JPS62127431A - 帯域精製によるカドミウム及びテルルの精製 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の１ｒは １′）発明の分子ヂ この発明は、カドミウム及びテルルの帯域ｔ′ｉ　；ｘ
（ｚｏｎｅ　ｒｅｆｉｎｉｎｇ）　　、特にゲッタ物質
（ｇｅｔｔｅｒ＋ｎｇｓｕｂｓｔａｎｃｅ）の存在下で
の帯域精製によるカドミウム埼びテルルの精製方法に関
する。

ＣｄＴｅ及びＣｄｔｌｇＴｅの化合物半導体の製造にお
いて、できるだけ高純度の元素を使用することが必要で
ある。任意の等電子不純物は、一般に比較的高準位、ピ
ーピーエムの位数で、許容されうるが、キャリヤを発生
する不純物は、最終半導体中で１０１５キアリヤ／ｃｍ
３未満を生ずる準位にキャリヤを発生する不純物を減少
させるのが大変好ましい。例えば、ａ効な赤外線検出の
ためには、（Ｊｌ１ｇＴｅ中のキャリヤ濃度は１氏く、
移動度は高くな；すればならず、励起状法の寿命は長く
な：ｊればなろない。Ｃｄ１１ｇＴｅの元素中の不純物
の存在；ま、これふの特性に負の効果を与える。

！′１）従来１支術の説明 ＣＬＩ、　Ｔｅ及び１１ｇのｖｈ　製については、ヒル
ンユ・エイチ・イー（ｔｉｔｒｓｃｈ、　ｔｌ、Ｅ、　
）ろの記述がある。（プレパレーンヨン・オブ・ハイ・
ピユリティ・カドミウム、マーキュリ−・アンド・テル
リウム、セミコンダクターズ・アンド・セミメタルズ第
１８巻、第２章（Ｐｒｅｐａｒａｔ＋ｏｎ　ｏｆ　ｌＩ
ｉｇｈ　Ｐｕｒｉｔｙ　Ｃａｄｍｉｕｍ。

Ｍｅｒｃｕｒｙ　ａｎｄ　Ｔｅ１ｌｕｒ＋ｕｍ、　Ｃｈ
ａｐｔｅｒ　２ｏｆ　Ｓｃ＋ｙ＋＋−ｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒｓ　ａｎｄ　Ｓｅｍ＋ｍｅｔａｌｓ、　　Ｖｏｌ　１
３）、ウイラードソン・アール・ケー（１！Ｉ＋１ｌａ
ｒｄｓｏｎ、　Ｒ，Ｋ、）及びビーフ　・ｘ　−−’ｙ
−（Ｂｅｅｒ、　Ａ、Ｃ，）４．Ｉｉ集、アカデミツク
・プＬ／　ス（Ａｃａｄｅｍｉｃ　Ｐｒｅｓｓ）、１９
８１年。）高純度、すなわち６９以上のカドミウム及び
テルルの製造方法の一つは、帯域精製である。カドミウ
ムは、その融点が低く、熱伝導率が高く、体ｌＩｒ張が
高いので、帯域Ｉ′Ｉ！ｉ製が最も難しい低融点金属の
一つである。多くの不純物は１．０に近い偏析係ｈ（ｓ
ｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ　ｃｏｅｆｆ＋ｃｉｅｎｔ）を有
するので、部分的端折が達成されるだけである。これは
２ｎ、　Ｃｕ。

Ｋ及びゝ＋１ｇに対して特にそうである。テルルは、大
化分の不純物が極めて低′７）分配係数（＋ｊ＋ｓｔｒ
＋ｂｕｔ＋ｏｎｃｏｅｆｆｉｃ＋ｅｎｔ）を有し、それ
らの除去が容易にできるので、帯域精製にいっそう適し
ている。分配係数が１に近いもの、すなわち、）ＩｇＳ
ＳｅＳＣｒＳＮａ及びＣｄはそれほど効率的に除去する
ことができない。

したがって、カドミウム及びテルルは、通常１段又は１
段より多い帯域精製操作にかけて１段、２段、３段又は
４段帯域時製等級（以下、Ｓ２Ｒ，ＤＺＲｌＴＡＲ及び
Ｑ２Ｒという）を与えるようにする。カドミウム及びテ
ルル供給材料を不純物平衡が成立するまて帯域精製する
。精製材料の端部を切り取る、すなわち６９純度を満た
す部分を前端部及び後端部から分離し、同じ帯域１′！
製操作にかけて不純物金型の減少したＤＺＲ生成物を与
える。この操作を繰り返してＴ２Ｒ材料を得、この材料
を精製してＱＺＲ等級を得る。高度に帯域精製したカド
ミウム及びテルル、及び高純度水銀は、ＣｄＨｇＴｅの
製造に用いる場合、キャリヤ濃度が１０”〜１０′５の
範囲内にあるＣｄ、ｔ１ｇ＋−Ｔｅ　（Ｘ　＝０．２）
を−貫して生じる。このような濃度は大部分のデバイス
の製造にはじゅうぶんであるけれども、キャリヤ濃度の
いっそうの低下が望ましく、しかしながらこのためには
更にいっそう高純度の材料の製造が必要である。

Ｓｎ、　Ｓｉ、　Ｇｅ及びＩｎのような元素の精製は、
不純物に対する溶質若しくは合金化剤（ａｌｌｏｙｉｎ
ｇ　ａｇｅｎｔ）の添加又はゲッタ物質の添加を悼う帯
域精製により実施することができる。ファン（Ｐｆａｎ
ｎ）　（ゾーン・メルティング（２ｏｎｅ　Ｍｅｌｔｔ
ｎｇ）、ジョン・ウィリー・アンド・サンズ・インコー
ホレーテッド（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ　＆　５ｏｎｓ、　
Ｉｎｃ、）　、１９５９年）の教示によれば、不純物含
有物質は、これを不純物のいっそう良好な分離を可能に
する溶媒中に溶解することにより精製することができる
。ファンにより示された唯一の例は、５ｎ−３ｉ系であ
り、ここで少量のＳｉがＳｎのインゴットを通って逆拡
散し、純粋のＳｎが回収される。

米国特許第２７３９０８８号明細書に従えば、帯域融解
は、融解帯が所望の溶質濃度に高められた２溶質系を利
用する。有意の溶質を融解帯に固体、液体又は蒸気形で
、また純粋、合金又は化合物形で加えることによりｐ−
ｎ及びｐ−ｎ−ｐ接合を形成する。

この方法は、ドーピング及び溶質濃度こう配の達成に関
する。

米国特許第２８３５６１２号明細書によれば、Ｓｌ及び
Ｇｅのような高融点材料は、不純物を合金化する合金化
剤による帯域精製により、この物質を液体部の前端部に
溶解し、不純物の種々の濃度と共に後端部から析出させ
るようにして精製することができる。

米国特許第３０４７３８０号明細書によれば、Ｇｅに対
するより大きい、０２に対する親和力を有し、酸化物を
形成し、比較的小さい偏析定数を有する元素を添加し、
元素をＧｅから一掃し、酸化物を除去することにより、
Ｇｅを帯域融解により精製する。

オーストラリア特許第２７３３９３号明細書で、固態拡
散係数の低いゲッタを偏析可能な不純物が導かれる本体
の端部に適用することにより（荷升可能な不純物を帯域
精製により元素から除去しうろことが示される。特に、
ＧｅのＶｉｄＪにおいてＩｎがＣｕに対するゲッタとし
て用いられる。Ｉｎは最終端ｍｌうて入れられ最終１　
ｎ分布が迅速に達成される。（Ｃｕの逆接１ｉｋは無視
しつる程であるとする。）米国特許第４１６５２４９号
明細書によれば、比較的純粋なゲッタ材Ｉｔ（Ｓ＋）層
をＧｅに適用し、Ｇｅをマルチプルパス（多数回通過）
　（ｍｕｌｔｉｐｌｅ　ｐａｓｓ）により帯域精製する
。

ロシアの報文（ケミカル・アブストラクツ（Ｃｈｅｍ＋
−ｃａｌ　Ａｂｓｔｒａｃｔｓ）第８４巻：　１０９０
０５ｒ、１９７６年）では、Ｇｅ、　Ｓｉ、Ｉｎ、　５
ｂＸＢｉ又はＣａのような活性成分を添加したＺｎの帯
域融解が示され、Ｇｅ、　Ｓｎ及びＳｉの組合せが最高
効率を与えることが示される。分配係数（ｐａｒｔｉｔ
ｉｏｎ　ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）　　＜Ｑ、５を有す
る元素が不純物との強い相互作用によって最も適する。

したがって、従来技術は、Ｃｄ及びＴｅの帯域精製がよ
く知られ、またＣｄ及びＴｅのほかの金属に対するゲッ
タ物質の存在における帯域精製がよ（知られていること
を示す。

発明の要約 本発明者らは、今やカドミウム及びテルルもゲッタ物質
の存在で帯域精製により精製しうろことを確かめた。い
っそう詳細には、カドミウム及びテルルは、ゲッタ物質
としてそれぞれ極めて少量のテルル及びカドミウムの存
在下に、又は少量のＣｄＴｅの存在下に帯域精製される
。Ｃｄ、　Ｔｅ又はＣｄＴｅの量は、帯域ＩＩすべきＣ
ｄ又はＴｅ中のＣｄ及びＴｅの共晶の量より少ない。Ｃ
ｄ、　Ｔｅ又はＣｄＴｅを、Ｃｄ又はＴｅのインゴット
の前端部で加え、インゴットを１段階以上の段階でのマ
ルチプルパスにより帯域精製してＳＺＲ、Ｄ２Ｒ、ＴＺ
Ｒ又はＱＺＲＣｄ及びＴｅを生成させる。Ｃｄ５Ｔｅ又
はＣｄＴｅの添加により、帯域精製したＴｅ中のＣｄ及
び帯域精製したＣｄ中のＴｅの濃度の増加が起こされる
。しかし、このような増加は、精製Ｃｄ及びＴｅから製
造したＣｄＴｅ１びＣｄＨｇＴｅのような半導体化合物
の電気的特性に影響しない。このように帯域精製したＣ
ｄ及びＴｅは、Ｃｄ５Ｔｅ又はＣｄＴｅをゲッタ物質と
して添加しないで帯域精製したＣｄ及びＴｅの不純物含
量より低い不純物含量を有し、更に、このようにして精
製したＣｄ及びＴｅから製造した、キャリヤ濃度及び移
動度に対する規格を満たすＣｄｌＬｇＴｅのスライスの
数の収率は、相当に改善される。

したがって、Ｃｄ及びＴｅより成る群の中から選ばれた
金属を精製するにあたり、金属のインゴットにＴｅ、　
Ｃｄ及びＣｄＴｅより成る群の中から選ばれたゲッタ物
質を加え、ゲッタ物質を加えた金属をマルチプルパス帯
域精製にかけ、しかもＣｄの帯域精製において加えるＴ
ｅｆｆ１又はＣｄＴｅ中のＴｅｆｆ１をＣｄとＴｅの間
のＣｄに富む共晶組成中のＴｅｉより小さくし、Ｔｅの
帯域精製において加える前記のＣｄｌ又はＣｄＴｅ中の
ＣｄｍをＣｄとＴｅの間のＴｅに富む共晶組成中のＣｄ
１ｌより小さくすることを特徴とするＣｄ及びＴｅより
成る群の中から選ばれた金属の精製方法を提供する。

Ｔｅ量又はＣｄＴｅ中のＴｅ量は、帯域精製の前にＣｄ
インゴットの約１０ｐｐｍｗより小さい債でカドミウム
のインゴットの前端部で加えられ、Ｃｄ又はＣｄＴｅ中
のＣｄの量は、帯域精製の前にＴｅインゴットの約１重
１％より小さしＡ量てテルルのインゴットの前端部で加
えられるのが好ましい。

好ましｌ′Ｎ例の説明 帯域精製において、短い融解帯は、固体材料の比較的長
いインゴットを経て移動し、それとともに可溶性不純物
を運ぶ。同方向への融解帯の＋目次ぐ移動の作用は、不
純物をそれらの固を目対液ト目溶解度の比に従って分布
させることである。

不純物の最終分布は、帯域移動の速度、度数及び方向に
、及び分配係数ｋ。とじて知られる、各不純物の固有特
性に依存する。ｋｏの値は、帯域幅及び帯域内の混合の
強さ及び性質に応じるように修正しなければならない。

これらの標準は、溶質の帯域内での分布に影響する。用
語ｋｅｆｆは、実際の操作条件下での不純物の偏析を説
明する。ｋｅ１４が１．０より大きい場合、不純物はイ
ンコア）の前端部に蓄積する。ｋｅｆｒが１．０より小
さい場合、不純物は、液相中にいっそう大きい溶解度を
有し、インゴットの最終端部に移動させみれる。

不純物は、池の不純物かみ独立して１涌升しな°、）の
で、不純物間の本目互作用を考′茅することが重要であ
る。７オン・タヤワ（Ｖｏｎ　ＫｕＪａｗａ）コアイト
シュリフト・フユール・フィジカリノンエ・ヘミ−（２
，ｆｕｒ　Ｐｈｙｓ、　Ｃｈｅｍ、）　２３２（５〜６
）、１９６６年、１２５〜４３１ページ）は、「複数の
不純物が同時に（ｉ在する場合、多成分系が生成するの
で、最大量で存在する不純物がこん跡量でのみ存在する
他の不純物の偏析行動を左右する」と述べる。しかし、
フォノ・クヤワの研究において、各の多い不純物の効果
は、少ない不純物の偏析の程度を減少させることであっ
た。彼は増加した（ｍ　析が起こることは確かめなかっ
た。

Ｃｄ−Ｔｅ状態図は、ＩＩ−Ｖｌ化合物に典型的なもの
であり、はぼ５０１５０原子パ一セント化合物に対応す
る最高液相線ピークを備える。図のＴｅに富む側に対す
る共晶値は、約１％Ｃｄであることが知られる。Ｃｄに
富む側に対する共晶組成は、正確には知られていなくて
純粋のＣｄに極めて近いという報告があった。（ヂニオ
・ケイ（２ａｎｉｏ、　Ｋ、）　、カドミウムテルリド
、セミコンダクター・アンド・セミメタルズ第１３巻第
１章（Ｃａｄｍｉｕｍ　Ｔｅ１ｌｕｒｉｄｅ、　Ｃｈａ
ｐｔｅｒｌ　ｏｆ　Ｓｅｍ＋ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ａｎ
ｄ　Ｓｅｍｉｍｅｔａｌｓ、　Ｖｏｌ、１３）、ウイラ
ードソン及びビーア椙集、アカデミツク・プレス、１９
７８年。） Ｃｄの帯域精製及びＴｅの帯域ｆｉｔ製は、従来の型の
装置を用いるじゅうぶん確立した方法に従って行われる
。帯域精製装置は、精製室を画成する管、ゴ囲気を制御
するガス流制御盤及び各炉に対する独立の電力制御装置
により構成される。いっそう詳細には、Ｃｄ又はＴｅイ
ンゴットを１３００ｍｍの長さ及び７５ｍｍ直径の半円
形横断面を有する石英るつぼ中に入れる。るつぼを長さ
２４００ｍｍで１００ｍｍの直径を有する石英管の中心
に置く。ステンレス鋼の端部ふたを管の各端部にＯＩＪ
ソング固定する。円形炉を移動キャリジ（ｍｏｂｉｌｅ
　ｃａｒｒｉａｇｅ）上に取付は等距離間隔を保たせる
。キャリジの運動は、電動機により制御され、移動距離
は２個のマイクロスッチにより限定される。各炉の温度
は、独立に制御される。ガス流は、一連の弁により制御
される。

使用ガスにはＡｒ及びＰｄ：Ａｇ拡ＮＩＬが含まれる。

Ｃｄ用帯域精製装置において、アルミニウムａ熱材をキ
ャリジの上に取り付は炉のまわりに密閉容積を与えるよ
うにし、これにより炉のまわりの対流空気流れを最小に
していっそう安定な液体帯域を可能にする。

帯域精製方法において、Ｃｄ又はＴｅのインゴットをる
つぼ中に置き、Ｃｄ５Ｔｅ及びＣｄＴｅより成る群の中
から選ばれたゲッタ物質をインゴットに加える。

この加える量は、状態図のＣｄに冨む側及びＴｅに冨む
側での共晶組成で存在する量より小さい。’を各、’Ｊ
１１蚤が共晶組成における１に等しいかこれより大きい
場合、不純物の偏析の増大は得られない。Ｃｄの帯域精
製において、添加Ｔｅ量又は添加ＣｄＴｅ中のＴｅ憬は
、Ｃｄインゴットの約１０ｐｌ］ｍＷ　（１０重エピー
ピーエム）より小さい。Ｔｅの帯域精製において、添加
Ｃｄｌ又は添加ＣｄＴｅ中のＣｄ量は、Ｔｅインゴット
の約１重看％より小さい。Ｃｄ、　Ｔｅ又はＣｄＴｅは
、帯域精製の前にインゴットの前端部又は頭部で加える
のが好ましい。ＣｄＴｅをゲッタ物質として加えるのが
好ましい。

次いて、ゲッタ物質を加えたＣｄ又はＴｅを１回以上の
操作でマルチプルパス帯域精製にかけて５ＺＲ１Ｄ２Ｒ
、ＴＺＲｌｉ　ＱＺＲ生戊物をｉ８ル。

精製Ｃｄ及びＴｅの純度は、スパークイオン源質量分析
学又は発光分析学により測定される。純度は、Ｃｄ及び
Ｔｅ　（及びｆｉｇ）　　から（：ｄＨｇＴｅを製造し
、Ｃｄ）ＩｇＴｅのスライスの電気的特性及びこれらの
特性に対する規格を満たすスライスの収率を求めること
により間接的に測定することができる。この発明に従っ
て製造したＣｄ及びＴｅの純度が増加したこと及びキャ
リヤ濃度及び移動度に対する規格を満たすＣｄｆｌｇＴ
ｅのスライスの収率が相当に改良されたことを確かめた
。

次に、この発明を以下に示す非制限的例を用いていっそ
う詳細に説明する。

例　　ｌ 前記方法及び装置を用いて、５９市販等級Ｃｄの出発イ
ンゴットをるつぼに入れた。インゴットの１０ｐｐｍｗ
に等しい遣のＣｄＴｅをし）末にした形状でインゴット
の前端邪に加えた。るつぼを炭素層で覆って石英とＣｄ
との間で反応が起こらなし）ようにした。

インゴットを５５ｍｍ／ｈの速度で帯域精製した。帯域
幅は５９ｍｍで５４回の通過を行った。

帯域通過のこの第１の組の後インゴットの長さに沿って
異なる位置から取った試料のスパークイオン源質量分析
学的（ＳＳＭＳ＞及び発光分野学的（ＥＳ）分析データ
は、標準ＳＺＲ生成物の分析データに比べてＴｅ濃度が
はるかに高いことを除いて顕著に偏倚することはなかっ
た。

帯域通過の全数が４２であったのを除いて同じ条件下の
帯域通過の第２組にかける前に、棒の端部を切り取った
。処理完了時に試料を採取した。

これらの試料に対して５５Ｍ５及びεＳ分析の結果、予
期したとおりＴｅの、また高濃度Ｉｎの最終端部偏析が
記録された。出発インゴット中の１０の濃度は検出限界
に満たなかった。インジウムは、まれに高純度帯域精製
Ｃｄ中に検出される。Ｄ２Ｒインゴットの最終端部にお
けるＩｎの高濃度は、インゴット本体を通じてＩｎの濃
度が減少されたことを示す。

更に、インゴットをＱ２Ｒ等級まで処理した。帯域通過
の組を加えるごとにＣｄインゴットの延性が増加するこ
とを観察した。延性は、しばしば可溶性不純物１の関数
であり、Ｉｎのみが棒の中央部から偏析されることが観
察されたけれども、他のこん跡の可溶性不純物の濃度も
低下されたと思われる。Ｓ　Ｓ　ＭＳ及びＥＳ分析結果
を表１に示す。

表　　１ 不純物　　　　　　Ｔｅ　　　　　　１０５５Ｍ５　　
ＥＳ　　　５５Ｍ５　　ＥＳ試料位置　　　　　　　（
重量ｐｐｍで表した値）ＳＺＲ−Ｔｌｉから７５ｍｍ　
　　　　０．４　　　５　　　　　ＮＤ　　　　　Ｎ０
３ＺＲ−１王から１５０ｍｍ　　　　　０．４　　　　
ＮＯＮＯＮ０５ＺＲ−’ｒｌ’：から３００＋ｒ＋ｎ＋
　　　　　０．０４　　　　ＮＡ　　　　　ＮＤ　　　
　　、’１ｌＡ０７Ｒ−′Ｉ’［から７５ｍｍ　　　　
　Ｏ，７１００，１１，０ＤＺＲ−ＴＩＥから１５０ｍ
ｍ　　　　　０．０３　　　ＮＯＯ，０２０，ＩＤＺＩ
ＩＩ−ＴＩＥから３００ｍｍ　　　　　０．０２　　　
　ＮＡ　　　　　ＮＯＮへ’Ｉ’ＺＩｌ−Ｔ［Ｅから　
７５ｍｍ　　　　　　　　ＮＡ　　　　　　　ＮＯＮＡ
　　　　　　　〇、１’ｌ’ＺＲ−’ｒＥから１５０ｍ
ｍ　　　　　ＮへＮＯＮＡ　　　　Ｎ０ｏｚ＋＋−ｒｃ
から７５ｍｍ　　　　　ＮＯＮＯＮＯＮ０ＯＺＲ−ＴＩ
Ｅから１５０ｍｍ　　　　　ＮＯＮＯＮｏ　　　　　Ｎ
０ＱＺＩｔ−ＴＩＥから３００ｍｍ　　　　　ＮＤ　　
　　　ＮへＮＯＮＡ＊　　　ＴＥ　＝最終端部、又はイ
ンゴットの融解凍結する最後の部分。

＊＊　　［ｉＳによるＣｄ中のＴｅの検出限界は５であ
る。

錦＊　　ＮＤ＝＝検出されない。

＊＊錦ＮＡ＝分析せず。

１Ｊ１宋：よ、Ｓ７．Ｒにおｊｚて、Ｉｎを検出限界を
超えて検出づ−ることがてきなかったこと、すなわち、
Ｉｎ。、）検出”Ｕ　ｆｉ！ｔ　’＞　７ＩＩＩｉ虞が
テーコかッタコ（！：　；　Ｄ２ＲＬ　オ’、１）で、
ｌ″ｅがｌｎとｊ［］　Ｔ’ｐ　！１用をしてＩｎ力（
ＴＥに（藺を斤されたこと。

又−＜Ｑ７．ｉ→ぢ理が終ったとき、Ｃｄ中には分光学
的に１’ｅ及び１［１が１１まれでし）なことを示す。

例　　２ 例１と同じ方法及び装置を用′７）で・１９Ｔｅの出発
インコ・Ｉトをるつぼ中に置いた。インゴブトの０．５
・１！ｉ配％に等し′咥、Ｙ分末）こしたＣｄＴｅをイ
ンコ、ノドの：Ｉｎ　’！：Ｍ；１’ＪＳ　ニ、’ｊｊ
ｌ　エタ。イン’−ｊノドを５５ｍｍ／ｈの帯域速度で
帯域積・復した。帯域幅は７Ｑｍｍで、６８回の通過を
イ１っだ。

１゛（コインコｌトをＱ２Ｒ等級まで精製し、試料を棒
か））ＳＬ’ａ　、　Ｏｌａ　及びＱＺＲ処理後採取し
た。結果を表２に示す。［ｄＴｅＺ加の場合のＣｄに対
する数字は重：資？６てあり、池のすべての数字は重量
ｐｐｍである。

二ｊ　冨　　　　　　″）　　　　０ ８Ｊ　ｏヲ云　云。テ　ヲ。

喝ｊＴｅ添加の場合のＴｅのＧａに対する値を除くすべ
ての値は、Ｓ　Ｓ　！、ｉ　Ｓ分析により得られた。前
者の値は、Ｃｔｊの高濃度におけるＧａの質量ピークの
妨害の可能Ｉ生があるので発光分析学（ＥＳ）により得
られた。ＣｄＴｅ添朋なしに帯域精製したＴｅのＥＳ分
析は、Ｇａのこんソ亦を示さな一へ。テ゛−夕：まＣｄ
Ｔｅをゲッタ物質としてｊ各１胆することなく帯域精製
したＴｅに比べてＧａ、Ｃａ及びＫの精製が進んでいる
ことを示す。

Ｑ２ＲＴｅインゴットの中央部におけるＣｄの準位は、
５ｐｐｍνＪであることを確かめた。最終端部試料中の
〔−〇高・店位は、Ｔｅ中のＣ［Ｉの強い偏析行動を証
明し１ｌｌＩ及びＫの両方の偏析の増加は、全く明らか
である。両方共Ｔｅ溶融部中のＣ（Ｉの存在により増大
された軽微な最終端部移動行動を示す。

例　　３ ＣｄＴｅを添加して帯域精製によりｉ裂したＣｄ及びＴ
ｅの品質を更に試験するために、多数のＣｄｏ、　２＋
Ｈｇｏ、　７９Ｔｅ単結晶をこれらの元素を前駆物質と
して用いて２製した。Ｃ：ｄｔｔｇＴｅの合成は、化学
争論的重量のＱＺＲＣｄ及びＴｅ並びに７／９等級のＨ
ｇを清浄な石英アンプルに詰めて真空下に密封して行っ
た。アンプルをｘ＝０．２１合金に対する液相線温度よ
り上に加熱し、次いで温度こう配中で急冷して単結晶成
長のための再結晶工程に適した均一合金組成を得た。単
結晶からスライスを切り出し、スライスをＨｇの過剰圧
力中で焼なまして成長したままのスライスをｐからｎ−
型の導電率に転化させた。７７にでファン・デル・パラ
（Ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ）の技術を用いて測定した
キャリヤ濃度及び移動度の電気的パラメーターを用いて
Ｃｄｆ１ｇＴｅスライスの純度を確認した。

比較のために、通常の製Φ結晶、すなわち、ゲッタ物質
の添加なしに帯域精製したＣｄ及びＴｅによって製造し
た結晶から切り出した同数のスライスに対してキャリヤ
濃度及び移動度を求めた。

Ｃｄ、Ｈｇ＋−−Ｔｅ　（ｘ　＝０．２１）　　の製造
スライスの最高純度５０パ一セント点部分に対する７７
にでのキャリヤ濃度及び移動度に対する平均値は、それ
ぞれ２．０ＯＸ１０”ｃｍ〜３及び ２、０１　Ｘ　１０５ｃｍ２Ｖ−’ｓ−’であった。

これらの値に等しいか、これらの値よりよい特性を有す
るＣｄＨｇＴｅのスライスの収率は、この発明に従って
製造したＣｄ及びＴｅで製造したスライスの方がゲッタ
物質を添加することなく帯域精製したＣｄ及びＴｅを用
いて製造したＣｄ１１ｇＴｅのスライスより７０％高か
った。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、カドミウム及びテルルより成る群の中から選ばれた
   金属を精製するにあたり、金属のインゴットにテルル、
   カドミウム及びテルル化カドミウムより成る群の中から
   選ばれたゲッタ物質を加え、ゲッタ物質を加えた金属を
   マルチプルパス帯域精製にかけ、しかもカドミウムの帯
   域精製において加える前記のテルル量又はテルル化カド
   ミウム中のテルル量をカドミウムとテルルの間のカドミ
   ウムに富む共晶組成中のテルル量より小さくし、テルル
   の帯域精製において加える前記のカドミウム量又はテル
   ル化カドミウム中のカドミウム量をカドミウムとテルル
   の間のテルルに富む共晶組成中のカドミウムの量より小
   さくすることを特徴とするカドミウム及びテルルより成
   る群の中から選ばれた金属の精製方法。 ２、精製すべき金属がカドミウムであり、ゲッタ物質が
   テルルであり、帯域精製の前にカドミウムのインゴット
   の前端部でテルルを加え、かつ加えるテルルの量を前記
   カドミウムインゴットの約１０重量ピーピーエムより小
   さくする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、精製すべき金属がカドミウムであり、ゲッタ物質が
   テルル化カドミウムであり、帯域精製の前にカドミウム
   のインゴットの前端部でテルル化カドミウムを加え、か
   つ加えるテルル化カドミウム中のテルルの量を前記カド
   ミウムインゴットの約１０重量ピーピーエムより小さく
   する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、精製すべき金属がテルルであり、ゲッタ物質がカド
   ミウムであり、帯域精製の前にテルルのインゴットの前
   端部でカドミウムを加え、かつ加えるカドミウムの量を
   前記テルルインゴットの約１重量％より小さくする特許
   請求の範囲第１項記載の方法。 ５、精製すべき金属がテルルであり、ゲッタ物質がテル
   ル化カドミウムであり、帯域精製の前にテルルのインゴ
   ットの前端部でテルル化カドミウムを加え、かつ加える
   テルル化カドミウム中のカドミウムの量を前記テルルイ
   ンゴットの約１重量％より小さくする特許請求の範囲第
   １項記載の方法。