JPS62126341A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
- Publication number
- JPS62126341A JPS62126341A JP26695085A JP26695085A JPS62126341A JP S62126341 A JPS62126341 A JP S62126341A JP 26695085 A JP26695085 A JP 26695085A JP 26695085 A JP26695085 A JP 26695085A JP S62126341 A JPS62126341 A JP S62126341A
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- JP
- Japan
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- gas
- elements
- sensor
- catalyst
- oxide semiconductor
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、調理器たとえば電子レンジに用いる／／ス
センサに関する。
センサに関する。
一般に、調理器たとえば電子レンジにあっては、食品か
ら成敗するガスを検知するガスセンサを備え、このガス
センサの出力によって食品の種類を自動判別し、その食
品の種類に対応する最適な調理を行なうようにしたもの
がある。
ら成敗するガスを検知するガスセンサを備え、このガス
センサの出力によって食品の種類を自動判別し、その食
品の種類に対応する最適な調理を行なうようにしたもの
がある。
このような電子レンジにおいては、ガスセンサどしてた
とえばアルコール系のガスに対する選択性（感麿）の良
いものを使用し、食品から成敗するガスがアルコール系
であるか否かを検出することによって食品の種類を判別
するようにしている。
とえばアルコール系のガスに対する選択性（感麿）の良
いものを使用し、食品から成敗するガスがアルコール系
であるか否かを検出することによって食品の種類を判別
するようにしている。
しかしながら、ガスセンサがアルコール系のガスだけに
反応するとは言切れないのが実状であり、それ以外のガ
スたとえば一酸化炭素（Ｇｏ ）にも反応することがあ
る。この場合、当然ながら食品の種類判別に誤りを生じ
ることになり、調理の出来具合に悪影響を及ぼしてしま
う。
反応するとは言切れないのが実状であり、それ以外のガ
スたとえば一酸化炭素（Ｇｏ ）にも反応することがあ
る。この場合、当然ながら食品の種類判別に誤りを生じ
ることになり、調理の出来具合に悪影響を及ぼしてしま
う。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、特定のガスに対してのみ大き
く反応し青る選択性の良好なガスセンサを提供すること
にある。
その目的とするところは、特定のガスに対してのみ大き
く反応し青る選択性の良好なガスセンサを提供すること
にある。
この発明は、酸化物半導体を複数の素子に分離するとと
もに、これら素子にガス選択性の異なる触媒をそれぞれ
塗布し、複数のセンサ素子を形成したしのである。
もに、これら素子にガス選択性の異なる触媒をそれぞれ
塗布し、複数のセンサ素子を形成したしのである。
以下、この発明一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図および第２図に示すように、アルミナ基板１の一
方の而に酸化物半導体（たとえば酸化第二スズ５ｎＯ２
）２を取付け、かつ他方の而に素子加熱用のヒータ３を
取付ける。上記酸化物半導体２は、全体を二つの素子２
ａ、 ２ｂに分離したもので、素子２ａに電Ｖｉ４ 、
素子２ｂに電極５を取付け、さらに素子２ａ、 ２ｂに
対して共通のコモン電極６を取付ける。そして、素子２
ａ上に触媒（たとえばＰＣ−Ｒｈ−ＡｌＯ２）７を塗布
し、素子２ｂ上に触媒（たとえばＷ−Ｃ１ｌ −Ａ（ｌ
ｏ２）８を塗イｆｉする。すなわら、素子２ａおよび触
媒７を主体とじてセンサ素子Ａを形成し、素子２ｂおよ
び触ＩＢを主体としてセンサ素子Ｂを彩成しＣいる。
方の而に酸化物半導体（たとえば酸化第二スズ５ｎＯ２
）２を取付け、かつ他方の而に素子加熱用のヒータ３を
取付ける。上記酸化物半導体２は、全体を二つの素子２
ａ、 ２ｂに分離したもので、素子２ａに電Ｖｉ４ 、
素子２ｂに電極５を取付け、さらに素子２ａ、 ２ｂに
対して共通のコモン電極６を取付ける。そして、素子２
ａ上に触媒（たとえばＰＣ−Ｒｈ−ＡｌＯ２）７を塗布
し、素子２ｂ上に触媒（たとえばＷ−Ｃ１ｌ −Ａ（ｌ
ｏ２）８を塗イｆｉする。すなわら、素子２ａおよび触
媒７を主体とじてセンサ素子Ａを形成し、素子２ｂおよ
び触ＩＢを主体としてセンサ素子Ｂを彩成しＣいる。
そして、このように構成したガスセンサを実際に使用す
る場合、第３図に示ずようなユニット回路を構成する。
る場合、第３図に示ずようなユニット回路を構成する。
センサ素子Ａ（電極４．６間）に抵抗１１を介して直流
定電圧Ｖｄを印加するとともに、センυ素子Ｂ（電極５
．６間）に抵抗１２を介して直流定電圧Ｖｄを印加する
。さらに、ヒータ３に直流電源１３を接続する。
定電圧Ｖｄを印加するとともに、センυ素子Ｂ（電極５
．６間）に抵抗１２を介して直流定電圧Ｖｄを印加する
。さらに、ヒータ３に直流電源１３を接続する。
そして、センサ素子△および抵抗１１の相Ｕ接続点３ａ
に生じる電圧とセンサ索子Ｂおよび抵抗１２の相互接続
点Ｓｂに生じる電圧との差ｖａｂを出力とする。
に生じる電圧とセンサ索子Ｂおよび抵抗１２の相互接続
点Ｓｂに生じる電圧との差ｖａｂを出力とする。
ここで、センサ素子Ａ、Ｂの特性を第４図に示す。
センサ素子Ａはアルコール系のガスに対して感度が鈍く
、逆にセン）す素子Ｂはアルコール系のガスに対して！
ｉｆ１度が良い。また、−酸化炭素等のアルコール系以
外のガスに対してはセンサ索子Ａ。
、逆にセン）す素子Ｂはアルコール系のガスに対して！
ｉｆ１度が良い。また、−酸化炭素等のアルコール系以
外のガスに対してはセンサ索子Ａ。
Ｂはほぼ同等の感度をもっている。
したがって、電子レンジで実際に調理を行なつ−でいる
とき、食品からアルコール系のガスが放散すると、セン
サ素子Ａの抵抗はほぼ一定であるが、センサ索子Ｂの抵
抗はガス量の増加に伴って大きく低下する。よって、接
続点５ａに生じる電圧と接続点３ｂに生じる電圧との差
ｖａｂは第５図に示すようにガス礪の増加に伴って大き
く上昇する。
とき、食品からアルコール系のガスが放散すると、セン
サ素子Ａの抵抗はほぼ一定であるが、センサ索子Ｂの抵
抗はガス量の増加に伴って大きく低下する。よって、接
続点５ａに生じる電圧と接続点３ｂに生じる電圧との差
ｖａｂは第５図に示すようにガス礪の増加に伴って大き
く上昇する。
一方、食品から一酸化炭素等のアルコール系以外のガス
が放散した場合、センサ素子への抵抗とセンサ素子Ｂの
低流はほとんど同じとなる。よって、接続点３ａに生じ
る電圧と接続点ｓｂに生じる電圧との差Ｖａｂは零に近
い値どなる。
が放散した場合、センサ素子への抵抗とセンサ素子Ｂの
低流はほとんど同じとなる。よって、接続点３ａに生じ
る電圧と接続点ｓｂに生じる電圧との差Ｖａｂは零に近
い値どなる。
しかして、電子レンジの制陣部は、電圧信号ｖａｈのレ
ベルが大きければガスがアルコール系であるど判定し、
その判定結果に基づいて食品の種類を判別する。また、
電圧信号Ｖａｂのレベルが零に近りればガスがアルコー
ル系以外のもの′であると判定し、その判定結果に基づ
いて食品の種類を判別する。
ベルが大きければガスがアルコール系であるど判定し、
その判定結果に基づいて食品の種類を判別する。また、
電圧信号Ｖａｂのレベルが零に近りればガスがアルコー
ル系以外のもの′であると判定し、その判定結果に基づ
いて食品の種類を判別する。
このように、特定のガスたとえばアルコール系に対して
のみ大きく反応する選択性の良好なガスセンサを得るこ
とができ、よって電子レンジにおける食品の種類判別が
的確となり、常に良好な出来具合の調理を行なうことが
できる。特に、センサ素子Ａ、Ｂを一つのパッケージ内
に形成するものであるから、二つのガスセンサを設ける
場合に比べてコストを安くすることができる。しかも、
周囲の温度や湿度の変化に対しては、センサ素子へ、Ｂ
が同じように抵抗変化して互いにキレンセルし合うとい
う初点がある。
のみ大きく反応する選択性の良好なガスセンサを得るこ
とができ、よって電子レンジにおける食品の種類判別が
的確となり、常に良好な出来具合の調理を行なうことが
できる。特に、センサ素子Ａ、Ｂを一つのパッケージ内
に形成するものであるから、二つのガスセンサを設ける
場合に比べてコストを安くすることができる。しかも、
周囲の温度や湿度の変化に対しては、センサ素子へ、Ｂ
が同じように抵抗変化して互いにキレンセルし合うとい
う初点がある。
なお、全体の形状としては上記実施例に限定されるもの
ではなく、たとえば第６図に示づように円筒状のセラミ
ック基板１′を使用して構成してもよい。また、二つの
センサ索子を形成したが、種々の触媒を使用することに
よって三つまたはそれ以−ヒの数のセンサ素子を形成す
るようにしてもよい。さらに、アルコール系のガスに対
するｉｎ ＩＲ性を良くしたが、触媒の組合わせにより
アルコール系以外のガスに対する選択性を良くすること
も司能である。
ではなく、たとえば第６図に示づように円筒状のセラミ
ック基板１′を使用して構成してもよい。また、二つの
センサ索子を形成したが、種々の触媒を使用することに
よって三つまたはそれ以−ヒの数のセンサ素子を形成す
るようにしてもよい。さらに、アルコール系のガスに対
するｉｎ ＩＲ性を良くしたが、触媒の組合わせにより
アルコール系以外のガスに対する選択性を良くすること
も司能である。
以上述べたようにこの発明によれば、酸化物半導体を復
改の素子に分離するとともに、これら素子にガス選択性
の異なる触媒をそれぞれ塗布し、？ＶＲのセンサ素子を
形成したので、特定のガスに対してのみ大きく反応し得
る選択性の良好なガスセンサを捉洪できる。
改の素子に分離するとともに、これら素子にガス選択性
の異なる触媒をそれぞれ塗布し、？ＶＲのセンサ素子を
形成したので、特定のガスに対してのみ大きく反応し得
る選択性の良好なガスセンサを捉洪できる。
第１図はこの発明の一実施＋９１の構成を示す図、第２
図は第１図のＸ−Ｘ−線断面を矢印方向に見た図、第３
図は同実施例のユニ７１〜回路の構成を示１図、第４図
は同実ｆｉ例における各センサ素子の特性を示す図、第
５図は同実施例における出力の状態を示す図、第６図は
同実施例の変形例の構成を示す図である。 １・・・アルミナ基板、２・・・酸化物半導体、３・・
・ヒータ、７．８・・・触媒、Ａ、Ｂ・・・センサ素子
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図
図は第１図のＸ−Ｘ−線断面を矢印方向に見た図、第３
図は同実施例のユニ７１〜回路の構成を示１図、第４図
は同実ｆｉ例における各センサ素子の特性を示す図、第
５図は同実施例における出力の状態を示す図、第６図は
同実施例の変形例の構成を示す図である。 １・・・アルミナ基板、２・・・酸化物半導体、３・・
・ヒータ、７．８・・・触媒、Ａ、Ｂ・・・センサ素子
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）酸化物半導体を複数の素子に分離するとともに、
これら素子にガス選択性の異なる触媒をそれぞれ塗布し
、複数のセンサ素子を形成したことを特徴とするガスセ
ンサ。 - （２）酸化物半導体はＳｎＯ＿２であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のガスセンサ。 - （３）触媒は、白金（Ｐｔ）−ロジュウム（Ｒｈ）−ア
ルミナ（ＡｌＯ＿２）系のものとタングステン（Ｗ）−
銅（Ｃｕ）−アルミナ（ＡｌＯ＿２）系のものとの二種
類であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載のガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60266950A JPH07117513B2 (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60266950A JPH07117513B2 (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126341A true JPS62126341A (ja) | 1987-06-08 |
| JPH07117513B2 JPH07117513B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=17437938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60266950A Expired - Lifetime JPH07117513B2 (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07117513B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472046A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-16 | Draegerwerk Ag | Measuring apparatus for analyzing gas mixture |
| JPS6486052A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-30 | Osaka Gas Co Ltd | Gas sensor |
| JP2007017217A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
| JP2007017426A (ja) * | 2005-06-06 | 2007-01-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 大気中の一酸化炭素や炭化水素の濃度を検出するガスセンサ |
| JPWO2022239551A1 (ja) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50138998U (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-15 | ||
| JPS50138997U (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-15 | ||
| JPS5431026U (ja) * | 1977-08-01 | 1979-03-01 | ||
| JPS5938641A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Toshiba Corp | ガス検知素子 |
| JPS60149957A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-07 | Toshiba Corp | 感ガス素子 |
| JPS60188368U (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-13 | 新日本無線株式会社 | ガス検知装置 |
-
1985
- 1985-11-27 JP JP60266950A patent/JPH07117513B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6486052A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-30 | Osaka Gas Co Ltd | Gas sensor |
| JP2007017426A (ja) * | 2005-06-06 | 2007-01-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 大気中の一酸化炭素や炭化水素の濃度を検出するガスセンサ |
| JP2007017217A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
| JPWO2022239551A1 (ja) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 | ||
| WO2022239551A1 (ja) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ガス検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07117513B2 (ja) | 1995-12-18 |
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