JPS62128571A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents

アモルフアスシリコン太陽電池

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JPS62128571A
JPS62128571A JP60268638A JP26863885A JPS62128571A JP S62128571 A JPS62128571 A JP S62128571A JP 60268638 A JP60268638 A JP 60268638A JP 26863885 A JP26863885 A JP 26863885A JP S62128571 A JPS62128571 A JP S62128571A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal layer
amorphous
film
transparent conductive
metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP60268638A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Umemoto
梅本　美之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Priority to US06/935,186 priority patent/US4776896A/en
Publication of JPS62128571A publication Critical patent/JPS62128571A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/93—Interconnections
    • H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
    • H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池の外部引出し導体との接続が端子部
とばね接触子の接触によって行われるアモルファスシリ
コン（ａ−５ｉ）太陽電池に関する。
【従来技術とその問題点】
これらａ　−３ｉ太陽電池の端子部の構造としてガラス
板のような絶縁基板上に透明導電膜を被着した電極、あ
るいは金属層を被着した電極、または透明導電膜の上に
金属層を被着した電極等が知られている。ところが外部
引出し導体としてばね接触子を用いると、振動などによ
り加圧力が変動することおよび接触子により接着面に剪
断力が生ずることなどにより基板と電橋間あるいは電極
の眉間にはがれを起こすという欠点があった。
【発明の目的】
本発明は、上述の欠点を除去してばね接触子に接触する
端子部におけるはがれによる接触不良の生じないａ−５
ｉ太陽電池を提供することを目的とする。
【発明の要点】
本発明によるａ−Ｓｉ太陽電池は、接触子の接触する端
子部の表面が金属層からなり、その金属層と絶縁透明基
板の間に少なくとも金属層に隣接してａ−５ｉ膜が介在
するもので、ａ　−３ｉが金属層。 透明導電膜、ガラスと良好な付着性を示すので、はがれ
の発生がなく上記の目的が達成される。
【発明の実施例】
第１図は本発明の実施例を示すもので、絶縁透明基板と
してのガラス板１の上にＩｎ０ｇ　＋　ＳｎＯ□ＳｎＯ
。 などの透明導電材料からなる透明導電膜２．ａ−Ｓｉ膜
３．金属１１４が積層され、ａ　−５ｉ太陽電池の発電
領域ｌＯが形成されている。透明導電膜２は、その一部
分が延長され端子部１１の基盤となり、その上に端子部
のａ−５ｉ膜３１が、そして端子部金属Ｉ！４１が形成
される。この時端子部金属層４１は、Ｔｉ層、あるいは
ｋｌ　−Ｔｉ、　Ａ／−Ｎｉ　２　Ｎからなる発電領域
の金属層４と同様の金属が蒸着されている。この金属層
４１の下にａ−５ｉ膜３１を介在させることにより、ａ
　−Ｓｉは金属あるいは透明導電材料との密着性が良い
ため、ばね接触子５から加わる振動あるいは剪断力によ
り金属ＦＪ４１とａ　−５ｉ膜３１との間あるいはａ−
５ｉ膜３１と透明導電膜２との間ではがれることはない
という利点が得られる。この第１図はａ−５ｉ膜３が基
板側からＰＩＮという順序に積層されている場合でこの
端子１１は正極となる。 逆に負極の端子部１２は、第２図に示すように金属［４
を端子部透明導電膜２１およびａ　−３ｉ膜の上に延長
した形となる。 第３図は別の実施例で正極の端子部を表わし、端子部り
投構造を基板１１端子部ａ−３ｉ膜３１．端子部金属層
４１の順に形成したもので、端子部金属Ｎ４１と透明導
電膜２は端子部１０の外側で接触している。この場合は
、ａ−３ｉとガラスとの密着性も良好でありはがれのお
それはない、第４図は負極の端子部を表し、金属層４が
延長されて端子部ａ−５ｉ膜３１上に形成され、同様の
利点が得られる。 なお発明者らの所見では、密着性は良好な方からａ−３
ｉと金属、ａ−Ｓｉと透明導電材料、ａ−５ｉとガラス
、ｉ３明導電材料とガラス、金属とガラス。 金属と透明導電材料の組合わせで、本発明による端子部
における接着面の密着性の良好なことがわかる。 【発明の効果］ 本発明によれば、端子部を基板上に透明導電膜。 ａ−３ｉ膜および金属層あるいはａ−Ｓｉ膜および金属
層により形成したため、層相互あるいは層と基板との密
着性が良好となり、ばね接触子から加わる力によるはが
れの発生が極めて少な（なり、ａ−Ｓｔ太陽電池の端子
部の信転性の向上に極めて存効である。
【図面の簡単な説明】
第１図１第２図、第３図、第４図はそれぞれ本発明の異
なる実施例における端子部近傍の断面図である。 １ニガラス基板、２．２１：ｉ３明導電膜、３．３１ｊ
ａ−５ｉ膜、４．４１；金属層、５：ばね接触子、１０
：発電領域、１１：王権端子部、１２：負極端子部。 ど、°＋。 ５−　　　　　　　　　　　迫 第３図 ｉ 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）外部引出し導体との接続が端子部とばね接触子の接
    触によって行われるものにおいて、接触子の接触する端
    子部の表面が金属層からなり、該金属層と絶縁透明基板
    との間に少なくとも金属層に隣接してアモルファスシリ
    コン膜が介在することを特徴とするアモルファスシリコ
    ン太陽電池。
JP60268638A 1985-11-29 1985-11-29 アモルフアスシリコン太陽電池 Pending JPS62128571A (ja)

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JP60268638A JPS62128571A (ja) 1985-11-29 1985-11-29 アモルフアスシリコン太陽電池
US06/935,186 US4776896A (en) 1985-11-29 1986-11-26 Amorphous silicon solar battery

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US4776896A (en) 1988-10-11

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