JPS62128018A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS62128018A JPS62128018A JP26778285A JP26778285A JPS62128018A JP S62128018 A JPS62128018 A JP S62128018A JP 26778285 A JP26778285 A JP 26778285A JP 26778285 A JP26778285 A JP 26778285A JP S62128018 A JPS62128018 A JP S62128018A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- film
- ratio
- axis
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属′Ｓ膜
を磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜の磁
気記録媒体に関する。
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属′Ｓ膜
を磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜の磁
気記録媒体に関する。
本発明は、基体上にＣｏ−Ｐｔよりなる磁性薄膜を形成
してなる磁気記録媒体において、Ｐｔの組成比を基体面
から膜厚方向に遠ざかるにつれて漸次減少させることに
よって、Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜の角形性を向上させるよう
にしたものである。
してなる磁気記録媒体において、Ｐｔの組成比を基体面
から膜厚方向に遠ざかるにつれて漸次減少させることに
よって、Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜の角形性を向上させるよう
にしたものである。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性基体上に’ｒ
Ｆｅ２０ｔ ＋ Ｇｏを含有するｒ−Ｆｅ２０３＋
ｒ −Ｆｅ３０４． Ｃｏを含有するＰｅａ’４１ ｒ
Ｆｅ２０ｉとＦｅ５ｒ＜とのベルトライド化合物、
ＣＯを含有するベルトライド化合物、Ｃｒ（ｈ等の酸化
物強磁性粉末あるいはＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ等を主成分
とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢
酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン
樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗
布・乾燥するごとにより作製される塗布型の磁気記録媒
体が広く使用されている。
Ｆｅ２０ｔ ＋ Ｇｏを含有するｒ−Ｆｅ２０３＋
ｒ −Ｆｅ３０４． Ｃｏを含有するＰｅａ’４１ ｒ
Ｆｅ２０ｉとＦｅ５ｒ＜とのベルトライド化合物、
ＣＯを含有するベルトライド化合物、Ｃｒ（ｈ等の酸化
物強磁性粉末あるいはＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ等を主成分
とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢
酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン
樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗
布・乾燥するごとにより作製される塗布型の磁気記録媒
体が広く使用されている。
これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスバ・ツタリング法、イ
オンブレーティング法等）によってポリエステルフィル
ムやポリイミドフィルム等の非磁性基体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に勝れるばかりでなく、磁性層の厚みを掻めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスバ・ツタリング法、イ
オンブレーティング法等）によってポリエステルフィル
ムやポリイミドフィルム等の非磁性基体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に勝れるばかりでなく、磁性層の厚みを掻めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。
一方、この種の磁気記録媒体において、Ｃｏ−ＰＬ合金
膜を磁性ｊｉとする磁気記録媒体の開発が進められてい
る（例えば特開昭５８−２００５１３号）。Ｃｏ −ｐ
ｔを用いた磁性Ｖｓ股は高保磁力を有し、耐蝕性にも優
れていることから将来の高密度磁気記録媒体として期待
されている。
膜を磁性ｊｉとする磁気記録媒体の開発が進められてい
る（例えば特開昭５８−２００５１３号）。Ｃｏ −ｐ
ｔを用いた磁性Ｖｓ股は高保磁力を有し、耐蝕性にも優
れていることから将来の高密度磁気記録媒体として期待
されている。
上述のＣｏ−ＰＬ磁性薄膜は一般に、真空蒸着法あるい
はスパッタリング法、イオンブレーティング法等により
作製される。これらの作製法によって得られたＣｏ−Ｐ
Ｌ磁性薄欣の磁気特性を調べてみると、共通して言える
ことの一つにＰｔの含有量が増加すると、保磁力は大き
くなるが、角形性が低下するという現象がある。また導
入するガスの分圧が大きくなってもこのような傾向が生
じる。
はスパッタリング法、イオンブレーティング法等により
作製される。これらの作製法によって得られたＣｏ−Ｐ
Ｌ磁性薄欣の磁気特性を調べてみると、共通して言える
ことの一つにＰｔの含有量が増加すると、保磁力は大き
くなるが、角形性が低下するという現象がある。また導
入するガスの分圧が大きくなってもこのような傾向が生
じる。
本発明は、上述の点に鑑み、ｐｔ含有量を多くすること
なく高保磁力で、角形性の優れた磁気記録媒体を提供す
るものである。
なく高保磁力で、角形性の優れた磁気記録媒体を提供す
るものである。
本発明者は、ｐｔ含有量を多くしたり、導入するガスの
分圧を大きくすることによって保磁力を大きくしても、
角形性の低下を招かないようにするにはどのようにした
らよいかをあらゆる角度から研究した結果、Ｐｔの含有
量の膜厚方向の分布を制御することが非常に有効である
ことを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
分圧を大きくすることによって保磁力を大きくしても、
角形性の低下を招かないようにするにはどのようにした
らよいかをあらゆる角度から研究した結果、Ｐｔの含有
量の膜厚方向の分布を制御することが非常に有効である
ことを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
即ち本発明は、基体上にＣｏ−Ｐｔよりなる磁性薄膜を
形成してなる磁気記録媒体において、磁性薄膜のＰｔの
組成比を基板面から膜厚方向に遠ざかるにつれて漸次減
少させることを特徴とするものである。
形成してなる磁気記録媒体において、磁性薄膜のＰｔの
組成比を基板面から膜厚方向に遠ざかるにつれて漸次減
少させることを特徴とするものである。
Ｐｔの組成比を基体より膜表面に近づくにつれて漸次減
少させると、ＣｏのＣ軸（磁化容易軸）が面内によく配
向され、ＣｏＰｔ磁性薄膜において同じｐｔ含有量で同
程度の保磁力であっても角形性が向上する。
少させると、ＣｏのＣ軸（磁化容易軸）が面内によく配
向され、ＣｏＰｔ磁性薄膜において同じｐｔ含有量で同
程度の保磁力であっても角形性が向上する。
この理由は、Ｃ軸を面内に配向しゃずいｐｔを多く含ん
だ層が先に基体上に形成されると次にＰｔの少ない層が
形成されてもエピタキシーによって下層のＣ軸と同じ方
向に向きやすくなるものと考えられる。
だ層が先に基体上に形成されると次にＰｔの少ない層が
形成されてもエピタキシーによって下層のＣ軸と同じ方
向に向きやすくなるものと考えられる。
以下、本発明を実験結果に基づいて説明する。
本発明が通用される磁気記録媒体は、非磁性基体上に磁
性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、ここ
で非磁性基体の素材としては、ポリエチレンテレフタレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、
セルロースダイアセテート、セルロースアセテートブチ
レート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポ
リイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、アルミ
ニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラス等
のセラミックス等が挙げられる。
性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、ここ
で非磁性基体の素材としては、ポリエチレンテレフタレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、
セルロースダイアセテート、セルロースアセテートブチ
レート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポ
リイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、アルミ
ニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラス等
のセラミックス等が挙げられる。
この非磁性基体の形態としては、フィルム、シート、デ
ィスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
ィスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
また、上記磁性層であるＣｏ−Ｐｔ磁性８＋１０は、真
空蒸着法やイオンブレーティング法、スパッタリング法
等の真空薄膜形成技術により連続膜として形成される。
空蒸着法やイオンブレーティング法、スパッタリング法
等の真空薄膜形成技術により連続膜として形成される。
上記真空蒸着法は、１０−１〜１Ｏ−８Ｔｏｒｒの轟空
下で金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱
等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属を沈着す
るというものである。
下で金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱
等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属を沈着す
るというものである。
上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０−４〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で
上記金属材料を蒸発させるというものである。
、１０−４〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で
上記金属材料を蒸発させるというものである。
上記スパッタリング法は、１０−３〜１０″” Ｔｏｒ
ｒのアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電
を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面
の原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方
法により直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ
法、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンス
パッタ法等がある。
ｒのアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電
を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面
の原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方
法により直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ
法、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンス
パッタ法等がある。
本発明のように膜厚方向に関してＰｔの組成比に分布を
もたせるＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜を作製するには、ｐｔ及び
Ｇｏの蒸発源（スパッタリングターゲット）を用慧し、
ｐｔとＣｏの蒸気が２つの蒸発源の中間で混合するよう
にし、基体をｐｔ側からＣｏ側へと移動させながら蒸着
すればよい。
もたせるＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜を作製するには、ｐｔ及び
Ｇｏの蒸発源（スパッタリングターゲット）を用慧し、
ｐｔとＣｏの蒸気が２つの蒸発源の中間で混合するよう
にし、基体をｐｔ側からＣｏ側へと移動させながら蒸着
すればよい。
本実施例においては、Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜の形成は電子
ビーム加熱による真空蒸着法とし、蒸着中に不活性ガス
として静ガスを導入し分圧を５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒ
ｒとした。
ビーム加熱による真空蒸着法とし、蒸着中に不活性ガス
として静ガスを導入し分圧を５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒ
ｒとした。
上述の方法に従い、基体上にＰｔの組成比が膜表面に近
づくにつれて漸次減少するＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜を形成し
た本磁気記録媒体（試料■）を作製した。
づくにつれて漸次減少するＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜を形成し
た本磁気記録媒体（試料■）を作製した。
また比較のために、ｐｔ組成が膜厚方向にほぼ一様なＣ
ｏ−Ｐｔ磁性薄膜を形成した磁気記録媒体（試料■）、
及びＰｔの組成比が膜表面に近づくにつれて漸次増大す
るＣｏ−Ｐｔ磁性ｉｌｌを形成した磁気記録媒体（試料
■）を夫々作製した。
ｏ−Ｐｔ磁性薄膜を形成した磁気記録媒体（試料■）、
及びＰｔの組成比が膜表面に近づくにつれて漸次増大す
るＣｏ−Ｐｔ磁性ｉｌｌを形成した磁気記録媒体（試料
■）を夫々作製した。
試料■はＣｏ、！：Ｐｔの蒸発源の中間に基体を静止し
て作製し、試料■は試料■と逆に基体をＣｏ側からｐｔ
側へと移動させて作製した。これら試料■、■及び■の
オージェ分析による膜厚方向のＰｔの分布状態を図に示
す。
て作製し、試料■は試料■と逆に基体をＣｏ側からｐｔ
側へと移動させて作製した。これら試料■、■及び■の
オージェ分析による膜厚方向のＰｔの分布状態を図に示
す。
そして、上記試料ｌ、■及び■の各磁気記録媒体の磁気
特性を測定した結果を次表に示す。
特性を測定した結果を次表に示す。
図及び上記表より、作製条件、保磁力は同程度であって
も、膜厚方向のＰｔの含有量の分布を変えることによっ
て角形性に著しい差異がみられる。
も、膜厚方向のＰｔの含有量の分布を変えることによっ
て角形性に著しい差異がみられる。
即ち、本発明の磁気記録媒体（試料■）では、そのＣｏ
−Ｐｔ磁性膜の角形性が向上するのが認められる。この
理由としては次のように考えられる。
−Ｐｔ磁性膜の角形性が向上するのが認められる。この
理由としては次のように考えられる。
Ｘ線回折により試料■と試料■の回折パターンを調べた
ところ、試料■に対して試料Ｉの方が（００２）のピー
クが弱く、かつ＜１０１）のピークが強かった。これは
試料Ｉの方がＣｏのＣ軸（磁化容易軸）が面内によく配
向していることをボしている。このことは直接に、磁気
特性の改善（即ち角形性の向上）につながるものである
。では何故、本発明のようなＰｔの分布にすればＣ軸が
面内によく配向するようになるかは、考えられる原因と
してエピタキシーがある。即ち、もともとＣ軸を面内に
配向しゃすいｐｔを多く含んだ層が先に基体上に形成さ
れると、次にＰｔの少ない層が形成されても、エピタキ
シーによって下層のＣ軸と同じ方向を向きやすくなるも
のと考えられる。
ところ、試料■に対して試料Ｉの方が（００２）のピー
クが弱く、かつ＜１０１）のピークが強かった。これは
試料Ｉの方がＣｏのＣ軸（磁化容易軸）が面内によく配
向していることをボしている。このことは直接に、磁気
特性の改善（即ち角形性の向上）につながるものである
。では何故、本発明のようなＰｔの分布にすればＣ軸が
面内によく配向するようになるかは、考えられる原因と
してエピタキシーがある。即ち、もともとＣ軸を面内に
配向しゃすいｐｔを多く含んだ層が先に基体上に形成さ
れると、次にＰｔの少ない層が形成されても、エピタキ
シーによって下層のＣ軸と同じ方向を向きやすくなるも
のと考えられる。
尚、上例ではＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜の作製法として真空蒸
着法の場合を示したが、スパッタリング法やイオンブレ
ーティング法によっても本発明の効果は確認されている
。
着法の場合を示したが、スパッタリング法やイオンブレ
ーティング法によっても本発明の効果は確認されている
。
また上例では磁性合金としてＧｏとｐｔを用いたが、こ
のＧｏ−ＰｔにＦｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ等を加えても本発
明の効果はその影響を受けない。影響を受けない範囲は
、多くの実験の結果、磁性膜中の金属原子の７５％以上
がＣｏとｐｔで占められている場合である。
のＧｏ−ＰｔにＦｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ等を加えても本発
明の効果はその影響を受けない。影響を受けない範囲は
、多くの実験の結果、磁性膜中の金属原子の７５％以上
がＣｏとｐｔで占められている場合である。
本発明によれば、Ｃｏ−ＰＬ磁性薄膜において、そのＰ
ｔの組成比を基体面から膜厚方向に遠ざかるにつれて漸
次減少するようにしているので、同じｐｔ含有量で角形
性を向上することができる。
ｔの組成比を基体面から膜厚方向に遠ざかるにつれて漸
次減少するようにしているので、同じｐｔ含有量で角形
性を向上することができる。
従って、Ｇｏ−ＰＬ磁性薄膜を用いた磁気記録媒体にお
いて、高保磁力で且つ、角形性に優れた磁気記録媒体を
提供することができる。
いて、高保磁力で且つ、角形性に優れた磁気記録媒体を
提供することができる。
図は試料■、■及び■に関するｐｔ組成比の膜厚方向の
分布状態を示す線図である。
分布状態を示す線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体上にＣｏ−Ｐｔよりなる磁性薄膜を形成してなる磁
気記録媒体において、 前記磁性薄膜のＰｔの組成比を前記基体面から膜厚方向
に遠ざかるにつれて漸次減少させたことを特徴とする磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26778285A JPS62128018A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26778285A JPS62128018A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128018A true JPS62128018A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17449507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26778285A Pending JPS62128018A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128018A (ja) |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP26778285A patent/JPS62128018A/ja active Pending
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