JPS62123790A - 半導体レ−ザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザに関し、特に光情報処理用に好適
な半導体レーザに関する。

〔従来の・技術〕

半導体レーザを光情報処理のうち、特に、ビデオディス
クや光デイスク上の読取り用光源として夏用する場合に
は、雑音特性、特に、戻り光に誘起される雑音が問題と
なる。半導体レーザの戻り光誘起雑音を低減するために
１種々の方法が試みられているが、中でも出力コヒーレ
ンスの低減は特に有効である。

これらの方法の一つとして、高周波重畳による半導体レ
ーザの低雑音化が、大石、下根、中村。

尾島により、１９８３年秋季に発行された応用物理学関
係連合講演会予稿集の１０２頁に記載の論文、２６ａ−
Ｐ−６”高周波重畳による半、・４体レーザの低雑音化
と縦モード特性”に２いで提案され有効である事が示さ
れている。

また、自励振動を生じさせ、縦モードを多重化して低雑
音化した半導体レーザが、銘木、松本。

田村、渡辺、栗原により、電子通信学会技術報告。

光量子エレクトロニクス０ＱＥ８４−５７．３９頁に記
載の論文、“ｌ５ＳＳ　　レーザの雑音特性と自己パル
ス変調の機構”に２いて提案され試みられている。

第５図は従来のｌ５Ｓ８レーザのチップの断面図である
。

Ｐ型ＧａＡｓ基板５０の上に、Ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層６
１゜６３．６５とＡｌ　、）、４５　Ｇａ　０．５５　
Ａｓ層６２．６４が積層されて複合型の電流阻止層が形
成され、中央部に１字形の溝がち９５活性層５５への電
流注入領域は１字形の溝の下部の幅Ｗｌで決まり、等測
的な光ガイド領域は１字形の溝の上部の幅Ｗ２で決まる
。このレーザは、光ガイド領域の一部に注入電流密度の
低い部分を設け、光ガイドに作りつけた形の可飽和吸収
体を実現することにより自己パルス変調を生じ易くした
ものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した高周波重畳を用いる方法では、高周波駆動回路
の付加が必要であるばかりでなく、外部機構へ高周波が
漏れる等の弊害を伴なっている。

ま次、自励振動を生じさせて低雑音化した半導体レーザ
の従来例では１層厚や溝唱などの構造に対して自励振動
特性がきわめて敏感に依存するので、安定な自励振動特
性のものが得られる割合である収率は低くなる欠点を有
していた。

本発明の目的は、安定な自励振動を生じ低雑音特性を持
つと共に基本横モード発振を維持する制御性２よび再現
性のすぐれた半導体レーザを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体レーザは、活性層の両側をこれより禁制
帯幅の大きなクラッド層及び父はガイド層とクラッド層
とで少なくと１片側にガイド層を配して挾み、前記ガイ
ド層とクラッド層との間に。

電流注入領域を有する前記活性層より禁制帯幅の小さな
電流阻止層を有してなる二重ヘテロ接合構造体が、帯状
の凹又は凸表面を有する基板上に前記凹又は凸表面に沿
って設けられ、前記電流注入領域は、前記活性層の中央
平坦部の幅より小さい所定幅を有し、前記活性層内のキ
ャリヤ拡散長は管内波長以上で、かつ前記活性層の中央
平坦部の幅と前記電流注入領域の幅との差の絶対値以下
であるという構成を有している。

〔実施例〕

次に１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１の実施例の斜
視図及び断面図である。

厚さｏ、ｏｓμｍのＮ　ｍ　ＡＡ！　０．Ｉｓ　Ｇａ　
００８５　Ａｓ層（Ｎ型不純物濃度：１，５×１０１８
個／Ｃｌ７１）からなる活性層１５の下側に厚さ０．０
５μｍのＮ型ｋｌ　Ｏ，５Ｇａ　６．５　Ａｓ層からな
る第１クラッド層１４及び厚さ１．０μｍのＮ聖人ｌＯ
，４ＧａＯ，ｇＡｓ層からなる第２クラッド層１３を配
し、上側に厚さ０．０５μｍのＰ型入１０，５　Ｇａ　
ＯｌＳ　Ａｓ層からなる第３クラツド層１６．厚さ０．
５μｍのＰ型ｋｌ　Ｏ，３Ｇａ　Ｏ，７Ａｓ層からなる
ガイド層１７及び厚さ２．０μｍのＰ型ｋｌ　Ｏ１４Ｇ
ａ　（１，６Ａｓ層からなる第４クラッド層２０を配し
、ガイド層１７と第４クラッド層２０との間に、電流注
入領域を有する厚さ１．０ｐｍ　（Ｄ　Ｎ　ｆＪ、　Ｇ
ａＡｓ　（Ｎ型不純物濃度′？−５×１０１８個／ｄ）
からなる電流阻止層１８を有してなる二重ヘテロ接合構
造体が、帯状の凸表面を有する（１００）面を平面とす
るＮｍＧａＡｓ基板１０上にその表面に沿って設けられ
ている。各層の厚さは全面にわ几ってほぼ均一になって
いる。Ｎ型ＧａＡｓ基板１０の帯状の凸表面、すなわち
、メサストライプは１．６μｍの１＠を有し〔０１１〕
方向に走っている。父、１１Ｌ流阻止／ｉ！１Ｂには幅
１．６μｍのストライプ状の電流注入領域を有している
。さらに活性層１５の中央平坦部（Ｎ型ＧａＡｓ基板１
０のメサストライプ上にある部分）の幅は４μｍになっ
ている。

活性層１５の不純物濃度を１．５Ｘ１０　　個／ｃ！ｔ
にしてＳくとキャリヤ拡散長はほぼ１μｍにすることが
できる。このレープの管内波長は、０．２２４μｍ（＝
０．７８μｍ／３．４ｓ６）となる。

本実施例に２いて、第１クラッド層と第３クラブト層と
は、出力ビームの形状を対称に近くするために設けたも
ので、必ずしも必要ではない。父。

図示していないが、実際の半導体レーザでは端面に保護
膜をつけることはいうまでもない。

次に本実施例の製造方法について説明する。

第３図（ａ）　、　（ｂ）は第１の実施例の製造方法を
説明するための工程順に示したレーザ・チップの断面図
である。

まず、第３図（ａｌに示すように、（１００）面を平面
とするＮ　ｆＪ、　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板１０上に５ｉｏ
ｚ膜１１を設けた後選択的にエツチングを行ない（ｏＴ
ｘ）方向に＠２μｍのストライプ状に８ｉ０２膜１１を
残し、この８ｉ０２膜１１をマスクとしてＢｒｚ　　と
メチルアルコールとの混合溶液を用いて、Ｎ型ＧａＡｓ
基板１０を深さ１．０μｍだけエツチングする。この時
（０１１）方向に２いては５ｉ０２膜１１を残した領域
が凸状の順メサストライプ１２が形成される。このとき
アンダエッチングのため。

メサストライプ頂部の幅は１．６μｍになる。

次に、第３図（ｂｌに示すように、この５ｉＯｚ膜１１
を除去した後、Ｎ型Ａｌ　ｏ、ａ　Ｇ　ａ　ｏ、６Ａ　
５層１３を１．０μｍ、Ｎ型Ａｌ（，５Ｇａ　Ｏ，Ｓ　
Ａｓ層１４を０．０５μｍ、Ｎ型Ａｌ　（、，１５Ｇａ
　（Ｂ５　Ａｓ層１５（Ｎ型不純物濃度−１，５Ｘ１０
１８個／、ｆｆ１）を０．０５μｍ。

Ｐ型Ａ１ｇ、５Ｇａ、、　Ａｓ層１６を０．０５　μｍ
、　Ｐ　ｍＡｌｏ、ｘ　Ｇａ　Ｏ，７Ａｓ層１７をＱ、
５μｍ、Ｎ型ＧａＡｓ層（Ｎ型不純物濃度≧５Ｘ１０”
個／ｃｒ１％　１．０μｍ。

有機金属化合物を用いる気相成長（ＭＯＣＶＤ）法で連
続的に成長させる。

上述のように活性層１５のＮ型不純物濃度を１．５Ｘ１
０”個／ｄにしてどくとキャリヤ拡散長を〜１μｍにす
る事ができまた発光効率も高くなる事を明らかにする事
ができた。

上述の成長に２いて、従来から行われている液相成長法
は、各成長層ごとに各組成を制御したメルトを用意して
基板を移動して各層を成長していく方法であるため１本
実施例の如く多層構造形成はきわめて困難であるばかり
でなく各組成、各層厚を制御する事は不可能である。こ
れに対して。

ＭＯＣＶＤ法は有機金属化合物を用いた気相成長法であ
るので、混合ガスの組成を変化させる事で任意の組成の
層を任意の多層に容易に成長させる事ができるので本発
明の構造の形成を制御よ（容易に行う事ができる。更に
、Ｍ　ＯＣＶ　Ｄ法では薄膜成長が可能でありかつ精密
な膜厚制御性を兼ね備えているので、上記の如き層厚の
薄い第２クラツド層１４．活性層１５．第３クラブト層
１６ｔ一層厚の制御よく成長する事ができる。ＭＯＣＶ
Ｄ法では各組成の微粒子が結合しながら成長していくの
で成長の面方位依存性はなく、どの方向にも一様な厚さ
で成長する。従って１本実施例の構造の如く、凸表面を
有する基板上に多層成長させても、凸部の形状に沿って
一様な層厚が成長していく。

次に、Ｎ型ＧａＡｓ層１８成長表面上に５ｉ０２膜１９
を形成した後、ホトレジスト法で凸表面を有する基板の
凸部領域罠一致する様に幅２μｍの窓をあけ、Ｎ型Ｇａ
Ａｓ層１８をエツチングしてＰ型Ａｌ　Ｏ，３Ｇａ　ｏ
、ｒ　ｆｉ、　５層１７の表面を出す。

次に５ｉＣｈ膜１９を除去した後、Ｐ型ＡＡ！０．４Ｇ
ａ、）、６Ａ５層２ｏを２．Ｏｔｔｍ、　　ＰｆｆＧａ
ＡＳキーｙッグ層２１を１．０μｍ連続して成長させる
。

この成長に２いて、慣用されている液相成長法では、Ｐ
型ｋｌ　６．３　Ｇａ　６．７Ａｓ層１７の上にエピタ
キシャル層を形成するのは表面にできる酸化膜を除去す
る手段を講じない限り不可能に近く、膜成長の制御性が
非常に悪くなるが−ＭＯＣＶＤ法では比較的簡単である
。特に、このＭＯＣＶＤ法にＳいて、第４クラッド層２
０を成長する直前に、ＨＣＩ等のガスで、成長する面の
表面を軽りタガスエツチングをすると、膜形成ひいては
半導体レーザの再現性、信頼性を一段と向上させる事が
できる。

次に、第１図又は第２図に示すように、Ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層２１の表面にＰ側電極２２を、Ｎ型ＧａＡｓ基
板１０の裏面にＮ側電榎２３をつける。

第４図は本発明の第２の実施例の断面図である。

厚さ０．０５　μｍ　（７）Ｎ型Ａｌ　ｏ、１ｓ　Ｇａ
　Ｏ，１１５Ａｓ層（Ｎｍ不純物濃に＝　１．５　Ｘ　
１０　”個／ｆｆ１）からなる活性層１５の下側に厚さ
１．０μｍのＮ型Ａｌ０．３Ｇａｏ４Ａｓ層からなる第
１ガイド層２４及び厚さ］、、　Ｏｔｘｍ　（７Ｊ　Ｎ
型ＡＪ　ｏ、ｓ　Ｇａｏ、ｓ　Ａ　ｓ　層からなる第１
クラッド層１４を配し、上側に厚さ０．５μｍのＰ型’
ｌＯ，３Ｇａ　０．７　Ａｓ層からなるｉ２ガイド層２
５゜厚さ２．０μｍのＰ型ＡｌＯ，４Ｇ　ａ　ｏ、ａ人
Ｓ層カラナル第４クラッド層２０を配し、第２ガイド層
２５と第４クラッド層２０との間に電流注入領域を有す
る厚さ１，０μｍのＮ型ＧａＡｓ（Ｎ型不純物ｎ度≧５
Ｘ１０１８個／詞）からなる電流阻止層１８を有してな
る二重ヘテロ接合構造体が、帯状の凹表面を有する（１
００）面を平面とするＮｍＧａＡｓ基板１０上にその表
面に沿って設けられている。各層の厚さは全面にわたっ
てほぼ均一になっている。

Ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板１０の帯状の凹表面、すなわち
。

ストライプ溝は８μｍの幅を有しくｏＴＢ方向に走って
いる。父、電流阻止層１８には＠１．２μｍのストライ
プ状の電流注入領域を有して論る。さらに活性層１５の
中央平坦部（Ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板１０のストライプ
溝の上にある部分）の幅は４μｍになっている。

活性層内のキャリヤ拡散長は１μｍ、管内波長は０．２
２４μｍとなる。

本実施例の製造方法については、＄１の実施例の場合に
準じる。

次に、本発明の半導体レーザの動作について説明する。

本発明の半導体レーザに２いて全面型態から流入された
電流は、キャップ層２１．第４クラッド層２０と全面に
広がって流れるが、第４クラッド層２０に隣接して電気
的極性の異なるＮ型ＧａＡｓ層１８があるため、電流は
この電流阻止層で阻止され、この電流阻止層１８にあけ
たストライプ状の窓である電流注入領域からガイド層、
Ｎ型／／Ａｌｏ、ｔｓ　Ｇａ　Ｏ，８５ＡＳ層１５に注
入される。コノ活性層１５に注入されたギヤリヤは活性
層に水平な横力向く拡散していき利得分布を形成しレー
ザ発振を開始する。このとぎ上述した様に、活性層内の
キャリヤ拡散長が短かいため、利得分布は主に電流阻止
層１８にあけたストライプ状の窓下の活性層の部分に形
成され、またその形状は急峻にな９、その結果ストライ
プ状の窓の下の部分のみ利得が高くなりその外部は損失
領域になる。

本発明の半導体レーザでは活性層の中央平坦部は第２図
若しくは第４図に見られるようにその水平横方向に２い
てはガイド層に挾みこまれている。

従って、活性１−の光は水平横方向では屈折率の高い活
性層に集光し、正の屈折率分布に基づく正の屈折率ガイ
ディング機構が作りつけられている。

一般に、活性層の両端が屈折率の低いクラッド層で挾み
こまれている場合には、正の屈折率分布が犬ぎくなりす
ぎ、その結果、−次横モード発振が低励起レベルで生じ
る２それがあるので、これを抑圧するため活性層の幅を
狭く限定する必要がある。これに対して本発明の構造で
は活性層両端にはガイド層が直接若しくは薄いクラッド
層を介して隣接しているので光はガイド層の影響を受け
る。

ガイド層の屈折率はクラッド層より犬ぎく活性層の屈折
率に近いので活性層との屈折率差は比較的小さくなり、
活性層の水平横方向に作りつけられる正の屈折率分布の
高さを比較的小さくする事ができ安定な基本横モードが
凸部又は凹部領域に沿った活性層全域にわたって広がり
、さらにこの発掘を広範囲にわたる注入′電流領域で維
持する事ができる。従って１本発明の構造では、光の広
がりの幅が利得分布の幅に比べて広くなり、光は利得領
域からその外部の損失領域まで広がって２つ。

これは等測的ては可飽和吸収体をもっている事になり自
励振動が生じやすくなる。

さらに１本発明の構造では、光は活性層からしみ出しガ
イド層に引込まれて垂直方向に犬ぎく広がる。

（第１の実施例では活性層から第３クラッド層１６にし
み出すが、第３クラッド層１６の厚さは薄いので隣接し
て存在する屈折率の高いＰ型ＡＪｏ、５Ｇａｏ４ＡＳガ
イド層１７に引込まれて大きく広がる。）さらに、ガイ
ド層に隣接してＮ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層１８があるが、こ
の層は屈折率がガイド層より高く光を引込むばかりでな
く、レーザ発振光に対して禁制帯幅が狭＜　１００００
ｃ１ｒＬ−”以上の光の吸収層になっている。従って、
光は電流阻止層に引込まれ、そこで大きな吸収損失を受
ける。このことは、電流阻止層１８にあけたストライプ
状の電流注入領域外部の光は犬ぎな吸収損失を受け、利
得領域外部の損失を助長する事になるので、可飽和吸収
体の働きをより効果的にする。

本発明の構造では更にキャリヤ拡散長が屈折率分布の幅
を決定する活性層の中央平坦部の幅と利得分布幅を決定
する電流注入領域の幅との差の絶対値の半分以下である
とともにレーザ発振時での屈折率が比較的小さいため、
自励振動を助長する作用をもつ。

すなわち、まず、キャリヤ拡散長が短かいため。

注入キャリヤの密度分布の変動が激しくなり、これに伴
なって基本横モードの幅が大ぎく変動し。

その収縮と拡大が生じ、その結果、自励振動の大きさが
助長される。本発明者の解析結果によれば。

上述の各実施例の構造に２いてキャリヤ拡散長１μｍと
２μｍとを用いて計算した結果、キャリヤ拡散長１μｍ
の場合の自励振動は２μｍの場合の５．５〜６倍になる
事が明らかになった。

さらに、レーザ発振時の活性層の中央平坦部の屈折率の
大ぎさが比較的小さい事も基本横モードの幅の変動を助
長する。本発明者の解析結果によれば、上述の各実施例
の、構造に３いて、キャリヤ拡散長１μｍを用いて計算
した結果、自励振動の第１ピーク強度と第１の谷での強
度との比が光を導波する屈折率の旨さηＢ＝１，０ｘｌ
Ｏ″″２（これは通常の半導体レーザでの値）では１６
０に対しηＢ＝５×１Ｏ−３（本発明での直）では１９
５になる事がわかった。

な３．活性層内のキャリヤ拡散長が管内波長未満になる
とレーザ発振のしぎい電流が急激に上昇するので、あま
り小さくするのは得策でない。

以上のすべての相乗効果の結果１本発明の構造では容易
に自励振動が生じ、その結果、軸モードが多モード化し
、軸モードのコヒーレンスカ低減するために１反射光に
対する雑音も極めて低く。

低雑音特性が得られる。従って本発明の半導体レーザは
光読み取りに必要な低雑音レーザになる。

以上の如く本発明の半導体レーザは、第５図に示した従
来の半導体レーザと本質的に異なっている。第５図に示
した半導体レーザは、基板上に多層の層構造を成長した
後、Ｔ字状の溝を形成し。

次にこの溝を平坦に埋めその上に平坦な活性層。

クラッド層を形成しｆｃ層構造なって噴る。この構造と
本発明の半導体レーザの構造との相違は以下の通りであ
る。

まず第１に、第５図の構造では、を流注入領域が光吸収
効果で形成される屈折率分布領域よりも活性層から離れ
ているため、・電流は屈折率分布の福と同等以上に広が
って活性層内に注入されるので、活性層内に形成される
キャリヤ分布は屈折率分布と同程度の幅になり、本発明
の如き活性層の水平横方向で生じる光吸収効果は著しく
低減され自励振動は生じにくい傾向にある。

第２に、本発明の半導体レーザはさぎに説明した様に、
キャリヤ拡散長が実効的な屈折率分布の幅すなわち活性
層の中央平坦部の幅と電流注入領域の幅との差の絶対値
の半分以下に短かくする事が本質的に重要であり、この
事が１励振動を生じさせかつ助長する効果をもたらし、
その結果低雑音レーザ特性が生じる。しかるに第５図に
示した構造ではこのような効果を考慮して２らず、その
ため、自励振動の生じる許容範囲がきわめて狭くなる。

以上、Ａ４ＧａＡｓ／ＧａＡｓの二重ヘテロ接合の場合
について説明したが１本発明は、ＩｎＧａＰ／ＡｌＩｎ
Ｐ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
Ｐ。

人ＪＧａＡｓＳｂ／ＧａＡｓ８ｂ等数多くの半導体材料
に適用しつることはいうまでもない。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、基板の凹又は凸表面に沿
って二重ヘテロ接合構造体を設け、かつこの二重ヘテロ
接合構造体のガイド層とクラッド層との間に光吸収作用
のある電流阻止層を設けることにより、安定な基本横モ
ード発振を維↑丹しつつ安定な自励発振を行なう低雑音
でかつ高歩留りで製造できる半導体レーザをつることが
できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１の実施例の斜
視図及び断面図、第３図（ａ＋　、　（ｂ）は第１の実
施例の製造方法を説明するための工程順に示したレーザ
・チップの断面図、第４図は本発明の第２の実施例の断
面図、第５図は従来のｌ５ＳＳレーザのチップ断面図で
ある。 １０　・・−−−−Ｎ型ＧａＡｓ基板、１１−−８ｉＯ
ｚ膜、１２・・・・・・メサストライプ、１３°−−−
−−Ｎ聖人ｌ　ｏ、５Ｇａ０．５Ａｓ層からなる第１ク
ラツド層、１４・・・・・・Ｎ型ｋｌ　Ｏ，ｓ　Ｇａ　
Ｏ０５Ａｓ層からなる第１クラット層。 １５−−−−−−　Ｎ型ｋｌ　（、、、Ｇａ　Ｏ，ａｓ
　Ａ　ｓ層からなる活性層、ｌ　６−−−−−・Ｐ型ｋ
ｌ　Ｏ，５Ｇａ　（１，５Ａｓ層からなる第２クラヴド
層、　１７・−・−・Ｐ型ＡＪｏ、３Ｇａｏ、、Ａ５層
からなるガイド層、１８・・・・−・Ｎ　ｇＧ　ａ　Ａ
　４１層からなる電流阻止層、１９・・・・〜・８ｉ０
ｚ膜、２０・・・・・・Ｐ型ＡｌＯ，４Ｇａ６．ｇＡｓ
層からなる第４クラｙ　ト層。 ２１・・・・・・Ｐ型ＧａＡｓキャップ層、２２・−・
・・・Ｐ側電極、２３・・・・−・Ｎ側を極、２４・・
・・・・Ｎ型ＡＡ！　ｏ、５Ｇａｏ、７Ａｓ層からなる
ｇｉガイド層、　２５−・−Ｐ型Ｐ　ｌ　Ｏ６３Ｇ　ａ
　６．７　Ａｓ層からなる第２ガイド層。 ５０−−−−−−　Ｐ型Ｇ３人−、基板、５１　・−−
−・−ＮＭＧａＬＳ？ｒヤ、プ層、５２・−・・・・Ｎ
側電極、５３・・・・・・Ｐ側型ｊ、５４−−−　・−
Ｐ型Ａｌ　ｏ、３５　Ｇａ　、）、６５　Ａｓ層からな
るクラッド層、　５５−・−Ｐ型入ｌ　ｏ、１３Ｇａ　
０．８７　Ａ’ｉ層からなる活性層、５６−・・−Ｎ型
Ａｌｏ、３ｓＧａｏ、５ｓＡｓ層からなるクラッド層、
６１・・・・−・ＮｆｉＧａＡｓ層。 ６２−・−・ＡｌＯ，４５Ｇａ　Ｏ，！Ｓ　Ａｓ層、　
６３−・−Ｎ型ＧａＡｓ層、　　６４−・・−人１ｒ　
Ｏ，４５Ｇａ　００５５人−ｉ　　層、６５・・・・・
・Ｎ型ＧａＡｓ層。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋、′、゛（久） 猶３０

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 活性層の両側をこれより禁制帯幅の大きなクラッド層及
   び又はガイド層とクラッド層とで少なくとも片側にガイ
   ド層を配して挾み、前記ガイド層との間に、電流注入領
   域を有する前記活性層より禁制帯幅の小さな電流阻止層
   を有してなる二重ヘテロ接合構造体が、帯状の凹又は凸
   表面を有する基板上に前記凹又は凸表面に沿って設けら
   れ、前記電流注入領域は、前記活性層の中央平坦部の幅
   より小さい所定幅を有し、前記活性層内のキャリヤ拡散
   長は管内波長以上でかつ前記活性層の中央平坦部の幅と
   前記電流注入領域の幅との差の絶対値以下であることを
   特徴とする半導体レーザ。