JPS62123754A - リ−ドフレ−ム洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は特に気相処理で金属蒸着されるリードフレーム
の洗浄方法に係わる。

〈従来の技術） エツチング処理でリードフレーム（鉄・ニッケル合金）
のパターンが形成された場合、エンチング・レジストを
除去し、次いで水洗いし、熱風で水分を乾燥し、次いで
形成されたリードフレームの所望な箇所に真空蒸着など
の気相処理で、アルミニウム等金属層を形成している。

〈発明が解決しようとする問題点〉 このように、エツチング会レジストを除去し、水洗いさ
れたリードフレームの水分を熱風あるいは温風を吹き付
けて乾燥させる従来の方法では転帰工程で、リードフレ
ーム上に水洗いの水滴が部分部分に残り、その部分の乾
燥が遅れ、薄い酸化膜が生じる。かかるリードフレーム
に後工程で酸化膜を生じた部分に真空蒸着などの気相処
理で金属層を形成すると、その箇所が白点状に変色し、
高い信頼性が要求されるＩＣセラミックパッケージの工
程において、ポンディングワイヤの接着不良あるいは接
着むら等の不良を生ずる原因となった。

リードフレームの酸化が更にひどい場合は、酸化部分が
黄変色し、いわゆる完全な錆を発生する。その上に気相
処理した場合は蒸着金属層の接看力が低下し、はがれ、
発泡などの更に重大な欠陥の原因となった。このため、
水洗いされたリードフレームを乾燥液（昔通は、フレオ
ンとアルコール混合液〔例えばマジックドライ（商品名
）〕に浸漬して、乾燥させることにより、水滴の乾燥遅
れによる酸化膜の発生を防止したが、高品質のセラミッ
クパッケージの場合、かがる工程で処理されても尚、水
分の乾燥むらに因る製品不良が発見され、完全ではなか
った。

本発明はかかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもの
で後工程で気相処理されるエツチングリードフレームの
前工程で、水分を完全に除去できるリードフレーム洗浄
方法を提供することを目的とするものである。

〈問題点を解決するための手段〉 かかる目的を達成した本発明によるリードフレーム洗浄
方法の手順は、エツチング処理で形成されたリードフレ
ームに気相処理で金属層を形成する工程に先立って、上
記リードフレームのエツチングレジストを除去し、水洗
いする工程に次いで、水洗したリードフレームを水分置
換剤液に浸漬する工程と、フレオンに浸漬する工程と、
フレオン法気乾燥工程と、大気温以下の低温環境でフレ
オンを惟燥する工程とを順次施すことを特徴とするもの
である。また、この場合好ましくは、順次に施される工
程間においてリードフレームの表面を乾かない状態に保
って進められる、いわゆる湿式処理方法であることが特
徴である。

更に、エツチングレジスト除去の後の水洗したリードフ
レームの水分晴着が多い場合は、上記リードフレーム洗
浄方法に先立って、後続の工程への水分もち出し量を少
くするため、吸水性のロールでリードフレームの表面の
水分を吸若除去する水切り工程を施すことを特徴とする
ものである。

〈実施例〉 未発明によるリードフレーム洗浄方法の一実施例を図面
を参照して説明する。

第１図は本発明によるリードフレーム洗浄方法の一実施
例の工程図である。本発明によるリードフレーム洗浄方
法はエツチング処理で特定のパターンに形成されたリー
ドフレームに、後で真空蒸着等の気相処理でアルミニウ
ム層を形成する工程ニ先立って、上記リードフレームの
表面からエツチング・レジストを完全に除去し、次いで
行なわれるリードフレームの水洗い工程１に続いて、水
洗いによって水に濡れた状態のリードフレームを、アル
コール又は界面活性剤液等の水分置換剤液に浸漬する工
程２を施し、リードフレームの表面の水分を水分置換剤
の中へ溶解する。次いでリードフレームをフレオン液へ
浸漬する工程３を施し、リードフレームの表面の水分置
換剤を乾燥の速いフレオンに置換する。しかしフレオン
浸漬後、自然乾燥しただけでは大気中でのフレオンの蒸
発潜熱で大気中の水分がリードフレーム表面に結露する
ことが起り、水分酸化の悪い影響を免れない。また温風
乾燥しても乾燥むらを起す。

このため、フレオン液浸漬工程３後は純フレオン蒸気中
にリードフレームを置き、フレオン蒸気転帰工程４を施
す。次いで大気温以下の温度例えば１０°Ｃ以下の環境
に置いてリードフレームを自然冷却する工程５を経て、
リードフレームを大気温度程度にやや高め、大気中に取
り出すことにより、リードフレーム表面に結露を生ずる
心配はない。かくして、水洗い工程１でリードフレーム
に耐着した水分は完全に除去された状態でリードフレー
ムを得る。従って従来の場合のように、水洗いして水分
が耐着したリードフレームを熱風乾燥する際の水分残り
による薄い酸化膜を生じ、後の気相処理工程で悪い影響
を起すことはない。

ざらに水分除去を充分に行なう目的で、水洗い後乾燥液
に浸漬して水分乾燥を行っても尚、水分乾燥のむらによ
る製品不良を発生したが、本発明の方法によれば、水洗
いによる水分残りの影響を完全に除去することができ、
清浄な゛るリードフレームを提供することができた。こ
れによって。

後のＩＣ加工工程において、気相処理によってアルミニ
ウム層等を施し、次いでポンディングワイヤのポンディ
ング工程を施しても、ワイヤポンディングの均一な接合
力が得られ、特に高い信頼性を要求される超ＬＳＩ用セ
ラミックパッケージＩＣの信頼性を著しく高めることに
成功した。

本発明の方法において、更に、リードフレームの水洗い
工程１におけるリードフレームの水分耐着が多い場合は
、後工程への水分もち込みを少なくするため、スポンジ
ロールのような吸水性ロールによってリードフレームの
水切りを行なうことが好ましい、第２図に示す本発明の
実施例のものでは、第１図に示す実施例のものにおける
水洗い工程１と水分置換剤液浸漬工程２の間に第３図に
示すような２個のスポンジ等の吸水性ロール８１＋８□
の間をリードフレーム７を通過させてリードフレーム７
の表面の水切りを行なう吸水性ロールによる水切工程６
を設けたものである。第２図中、第１図に示す番号と同
一の参照番号の工程は、同一工程である。

本発明によるリードフレーム洗浄方法で重要なことは、
それぞれの工程において、必ずリードフレームを一枚づ
つ分離して処理することである。

若し、リードフレームが相互に重なったま工処理される
部分があると、重ね部分で、前工程の処理液と後工程の
処理液との置換がうまく行なわれず、前工程の液残りを
生じる。これはそれぞれの液の表面張力差、浸透力の限
界に帰因する。また、本発明の方法で重要なことは、最
后の蒸気乾燥工程５迄は、工程と工程の途中で浸漬液に
よってリードフレーム表面が湿った状態のまま次の工程
に移されなければならないことである。絶対に乾燥状態
を作らないこと、すなわち、湿式処理方法で処理されな
ければならない。

第４図は第１図あるいは第２図に示す本発明によるリー
ドフレーム洗浄方法を実施する装置の構成図を示す。

第１図あるいは第２図に示す本発明によるリードフレー
ムの洗浄方法によれば、エツチング工程で特定のパター
ンに形成されたリードフレームはエンチング・レジスト
を完全に除去され、次いでリードフレーム７の水洗い工
程１に移される。水洗い工程１では水１０中を帯状のリ
ードフレームが連続的に水洗いされて、次の工程に移さ
れる。水洗い工程で水分耐着が多くない場合は直接水分
置換剤液１２への浸漬工程２へ移される。工程２ではリ
ードフレーム７の表面の水分を水分置換剤１２゜例えば
アルコールあるいは表面活性剤液中へ溶解させる。尚、
水分置換剤１２がアルコール１４の場合は水とアルコー
ルの沸点差を利用して隣接する水の分離槽１３で加熱し
、槽内のアルコールのみを蒸発して回収し、水分は排水
する。かくして水分置換剤液１２の水の含有量を一定に
保つことができる。次にリードフレーム７はフレオン浸
漬工程３に移される。フレオン浸漬工程３ではリードフ
レーム７の表面の水分置換剤液を乾燥の速いフレオン１
５に置換する。尚フレオン槽が９１と８２の二つに分け
られているが第２のフレオン槽９２は第１のフレオン槽
９、より低い温度に保たれている。これは、次のフレオ
ン蒸気乾燥に備え、フレオンで濡れたリードフレーム７
の温度を低め、フレオン沸点近くのフレオン蒸気の環境
に移したとき、フレオン基気がリードフレームでよく結
露し、フレオン蒸気による洗浄効果を上げるためである
。

リードフレーム７はフレオン浸漬工程３からフレオンｇ
気乾燥工程４に移され、純フレオンの蒸気１６でリード
フレームの表面を洗浄する。ついでリードフレーム７は
次第に上方向に持ち上げられ、周囲に冷却バイブ１７で
冷却された冷却ゾーンでの低温乾燥の工程５に移される
。ここでは低温のためフレオンは液化し回収され、リー
ドフレーム７の温度も低くされ、かつフレオンが自然乾
燥するのを待って、さらに徐々に上方向へ移し、リード
フレーム７の温度を室温に等しい程度にして、大気中へ
取り出す、したがって、リードフレーム７の表面は大気
中の水分が結露することなく、かつ、フレオン蒸気で洗
浄され清浄化された、水分による酸化の全くない状態で
リードフレーム７を得ることができる。

尚、本発明によるリードフレーム洗浄方法ではリードフ
レームは帯状体でもよく短冊状にして、フレームかご１
１でバッチ処理してもよい。

〈発明の効果〉 本発明によるリードフレーム洗浄方法は、水洗いされた
リードフレームの表面水分を水分置換剤液で置換して取
り去り、更にフレオン浸漬を行って水分置換剤液を乾燥
の速いフレオン置きかえ、フレオン浸漬工程を行って徐
々にリードフレームの表面からフレオン成分を自然蒸発
させて、大気温度にして大気中に取り出す。そのため、
大気中に取り出したとき、リードフレーム表面にはフレ
オン成分は全くないためフレオンの気化に伴なうリード
フレームの冷却による大気中の水分結露もない、従って
、水分残りの乾燥むら、結露による水分残りの酸化によ
る酸化膜を発生せず、ＩＣセラミックパッケージの後工
程での気相処理による金属層の形成、またそこに施され
るワイポンディングの接合力の低下が全く認められず、
特に高い信頼性が要求される超ＬＳＩのセラミックパッ
ケージの信頼性を著しく高めることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるリードフレーム洗浄方法の一実施
例の工程図、第２図は本発明の他の実施例の工程図、第
３図は第２図に示す工程で用いられる吸水性ロール水切
り工程を実施する装置の説明図、第４図は第１図あるい
は第２図に示す実施例の方法を実施する装置の構成図で
ある。 図　　面　　中、 １は水洗い工程、２は水分置換剤液浸漬工程。 ３はフレオン浸漬工程、４はフレオン蒸気乾燥工程、５
は低温乾燥工程、６は吸水性ロール水切り工程、７はリ
ードフレーム、８１８２は吸水性ロール、８□、９□は
フレオン液ｊ４．１０は水、１１はフレームかご、１２
は水分置換剤液、１３は水の分離槽、１４はアルコール
、１５はフレオン、１６はフレオン蒸気、１７は冷却パ
イプである。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）エッチング処理で形成されたリードフレームに気
   相処理で金属層を形成する工程に先立って、上記リード
   フレームのエッチングレジストを除去し、水洗いする工
   程に次いで、水洗いされたリードフレームを間隔を隔て
   て配置して水分置換剤液に浸漬する工程と、フレオンに
   浸漬する工程と、フレオン蒸気乾燥工程と、低温環境で
   乾燥する工程を順次施すことを特徴とするリードフレー
   ム洗浄方法。
2. （２）前記の継続される工程の間で、リードフレーム表
   面が濡れた状態に保たれていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載のリードフレーム洗浄方法。
3. （３）前記水分置換剤がアルコールあるいは表面活性剤
   液であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   リードフレーム洗浄方法。
4. （４）気相処理で金属層を形成する工程に先立って、エ
   ッチング処理で形成されたリードフレームのエッチング
   レジストを除去し、水洗いする工程に次いで、吸水性ロ
   ールで上記リードフレームの水分もち出し量を低減する
   水切り工程と、上記リードフレームを水分置換剤液に浸
   漬する工程と、フレオンに浸漬する工程と、フレオン蒸
   気乾燥工程と、低温環境で乾燥する工程を順次施すこと
   を特徴とするリードフレーム洗浄方法。
5. （５）前記の継続される工程の間でリードフレームの表
   面が濡れた状態に保たれていることを特徴とする、特許
   請求の範囲第４項記載のリードフレーム洗浄方法。