持体２２を、前記送り機構３０に
よりその長さ方向に移動してダミー基体２６の外周面が
放電電極２７と対向するように配設し、この状態で高周
波電源により電力を供給して該放電電極２７とダミー基
体２６との間でグロー放電を起こさせ、初期プラズマ放
電を発生させる。このプラズマ放電が安定化された時点
で、再び前記送り機構３０により前記保持体２２を移動
して、ダミー基体２６に連なる薄膜形成用の基体２５を
放電電極２７と対向するように配設し、該基体２５外周
面に薄膜を所要の厚さに堆積させることにより、異常成
長のない、均一な薄膜を形成することが可能となる。
より円筒状基体２５の外周表面に薄膜を形成するに際し
ては、所定の内圧となるように原料ガスが導入された真
空気密室２１内に配置され、内蔵加熱ヒータ２３により
数百℃に加熱された基体２５と、これに連なるダミー基
体２６とを保持した保持体２２を、前記送り機構３０に
よりその長さ方向に移動してダミー基体２６の外周面が
放電電極２７と対向するように配設し、この状態で高周
波電源により電力を供給して該放電電極２７とダミー基
体２６との間でグロー放電を起こさせ、初期プラズマ放
電を発生させる。このプラズマ放電が安定化された時点
で、再び前記送り機構３０により前記保持体２２を移動
して、ダミー基体２６に連なる薄膜形成用の基体２５を
放電電極２７と対向するように配設し、該基体２５外周
面に薄膜を所要の厚さに堆積させることにより、異常成
長のない、均一な薄膜を形成することが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る薄膜製造装置の一実施例を示す概
略断面構成図である。
略断面構成図である。
図において、２１は真空気密室、２２は加熱ヒータ２３
を内蔵し、かつ回転機構２４により回転可能に設置され
た保持体であり、該保持体２２には薄膜を形成すべき円
筒状基体２５と、これに連続して初期プラズマ放電を発
生させる円筒状ダミー基体２６が配置され、更に該保持
体２２はベローズ３２により被包した支持部材３１によ
り支持され、該支持部材３１を上下動させる駆動部３３
等からなる送り機構３０により上下方向に移動可能に設
置されている。
を内蔵し、かつ回転機構２４により回転可能に設置され
た保持体であり、該保持体２２には薄膜を形成すべき円
筒状基体２５と、これに連続して初期プラズマ放電を発
生させる円筒状ダミー基体２６が配置され、更に該保持
体２２はベローズ３２により被包した支持部材３１によ
り支持され、該支持部材３１を上下動させる駆動部３３
等からなる送り機構３０により上下方向に移動可能に設
置されている。
２７は内面に多数のガス噴出孔２８を備えたガス導入部
を兼ねた円筒状の放電電極である。
を兼ねた円筒状の放電電極である。
尚、２９はグロー放電が所定領域外に波及することを阻
止するためのシールド部材である。
止するためのシールド部材である。
しかして、かかる円筒状基体２５の外周表面に薄膜を形
成するに際しては、該円筒状基体２５及び円筒状ダミー
基体２６が配置された保持体２２を回転機構２４により
回転すると共に、加熱ヒータ２３によって２００〜３０
０℃に加熱した状態で真空気密室２１内を従来と同様に
図示しないロータリポンプと油拡散ポンプ等からなるＡ
排気系により１０＝ ｔｏｒｒ程度に排気し、その後、
排気系をロータリポンプとメカニカルブースタポンプ等
からなるＢ排気系に切り換える 次にその真空気密室２１内に前記ガス導入部を兼ねた円
筒状の放電電極２７を介して図示しない複極類の原料混
合ガスをマスフロー制御器等により適当な混合比で、か
つ所定の内圧となるように導入する。
成するに際しては、該円筒状基体２５及び円筒状ダミー
基体２６が配置された保持体２２を回転機構２４により
回転すると共に、加熱ヒータ２３によって２００〜３０
０℃に加熱した状態で真空気密室２１内を従来と同様に
図示しないロータリポンプと油拡散ポンプ等からなるＡ
排気系により１０＝ ｔｏｒｒ程度に排気し、その後、
排気系をロータリポンプとメカニカルブースタポンプ等
からなるＢ排気系に切り換える 次にその真空気密室２１内に前記ガス導入部を兼ねた円
筒状の放電電極２７を介して図示しない複極類の原料混
合ガスをマスフロー制御器等により適当な混合比で、か
つ所定の内圧となるように導入する。
次に該円筒状基体２５及び円筒状ダミー基体２６が配置
された保持体２２を送り機構３０により下方向に移動し
て該ダミー基体２６の外周面が放電電極２７と対向する
ように配設した状態で、高周波電源により電力を供給し
て前記円筒状の放電電極２７とダミー基体２６との間で
グロー放電を起こさせ、初期プラズマ放電を発生させる
。
された保持体２２を送り機構３０により下方向に移動し
て該ダミー基体２６の外周面が放電電極２７と対向する
ように配設した状態で、高周波電源により電力を供給し
て前記円筒状の放電電極２７とダミー基体２６との間で
グロー放電を起こさせ、初期プラズマ放電を発生させる
。
その後、前記プラズマ放電が安定化された時点で、再び
前記保持体２２を送り機構３０により上方向に移動させ
てダミー基体２６に連なる薄膜形成用の円筒状基体２５
を放電電極２７と対向するように配設し、この状態にて
該外周表面に非晶質シリコン等からなる薄膜を所要の厚
さに堆積させることにより、異常成長のない、均一な厚
さの薄膜を容易に形成することが可能となる。
前記保持体２２を送り機構３０により上方向に移動させ
てダミー基体２６に連なる薄膜形成用の円筒状基体２５
を放電電極２７と対向するように配設し、この状態にて
該外周表面に非晶質シリコン等からなる薄膜を所要の厚
さに堆積させることにより、異常成長のない、均一な厚
さの薄膜を容易に形成することが可能となる。
第２図は本発明に係る薄膜製造装置の他の実施例を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
第２図の実施例が第１図の実施例と異なる点は、装置構
成が平行平板型であって、真空気密室４１内に設置され
た表面に多数のガス噴出孔４６を備えたガス導入部を兼
ねる放電電極４５と、これと対向配置する基体４３とダ
ミー基体４４及びこれらを保持する保持体４２が平板状
をなし、該基体４３とダミー基体４４とが連設された保
持体４２は、例えばリードスクリュー等を有する送り機
構４８により放電電極４５面と平行な水平方向に移動可
能に構成されている。
成が平行平板型であって、真空気密室４１内に設置され
た表面に多数のガス噴出孔４６を備えたガス導入部を兼
ねる放電電極４５と、これと対向配置する基体４３とダ
ミー基体４４及びこれらを保持する保持体４２が平板状
をなし、該基体４３とダミー基体４４とが連設された保
持体４２は、例えばリードスクリュー等を有する送り機
構４８により放電電極４５面と平行な水平方向に移動可
能に構成されている。
尚、４７はグロー放電が所定領域外に波及することを阻
止するためのシールド部材である。
止するためのシールド部材である。
この実施例の装置構成によっても前記第１図による実施
例と同様の薄膜形成操作を行うことが可能であり、薄膜
を形成すべき平板状の基体４３表面に非晶質シリコン等
からなる薄膜を異常成長のない、均一な所要の厚さに容
易に形成することが可能である。
例と同様の薄膜形成操作を行うことが可能であり、薄膜
を形成すべき平板状の基体４３表面に非晶質シリコン等
からなる薄膜を異常成長のない、均一な所要の厚さに容
易に形成することが可能である。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜製造
装置によれば、基体表面にグロー放電ＣＶＤ法により薄
膜を堆積する際に、該基体表面を初期プラズマ放電に曝
すことがなく、安定なプラズマ放電状態で成膜を行うこ
とにより、異常成長のない、均一な所要の厚さの薄膜を
容易に堆積形成することが可能となる優れた利点を有す
る。
装置によれば、基体表面にグロー放電ＣＶＤ法により薄
膜を堆積する際に、該基体表面を初期プラズマ放電に曝
すことがなく、安定なプラズマ放電状態で成膜を行うこ
とにより、異常成長のない、均一な所要の厚さの薄膜を
容易に堆積形成することが可能となる優れた利点を有す
る。
従って、円筒型の電子写真感光体のアモルファスシリコ
ン感光膜の形成、或いは各種半導体素子、や各種半導体
集禎回路等の各種薄膜の形成に通用して優れた効果を奏
する。
ン感光膜の形成、或いは各種半導体素子、や各種半導体
集禎回路等の各種薄膜の形成に通用して優れた効果を奏
する。
第１図は本発明に係る薄膜製造装置の一実施例を示す概
略断面構成図、 第２図は本発明に係る薄膜製造装置の他の実施例を示す
概略断面構成図、 第３図は従来の薄膜製造装置を説明するための概略断面
構成図である。 第１図、第２図において、 ２１、４１は真空気密室、２２．４２は保持体、２３は
加熱ヒータ、２４は回転機構、２５．４３は基体、２６
．４４はダミー基体、２７．４５は放電電極、２８．４
６はガス噴出孔、２９．４７はシールド部材、３０．４
８は送り機構をそれぞれ示す。 ｔｍ シｔ（号ン５ＢＲｓ４ｔｎ ＸビｋｙＪｔｔ＃ａ４１ｔ
ヒＭＡ’ｆｆｉ第２図
略断面構成図、 第２図は本発明に係る薄膜製造装置の他の実施例を示す
概略断面構成図、 第３図は従来の薄膜製造装置を説明するための概略断面
構成図である。 第１図、第２図において、 ２１、４１は真空気密室、２２．４２は保持体、２３は
加熱ヒータ、２４は回転機構、２５．４３は基体、２６
．４４はダミー基体、２７．４５は放電電極、２８．４
６はガス噴出孔、２９．４７はシールド部材、３０．４
８は送り機構をそれぞれ示す。 ｔｍ シｔ（号ン５ＢＲｓ４ｔｎ ＸビｋｙＪｔｔ＃ａ４１ｔ
ヒＭＡ’ｆｆｉ第２図
Claims (1)
- 放電電極（２７）と薄膜を被着する基体（２５）とを対
向配置した真空気密室（２１）内に原料ガスを導入し、
該放電電極（２７）と基体（２５）間にプラズマ放電を
発生せしめて、この原料ガスを分解・活性化し、基体（
２５）表面に薄膜を堆積する装置構成において、上記基
体（２５）の一端に連続して初期プラズマ放電を発生さ
せるダミー基体（２６）を配置すると共に、該基体（２
５）とこれに連なるダミー基体（２６）とを、送り機構
（３０）により対向する放電電極（２７）面に沿って平
行移動するようにしたことを特徴とする薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60259072A JPS62120478A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60259072A JPS62120478A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120478A true JPS62120478A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17328931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60259072A Pending JPS62120478A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62120478A (ja) |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP60259072A patent/JPS62120478A/ja active Pending
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