JPH0579944U - 半導体ウエハ乾燥機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ベーパ槽１１内で半導体ウエハ２０が汚染さ
れるのを防ぐ。ベーパ槽１１のコストを下げ、且つ耐久
性を高める。 【構成】 ベーパ槽１１およびパン１２をＮｉにより構
成する。ベーパ槽１１の内面およびパン１２の全表面を
鏡面仕上げとし、且つそれらの面にＨＦ処理による不動
態膜を被覆する。ＨＦ処理による不動態膜を表面に被覆
されたＮｉは、Ｎｉイオンを放出しない。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、ＩＰＡ等の蒸気を用いた半導体ウエハ乾燥機に関する。

【０００２】

【従来の技術】

製造された半導体ウエハは、数工程にわたる洗浄を受け、最後の洗浄の後に表 面を乾燥される。その乾燥機としては、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ ）の蒸気によるＩＰＡ蒸気乾燥機が多用されている。この乾燥機の構造を図１に より説明する。

【０００３】 ＩＰＡ蒸気乾燥機１０は、ＩＰＡ液を収容するベーパ槽１１を有する。槽内の ＩＰＡ液より上方にはパン１２が支持されている。

【０００４】 乾燥の際には、まず、多数枚の半導体ウエハ２０がキャリア２１内に整列保持 されて、パン１２内にセットされる。次いで、槽内のＩＰＡ液をヒータ１３によ り加熱して蒸発させ、その蒸気をパン１２内にセットされた半導体ウエハ２０に 接触させる。これにより、半導体ウエハ２０の表面にＩＰＡ蒸気が付着して水分 を吸収し、その表面が乾燥される。水分を吸収して液体に戻ったＩＰＡは、パン １２の底からドレン１４を経て槽外へ排出される。

【０００５】 半導体ウエハ２０の乾燥に使用されなかったＩＰＡ蒸気は、ベーパ槽１１の上 部内面に沿って設けられたクーラー１５により冷却凝縮され、ドレンパン１６を 経て槽外へ排出される。槽内のクーラー１５より下がＩＰＡ蒸気ゾーンである。

【０００６】 このようなＩＰＡ蒸気乾燥機１０においては、半導体ウエハ２０の汚染を防ぐ ために、その材質は重要であり、通常はベーパ槽１１およびパン１２に石英を用 いている。また、一部ではこれらをＳＵＳ３１６材により構成し、その表面を鏡 面仕上げとした乾燥機も使用されている。

【０００７】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、石英製のベーパ槽１１およびパン１２は非常に高価であり、パ ン１２にあってはメンテナンス時等に割れやすいという問題もある。

【０００８】 その点、ＳＵＳ３１６製のベーパ槽１１およびパン１２は安価であり、また衝 撃に対する強度も高い。しかし、ＩＰＡ蒸気とＳＵＳ３１６材表面が微妙な化学 反応を起こし、その表面から種々の金属イオンが放出し、これが半導体ウエハ２ ０の表面に付着して半導体ウエハ２０の品質を低下させるおそれがある。また、 ＳＵＳ３１６材表面は鏡面仕上げされているが、微細な凹凸は存在しており、そ のため、0.１μ程度のパーティクルが乾燥時に発生して半導体ウエハ２０の表面 に付着するおそれもある。

【０００９】 一方、石英製のベーパ槽１１やパン１２もＩＰＡ蒸気と微妙な化学反応を起こ し、これからもＮａイオンが放出して、半導体ウエハ２０の表面に付着する不具 合が最近見出された。これは石英の成分に僅かなＮａが含まれているためと説明 されている。

【００１０】 このように従来のＩＰＡ蒸気乾燥機１０は、その材質に充分な注意が払われて いるにもかからず、半導体ウエハ２０の汚染を完全に防止するまでは至っていな い。

【００１１】 本考案の目的は、ウエハ汚染のおそれが従来よりも格段に小さく、しかも低価 格で耐久性の高い半導体ウエハ乾燥機を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】

本考案の半導体ウエハ乾燥機は、ベーパ槽内に蒸気乾燥用の液体を収容し、そ の液面より上に支持されたパン内に半導体ウエハをセットし、ベーパ槽内の液体 を加熱蒸発させてその蒸気によりパン内の半導体ウエハを乾燥する半導体ウエハ 乾燥機において、前記ベーパ槽およびパンをＮｉにより構成し、その少なくとも 前記液体または蒸気と接する面を鏡面仕上げとし、且つその表面にＨＦ処理によ る不動態膜を被覆したことを特徴とする。

【００１３】

【作用】

ＨＦ処理による不動態膜を表面に被覆されたＮｉは、その表面から金属イオン を放出するおそれがない。

【００１４】

【実施例】

以下に本考案の実施例を図１により説明する。

【００１５】 本半導体ウエハ乾燥機は、ＩＰＡ蒸気乾燥機１０であり、そのベーパ槽１１お よびパン１２はＮｉにより構成されている。Ｎｉの純度は９9.９９％以上が望ま しい。ベーパ槽１１の内面およびパン１２の全表面には、鏡面仕上げが施工され 、且つＨＦ処理による不動態膜が被覆されている。

【００１６】 鏡面仕上げは、表面の凹凸をなくして微細なパーティクルが発生するのを防止 する。ＨＦ処理は、例えば５０％ＨＦ＋Ｈ₂ Ｏ（１：１００）の水溶液により行 う。この処理によりＮｉ表面の自然酸化膜が除去され、代わって耐ガス放出性の 高い不動態膜が形成される。不動態膜の厚みは0.１５〜0.２５μｍが望ましい。

【００１７】 本半導体ウエハ乾燥機においては、ベーパ槽１１およびパン１２から槽内への 金属イオンの放出がなく、槽内のＩＰＡ液およびＩＰＡ液から発生する蒸気が金 属イオンによって汚染されない。従って、パン１２内にセットされた半導体ウエ ハ２０の金属イオンによる汚染が防止される。また、Ｎｉからなるベーパ槽１１ およびパン１２は、ＨＦ処理に要するコストを考慮しても、石英製のものより安 価であり、衝撃に対する強度も高い。

【００１８】 なお、上記実施例は、ベーパ槽１１の内面およびパン１２の全表面をＨＦ処理 の対象としているが、これに限らず、例えば、ベーパ槽１１内面のＩＰＡ蒸気ゾ ーンより上の部分をＨＦ処理の対象外としてもよい。また、ドレパン１６等をＮ ｉ製とし、その表面に鏡面仕上げおよびＨＦ処理を施してもよい。

【００１９】

【考案の効果】

以上の説明から明らかなように、本考案の半導体ウエハ乾燥機は、そのベーパ 槽内で乾燥される半導体ウエハの表面への金属イオン付着を防いで、その品質低 下を防止する。しかも、Ｎｉ材は石英に比べて安く、更に、衝撃に付する強度が 著しく高く、破損のおそれが殆どなく、使用期間も長い。従って、経済性に著し く優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＩＰＡ蒸気乾燥機の概略構成図である。

【符号の説明】

１０ ＩＰＡ蒸気乾燥機 １１ ベーパ槽 １２ パン １３ ヒータ １５ クーラー ２０ 半導体ウエハ ２１ キャリア

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベーパ槽内に蒸気乾燥用の液体を収容
   し、その液面より上に支持されたパン内に半導体ウエハ
   をセットし、ベーパ槽内の液体を加熱蒸発させてその蒸
   気によりパン内の半導体ウエハを乾燥する半導体ウエハ
   乾燥機において、前記ベーパ槽およびパンをＮｉにより
   構成し、その少なくとも前記液体または蒸気と接する面
   を鏡面仕上げとし、且つその表面にＨＦ処理による不動
   態膜を被覆したことを特徴とする半導体ウエハ乾燥機。