JPS621247B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS621247B2 JPS621247B2 JP55110607A JP11060780A JPS621247B2 JP S621247 B2 JPS621247 B2 JP S621247B2 JP 55110607 A JP55110607 A JP 55110607A JP 11060780 A JP11060780 A JP 11060780A JP S621247 B2 JPS621247 B2 JP S621247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- wafer
- chips
- semiconductor wafer
- defective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエハの検査装置に係り、特に
半導体ウエハの電気的特性の測定に用いるプロー
バに関するものである。
半導体ウエハの電気的特性の測定に用いるプロー
バに関するものである。
半導体集積回路（IC）の製造工程において半
導体ウエハ上に形成されたICチツプの電気的特
性を測る装置として被測定ウエハを載せたウエハ
台をチツプサイズに応じて順次ステツプさせ、ウ
エハ上に形成された各々のチツプの自動測定を行
ない、その測定結果により不良チツプを判別する
ためのマークをつける装置としてプローバーが使
われている。また特性測定のために被測定チツプ
の電極に測定用プローブを接触させる方法とて、
チツプの電極に合わせてプローブを基板に固定し
たプローブカードが使われ、不良チツプの判別用
マークとしては各々のICチツプの測定後不良チ
ツプにはレーザ光を照射し表面を溶融させる方法
などが知られている。
導体ウエハ上に形成されたICチツプの電気的特
性を測る装置として被測定ウエハを載せたウエハ
台をチツプサイズに応じて順次ステツプさせ、ウ
エハ上に形成された各々のチツプの自動測定を行
ない、その測定結果により不良チツプを判別する
ためのマークをつける装置としてプローバーが使
われている。また特性測定のために被測定チツプ
の電極に測定用プローブを接触させる方法とて、
チツプの電極に合わせてプローブを基板に固定し
たプローブカードが使われ、不良チツプの判別用
マークとしては各々のICチツプの測定後不良チ
ツプにはレーザ光を照射し表面を溶融させる方法
などが知られている。
以下に従来の検査装置を第１図の正面図を用い
て説明する。被測定ウエハ５はウエハ台７に載せ
られ、ウエハ台昇降駆動部１４により押し上げら
れた状態で保持台８に保持されたプローブカード
６の中心部に固定されたプローブ４と接触する。
その状態で特性の測定が行なわれる。測定の結果
が不良チツプと判定された場合はレーザ装置１が
作動し集光レンズ２で集光されたレーザー光は光
軸３の径路によりウエハ面に照射される。その後
ウエハ台７は下降しチツプサイズに応じてＸモー
タ１１が回転し、Ｘリードスクリユー１２により
Ｘステージ１３が移動し、再びウエハ台７が上昇
し次のICチツプの測定を行なう。またＹ軸方向
の移動はＹモータに駆動されるＹリードスクリユ
１０およびＹステージ９により行なわれる。以上
述べてきたように半導体ウエハ上に形成された
ICチツプはプローバが順次ステツプすることに
より各々自動測定され、不良チツプにはマークが
付される。
て説明する。被測定ウエハ５はウエハ台７に載せ
られ、ウエハ台昇降駆動部１４により押し上げら
れた状態で保持台８に保持されたプローブカード
６の中心部に固定されたプローブ４と接触する。
その状態で特性の測定が行なわれる。測定の結果
が不良チツプと判定された場合はレーザ装置１が
作動し集光レンズ２で集光されたレーザー光は光
軸３の径路によりウエハ面に照射される。その後
ウエハ台７は下降しチツプサイズに応じてＸモー
タ１１が回転し、Ｘリードスクリユー１２により
Ｘステージ１３が移動し、再びウエハ台７が上昇
し次のICチツプの測定を行なう。またＹ軸方向
の移動はＹモータに駆動されるＹリードスクリユ
１０およびＹステージ９により行なわれる。以上
述べてきたように半導体ウエハ上に形成された
ICチツプはプローバが順次ステツプすることに
より各々自動測定され、不良チツプにはマークが
付される。
このような自動測定において、装置の効率を上
げるため第２図に示すとおりICチツプＡ１９、
ICチツプ１３，１７のそれぞれの電極１６にプ
ローブ４を合わせ複数のチツプを同時に測定する
ことが行なわれている。これは装置の効率を上げ
るにはきわめて有効な方法であるが、第２図のよ
うに２個のICチツプを同時に測定する場合は不
良チツプにマークを付ける装置も２台必要とす。
げるため第２図に示すとおりICチツプＡ１９、
ICチツプ１３，１７のそれぞれの電極１６にプ
ローブ４を合わせ複数のチツプを同時に測定する
ことが行なわれている。これは装置の効率を上げ
るにはきわめて有効な方法であるが、第２図のよ
うに２個のICチツプを同時に測定する場合は不
良チツプにマークを付ける装置も２台必要とす。
従つて、本発明の目的は、かかる２個のICチ
ツプを同時に測定する場合の不良マーキングにお
いて１台のレーザマーキング装置にて、同時測定
された二個のICチツプに不良マークをつける手
段を提供するものである。
ツプを同時に測定する場合の不良マーキングにお
いて１台のレーザマーキング装置にて、同時測定
された二個のICチツプに不良マークをつける手
段を提供するものである。
本発明は半導体ウエハの電気的特性の測定に用
いるプローバのレーザマーキング装置において、
ウエハ面の鉛直方向における位置を移動させウエ
ハ面に対して斜め方向から照射されるレーザ光と
の交差位置を変えることにより、同時に測定され
た例えば２個のそれぞれのICチツプに、１台の
レーザマーキング装置によりマークを付けること
を特徴とする。
いるプローバのレーザマーキング装置において、
ウエハ面の鉛直方向における位置を移動させウエ
ハ面に対して斜め方向から照射されるレーザ光と
の交差位置を変えることにより、同時に測定され
た例えば２個のそれぞれのICチツプに、１台の
レーザマーキング装置によりマークを付けること
を特徴とする。
以下に本発明を実施例により説明する。第３図
Ａ、第３図Ｂは本発明の一実施例を示す正面図、
第４図はその部分の平面図である。レーザ光は集
光レンズ部２により集光され、光軸３に示すよう
に半導体ウエハ５に形成されたICチツプＡ１９
に照射され、ICチツプＡ１９の表面を溶融する
ことによりマークをつけ、次にウエハ台７を△ｈ
下げることによりレーザ光とウエハ面の交差位置
を変えICチツプＢ１７にレーザマークをつけ
る。このときのウエハ台の移動量△Ｈは、ICチ
ツプＡとICチツプＢのマーキング位置の距離を
ｌとし、レーザ光の照射角度をθとすると△ｈ＝
ltanθで求まる。
Ａ、第３図Ｂは本発明の一実施例を示す正面図、
第４図はその部分の平面図である。レーザ光は集
光レンズ部２により集光され、光軸３に示すよう
に半導体ウエハ５に形成されたICチツプＡ１９
に照射され、ICチツプＡ１９の表面を溶融する
ことによりマークをつけ、次にウエハ台７を△ｈ
下げることによりレーザ光とウエハ面の交差位置
を変えICチツプＢ１７にレーザマークをつけ
る。このときのウエハ台の移動量△Ｈは、ICチ
ツプＡとICチツプＢのマーキング位置の距離を
ｌとし、レーザ光の照射角度をθとすると△ｈ＝
ltanθで求まる。
以上により、本発明においては１台のレーザマ
ーキング装置により、容易に同時測定されたIC
チツプにマークをつけることができる。
ーキング装置により、容易に同時測定されたIC
チツプにマークをつけることができる。
本発明はまた、ICチツプＡとICチツプＢとで
は、レーザの集光位置の違いにより、レーザのス
ポツト径が変わるためマークの形状がそれぞれ異
なることも特徴とする。これは、例えばICチツ
プＡの測定系に異常のある場合など、ICチツプ
Ａの側の形状の不良マークが連続することにな
り、容易に異常の有無が分かる。さらに、二個の
ICチツプにそれぞれマークをつけるのでなく、
同一チツプに位置を変えて複数のマークをつける
ことも本発明の特徴である。このことは、単位ロ
ツドごとにマーク形状を変えることなどができ、
識別に有利である。
は、レーザの集光位置の違いにより、レーザのス
ポツト径が変わるためマークの形状がそれぞれ異
なることも特徴とする。これは、例えばICチツ
プＡの測定系に異常のある場合など、ICチツプ
Ａの側の形状の不良マークが連続することにな
り、容易に異常の有無が分かる。さらに、二個の
ICチツプにそれぞれマークをつけるのでなく、
同一チツプに位置を変えて複数のマークをつける
ことも本発明の特徴である。このことは、単位ロ
ツドごとにマーク形状を変えることなどができ、
識別に有利である。
以上、詳細に説明したように本発明はプローバ
ーにおいてウエハ面とレーザマーキング装置より
照射されるレーザ光の交差位置を変えることによ
り、複数のICチツプにマークをつけることやマ
ークの形状を変えることができる。
ーにおいてウエハ面とレーザマーキング装置より
照射されるレーザ光の交差位置を変えることによ
り、複数のICチツプにマークをつけることやマ
ークの形状を変えることができる。
第１図は従来のプローバーを示す正面図、第２
図はICチツプを二個同時に測る場合のプローブ
部分の拡大平面図である。第３図Ａ、第３図Ｂは
本発明の実施例を示す正面図、第４図は第３図の
部分平面図である。 尚図において、１……レーザ装置、２……集光
レンズ部、３……光軸、４……プローブ、５……
ウエハ、６……プローブカード、７……ウエハ
台、８……保持台、９……Ｙステージ、１０……
Ｙリードスクリユー、１１……Ｘモータ、１２…
…Ｘリードスクリユー、１３……Ｘステージ、１
４……ウエハ台昇降駆動部、１５……台、１６…
…電極、１７……ICチツプＢ、１８……孔、１
９……ICチツプＡ。
図はICチツプを二個同時に測る場合のプローブ
部分の拡大平面図である。第３図Ａ、第３図Ｂは
本発明の実施例を示す正面図、第４図は第３図の
部分平面図である。 尚図において、１……レーザ装置、２……集光
レンズ部、３……光軸、４……プローブ、５……
ウエハ、６……プローブカード、７……ウエハ
台、８……保持台、９……Ｙステージ、１０……
Ｙリードスクリユー、１１……Ｘモータ、１２…
…Ｘリードスクリユー、１３……Ｘステージ、１
４……ウエハ台昇降駆動部、１５……台、１６…
…電極、１７……ICチツプＢ、１８……孔、１
９……ICチツプＡ。
Claims (1)
- １ ウエハ台に載置された半導体ウエハに形成さ
れたICチツプの電気特性を複数個ずつ同時に測
定し、不良判定されたICチツプ面にレーザ光を
照射してマーキングを行う半導体ウエハの検査装
置において、レーザ光が前記複数個のICチツプ
の配列方向と一致する方向で且つ斜め上方から入
射するように光軸を定めたレーザ装置と、前記半
導体ウエハを垂直方向に昇降させ不良判定された
ICチツプ面と該光軸とを交差せしめるウエハ台
の昇降駆動部とを備え、不良ICチツプ面の該光
軸との交差点にマーキングを施すことを特徴とす
る半導体ウエハの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11060780A JPS5735333A (en) | 1980-08-12 | 1980-08-12 | Inspection equipment of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11060780A JPS5735333A (en) | 1980-08-12 | 1980-08-12 | Inspection equipment of semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5735333A JPS5735333A (en) | 1982-02-25 |
| JPS621247B2 true JPS621247B2 (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=14540116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11060780A Granted JPS5735333A (en) | 1980-08-12 | 1980-08-12 | Inspection equipment of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5735333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06250768A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Nec Corp | キーボード装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0688859B2 (ja) * | 1988-08-09 | 1994-11-09 | 株式会社ミツトヨ | セラミックスのマーキング方法 |
| JP2858983B2 (ja) * | 1991-03-15 | 1999-02-17 | 山形日本電気株式会社 | 半導体ウェーハプロービング装置 |
| JP2826388B2 (ja) * | 1991-03-18 | 1998-11-18 | 山形日本電気株式会社 | 半導体ウェーハプロービング装置 |
| JP2818551B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1998-10-30 | 山形日本電気株式会社 | 半導体ウェハのマーキング装置 |
-
1980
- 1980-08-12 JP JP11060780A patent/JPS5735333A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06250768A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Nec Corp | キーボード装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5735333A (en) | 1982-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100420013C (zh) | 具有id标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备 | |
| JP2005268486A (ja) | マーキング方法及びマーキング装置並びに検査装置 | |
| JPS60153138A (ja) | 自動プロ−バのウエハアライメント機構 | |
| JP2913609B2 (ja) | プロービング装置、プロービング方法およびプローブカード | |
| JPH11111613A (ja) | 半導体素子の欠点モニタ方法 | |
| US4572886A (en) | Optical method for integrated circuit bar identification | |
| JP3346369B2 (ja) | ベアチップ検査方法 | |
| JP2952882B2 (ja) | Ｉｃウェハ及びｉｃの良否識別方法 | |
| JPS6024031A (ja) | 半導体ウエハプロ−バ | |
| JPS6049643A (ja) | ウエハ検査装置 | |
| JP2932464B2 (ja) | 半導体チップマーキング装置のマーキング位置決め方法 | |
| JPH06204308A (ja) | 半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法 | |
| JPH09326426A (ja) | ウェーハの検査装置および方法 | |
| JPH0346246A (ja) | 検査装置 | |
| JPH04328843A (ja) | 突起電極の検査方法 | |
| JPH0727935B2 (ja) | ウエハ検査装置 | |
| JPS6170735A (ja) | 電気測定用アライメントマ−クを有するウエハまたはチツプ | |
| JPH01313952A (ja) | プローブカードとこれを用いた位置合せ方法 | |
| JP2005017168A (ja) | 外観検査装置、外観検査方法、及び半導体チップの製造方法 | |
| JPH01175750A (ja) | 不良素子のマーキング検査方法 | |
| JPS6228567B2 (ja) | ||
| JP2004079733A (ja) | プローバ精度の測定方法 | |
| JPS60246645A (ja) | 半導体ウエハチツプの位置合わせ方法 | |
| JPS63222438A (ja) | ウエハ−表面欠陥検査装置 | |
| JPS6115340A (ja) | ウエハプロ−バ |