JPS62125632A - ガラスウエハ−、光デイスク基板等の基板洗浄方法 - Google Patents
ガラスウエハ−、光デイスク基板等の基板洗浄方法Info
- Publication number
- JPS62125632A JPS62125632A JP60265282A JP26528285A JPS62125632A JP S62125632 A JPS62125632 A JP S62125632A JP 60265282 A JP60265282 A JP 60265282A JP 26528285 A JP26528285 A JP 26528285A JP S62125632 A JPS62125632 A JP S62125632A
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- JP
- Japan
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- substrate
- mist
- cleaning
- pure water
- optical disk
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- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/12—Brushes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/14—Wipes; Absorbent members, e.g. swabs or sponges
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、ガラスウェハー、光ディスク用スタンパ、光
ディスク基板等の基板を洗浄する基板洗浄方法に関する
。
ディスク基板等の基板を洗浄する基板洗浄方法に関する
。
（従来の技術）
従来から、ガラスウェハー、光ディスク用スタンパ、光
ディスク基板等の基板の洗浄方法には、ブラシスクラブ
洗浄方法、ハイプレッシャー洗浄方法等の洗浄方法があ
る。ブラシスクラブ洗浄方法は、直径が０．１ｍｍ〜０
．５ｍｍのナイロンブラシを基板にあてて、基板とその
ナイロンブラシとの少なくとも一方を回転成いは揺動さ
せ、洗剤を含んだ洗浄水、洗剤を含まない洗浄水として
の純水をその基板に向かって流出させつつその基板に付
着していた異物を除去する方法である。
ディスク基板等の基板の洗浄方法には、ブラシスクラブ
洗浄方法、ハイプレッシャー洗浄方法等の洗浄方法があ
る。ブラシスクラブ洗浄方法は、直径が０．１ｍｍ〜０
．５ｍｍのナイロンブラシを基板にあてて、基板とその
ナイロンブラシとの少なくとも一方を回転成いは揺動さ
せ、洗剤を含んだ洗浄水、洗剤を含まない洗浄水として
の純水をその基板に向かって流出させつつその基板に付
着していた異物を除去する方法である。
こねに対してハイプレッシャー洗浄方法は、りンク内に
おいて１００〜３００Ｋｇｆ／Ｊに加圧された純水を微
小ノズルを通してＪＡ、板に吹き付け、その純水の流出
圧力によってその基板に付着している異物を除去する方
法である。
おいて１００〜３００Ｋｇｆ／Ｊに加圧された純水を微
小ノズルを通してＪＡ、板に吹き付け、その純水の流出
圧力によってその基板に付着している異物を除去する方
法である。
このブラシスクラブ洗浄、ハイプレッシャー洗浄のいず
れも溶剤洗浄、超音波洗浄では除去しきれない異物の除
去を行うことができるが、このいずれのものも洗浄中に
ミス１〜が多にに発生し、このミストがチャンバ内に７
Ｙ遊する。
れも溶剤洗浄、超音波洗浄では除去しきれない異物の除
去を行うことができるが、このいずれのものも洗浄中に
ミス１〜が多にに発生し、このミストがチャンバ内に７
Ｙ遊する。
いずれの洗浄方法も、この異物の除去洗浄後、基板を高
速回転させてその遠心力によってその基板に付着してい
る純水を払い除けて乾燥するスピン乾燥方法あるいはＮ
２（窒素）をその基板に吹き付けて乾燥させるＮ２乾燥
方法等によって乾燥させるものであるが、その基板の一
：吃燥中にチャンバー内に浮遊していたミストが降トし
、その降下ミス１−に含まれている異物が乾燥中にその
基板に付着して再び汚染される不具合がある。
速回転させてその遠心力によってその基板に付着してい
る純水を払い除けて乾燥するスピン乾燥方法あるいはＮ
２（窒素）をその基板に吹き付けて乾燥させるＮ２乾燥
方法等によって乾燥させるものであるが、その基板の一
：吃燥中にチャンバー内に浮遊していたミストが降トし
、その降下ミス１−に含まれている異物が乾燥中にその
基板に付着して再び汚染される不具合がある。
（発明の目的）
そこで、本発明の１−１的は、この降下ミス１へによっ
て基板が再び汚染されるのを防止することのできるガラ
スウェハー、光ディスク基板等の基板洗浄方法を提供す
ることにある。
て基板が再び汚染されるのを防止することのできるガラ
スウェハー、光ディスク基板等の基板洗浄方法を提供す
ることにある。
（発明の構成）
本発明に係るガラスウェハー、光ディスク基板等の基板
洗浄方法の特徴は、基板への降下ミストを洗い流すため
の純水をその異物の除去洗浄直後から流し続けておき、
チャンバー内のミストが略なくなった時点から基板を乾
燥させるようにしたところにある。
洗浄方法の特徴は、基板への降下ミストを洗い流すため
の純水をその異物の除去洗浄直後から流し続けておき、
チャンバー内のミストが略なくなった時点から基板を乾
燥させるようにしたところにある。
（実施例）
以下に本発明に係るガラスウェハー、光ディスク基板等
の基板洗浄方法を図面を参照しつつ説明する。
の基板洗浄方法を図面を参照しつつ説明する。
この図において、Ｉはチャンバーであり、チャンバー１
には、回転テーブル２が設置され、回転テーブル２には
ＬＳＩ用のガラスウェハー、光ディスクノル板等の基板
３が搭載されるものである。この実施例では、ブラシス
クラブ洗浄方法の場合が図示されており、基板３には円
筒形のナイロンブラシ４の先端が接触されている。回転
テーブル２は低速回転されるもので、その回転テーブル
２の回転中に、容器５内の洗浄水としての純水６を基板
３に向かって流出させるものである。ナイロンブラシ４
は揺動又は回転されるもので、基板３はその回転中にナ
イロンブラシ４によって表面がこすられてその表面に付
着している異物の除去がされる。
には、回転テーブル２が設置され、回転テーブル２には
ＬＳＩ用のガラスウェハー、光ディスクノル板等の基板
３が搭載されるものである。この実施例では、ブラシス
クラブ洗浄方法の場合が図示されており、基板３には円
筒形のナイロンブラシ４の先端が接触されている。回転
テーブル２は低速回転されるもので、その回転テーブル
２の回転中に、容器５内の洗浄水としての純水６を基板
３に向かって流出させるものである。ナイロンブラシ４
は揺動又は回転されるもので、基板３はその回転中にナ
イロンブラシ４によって表面がこすられてその表面に付
着している異物の除去がされる。
この異物の除去作業中に、基板３の回転に基づく遠心力
によって洗浄水が飛沫７となって回転テーブル２の半径
方向外方に跳ね飛ばされるが、チャンバー１内にはこの
飛沫７を下方に降下させる飛沫反射板８が設けられ、こ
の飛沫７がチャンバー１の壁に当たって砕けちリミスト
になるのを防止するようにしている。また、ナイロンブ
ラシ４により微小のミス１へ９が発生し、このミスト９
がチャンバー１内に浮遊する。このミスト９は異物除去
後、３０秒〜２分間で降下してしまうが、このミスト９
に含まれている異物が再び基板３に付着するのを防止す
るために、回転テーブル２の回転を停止させ、ミスト９
が降下してなくなるまでの間純水６を流し＝４− 続ける。これによって、基板８に向かって降下してきた
降下ミスト９はその純水６によって洗い流される。そし
て、このミスト９がチャンバー１内に存在しなくなった
時点で純水６の流出を止め、基板３を高速で回転させ、
その基板３にＮ２を吹き付けて基板３を乾燥させる。な
お、ナイロンブラシ４は、異物除去洗浄後上昇されて基
板３から離反される。
によって洗浄水が飛沫７となって回転テーブル２の半径
方向外方に跳ね飛ばされるが、チャンバー１内にはこの
飛沫７を下方に降下させる飛沫反射板８が設けられ、こ
の飛沫７がチャンバー１の壁に当たって砕けちリミスト
になるのを防止するようにしている。また、ナイロンブ
ラシ４により微小のミス１へ９が発生し、このミスト９
がチャンバー１内に浮遊する。このミスト９は異物除去
後、３０秒〜２分間で降下してしまうが、このミスト９
に含まれている異物が再び基板３に付着するのを防止す
るために、回転テーブル２の回転を停止させ、ミスト９
が降下してなくなるまでの間純水６を流し＝４− 続ける。これによって、基板８に向かって降下してきた
降下ミスト９はその純水６によって洗い流される。そし
て、このミスト９がチャンバー１内に存在しなくなった
時点で純水６の流出を止め、基板３を高速で回転させ、
その基板３にＮ２を吹き付けて基板３を乾燥させる。な
お、ナイロンブラシ４は、異物除去洗浄後上昇されて基
板３から離反される。
■実施例においては、基板３の回転を停止させて純水６
を流し続けるようにしたが、基板３を１分間に５０〜２
００回転させつつ純水６を流し続けるようにしてもよい
。また、この純水６には純度の極めて高いものを使用す
ることが洗浄効果を高める観点から好ましい。
を流し続けるようにしたが、基板３を１分間に５０〜２
００回転させつつ純水６を流し続けるようにしてもよい
。また、この純水６には純度の極めて高いものを使用す
ることが洗浄効果を高める観点から好ましい。
■実施例においては、ブラシスクラブ洗浄方法について
説明したが５本発明はハイプレッシャー洗浄方法にも適
用できるものである。
説明したが５本発明はハイプレッシャー洗浄方法にも適
用できるものである。
■実施例では、ブラシスクラブ洗浄方法において、ナイ
ロンブラシを使用した場合について説明したが、スポン
ジ状のブラシを使用するものにも本発明は適用できるも
のである。
ロンブラシを使用した場合について説明したが、スポン
ジ状のブラシを使用するものにも本発明は適用できるも
のである。
■実施例では、Ｎ７を基板に吹き付けて乾燥させること
にしたが、基板を高速回転させて乾燥させるスピン乾燥
方法にも本発明を適用できる。
にしたが、基板を高速回転させて乾燥させるスピン乾燥
方法にも本発明を適用できる。
■実施例においては、反射板により飛沫を下降させるよ
うにしているが、反射板の代わりに多孔状のフィルタを
用いて飛沫を補集し、飛沫の砕けちりに基づくミス１へ
の発生を防止するようにすることもできる。
うにしているが、反射板の代わりに多孔状のフィルタを
用いて飛沫を補集し、飛沫の砕けちりに基づくミス１へ
の発生を防止するようにすることもできる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明に係るガラスウェハー、光
ディスク基板等の基板洗浄方法は、基板の異物の除去洗
浄直後からミストがなくなるまでの間、純水を流しつづ
けておくものであるから、基板に向かって降下してきた
降下ミス１〜がその純水によって洗い流されることにな
り、そのミストに基づく基板の汚染を防止できるという
効果を奏する。
ディスク基板等の基板洗浄方法は、基板の異物の除去洗
浄直後からミストがなくなるまでの間、純水を流しつづ
けておくものであるから、基板に向かって降下してきた
降下ミス１〜がその純水によって洗い流されることにな
り、そのミストに基づく基板の汚染を防止できるという
効果を奏する。
図は、水金Ｄｌｌに係るガラスウェハー、光ディスク基
板等の基板洗浄方法を説明するための説明図−７＝ である。
板等の基板洗浄方法を説明するための説明図−７＝ である。
Claims (3)
- （１）チャンバー内で回転中のガラスウェハー、光ディ
スク基板等の基板に向かって洗浄水を流出させて該基板
に付着している異物の除去洗浄中に、ミストが発生する
ガラスウェハー、光ディスク基板等の基板洗浄方法にお
いて、前記基板に向かって降下する降下ミストを洗い流
す純水を前記異物の除去洗浄直後から流し続けておき、
前記チャンバー内に前記ミストが略なくなった時点から
前記基板を乾燥させることを特徴とするガラスウェハー
、光ディスク基板等の基板洗浄方法。 - （２）前記純水を流し続けておく時間が３０秒〜２分で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のガ
ラスウェハー、光ディスク基板等の基板洗浄方法。 - （３）前記純水を流し続けておく際中に、前記基板を１
分間に５０〜２００回転させることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のガラスウェハー、光ディスク基
板等の基板洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265282A JPS62125632A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | ガラスウエハ−、光デイスク基板等の基板洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265282A JPS62125632A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | ガラスウエハ−、光デイスク基板等の基板洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62125632A true JPS62125632A (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=17415051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60265282A Pending JPS62125632A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | ガラスウエハ−、光デイスク基板等の基板洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62125632A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6419730A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Kyushu Electron Metal | Surface treatment device for semiconductor wafer |
| JPH07169725A (ja) * | 1994-07-21 | 1995-07-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP60265282A patent/JPS62125632A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6419730A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Kyushu Electron Metal | Surface treatment device for semiconductor wafer |
| JPH07169725A (ja) * | 1994-07-21 | 1995-07-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
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