JPS62129264A - β―ラクタム化合物 - Google Patents

β―ラクタム化合物

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JPS62129264A
JPS62129264A JP61266766A JP26676686A JPS62129264A JP S62129264 A JPS62129264 A JP S62129264A JP 61266766 A JP61266766 A JP 61266766A JP 26676686 A JP26676686 A JP 26676686A JP S62129264 A JPS62129264 A JP S62129264A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 新規な３．４−４換アゼチジン−２−オン化合物及びそ
の製造方法に関する。この化合物は抗生換作用のある６
−置換２−ペネム３−カル？ン酸化合物の製造のだめの
中間体である。 〔従来の技術〕 ペニシリンの発見によりβ−ラクタム構造を持つ２環チ
アアゾ化合物が数多く知ら几るようＫなった。初期の研
究の概観がＥｄｗｉｎ　Ｈ，Ｆｌｙｎｎ著′″（ｅｐｈ
ａｌｏｓｐｏｒｌｎｓ　ａｎｄ　Ｐｅｎ１ｃｌｌｌｌｎ
ｓ　）’、アカデミツク・プレス、ニューヨークおよび
コント９ン（１９７２）により行われた。よ＃）最近の
発展がＪ、Ｃ＋、　Ｊａｓｚｂｅｒ＠ｎｙおよびＴ、　
Ｅ、　Ｇｕ　ｎｄａ　：Ｐｒｏｇｒ、　Ｍａｄ、　Ｃｈ
ｅｍ、　、Ｖｏｌ　１２．１９７５　、３９５〜４７７
頁およびＰｅ１ｅｒ　Ｇ、　Ｓａｍｍｅｓ　：　Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌＲｅｖｉｅｗｓ＋　１９７６、ｖｏｌ　７６
　＋ＡＩ、１１３〜１１５頁に記載され、そして１９７
６年６月に英国ケンブリッジで開催された化学会のイン
ターナショナルシン？ジウムにおいて多くの著者によ＃
）記述された〔その後の出版、Ｊ、　Ｅｌｋｓ著１β−
ラクタム抗生物質の化学における最近の進歩”（Ｒｅｃ
ｅｎｔＡｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｓ
ｔｒｙ　ｏｆβ−ＩａｃｔａｍＡｎｔｉｂｉｏｔｉｃｓ
　）、化学会、パーリントンハウス・ロンドン、１９７
７）。 ６−または７−位にアシルアミノ基を持つ通常のベナム
化合物およびセフェム化合物とは別に、これらの位置で
置換されていない化合物もまた知られている。例えば３
−カルざキシ−２，２−ジメチルフエナム（Ｊ、Ｐ、ク
レイトン、Ｊ、　Ｃｈｅｍ。 Ｓｏｃ、、１９６９．２１２３頁）および３−メチル−
４−カルフキシー３−セフェム（Ｋ、　Ｋｕｈｌｅｌｎ
　ｒＬｉｅｂｉｇｓ　Ａｎｎ、　、　１９７４　、３６
９頁およびり、　Ｂｏｒｍａｎｎ、　１ｂｉｄ、　、　
１３９１頁）である。通常の６β−アシルアミノ基の代
りに６α−クロルまたは６α−ブロム基を持つ３−カル
ボキシ−２。 ２−ツメチルベナム化合物が１．　ＭｃＭｉｌｌａｎお
よびＲ，Ｊ、　５ｔｏｏｄｌｅｙ著Ｔｅｔｒａｈｅｄｒ
ｏｎ　Ｌｏｔｔ、　１２０５（１９６６）およびＪ、　
Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、　Ｃ２５３３（１９６８）に記載
され、そして対応する６α−ヒドロキシ−１６α−アセ
トキシ−および６α−フェノキシアセトキシ−２，２−
ツメチルベナム−３−カルメキシル酸がり、　Ｈａｕａ
ｅｒおよびＨ，Ｐ、　Ｓ　ｉｇｇ　、　Ｈｅ　ｌｖ。 Ｃｈｅｍｉｃａ　Ａｃｔａ’５０．１３２４（１９６７
）に記載された。しかしこれらはどれも抗生活性、ある
ｌｑは実質的な抗生活性を持っていない。 新規２−ベナム環系を含有する、抗生活性を持った６−
アシルアミノ−２−ベナム−３−カルゲキシル酸化合物
が独国特許公開第２，６５５，２９８号明１１４ＩＩ書
に記載されている。 ６位置換基としてアシルアミノ基以外を持っ２−ベナム
化合物はこれまで知られていなかった、〔発明が解決し
ようとする問題点〕 本発明の目的は６位において置換された２−ペナム環系
を持つβ−ラクタム環を含有し、ペニシリン感受性のバ
クテリアおよび抗４ニジリンバクテリアの双方に対して
活性のある２ｊｆｌチアアゾ化合物を製造するための中
間体３，４−置林アゼチジン−２−オン化合物を提供す
ることにある。 本発明による新しい中間体の製造は、他の商業的に重要
な化合物に対する研究を遂行する新しい分野を開くもの
である。 本発明の中間体から製造され得る化合物の環系ハ、系統
的に７−オキソ−４−チア−１−アゾビシクロ［３，２
，０］へブタ−２−二ント呼ばれる式 で表わされるものである。簡易化のためは、今後これを
”２−ペナム″とし、ペニシリン化学ニおいて通例の、
（ナム由来の次の番号付けを使用する。 本発明の中間体から得られる２−ベネム−３−カル？ン
１唆化合物は次の式、 （式中、Ｒ，ハ低級アルキル、フェニル低級アルキル、
ヒドロキシ低級アルキル、低級アルコキシ又はフェノキ
シ−低級アルカノイルオキシであり、Ｒ，ハ水素、低級
アルキル、アミノ低級アルキル、低級アルカノイルアミ
ノ−低級アルキル、低級アルキルチオ、アミノ低級アル
キルチオ又は低級アルカノイルアミノ−低級アルキルチ
オであり、そしてＲ２はヒドロキシル基である） で表わされるラセミ体又は光学活性形、及びこれらの化
合物の塩である。 低級アルキル基Ｒａ１ｄ炭素原子７個好ましくは４個ま
でを持つ例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ、　　
−ブチル基またはペンチル基である。 Ｗ、換されている低級アルキル基Ｒ１は特に置換された
メチル基、エチル基またはプロピル基であり、置換基は
特に１−位に、しかしさらに２−又は３−位にある。ヒ
ドロキシ−低級アルキル基は例ｔばヒドロキシメチル基
、ヒドロキシエチル基またはヒドロキシプロピル基であ
る。 フェニル−低級アルキル基Ｒ，ハ、例工ば、ベンジル、
又は１−もしくは−２−フェニルエチルである。 低級アルコキシ基Ｒａは７個までの、特に４個までの炭
素原子を含有し、そして特にメトキシ、エトキシ、グロ
ポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、インブトキシ、ｔ
ａｒｔ−エトキシ、又はペントキシである。 フェノキシ−低級アルカノイルオキシ基Ｒａは７個まで
、特に４個までの炭素原子を低級アルカノイルオキシ残
基中に含有し、そして例えばフェノキシＶｒｈ舒ｍ六り
今一本ルミルナキシーデロピオニルオキシ、ブチリルオ
キシ、又は、！寺に、アセトキシである。 低級アルキル基Ｒ４は炭素原子７個まで好ましくは４個
までを持つ例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ、−
ブチル基またはペンチル基である。置換されている低級
アルキル基は特に置換されたメチル基、エチル基または
プロピル基でアリ、ｌ置換基は特には１−位に、しかし
さらに２−又は３−位にある。 アミノ低級アルキル基Ｒ７は、例えばアミノメチル、ア
ミノエチル又はアミノエチルである。 低級アルカノイルアミノ−低級アルキル基Ｒ１は、例え
ば、アセチルによシｄ換された、アミノメチル、アミノ
エチル又はアミノエチルである。 低級アルキルチオ基Ｒ１は炭素原子７個まで特に４個ま
でを持つ、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、プロピ
ルチオ基、イソブチルチオ基、ブチルチオ基、イソブチ
ルチオ基、ｔｅｒｔ、−ブチルチオ基またばにメチルチ
オ基である。４戻されている低級アルキルチオ基Ｒ１は
特に、置換されているメチルチオ基、エチルチオ基また
はプロピルチオ基であり、置換基は１−．２−−ｊたは
３−位に存在する。 アミノ−低級アルキルチオ基Ｒ１は、例えば、アミノメ
チルチオ、アミノエチルチオ又はアミノプロピルチオ基
である。 低級アルカノイルアミノ−低級アルキルチオ基Ｒ４は、
例えばＮ−アセチル化アミノメチルチオ、アミノエチル
チオ又はアミノプロピルチオ基である。 式−〇（＝Ｏ）−ＲＱ　　で表わされる保護されたカル
ボキシル基は特にエステル化されたカルボキシル基であ
り、ここでＲ今は有機基または有機シリル基またはスタ
ンニル基によってエーテル化された水酸基である。有機
基並びに有機シリル基またはスタンニル基の置換基とし
ては好ましくは炭素原子１８個までをもつ脂肪族、１脂
肪族、環脂彷−脂肪族、芳香族またはアリール脂肪族基
この型の特に場合によ多置換されていることのある炭化
水素基および複素環式基または複素環式−脂肪族基であ
る。 エーテル化されている水酸基吋はカルビニル基といっし
ょになってエステル化されたカルボキシル基を形成し、
これは好ましくは例えば還元例えば」水分解または加溶
媒分解例えば酸加水分解または特だ塩基または中性加水
分解、あるいは酸化または生理学的条件下で簡単に分裂
でき、あるいは他の官能的Ｋｆ換されているカルボキシ
ル基例えば他のエステル化されたカルボキシル基または
ヒドラノノ力ルゲニル基に簡単て変えられるエステル化
されたカルビニル基である。このような基Ｒ今は列えば
２−ハロー低級アルコキシ基、ここでハロダン原子は好
ましくは原子量１９以上である、例えば２，２．２−ト
リクロルエトキシ基またｄ２−ヨードエトキシ基並びに
２−クロルエトキシ基または２−ブロムエトキシ基であ
シ、これらは簡単に後者に変換でき、または２−低級ア
ルキルスルホニルー低級アルコキシ基例えば２−メチル
スルホニルエトキシ基である。基Ｒ夕はさらにまた場合
にょ多置換されていることのある炭化水素基特に飽和し
た脂肪族または芳香族炭化水素基例えば低級アルキル基
例えばメチル基および（または）フェニル基によって多
置換されて込るメトキシ基または不飽和脂肪族炭化水素
基例えば低級アルケニル基例えばｌ−低級アルケニル基
例えばビヒル基によって、電子供給置換基金もったカル
ボ環式アリール基によってまたは酸素原子かイオウ原子
を４構成員として持つ芳香族性の複素環式基によってモ
ノ置換されているメトキシ基。 このような基Ｒ今は例えばｔｅｒｔ、低級アルコキシ基
例えばｔａｒｔ、ブトキシ基またはｔｅｒｔ、ペントキ
シ基；場合にょ多置換されていることのあるジフェニル
メトキシ基例えばジフェニルメトキシ基または４，４′
−ジメトキシジフェニルメトキシ基；低級アルケニルオ
キシ基特に２−低級アルケニルオキシＭＶＩＪえばアリ
ルオキシ基；低級アルコキシフェニル−低級アルコキシ
基例えば低級アルコキシヘンソンオキシ基例えばメトキ
シベンジルオキシ基（ここでメトキシ基は特に３−．４
−Ｓ−よｒド（または）５−位にある）、特に３−また
は４−メトキシペンゾルオキシ基または３，４−ノメト
キシペンジルオキシ基；または特にニトロペンノルオキ
シ基例えば４−ニトロにンジルオキシ基、２−ニトロベ
ンジルオキシ基または４，５−ジメトキシ−２−ニトロ
ペンノルオキシ基；またはフルフリル基例えば２−フル
フリルオキシ基である。 基ＲＡ２はさらに２位を低級アルキル基例えばメチル基
、低級アルコキシ基例えばメトキシ基またはエトキシ基
、アラルキル基例えばペンシル基またはアリール基例え
ばフェニル基によって場合により置換されていることの
ある、２−オクソエトキシ基および１位を低級アルキル
基例えばメチル基、低級アルコキシ力ルゲニル基例えば
メトキシカル♂二Ａ７ｆ、　低級アルキルカルビニル基
例えばメチルカルボニル基、アラルキル力ルゲニル基例
工ばヘンシルカルビニル基またはアリールカル＋ｌ−ニ
ル基例えばベンゾイル基によって置換されている２−オ
クソエトキシ基である。このようにＲ９は例えばアセト
ニルオキシ基、フェナシルオギシ基。 ２．４−ソオクソー３−ペントキシ基、１−メトキ力ル
ゲニルー２−オクソプロポキシ基または１−エトキシカ
ルビニル−２−オクソゾロポキシ基を意味する。基材は
また１−位および（または）２−位で例えば低級アルキ
ル基例えばメチル基またはアリール基例えば場合により
置換されていることのあるフェニル基によって場合によ
り置換されていることのある２−シアノエトキシ基であ
り、例工ば２−シアノエトキシ基または２−シアノ−２
−フェニルエトキシ基である。吋はまた２−（Ｓ　、）
（Ｓ２）（Ｓ３）−シリルエトキシ基であわ、ここで置
換基Ｓ４．Ｓ２およびＳ３はそれぞれ互いに独立に場合
によｌｉ換されていることのある炭化水素基であり、個
々の基はＣ−Ｃ単結合で結合している。炭化水素基Ｓ、
、　Ｓ２．　Ｓ５は例えばアルキル基、シクロアルキル
基またはアリール基であり、好ましくはこれらの基は炭
素原子を最大で１２個持ち、ある種の基は他の種の基ま
たは低級アルコキシ基例えばメトキシ基または・・ロダ
ン原子例えば弗素原子または塩素原子によって置換され
ていることかあり、特に炭素原子７個好ましくは４個ま
でを持つ低級アルキル基例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基またはブチル基；炭素原子７個までをもつシク
ロアルキル基例えばシクロプロピル基マたはシクロヘキ
シル基；シクロアルキルアルキル基例えばシクロフェニ
ルメチル基；炭素原子１０個までをもつアリール基例え
ばフェニル基、トリル基またはキシリル基；あるいはア
リール低級アルキル基例えばペンシル基ま宛はツーニル
エチル基である。この種の基Ｒ今のうちで特に注目すべ
きものは２−トリー低級アルキルエトキシ基例、ｔば２
−）リメチルシリルエトキシ基または２−（ツブチルメ
チルシリル）−エトキシ基および２−トリアリールシリ
ルエトキシ基例えば２−トリフェニルシリルエトキシ基
でアろう 吋はまた１構成員５〜７個をもつ２−オフサ−または２
−チア−シクロアルコキシ基または一シクロアルケニル
オキシ基、例えば２−テトラヒドロフリルオキシ基、２
−テトラヒドロピラニルオキシ基または２，３−ジヒド
ロ−２−ピラニルオキシ基または相応する４７基であっ
てもよく、またＲＣは基−Ｃ（＝Ｏ）−と−緒になって
活性化されたエステル基を形成し、それは例えばニトロ
フェノキシ基例えば４−ニトロフェノキシ基または２．
４−ジニトロフェノキシ基あるいはポリハロフェノキシ
基例えばペンタクロルフェノキシ基である。しかし弓は
また低級アルコキシ基例えばメトキシ基またはエトキシ
基であることがある。 有機シリルオキシ基または有機スタンニルオキシ基Ｒつ
は特に、好ましくは炭素原子１８個までを持つ場合によ
多置換されていることのある炭化水素基１〜３個によっ
て置換されているシリルオキシ基またはスタンニルオキ
シ基である。これは置換基として、好ましくは場合によ
り置換されている例えばメトキシ基のような低級アルキ
ル基または塩素原子のようなハロダン原子によって置換
されていることのある脂肪族、環脂肪、暎、芳香族また
はアリール脂肪族炭化水素基例えば低級アルキル基、ハ
ロー低級アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基ま
たはフェニル低級アルキル基金含有し、そして荷にトリ
ー低級アルキルシリルオキシ基例えばトリメチルシリル
オキシ基、ノ翫ロ低級アルコキシー低級アルキルシリル
オキシ基例えばクロルメトキシメチルシリルオキシ基；
またはトリー低級アルキルスタンニルオキシ例えばトリ
ーｎ−ブチルスタンニルオキシ基である。 基Ｒ′２は基−Ｃ（＝Ｏ）−と−緒になって場合によ多
置換されていることのあるヒドラゾノカルｄｅニル基を
形成し、例えばヒドラ・ジノ基または２−低級アルキル
ヒドラ・ジノ基例えば２−メチルヒドラジノ基である。 基材は好ましくは、中性、塩基性または生理学的条件下
で遊離の水酸基に変わることのできるものである。 塩は特に前記式■の化合物と酸性基例えばカル？キシ基
またはヒドロキシスルホニルオキシ基またはスルホ基と
の塩であり、特に金属またはアンモニウム塩例えばアル
カリ金属塩またはアルカリ土類金属塩例えばナトリウム
塩、カルシウム塩、マグネシウム塩またはカルシウム塩
；並びにアンモニア゛または適当有機アミン特に脂肪族
、１脂肪族、壇ｊ１旨肪−脂肪族またはアリール脂肪族
第一、第二または第三モノ、ジーまたはポリアミンとの
アンモニウム塩であり、あるいは塩形成に適する複素環
式塩基例えば低級アルキルアミン例えばトリエチルアミ
ン；ヒドロキシ低級アルキルアイ／１＠Ｌｔハ２−ヒド
ロキシエチルアミン、７−（２−ヒドロキシエチル）、
−アミンまたはトリー（２−ヒドロキシエチル）−アミ
ン；カルゲン酸の塩基性脂肪族エステル例えば４−アミ
ノ安息香酸２−ジエチルアミノエチルエステル；低級ア
ルキレンアミン例えば１−エチルピペリジン；シクロア
ルキルアミン例えばビシクロヘキシルアミン；マタはベ
ンジルアミン例えばＮ　、　Ｎ’−ノペンゾルエチレン
ジアミン；およびピリジン型の塩基例えばビリソン、コ
リジンまたはキノリンとのアンモニウム塩である。前記
式Ｉの化合物は塩基性基を持ち、例えば無機酸例えば塩
酸、硫酸またはリン酸とのあるいは適する有機カルメン
酸または有機スルホン酸例えばトリフルオロ酢酸または
ｐ＝）ルエンスルホン酸との酸付加塩を形成することも
ある。 酸性基と塩基性基とと持つ式Ｉの化合物はまた内部塩す
なわち双性イオンを形成する。薬学的に利用できる塩が
好゛ましい。 式■のペネム化合物において、５−および６−位の２つ
の非対称炭素原子はＲ−１Ｓ−またはラセミｎ、ｓ−配
列で存在する。化合物は好ましくは天然のペンシリンに
相等する５−炭素原子配列（ＳＲ−配列〕している。５
−および６−位の置換基は互いにシス−またはトランス
位の関係にある。 ペネム化合物は価値ある薬学的性質を持つかまたはその
ような性Ｓｉを持つ化合物の製造の中間体として使える
。式１の化合物はそのＲ３およびＲ１が前記の意味であ
シ、Ｒ２が水酸基またはエーテル化された水酸基Ｒｉで
あシカルゲニル基と一緒になってエステル化されたカル
ゲキシル基、これは好ましくは生理学的条件下で簡単に
分裂する、または塩形成基を持つ前記化合物の薬学的に
利用できる塩を形成し、抗バクテリア活性をもっている
。これらは例えばダラム陽性およびダラム陰性バクテリ
ア例えばスタフィロコカスオーレウス（５ｔａｐｈｙｌ
ｏｃｏｃｃｕｓ　ａｕｒａｕｓ　）およびペニシリン耐
性スタフィロコ力スオーレウス、ニスケリチアコリ（Ｅ
ａｃｈｅｒｉｅｈｉａ　ｃｏｌｔ　）　、グロテウスプ
ルガリス（Ｐｒｏｔｅｕｓ　ｖｕｌｇａｒｌｓ　）、シ
ェードモナスアエルギノサ（Ｐｓｓｕｄｏｍｏｎａｓ　
ａｅｒｕｇｉｎｏｓａ　）およびシェード七ナスアエル
ギノサＲの成長を抑制する。本発明による前記式Ｉの化
合物を使って、特定のバクテリアのディスブレート試験
で３紙上の０．５％ｄ度の溶液（直径６鵡）が直径約１
２〜３３調の抑制域を示した。 ペニシリンＶを同様に試験すると、ペニシリン感受性ス
タフィロコカス・オーレウス細菌の場合には直径２９〜
３３ｍ＋の阻止域を示し、ペニシリン耐バクテリアの場
合には最大で直径９〜１２＋＋１Ｉ１１の阻止域を示し
た。ペニシリンＶも慇ニジリンＧもシュードモナス・ア
エルヤノサには効果を示さない。 試験管中の抗バクテリア活性は、寒天希釈試験（Ｅｒ１
ｃｓｓｏｎによる）で確められ、ダラム陽性およびダラ
ム陰性ｃｏｃｃｉに対するＭＩＣ値は０．０６〜８　ｍ
ｃｇ　７ＦＩＬＬ　、グラム１衾注パシリ例えば）腸内
ａ菌、シェードモナスとハエモフィラス（Ｈｅａｍｏｐ
ｈｉｌｕａ）に対するＭＩＣ値は２〜１２８　ｍｃｇ／
ｍｌであることが確められた。 ストレゾトコカス・ビオｒネス・アロンソン（５ｔｒｅ
ｐｔｏｃｏｃｃｕａ　ｐｙｏｇｅｎｅｓ　Ａｒｏｎｓｏ
ｎ　）　Ｋよるねずみの系統感染において、本発明によ
る化合物の皮下投薬で約５０ＬｎＱＡ＆に対し約≦１の
Ｅｌ）５゜値であった。 特にシェードモナスアエルギノサに対する活性が注目さ
れる。 化合物はβ−ラクタマシスを抑制し、他のβ−ラクタム
抗生物質と連合して相乗効果を持つ。 これらの新規化合物特に好ましいもの、またはその薬学
的に利用できる塩は、単独にまたは曲の抗微生物剤と連
合して飼えば抗生物活性調合物の形で貯蔵用食料の為の
かいば添加物としてまたは殺菌剤として相応した系７統
感染または器官感染の治療に、使うことがある。 Ａｉｌ記式■で表わされる化合物（ここでＲおよびＲ１
は前記の意味をもち、場合にょシ存在する置換基は保護
されていることがあシ、Ｒ２は基−Ｃ（＝　Ｏ）−と−
緒になって、好”ましくは浦単に分裂できる保護されて
いるカルボキシル基を形成する基Ｒｌであり、このよう
に保護されているカルボキシル基は生理学的に分裂でき
るカルボキシル基とは異なる）は簡単な方法例えば次に
示す方法で前記の薬学的活性化合物に変えられる価値あ
る中間体である。 以下勇：白 好ましい２−Ｒｌ−６−Ｒａ−２−ペネム−３−カルボ
キシル酸化合物は特に、Ｒが、炭素原子４個までを持つ
低級アルキル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基
、イソプロピル基またはブチル基；炭素原子４個までを
持つ１−ヒドロキシ−低級アルキル基特にヒドロキシメ
チル基、１−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシプロ
ピル基または１−ヒドロキシイソグｄビル基；炭素原子
１０個までをもつフェニル低級アルキル基特にペンシル
基；炭素原子１０個までを持つフェニル低級アルカノイ
ルアセトキシ基；あるいは炭素原子４個までを持つ低級
アルコキシ基特にメトキシ基であシ；そしてＲ１が水素
原子：炭素原子４個までを持つ低級アルキル基特にメチ
ル基ニアミノ−低級アルキル基特にω−アミノ−低級ア
ルキル基（ここで低級アルキル基は炭素原子４個までを
持つ）、例えばアミノメチル基、アミノエチル基または
アミノグロビル基；低級アルカノイルアミノ−低級アル
キル基、例えばアセチルアミノメチル基、アセチルアミ
ノエチル基又はアセチルアミノプロピル基、低級アルキ
ルチオ基、特にエチルチオ基；資換されている、特にω
−位をアミン基、または低級アルカノイルアミノ基によ
ってｆｒＬ換されている低級アルキルチオ基、例えば２
−アミノエチルチオ基、２−アセチルアミノエチルチオ
基、３−アミノプロピルチオ基、または３−アセチルア
ミノプロピルチオ基である化合物、および塩形成基を持
つ前記化合物の塩特に薬学的に利用できる塩である。 実施例中に記載・されている、前記式Ｉで表わされる化
合物、その塩特に薬学的に利用できる塩が特に好ましい
。 その特に優れた抗バクテリア活性において、６−ニチル
ー２−（３−アミノグロビル）−２−−ｅネムー３−カ
ルゲン酸、特に相応する５に一化合物およびその薬学的
に利用できる塩が特別に注目される。 新規イリド化合物は、式 ％式％ （式中ＲａおよびＲ１は前記と同じ意味であり、とれら
の基の中の官能性基は好ましくは保護された形で存在す
るものとし、Ｒはカルビニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と−緒に
なって保護されたカルボキシル基を構成し、Ｚは酸素原
子またはイオウ原子であり、Ｘｅは３回置換されたホス
ホニオ基である）で表わされるイリド化合物を閉環し、
そして得られた化合物中の式−〇（＝Ｏ）−Ｒ企の保護
されたカルボキシル基を遊離カルボキシル基に変え、そ
して（または）所望によシ、得られた化合物において基
Ｒ１および（または）Ｒ１中の保護された官能基を遊離
官能基に変え、そして（または）所望によシ、塩形成基
をもつ得られた化合物を塩に変え、または得られた塩を
遊離化合物または他の異なる塩に変え、そして（または
）所望によシ、得られた異性体化合物の混合物を個々の
異性体に分離することによって製造する。 弐〇）の出発材料において、Ｒ，＃　Ｒ，およびＲ企は
特に好ましい意味をもつものであシ、それらの基におい
て官能性基は通常保護された形で存在する。例えばアミ
ン基はニトロ基またはアジド基の形で存在する。 式（Ｉｔ）の出発材料において、ｎＧは−Ｃ（＝Ｏ）−
基とともに特に穏和な条件下で分裂することのできるエ
ステル化されたカルボキシル基を形成するエーテル化さ
れた水酸基であることが好ましく、ここで場合によυカ
ル−キシル保護基ＲＧ中に存在することのある官能性基
はそれ自身公知の方法により、□例えば前記の方法によ
り保護されていることができる。基Ｒ夕はとシわけ低級
アルコキシ基特にはα−多分枝状低級アルコキシ基例え
ばメトキシ基またはｔ−ブトキシ基、低級アルケニルオ
キシ基特には２−低級アルケニルオキシ基例えばアリル
オキシ基、または２−ハロー低級アルコキシ基例えば２
，２．２−トリクロルエトキシ基、２−ブロム−エトキ
シ基または２−ヨードエトキシ基、２−低ｆ＆アルキル
スルホニルー低級アルコキシ基例えば２−メチルスルホ
ニルエトキシ基、場合により置換されていることのある
（例えば低級アルコキシ基例えばメトキシ基またはニト
ロ基含有の）１−７工ニルー低級アルコキシ基例えば前
記したとおシにし場合によ多置換されていることのある
ジフェニルメトキシ基またはベンツルオキシ基例工ばペ
ンシルオキシ基、４−メトキシベンジルオキシ基、４−
ニトロベンジルオキシ基、ジフェニルメトキシ基または
４．４′−ジメトキシジフェニルメトキシ基、ペンタク
ロルフェノキシ基、アセトニルオキシ基、２−シアノエ
トキシ基、２−　（Ｓ、）（Ｓ２）（Ｓ、）−シリルエ
トキシ基例えば２−トリメチルシリルエトキシ基、２−
（ジブチルメチルシリル）−エトキシ基または２−トリ
メチルシリルエトキシ基、２−（ジプチルメチルシリル
）−エトキシ基または２−トリフェニルシリルエトキシ
基、または有機シリルオキシ基またはスタニルオキシＭ
例えばトリー低級アルキルシリルオキシ基例えばトリメ
チルシリルオキシ基、または生理学的に分裂できる前記
エーテル化水酸基の１つである。 式（Ｉｔ）で表わされる出発材料中の基Ｘ′Ｉｌ″はク
ィテッヒ縮合反応においてなじみのホスホニオ基の１つ
であシ、特にトリアリール−例えばトリ７エ二ルーまた
はトリ低級アルキル−例えばトリブチルホスホニオ基で
ある。基Ｘｅとしてはトリフェニルホスホニノ基が好ま
しい。 式（ＩＩ）で表わされるホスホニオ化合物（これは異性
体イレン形でホスホラ／化合物とも称する）においては
、正電荷をもつホスホニオ基によって負電荷が中和され
る。 式（１Ｎ）は閉環が行われる形の出発材料を示す。通常
、酸二 以下ど１白 （式中、Ｘｌはトリ置換−特にはトリアリール−１例え
ばトリフェニル、またはトリ低級アルキル−１例えばト
リーｎ−ブチル−ホスホラニリデン基である） で表わされる相当するホスホラニリデン化合物が使用さ
れる。 閉環は自然にすなわち出発材料の製造中に行うこともで
き、または例えば約３０°Ｃ〜約１６０°Ｃ好ましくは
約り０℃〜約１００℃の温度範囲に加熱することによっ
て行うことができる。 反応は適当な不活性溶媒例えば脂肪族、脂環式または芳
香族炭化水素例えばヘキサン、ジクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンまタハメシチレン、ハロダン化
炭化水素例えば塩化メチレ／、エーテル例えばジエチル
エーテル、低級アルキレングリコールノー低級アルキル
エーテル例えばジメトキシエタンまたはジエチレングリ
コールジメチルエーテル、または環状エーテル例えばジ
オキサンまたはテトラヒドロフラン、カルボン酸アミド
例えばジメチルホルムアミド、ノー低級アルキルスルホ
キシド例えばジメチルスルホキシド、または低級アルカ
ノール例えばメタノール、エタノールまたはｔ−ブタノ
ール、またはそれ等の混合物の存在下で、必要によシネ
活性ガス雰囲気下例えばアルゴンまたは窒素雰囲気下で
行うことが好ましい。 本発明において得られ式−ｃ（＝ｏ）−吋で表わされる
保護殊にエステル化されたカルボキシル基をもつ式（１
）の化合物において、これをそれ自体公知の方法によっ
て、例えば保護基の種類によって、遊離カルボキシル基
に変える。適当な２−へロｒノ低級アルキル基、アリー
ルカル♂ニルメチル基または４−ニトロベンジル基でエ
ステル化されたカルボキシル基はこれを例えば化学的還
元剤例えば亜鉛のような金属または２価クロム塩例えば
２価クロムの塩化物のような還元性金属塩で、一般にそ
の金属によって発生期の水素を生成することのできる水
素給体例えば酸主に酢酸またはぎ酸あるいはアルコール
（好ましくはこれらに水を加える）の存在の下で処理す
ることによって遊離のカルボキシル基に変えることがで
き、またアリールカル？ニルメチル基でエステル化され
たカルボキシル基はこれをナトリウムチオフェノラート
またはヨウ化ナトリウムのような親核性の好ましくは塩
形成性の反応剤で処理することによって遊離のカルボキ
シル基に変えることができ、または４−テトロベンジル
基でエステル化されているカルがキシル基は亜ニチオン
酸アルカリ金属塩例えば亜二チオン酸ナトリクムで処理
することによって遊離のカルボキシル基に変えることが
できる。２−低級アルキルスルホニルー低級アルキル基
によってエステル化されているカルボキシル基は例えば
塩基性剤例えば以下に更に記載する親核性反応性塩基の
１つで処理することによって脱離または除去することが
できる。また適当なアリールメチル基でエステル化され
たカルボキシル基はこれを例えば照射によって〔好まし
くはそのアリールメチル基が３−２４−および（または
）５−位置において例えば低級アルコキシ基および（ま
たは）ニトロ基で置換されている場合のあるベンジル基
であれば例えば２９０ｍμ以下の紫外線を使いそしてそ
のアリールメチル基が例えば２−位置でニトロ基によっ
て置換されたベンジル基であれば例えば２９０ｍμ以上
の長波長紫外線を使う〕、また１−ブチル基やジフェニ
ルメチル基のような適当に置換されたメチル基でエステ
ル化されたカルボキシル基はこれを例えばぎ酸またはト
リフルオル酢酸のような適当な酸性剤で、場合によって
はフェノールやアニソールのような親核性化合物を加え
て処理することによって、そしてまた水素添加分解で分
裂できるエステル化されたカルボキシル基例えばペンジ
ルオキシカルボニルＸｔたは４−ニトロベンジルオキシ
カルー−ニル基はこれを例えばパラジウム触媒のような
貴金属触媒の存在下で水素で処理する水素添加分解によ
って脱離または除去することができる。 更に低級アルケニル基例えば２−低級アルケニル基特に
アリル基でエステル化されたカルボキシル基は例えばオ
ゾンで処理し続いて還元剤例えばジメチルスルフィドで
処理することによって酸化的にホルミルメトキシカルブ
ニル基に変えることができ、これから塩基例えばジメチ
ルアミンのような第２アミンで処理することによってカ
ルボキシル基を脱離することができる。２−低級アルケ
ニルオキシカルボニル基例えばアリルオ中シカルビニル
基は例えばジメチルスルホキシド中でトリス−トリフェ
ニルホスフィンロジウムクロリド、木炭上・母ラジウム
またはアルカリ金属−低級アルカノ−ル例えばカリウム
ｔ−ブチラードで処理することによって１−低級アルケ
ニルオキシカルＭニル基を形成して異性体化することが
でき、これを弱酸性または弱塩基性条件下で加水分解的
に脱離することができる。場合によシ低俵アルキル基ま
たはアリール基で２−位置が置換されていることのある
２−オキソエトキシカルボニル基または２−シアノエト
キシカルボニル基例えばアセトニルオキシ力ルゲニル基
または２−シアノエトキシカルぎニル基は穏和な条件下
すなわち室温または冷却下で適当な塩基で処理すること
によって前記カルがキシル基の相当する塩に変えること
ができ、これから酸化によって遊離のカルボキシル基を
得ることができる。適当な塩基とは親核性反応性金属例
えばアルカリ士金属そして特にはアルカリ金属または塩
基例えば相当する水酸化物、炭酸基、重炭酸塩、アルコ
キシド、フェノラート、メルカプチド、チオフェノラー
トまたはアミド例えば水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウ
ム、取炭酸ナトリクム、ナトリワムエタノラート、ナト
リウムチオフェノラート、ナトリクムアミドまたはナト
リクムモルホリド、あるいは相当するリチウムまたはカ
リウム化合物であシ、これらは水中または水性あるいは
水散基含有または極性不活性溶媒（引続き水で処理）中
で使用する。２−シアノエトキシカルボニル基の脱離に
は、第３アミン例えばトリー低級アルキルアミン例えば
トリエチルアミンまたはヒュニヒ（Ｈも°ｎｉｇ）塩基
、または環状アミン、二環式アミンまたはイミン例えば
Ｎ−メチルモルホリンまたは１，５−ジアザビシクロ（
５，４，０）−ウンデセ−５−エンを不活性溶媒例えば
塩化メチレンまたはテトラヒト９０フラン中で使用する
こともでき、ここで前記カルがキシル化合物の相当する
アンモニウム埴が直接イ４．られる。置換されたシリル
エトキシカルボニル基はフッ化物アニオンを発生するフ
ッ化水素酸の地例えばアルカリ金属フルオリド例えばフ
ッ化ナトリクムまたはフッ化カリウムによって大環状ポ
リエーテル（クラクンエーテル）の存在下で処理１ノす
るが、または有機第４塩基の７フ化物例えばテトラアル
キルアンモニウムフルオリドまたはトリアルキルアリー
ルアンモニウムフルオリド例えばテトラエチルアンモニ
ウムフルオリドまたはテトラプチルアンモニウムフルオ
リドによって非プロトン性極性溶媒例えばジメチルスル
ホキシドまたはＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミドの存在下
で処理することによって遊離のカルボキシル基に変える
ことができる。ペンタクロルフエノキシカルゼニル基は
穏和な条件下で例えば重炭酸す）　ＩＪウム溶液または
重炭酸ナトＩＪウム溶液によシまたは水の存在下の有様
塩基によって遊離のカルボキシル基に質えることができ
る。 保護例えばシリル化またはスタニル化によって保護され
ているカルボキシル基は、とれを常法によって例えば水
またはアルコールで処理する加溶媒分解によって遊離す
ることができる。 本発明方法ならびに所望によりまたは必要によっては行
うことのできる追加工程においては、必失ならば反応に
関与しない遊離の官能性基を、例えば遊離アミン基はこ
れを例えばアシル化、トリチル化またはシリル化によっ
て、遊離水酸基はこれを例えばエーテル化またはエステ
ル化（シリル化を含む）によって、予じめそれ自体公知
の方法によりて一時的に保護し、そして反応終了後にそ
れ自体公知の方法によってそれらの基を所望ならば個別
にまたは同（寺に遊離させることができる。 例えば出発材料におけるアミン基、水酸基またはカルボ
キシル基を例えば前記のようなアシルアミノ基例えば２
．２．２−トリクロルエトキシカルボニルアミノ基、２
−ブロムエトキシカルがニルアミノ基、４−メトキシペ
ンジルオキシカルメ二ルアミノ基またはｔ−ブトキシカ
ル７１ｅニルアミノ基の形で、アリールチオアミノ基ま
たはアリール低、ｙ、１アルキルチオアミノ基例えば２
−ニトロフェニルチオアミノ基の形で、アリールスルホ
ニルアミノ基例工ば４−メチルフェニルスルホニルアミ
の基の形で、１〜低級アルコキシカルビニルー２−グロ
ビリデンアミノ基の形で、０−ニトロフェノキシアセチ
ルアミノ基の形で、前記のようなアシルオキシ基例えば
ｔ−プトキシ力ル〆ニルオキシ＝＋、２１２．２−トＩ
Ｊクロルエトキシ力ルデニルオキシ基、２−ブロムエト
キンカルツクニルオキシ２ｕ−Ｊ’ｃｉｊｐ−ニトロペ
ンシルオキシカルボニルオキシ基の形または相当するア
シルチオ基の形で、前記のようなエステル化されたカル
ぜキシル基例えば
【−ブトキシカル？ニルオキシ基、２
，２．２−トリクロルエトキシカル？ニルオキシ基、２
−ブロムエトキシ力ルゲニルオキシ基またはｐ−ニトロ
ペンジルオキシカルボニルオキシ基の形で、前記のよう
なエステル化されたカルボニル基例えばジフェニルメト
キシカルボニル基、ｐ−ニトロベンジルオキシカルがニ
ル基、アセトニルオキシカルボニル基または２−シアノ
エトキシカルビニル基の形でそれぞれ保護し、そして反
応終了後に遊離化し、その保護基を変換してから利用す
る。 例えば２，２．２−）リクロルエトキシカルデニルアミ
ノ基または２−ヨードエトキシカルゲニルアミノ基また
は同様にｐ−ニトロペンノルオキシカル＆ニルアミノ基
はこれを含水酢酸の存在下での亜鉛のような適当な還元
剤でまたはツクラジウム触媒の存在下の水素で処理し、
ジフェニルメトキシカルブニルアミノ基やｔ−ブチルカ
ルボニルアミノ基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸
で処理し、アリールチオアミノ基やアリール低級アルキ
ルチオアミノ基はこれを亜硫酸のような親核性剤で処理
し、了り−ルスルホニルアミノ基はこれを電解還元によ
って、１−低級アルコキシカル？ニルー２−プロピリデ
ンアミノ基はこれを鉱に水溶液で処理し、ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢
酸で処理し、２．２．２−ト！Ｊクロルエトキシカルボ
ニルオキシｘｔ　たはｐ−ニトロペンジルオキシカルボ
ニルオキシ基はこれを含水酢酸の存在下での亜鉛のよう
な化学的還元剤で処理するかまたはパラジウム触媒の存
在下の水素で処理し、ジフェニルメトキシカルボニル基
はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸で処理するかまた
は加水分解し、アセトニルオキシカルボニル基またはシ
アノエトキシカルビニル基はこれを塩基例えば重炭酸ナ
トリウムまたは１，５−ジアゾジシクロＣ５，４，０）
ウンデセ−５−エンで処理し、所望ならば各場合に段階
において分裂することができる。 本発明によって得られる化合物中、それ自身公知の方法
により、ニトロ暴またはアシド基は例えば接触活性水素
例えばノ４ラジウムまたは白金オキシド触媒による水素
で処理してアミノ基に変えることができる。前記の各後
続反応は基Ｒ，および基Ｒ１中の適切な部位においてと
もに行うことができる。 式（１）の化合物の塩はそれ自体公知の方法によって製
造される。例えば酸基をもつ前記化合物の塩は例えば適
当なカルデン酸のアルカリ金属塩のような金属化合物例
えばα−エチルカプロン酸のナトリウム塩またはアンモ
ニアまたは適当な有機アミンで処理することによって生
成することができる。この場合、その塩形成剤を化学量
論的量または僅かに過剰な量で使うのが好ましい。式（
Ｉ）のカルゲン酸の塩は塩基性条件下で除去することの
できるような化合物の前記エステル例えば２−シアンエ
チルエステルまたはアセトニルエステルを塩基性条件下
で除去することによって得ることができる。また、塩基
性基をもつ式（りの化合物の酸付加塩は常法によって、
例えば酸または適当な陰イオン交換剤で処理することに
よって得られる。例えば塩形成アミン基と遊離カルボニ
ル基とをもつ式（Ｄの化合物の分子内塩は、例えばその
酸付加塩のような塩を等電点まで例えば弱塩基で中和す
るかまたは液状イオン交換剤で処理することによって生
成される。塩形成基をもつ式（Ｉ）の化合物の１−オキ
シドの塩も同様の方法で製造することができる。 塩はこれを常法によシ遊離化合物に変えることができる
。例えば、金属塩およびアンモニウム塩を適当な酸で処
理することによって、また酸付加塩を例えば適当な塩基
性剤で処理することによって、遊離化合物に変えること
ができる。 得られた異性体混合物は、これをそれ自体公知の方法に
よって、例えばノアステレオマ−異性体の混合物を分別
結晶化、吸着クロマトグラフィ（カラムクロマトグラフ
ィまたは？４７Ｍクロマトグラフィ）または他の適当な
分離方法によって個々の異性体に分けることができる。 得られたラセミ体は、これを常法によって、適当ならば
適当な塩形成基を導入した後に、例えばノアステレオマ
−塩混合物を生成し、この光学活性塩を遊離化合物に変
えることによって、または光学活性の溶媒から分別結晶
化することによって、個々の対掌体に分けることができ
る。 得られる化合物のすべての後続変換反応において、好ま
しい反応は中性、アルカリ性または弱塩基性条件下で行
うものである。 本発明は、その工程で中間体として生成する化合物を原
料として使いそして残シの工程段階を行うかまたはその
工程を任意の段階で中断するような具体例をも包含する
。さらに、原料を誹導体の形で使うことができるしまた
は場合によりその反応条件下でその場で生成させること
ができる。 例えば式（［１）において２が酸素原子である出発材料
は、前記の工程段階２．５で示した方法と同様にして、
式（■）において２が場合により置換されていることの
あるメチリデン基である化合物からオゾン化しそして形
成されたオシニドを続いて還元することによってその場
で生成することができる。 その際、特にＲ１が水素原子である場合には、式（１）
の化合物の環化は反応溶液中で行なう。 式ａｌ）の出発化合物および第１次段階の出発化合物は
例えば以下の反応図式１．２および３によって製造する
ことができる。 反応方式１ 前記反応方式１の式（ｆＶ）、（Ｖ）、（■）および（
ＩＩ）の化合物ならびに反応図式２の式（Ｘａ　）、（
ＸＩ）、（Ｘｌｌ）および（ｆＶａ　）の化合物におい
て２′は酸素原子またはイオワ原子であるかあるいは特
にＲ４が水素原子であるときには場合によ多置換基Ｙの
１個または２個によって置換されていることのあるメチ
リデン基であシ、これは酸化によってオキソ基２に変え
ることができる。前記メチリデン基の置換基Ｙは有機基
例えば前記Ｒ，Ｋついて記載した有機基の１つ例えば前
記の低級アルキル基、またはフェニル−低級アルキル基
の１つ、そして特にはエステル化されたカルブキシル基
である。光学活性アルコール例えばｔ−メントールによ
るエステル化も含まれる。前記メチリデン基は前記置換
基を１個担持することが好ましい。２−メトキシカルボ
ニルメチリデン基および２−（／、）−メンチルオキシ
カルゲニルメチリデン基２′は特記に値する。後者は式
（ＩＶ）〜（Ｖｌ）および（ｎ）の光学活性化合物の製
造に使うことができる。 段階１，１ 式（■）のチオアゼチジノ゛ンは式（ＩＩＩ）の４−Ｗ
−アゼチジノン〔ここでＷは核脱離性（ｎｕｅｌｅｏｆ
ｕｇｓｌａａｖｉｎｇ）基である〕はこれをメルカプト
化合物Ｒ，−Ｃ（−Ｚ’）−８ｌ（または塩例えばアル
カリ金属塩例えばそのナトリクム塩またはカリウム塩で
処理し、そして所望によシ得られた異性体混合物を個個
の異性体に分離し、そして（または）所望により、場合
によ多置換されていることのあるメチリデン基２′をオ
キソ基２に変えることによって得る。 式（１）の出発材料中の疎核脱離性（ｎｅｅｌｅｏｆｕ
ｇｅｌｅａｖｌｎｇ）基Ｗは親核性基Ｒ１−Ｃ（＝ｚ’
　）−ｓ−によって置換させることのできる基である。 この基Ｗハ例工ばアシルオキシ基、スルホニル基Ｒ６−
５Ｏ２−（Ｒｏは有機基である）、アジド基またはハロ
ダン原子である。アシルオキシ基Ｗにおいてアシル基は
有機カル４ぐン酸（光学活性のカルダン酸を含む）の雀
であシ、そして例えばアシル基ｇ、−ｃｏ−（ここでＲ
１は水素原子であるかまたは炭素原子と結合した前記有
機基の１つ、例えば前記した、場合によ多置換されてい
ることのある低級アルキル基、シクロアルキル基、シク
ロアルキル−低級アルキル基、フェニル基またはフェニ
ル−低級アルキル基である）と同じ意味である。スルホ
ニル基Ｒ０−８ｏ２−においてＲ６は例えば場合によ多
置換されていることのある炭素原子１２個までをもつ脂
肪族、芳香脂肪族または芳香族炭化水素基であシ、そし
て特には低級アル中ル基例えばメチル基、エチル基また
・は光学活性基によって置換されたメチル基例えばカム
ホリル基、またはベンジル基、フ・エニル基またはトル
イル基である。ハロゲン基Ｗは臭素原子、ヨウ素原子ま
たは特に塩素原子である。Ｗはアセトキシ基または塩素
原子であることが好ましい。 親核置換は水および場合によ多水混和性有機溶媒の存在
下で中性または弱塩基性条件下で実施することができる
。塩基性条件は例えば無機塩基例えばアルカリ金属のま
たはアルカリ土金属の水酸化物、炭酸塩または重炭酸塩
例えばす）　ＩＪウム、カリウムまたはカルシウムの水
酸化物、炭酸塩または重炭酸塩を加えることによって調
えることができる。便用することのできる有機溶媒は例
えば水混和性アルコール例えば低級アルカノール例えば
メタノールまたはエタノール、ケトン例えば低級アルカ
ノン例えはアセトン、アミド例えば低級アルカンカル？
／酸アミド例えばジメチルホルムアミド等である。反応
は通常室温で行うが、習めたまたは低めた温度で行うこ
ともできる。前記反応はヨウ化水素酸またはチオシアン
酸の塩例えばナトリウム塩のようなアルカリ金属塩を加
えることによって促進させることができる。 式（ＩＩＩ）の光学不活性のシス−またはトランス−化
合物およびその混合物もまたは相当する光学活性化合物
もどちらも反応に使用することができる。 導入される基Ｒ１−Ｃ（−Ｚ’）−８−はＷが８８基に
対するシスー位にあるかトランス−位にあるかに関りな
く、基Ｒ１によって特にはトランス−位に導かれる。ト
ランス型異性体が圧倒的に形成されるが、場合によシシ
ス型異性体も分離される。シス型およびトランス型異性
体の分離は通常の方法特にクロマトグラフィおよび（ま
たは）結晶化によって行う。 メチリデン基２′のオゾン化は以下に記載するようにし
て実施することができる。式（ＩＶ）の得られたラセミ
体は光学活性化合物に分離することができる。 式（■）の化合物は新規である。 式（ｆＶ）に含まれる式（■＆）の光学活性化合物は以
下に記載する反応図式２によって製造することもできる
。 式（ＩＩＩ）においてＲ８がメチル基であシ、Ｗがアセ
トキシ基、フェニルスルホニル基またはカムポル−１０
−スルホニル基であるアゼチジノンは公知である（ドイ
ツ国特許公開第１，９０６，４０１号明細書またはに、
　Ｃ１ａｕ＋！ａ等のＬｉｅｂｉｇｓ　Ａｎｎ。 Ｃｈｅｍ、　１９７４年、第５３９〜５６０頁）。その
他の式（ＩＩＩ）の化合物は新規である。前記化合物は
それ自身公知の方法で製造することができる。 式（１）のアゼチジノンは例えば相当して置換さレテい
ルビニルエステルにクロルスルホニルイソシアネートを
加え、続いてクロルスルホニル基を除去することによっ
て製造する。この合成法によると通常はシス型およびト
ランス型異性体が得られ、これらは所望によシ例えばク
ロマトグラフィおよび（または）結晶化または蒸留によ
って純粋なシス型またはトランス型異性体に分けること
ができる。この純粋なシス型またはトランス型異性体は
ラセミ混合物の形で存在し、そして例えば式（ＩＩＩ）
の化合物におけるアシルオキシ基のアシル基が光学活性
の酸に由来する場合はそれらの光学的対掌体に分けるこ
とができる。式（ＩＩＩ）に含まれる式（Ｉ［ｌａ）の
光学活性化合物は後に記載する反応図式３によって製造
することができる。 段階１．２ 式（Ｖ）のα−ヒドロキシカルゴン酸は式０ＨＣ−ｃ（
＝ｃ）−Ｒ企のグリオキル酸またはその適当な誘導体例
えば水和物、半水和物またはセミアセタール例えばメタ
ノールやエタノールのような低級アルカノールとのセミ
アセタールと式（■）の化合物とを反応させ、そして所
望により、こうして得られた異性体混合物を個々の異性
体に分け、そして（または）所望により、場合によジ置
換されていることのあるメチリデン基Ｚ′をオキソ基２
に変えることによって得られる。 化合物（Ｖ）は通常２種の異性体（基”：；ｃＨ−ＯＨ
に関して）の混合物として得られる。しかしながらこれ
らを純粋な異性体に分けることができる。 グリオキシル酸エステル化合物によるラクタム環の窒素
原子への付加反応は室温または所要により例えば約１０
０°Ｃに加熱しながら、そして実際の縮合剤の不在下で
、そして（または）塩を形成させずに実施する。グリオ
キシル酸化合物の水和物を使用すると水が生成し、これ
は所要によシ蒸留例えば共沸蒸留によシ、または適当な
脱水法例えば分子ふるいによって除去する。前記反応は
適当な溶媒例えばジオキサン、トルエンまたはジメチル
ホルムアミドまたは溶媒混合物の存在下で、所望または
所要によシ、不活性ガス雰囲気下例えば窒素雰囲気下で
行うことが好ましい。 式（ＩＶ）の光学不活性な純粋のシス型またはトランス
型異性体およびその混合物あるいは相当する光学活性化
合物はどちらも前記反応に使用することができる。得ら
れた式（りのラセミ体化合物は光学活性化合物に分ける
ことができる。 段階１．３ 式（■）の化合物（Ｘ　は反応性にエステル化された水
酸基特にはハロダン原子または有機スルホニルオキシ基
である）は式（Ｖ）の化合物における第２水酸基を反応
性にエステル化された水酸基特にハロダン原子例えば塩
素原子または臭素原子に変えるかまたは有機スルホニル
オキシ基例えば低級アルキルスルホニルオキシ基例えば
メチルスルホニルオキ７基またはアリールスルホニルオ
キシ基例／１Ｊｆ４−メチルフェニルスルホニルオキシ
基に変え、所望によシ、得られた異性体混合物を個個の
異性体に分け、そして所望によシ、場合によりｔ換され
ていることのあるメチリデン基２′をオキソ基２に変え
ることによって得られる。 化合物（■）は２種の異性体（基、ＣＨ””　Ｘ　ｏに
関して）の混合物の形で、または純粋な異性体の形で得
ることができる。 前記反応は適当なエステル化剤で処理し、例えばハロダ
ン化剤例えばチオニルハライド（例えばクロリド）、ホ
スホラスオキシハライド（例えばクロリド）またはハロ
ホスホニウムハライド（例えはトリフェニルホスフィン
ジプロミドまたはジョーディト）、および適当な有機ス
ルホン酸ハライド（例えばクロリド）を好ましくは塩基
剤特には有機塩基剤例えば脂肪族第３アミン〔例えばト
リエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン”まりは
ポリスチレンーヒュニッヒ（Ｈｕｎ　ｉｇ　）　塩ａ　
）またはピリジン型の複素環式塩基（例えばピリジン捷
たはコリジン）の存在下で使用することによって実施す
る。前記反応は適当な溶媒例えばジオキサンまたはテト
ラヒドロフランまたは溶媒混合物の存在下で、所要によ
シ冷却しながらそして（または）不活性ガス雰囲気下例
えば窒素雰囲気下で行うことが好ましい。 こうして得られた式（■）の化合物において反応性にエ
ステル化された水酸基Ｘ　をそれ自身公知の方法によっ
て他の反応性にエステル化された水酸基に変えることが
できる。例えば塩素原子は相当する塩素化合物を適当な
臭素剤またはヨウ素剤特に無機臭化物塩またはヨウ化物
塩例えばリチウムプロミドによって、好ましくは適当な
溶媒例えばエーテルの存在下で処理することによって臭
素原子またはヨウ素原子に変えることができる。 式（Ｖ）の光学不活性な純粋のシス型またはトランス型
異性体およびその混合物あるいは相当する光学活性化合
物はどちらも前記反応に使用することができる。得られ
た式（■）のラセミ体化合物は光学活性化合物に分ける
ことができる。 段階１．４ 式（ｎ）の出発材料は式（■）の化合物（Ｘは反応性に
エステル化された水酸基である）と適当なホスフィン化
合物例えばトリー低級アルキルホスフィン例えばトリー
ｎ−ブチルホスフィ／またはトリアリールホスフィン例
えばトリフェニルホスフィンとを、または適当なホスフ
ァイト化合物例えばトリー低級アルキルホスファイト例
えばトリエチルホスファイトまたはアルカリ金属ジメチ
ルホスファイトとを反応させ〔ここで反応剤の選択によ
って式（ＩＩＡ）または（ＩＩＢ）の化合物を得ること
ができる〕、そして所望により、場合によ多置換されて
いることのあるメチリデン基２′をオキソ基２に変える
ことによって得られる。 前記反応は好ましくは適当な不活性溶媒例えば炭化水素
例えばヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン
またはキシレン、あるいはエーテル例えばジオキサン、
テトラヒドロフランまたはジエチレングリコールツメチ
ルエーテルまたは溶媒混合物の存在下で行う。反応性に
依って、前記の操作は冷却しながらまたは高めた温度、
約−１０〜１００℃好ましくは約２０〜８０℃でそして
（または）不活性ガス雰囲気下例えば窒素雰囲気下で行
う。酸化反応を防ぐために、酸化防止剤例えばヒドロキ
ノンの触媒量を加えることができる。 ホスフィ／化合物を使う場合は、前記反応は通常塩基剤
例えば有機塩基例えばアミン例えばトリエチルアミン、
ジイソプロピルエチルアミンまたはポリスチレンーヒュ
ニヒ塩基の存在下で実施する。こうして式（ＨＡ）のホ
スホラニリデン出発材料（相当するホスホニウム塩から
形成される）が直接得られる。 式（Ｍ）の光学不活性な純粋のシス型またはトランス型
異性体およびその混合物あるいは相当する光学活性化合
物はどちらも前記反応に使用することができる。得られ
た式（Ｉｔ）のラセミ体化合物は光学活性化合物に分け
ることができる。 式（Ｉｔ）〜（Ｖｌ）の化合物においてＲ１は好ましく
は環炭素原子に炭素原子を介して結合している前記の有
機基の１つであるかまたはエーテル化された水酸基であ
シ、ここで前記Ｒａ中に場合により存在することのある
官能性基は保護された形であることが好ましい。 前記シス−トランス化合物を純粋なシス−およびトラン
ス異性体に分けるには通常の分別方法例えばクロマトグ
ラフィーおよび（または）蒸留または結晶化による。 前記ラセミ体化合物はそれ自身公知の方法によって光学
的対掌体に分ける。 前記のある方法はラセミ体化合物と光学的に活性な助剤
とを反応させ、２種のノアステレオマ−異性体化合物の
得られた混合物を適当な物理／化学的方法によって分け
、そして個々のノアステレオマ−異性体混合物を光学活
性化合物に分離することから成る。 対掌体に分離するのに特に適したラセミ体化合物は酸性
基をもつラセミ体化合物例えば式（１）の化合物のラセ
ミ体化合物である。その他前記のラセミ体化合物は簡単
な反応によって酸性化ラセミ体化合物に変えることがで
きる。例えばアルデヒド基またはケト基をもつラセミ体
化合物は酸基をもつヒドラノン誘導体例えば４−（４−
カルボキシフェニル）−セミカルバジドと反応させて相
当するヒドラゾン誘導体を生成し、またアルコール基を
もつ化合物はシカルアトン酸無水物例えばフタル酸無水
物と反応させて酸性化セミエステルのラセミ体化合物を
生成する。 これらの酸性化ラセミ体化合物は光学活性塩基例えば光
学活性アミノ酸のエステルまたは（→−プルシン、（→
−キニノン、（→−キニ／、（ト）−シンコニン、（→
−デヒドロアビエチルアミン、←）−および←）−エフ
ェドリン、（→−および（→−１−フェニルエチルアミ
ンまたはそれらのＮ−モノまたはＮ、Ｎ−ノアルキル化
誘導体と反応させ、２種のノアステレオマ−異性体塩か
ら成る混合物を生成することができる。 カルボン酸を含むラセミ体化合物例えば官能性に変性さ
れたカル？キシメチリデン基２′を含むラセミ体化合物
においては、このカルボキシル基は光学的に活性なアル
コール例えば（→−メントール、（＋）−ボルネオール
、または（＋）−まだは（−）−２−オクタツールによ
って既にエステル化されていてもよく、またエステル化
を行ってもよく、そして続いて所望のノアステレオマ−
異性体の分離後に、カルボキシル基を遊離化するかまた
はエステル化されたカルボキシル基例えばエステル化さ
れたカルメキシメチリデン基を含む分子部分を除去する
。。 水酸基を含むラセミ体化合物は同様にして光学的対掌体
に分離することができる。この場合、特ニ前記アルコー
ルとノアステレオマ−異性体化エステルを形成する光学
的に活性な酸またはその反応性官能性誘導体を使用する
。前記の酸は例えば（→−アビエチン酸、Ｄ（→−およ
びＬ（→−リンコ酸、Ｎ−アシル化された光学活性アミ
ノ酸、←）−および（→−カンファン酸、（→−および
（→−ケトピン酸、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、（＋）
−樟脳酸、（＋）−樟脳−１０−スルホン酸（ロ）、←
）−またけ（→−α−ブロム樟脳−π−スルホン酸、Ｄ
（→−キナ酸、Ｄ　（−）−イソアスコルビン酸、Ｄ（
→−およびＬ　（＋）−マンデル酸、（＋）−１−メン
トキシ酢酸、Ｄ（→−およびＬ←）−ａ５酸およびそれ
らのジー〇−ベンゾイルおよびジー０−ｐ−トルイル誘
導体である。前記光学活性酸のアシル基は例えば式（ｉ
ｌｌ）の化合物中のアシル基としてまたは式（■）およ
び（■）〜（Ｖりの化合物中のａ、　−Ｃ（−Ｏ）−と
して存在することができ、そして前記化合物のラセミ体
の分離を可能にすることができる。所望または所要によ
シ、ラセミ体化合物の分離が終了した際は、光学活性基
ｇ１−ｃ（−ｏ）−を所望の光学不活性基Ｒ，−Ｃ（＝
Ｏ）−に変えることができる。 水酸基を含むラセミ体化合物は例えば光学的に活性なイ
ンンアネート例えば（＋）−または（→−１−フェニル
エチルイソチアネートと反応させることによってノアス
テレオマ−異性体化ウレタンの混合物に変えることがで
きる。 塩基性のラセミ体化合物は光学活性の酸とノアステレオ
マ−異性体化塩を形成することができる。 ２種結合を含むラセミ体化合物は例えば塩化白金および
（→−１−フェニルー２−アミノゾロパンによりジアス
テレオマー異性体化錯塩に変えることができる。 物理／化学的方法特に分別結晶はノアステレオマ−異性
体化混合物の分離に適している。しかしながらクロマト
グラフィー法とシわけ固相一液相クロマトグラフィーを
使うこともできる。容易に揮発するジアステレオマー異
性体化混合物は蒸留またはガスクロマトグラフィーによ
って分けることもできる。 分離したジアステレオマー異性体を光学活性出発材料に
分けるのも同様に通常の方法によって行う。酸または塩
基を例えば各々それよりも強い酸または塩基で処理する
ことによって塩から遊離化する。所望の光学活性化合物
は例えばアルカリ加水分解によりまたは水素化物錯塩例
えば水素化リチウムアルミニウムによる還元によジエス
テルおよびウレタンから得られる。 ラセミ体化合物を分離する他の方法は光学活性吸収層例
えば甘蔗糖上のクロマトグラフィーから成る。 第３の方法によればラセミ体化合物を光学活性、容媒中
に溶かすことができ、よシタ１ε溶性の光学的対掌体を
析出する。 ４番目の方法は生物学的材料例えば微生物または分離さ
れた酵素に関する光学的対掌体の反応性の差を利用する
。 第５の方法によれば、ラセミ体化合物を溶解し、前記の
各方法によって得られた光学活性生成物を少計注入して
光学的対常体の一方を析出する。 本発明で使用することのできる式（■ａ）の光学活性ト
ランス−化合物は以下の反応方式によって生成すること
もできる。 反応力式２ ％式％ 段階２．１ 式（■）ノベニシラン酸化合物のオキシドは式（■）の
４ニジラン酸化合物の１−位を酸化することによって得
る。前記酸化はそれ自身公知の方法によシ適当な酸化剤
例えば過酸化水素または無機または有機の過酸によって
行う。適当な無機過酸は例えば過ヨウ素酸または過硫酸
である。適当な有機過酸は例えば過カルボン酸例えば過
ぎ酸、過酢酸、トリフルオロ過酢酸、過マレイン酸、過
安息香酸またはモノ過７タル酸、または過スルポン酸例
えばｐ−）ルエン過スルホン酸である。過酸は過酸化水
素と相当する酸とからその場で生成することもできる。 酸化は穏和な条件下例えば約−５０〜約＋１００℃好ま
しくは約−１０〜約＋４０℃で不活性溶媒中で実施する
。 式（■１）においてＲ１が７エノキシ基またはメトキシ
基であり、Ｒ８がメトキシ基であるラセミ体１−オキシ
ドは公知である（　Ａ、に、　Ｂａ５ｅ等のＴｅｔｒａ
ｈｅｄｒｏｎ　２８．５９７７．１９７２年）。式（■
）の光学活性化合物は新規であり、本発明の一部分を構
成する。 式（■）の出発化合物は公知であるかまたは公知の方法
によって製造することができる。例えばり、　Ｈａｕ＋
ｓｅｒおよびＨ，Ｐ、　５１ｇｇのＨｅ１ｖ、　Ｃｈｉ
ｍｉｃａＡｃｔａ　５０．１３２７（１９６７年）によ
って６−ジアシペニシラン酸エステル（これは場合によ
ジローアミノ−ペニシラン酸エステルと亜硝酸とからそ
の場で生成する）と水または弐Ｈ−Ｒ，の酸またはアル
コールとを反応させることによって得ることができる。 式（■）の化合物（Ｒａはアシルオキシ基である）は同
様にり、Ｈａｕｓｅｒによシ相当する６α−または６β
−Ｎ−二）ロソアシルアミノペニシラン酸エステルを不
活性溶媒中で熱分解することによって得ることができる
。式（■）の化合物（−は水酸基である）はＪ、　Ｃ，
５ｈｅｅｈａｎ等によるＪ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ、３９　
、１４４４（１９７４年）に記載がある（相当する６−
ジアシペニシラン酸化合物から製造）。式（■）の出発
材料（Ｒ，は場合によシ保護されていることのある１−
ヒドロキシエチル基、臭素原子またはヨウ素原子である
）は０ＩＮｉｎｎｏ等によるＪ、　Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｍ
、　４２　（１９６７年）、２９６０に記載がある。式
（■）の得られた化合物において基Ｒａを他の異なる基
Ｒ８に変えることができる。 段階２．２ 式（■）の３−メチレン酪酸化合物は式（■）のペニシ
ラン酸化合物の１−オキシドをメルカプト化合物Ｒ’−
８Ｒで処理することによって得る。 メルカプト化合物Ｒ０−８Ｈにおいておよび式（ＩＸ）
の反応性生成物においてＲｏは炭素原子１５個まで好ま
しくは９個までの場合によジ置換されていることのある
複素環式基であって、環窒素原子少くとも１個および場
合によシ更に酸素原子またはイオウ原子のような壌複素
原子を含み、そして該基は２重結合によって壌窒素厘子
に結合している炭素原子の１つを介してチオ基−８−と
結合しているものとする。この種の基は１環式または２
嶽式であり、そして例えば低級アルキル基例えばメチル
基またはエチル基、低級アルコキシ基例えばメトキシ基
またはエトキシ基、ハロゲン原子例えばフッ素原子また
は塩素原子、またはアリール基例えばフェニル基によっ
てＭｍされていてもよい。 この形の基ｆは例えば芳香族性の１波式５員のチアジア
ゾ環式基、チアトリアザ環式基、オキサジアゾ環式基ま
たはオキサトリアゾ現弐基特には芳香族性の１環式５員
のジアゾ環式基、オキサゾ環式基およびチアザ環式基、
および（または）特に、複素環式部分が５員であって芳
香族性を有する相当するベンズジアゾ環式基、ペンゾキ
サザ環式基またはベンズチアザ環式基であシ、ここで基
Ｒ０中の置換可能な環窒素厚子は例えば低級アルキル基
によって置換されていることができる。 前記基Ｒ０の代表を挙げれば、１−メチルイミダゾール
−２−イル基、１，３−チアノール−２−イル基、１，
３．４−チアジアゾール−２−イル基、１．３．４．５
−チアトリアゾール−２−イル基、１，３−オキサゾー
ル−２−イル基、１．３．４−オキサジアゾール−２−
イル基、１．３，４．５−オキサトリアゾール−２−イ
ル基、２−キノリル基、１−メチルベンズイミダゾール
−２−イル基、ベンズオキサゾール−２−イル基および
特にベンズチアゾール−２−イル基である。 前記反応は不活性溶媒例えば脂肪族または芳香族炭化水
素例えばベンゼンまたはトルエン中で使用する溶媒の還
流温度にまで温めながら実施する。 段階２．３ 式（Ｘ）の３−メチルクロトン酸化合物は式（ＩＸ）の
３−メチレン酪酸化合物を適当な塩基性剤で処理するこ
とによって異性体化することによって得る。 適当な塩基性剤は例えば有機窒素塩基例えば第３アミン
例えばトリー低級アルキルアミン例えばトリエチルアミ
ンまたはヒュニツヒ塩基、または無機塩基であり、これ
らは不活性溶媒例えば場合によジハロダン化されている
ことのある炭化水素例えば塩化メチレン中で室温または
場合によシ僅かに低めたまたは高めた温度下で使用する
。 段階２．４ 式（ＸＩ）のチオ化合物は式（Ｘ）の化合物を適当な還
元剤で処理し、そして同時にまたは引続いて式Ｒ，−Ｃ
（＝Ｚ）−ＯＨの酸のアシル化誘導体と反応させるかま
たは２′が場合によ＃）Ｙで置換されていることのある
メチリデン基である場合には弐Ｒ１−Ｃ：Ｃ−Ｙのアル
キンと反応させ、そして所望により、場合により置換さ
れていることのあるメチリデン基ガをオキソ基２に変え
ることによって得る。 適当な還元剤は例えば水素化物還元剤例えば水素化はう
素アルカリ金属例えば水素化はう素ナトリウム、または
カルゲン酸存在下例えば式Ｒ１−Ｃ（＝Ｏ）−０Ｈのカ
ル？ン酸存在下の亜鉛である。 水素化物還元剤は通常適当な溶媒例えばジメチルホルム
アミドの存在下で使用する。水素化物反応は好ましくは
ジメチルホルムアミド中で水素化はう素ナトリウムによ
り約−５０〜−１０℃好ｔしくは約−２０℃の温度で行
い、その際同時にアシル化剤および場合により第３塩基
例えばピリジンを加える。亜鉛とカルがン酸とによる還
元は場合により溶媒中で行われ、カルがン酸が液体であ
る場合は約−１０〜約５０℃好ましくは約０℃から室温
までの温度でそれ自身を溶媒として使用することができ
る。アシル化剤は還元の始めからまたは還元の終った時
そして場合により使用したカルがン酸および（ｔたは）
溶媒を留去した後で還元混合物中に加えることができる
。適当なアシル化剤は特に前記したカルがン酸無水物例
えば対称無水物例えば酢酸無水物、または混合無水物好
ましくはハロダン化水素酸の無水物すなわち相当するカ
ル！トン酸ハライド例えば塩化物および臭化物例えば酢
酸プロミドである。例えば式（Ｘ）の化合物は酢酸と酢
酸無水物との混合物中の亜鉛によりθ℃〜約２０℃でＲ
４がメチル基である式（ＸＩ）の化合物に変えることが
できる。ラセミ化の危険を減少するために亜鉛／カル？
ン酸還元が好ましい。 還元の始めからまたは終了してから還元混合物中にアル
キンを加えることもできる。還元の中間生成物として生
成する４−メルカプトアゼチジン−２−オンのアルキン
３重結合への付加は還元温度で自然に行われる。 段階２．３ａ 式（ＸＩ）のチオ化合物は式（Ｘａ）の化合物を適当な
塩基性剤で処理するととＫより段階２．３の反応条件に
よって異性体化し、所望により、場合により置換されて
いることのあるメチリデン基２′をオキソ基２に変える
ことによっても得られる。 段階２．４１ 式（Ｘａ）の化合物は式（ＩＸ）の３−メチレン酪酸化
合物を適当な還元剤で段階２．４の反応条件により処理
し、そして同時にまたは引続いて式Ｒ１−Ｃ（＝Ｚ）−
〇Ｈのカルゲン酸のアシル化誘導体と反応させるかまた
は２′が場合によシＹで置換されていることのあるメチ
リデン基である場合には式Ｒ１−ＣミＣ−Ｙのアルキン
と反応させ、そして所望によシ、場合によ多置換されて
いることのあるメチリデン基２′をオキソ基２に変え多
ことによって得る。 段階２．５ 式（Ｘｌｌ）の２−オキソ酢酸化合物は式（Ｘ［）の化
合物をオゾン化し、そして生成したオシニドを還元によ
って分裂してオキソ化合物にし、そして所望によシ、場
合によ多置換されていることのあるメチリデン基ｚ′ヲ
オキソ基２に変えることによって得る。 前記オゾン化は通常オゾン／酸素混合物により、不活性
溶媒例えば低級アルカノール例えばメタノールやエタノ
ール、低級アルカノン例えばアセトン、場合によりハロ
ダン化されていることのある脂肪族、脂猿式着たけ芳香
族炭化水素例えば塩化メチレンや四塩化炭素のようなハ
ロゲノ低級アルカンまたは水性混合物を含めた溶媒混合
物の中でそして好ましくは冷却下で例えば約−９０〜Ｏ
℃で行う。 こうして中間体として生成するオシニドを通常分離せず
に還元分裂して式（刈）の化合物を生成する。この場合
に、接触的に活性化された水素例えばニッケルまたはパ
ラジウム触媒（好ましくは炭酸カルシウムや炭のような
適当な担体上に担持する）のような重金属水素化触媒の
存在下の水素、または化学的還元剤例えば重金属合金ま
たは重金属アマルガムを含めた還元性重金属例えば水素
給体例えば酢酸のような酸または低級アルカノールのよ
うなアルコールの存在下での亜鉛、還元性無機塩例えば
水素給体例えば酢酸のような酸または水の存在下でのよ
う化ナトリウムのようなアルカリ金属よう化物または重
亜硫酸ナトリウムのような重亜硫酸塩、またはぎ酸のよ
うな還元性有機化合物を使用する。容易に相当する工Ｉ
キシ化合物またはオキシドに変えることのできる還元剤
化合物として使うこともできる。ここでエポキシド形成
はＣ−Ｃ２、−１ｆ１結合に関して行われ、オキシド形
成はオキシド形成性原子例えばイオウ原子、リン原子ま
たは窒素原子に関して行われる。この型の化合物は例え
ば適当に置換されているエチレン化合物（これは反応中
にエチレンオキシド化合物に変わる）例えばテトラシア
ノエチレン、特に適当なスルフィド化合物（これは反応
中にスルホキシド化合物に変わる）例えばノー低級アル
キルスルフィド特にツメチルスルフィド、ホスフィンの
ような適当な有機シん化合物（これは場合により置換さ
れていることのある脂肪族または芳香族炭化水素基を置
換基としてもっていることができ１反応中にホスフィン
オキシトに変わる）例えばトリーｎ−ブチルホスフィン
のようなトリ低級アルキルホスフィンまたはトリフェニ
ルホスフィンのようなトリアリールホスフィン、さらに
場合によ多置換されていることのある脂肪族炭化水素基
を置換基としてもっているホスファイト（これは反応中
シん酸トリエステルに変わる）例えばトリメチルホスフ
ァイトのようなトリ低級アルキルホスファイト（これは
一般には相当するアルコール付加化合物の形にある）、
または場合によ多置換されていることのある脂肪族炭化
水素基を置換基としてもっている亜シん酸トリアミド例
えばヘキサメチル亜シん酸トリアミド（これは好ましく
はメタノール付加物の形にある）のようなヘキサ低級ア
ルキル亜りん酸トリアミドまたは適当な窒素塩基（これ
は反応中に相当するＮ−オキシドに変わる）例えば芳香
族性の複素環式窒素塩基例えばビリ・シン型の塩基特に
ピリジンそれ自身である。通常分離しないオシニドの分
裂は一般にその製造における条件下で行う。すなわち、
適当な溶媒または溶媒混合物の存在下でそして好ましく
は冷却または穏やかに加熱する（好ましくは約−１０°
Ｃ〜約＋２５℃の温度であり、反応は通常室温で終了す
る）。 段階２．６ 式（ｒｖａ　’）の化合物は式（Ｘ［Ｉ）の化合物を加
０（媒分解し、そして所望によシ、場合によジ置換され
ていることのあるメチリデン基Ｚ′をオキソ基２に変え
ることによって得る。 前記加溶媒分解は加水分解、アルコーリシスまたはヒド
ラジツリシスによって行うことができる。 加水分解は場合によシ水混和性溶媒中で水によって行う
。アルコーリシスは低級アルカノール例えばメタノール
またはエタノールによって、好ましくは水および有Ｆ１
に溶媒例えば低級アルカンカルブ／酸低級エステル例え
ば酢酸エチルの存在下で好ましくは室温で、所要によシ
冷却または加熱下で行う。ヒドラジツリシスは通常の方
法によシ、置換されたヒドラジン例えばフエニルヒドラ
ゾノまタハニトロフェニルヒドラジン例ｔｔｄ２−ニト
ロフェニルヒドラジン、４−ニトロフェニルヒドラジン
ま７’ｌ：２，４−ジニトロフェニルヒドラジン（これ
は好ましくはほぼ当量で使用する）Ｋよシ、有機溶媒例
えばエーテル例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、
ジエチルエーテル、芳香族炭化水Ｚ例りはベンゼンｔた
ｌｄ）ルエン、ハロダン化炭化水垢例えば塩化メチレン
、クロルベンゼンまタハジクロルベンゼン、エステル例
えば酢酸エチル等中でほぼ室温ないし約６５℃の温度で
行う。 式（刈）のα−ケト化合物は必ずしも分離する必要はな
い。例えばオシニドを加溶媒分解剤例えば水の存在下で
分裂すると式（ｔＶａ　）の化合物を直接得ることがで
きる。 式（Ｉ［ｌａ）の光学活性シス−、トランス−およびシ
ス−トランス化合物は以ｆの反応図式によっても得るこ
とができる。 以下全白 反応図式３ ％式％ 式（■）の３−メチレン酪酸化合物は式（■）のペニシ
ラン酸化合物の１−オキシドをトリー低級アルキルホス
ファイトの存在下で有機カル？ン酸アシル−ＯＨで処理
し、所望によυ、得られたシス−トランス化合物からシ
ス−および（または）トランス−化合物を分離する。 ａ当なトリー低級アルキルホスファイトは例工ばトリメ
チルホスファイトである。適当な有機カルがン酸アシル
−ＯＨは例えばカルがンｄＲ，−ＣＯＯＨ（ここでＲ１
は水素原子であるかまたは炭素原子によって結合した前
記有機基の１つ例えば前記低級アルキル基、シクロアル
キル基、シクロアルキル−低級アルキル基、フェニル基
またはフェニル−低級アルキル基である）である。ぎ酸
を含む低級アルカノールゲン酸特に酢酸が好ましい。 前記反応はＡ、　５ｕａｒａｔｏ等のＴｅｔｒａｈｅｄ
ｒｏｎＬｅｔｔｅｒｓ　、　４２．４０５９〜４０６２
．１９７８年と四球の方法によシ、不活性有機溶媒例え
ば炭化水素例えばベンゼン、トルエンまたはキシレンあ
るいはエーテル型溶媒例えばジオキサ／またはテトラヒ
ドロフランまだは溶媒混合物中で、高めた温度、使用溶
媒のほぼ還流温度まで、約５０〜１５０’Ｃ好ましくは
約８０〜１００℃の温度で行う。 前記反応ではシス−およびトランス−化合物の混合物が
得られる。通常の分離方法例えば結晶化またはクロマト
グラフィーによってシス−および（または）トランス−
化合物を純粋な形で得ることができる。 段階３．２ 式（ＸＩＶ）においてＷ′がアシルオキシ基である３〜
メチルクロトン酸は式（ＸＩ［ｌ）の３−メチレン酪酸
化合物を適当な塩基で処理して異性体化し、そして所望
によシ得られたシス−トランス化合物らシス−および（
または）トランス−化合物を分離することによって得ら
れる。 塩基性異性体化は前記の段階２．３と同様にして行う。 所望によシ行うことのできる純粋化合物への引続き行う
分離は段階３．１に記載の方法によシ行う。 段階３．３ 式（ＸＶ）においてＷ′がハロゲン原子である化合物は
式（■）のペニシラン酸化合物を、陽・・口ｒンイオン
を発生するハロダン化剤で処理し、そして所要により、
生成する可能性のある中間生成物を塩基で処理し、そし
て所望によシ、得られたシス−トランス化合物からシス
−および（まだは）トランス−化合物を分離することに
よって得られる。 陽ハロダンイオンを発生するハロダン化剤は例えば元素
ハロデフ原子例えば塩素原子、臭素原子またはヨウ素原
子、混合ハロゲノ例えばＢｒＣ１、Ｃ４ＩまたはＢｒＩ
、スルフリルハライド例えばスルフ　１Ｊルクロリドま
たはスルフリルプロミド、Ｎ−ハロアミドまたはＮ−へ
ロイミド例えばＮ−クロルアセトアミド、Ｎ−ブロムア
セトアミド９、Ｎ−クロルサクシンイミド、Ｎ−プロム
サクシンイミドまたはＮ、マージブロムヒダントイン、
または有機次亜ハロダン酸塩特に低級アルカノイル次亜
ハロｒ／酸塩例えば次亜塩素酸アセチル、次亜塩素酸プ
ロピオニル、次亜塩素酸ブチリル、次亜臭素酸アセチル
、次亜臭素酸プロピオニル、次亜臭素酸ブチリル等であ
る。 前記反応は米国特許第３，９２０，６９６号明ａ書また
はＳｔ、　ＫｕｋｏｌｊａのＪｏｕｒｎ、　Ａｍ、　Ｃ
ｈｅｍ、　Ｓａｃ。 ９３．６２６７　（１９７１年）に記載の方法と同様に
、不活性非プロトン性溶媒中特にハロゲノ化炭化水素例
えば塩化メチレンまたは四塩化炭素中で、約−８０〜旅
＋ｓｏ’ｃ好ましくは約−７６℃ないしほぼ室温までの
温度で行う。 ・・ロダン化剤と式（■）の化合物とのモル比はｌ：１
〜３：１あるいはそれ以上である。モル比が約１：１で
ある場合は式 ％式％： で表わされる化合物が中間生成物として得られ、これは
塩基例えばトリエチルアミンのような第３アミンで処理
することによって式（Ｘｌ’ｉ’）の化合物に変えるこ
とができる。ペニシラン酸１モルに対しハロダン化剤少
なくとも２モルまたはそれ以上を使用すると、引続き塩
基で処理しなくても式（ＸＶ）の所望の化合物が得られ
る。 前記開環反応ではシス−およびトランス−化合物の混合
物が得られる。トランス−化合物を形成するのが好まし
い。通常の分離方法例えば結晶化またはクロマトグラフ
ィーにより、シス−および（または）トランス−化合物
を純粋な形で得ることができる。 段階３．４ 式（ＸＶ）においてＷ′がアシルオキシ基またはハロゲ
ン原子である２−オキソ酢酸化合物は式（ＸＩＶ）の化
合物をオゾン化しそして生成したオシニドを還元によっ
て分裂してオキソ基を形成し、そして所望により、得ら
れたシス−トランス化合物からシス−および（または）
トランス−化合物を分離することによって得る。 オゾン化および形成されたオシニドの還元は段階２．５
に記載の方法と同様に行う。所望により引続いて行う純
粋な化合物への分離は段階３．１に記載の方法と同様に
して行う。 段階３．５ 式（ｌ［ｌａ）においてＷが式（Ｉｌｌ）と同じ意味で
ある化合物は式（ＸＶ）においてＷ′がアシルオキシ基
またはハロゲン原子である化合物を加溶媒分解し、そし
て所望によシ、得られるシス−化合物を異性体化して相
当するトランス−化合物を形成し、そして（または）得
られるシス−トランス化合物からンスーおよび（または
）トランス−化合物を分離することによって得る。 加溶媒分解は段階２．６に記載の方法と同様にして行う
。Ｗがハロゲン原子である場合には、ヒドラノノリシス
を使用することが好ましい。この場合にも式（ＸＶ）の
中間生成物をオゾン化および還元反応の後で分離する必
要はないが、それをその場で生成して直接加溶媒分解す
ることができる。 式（Ｉ［Ｉａ）においてＷがアシルオキシ基またはノ・
口ｙｙ原子である得られた化合物において、この基を親
核変換によって他の異なる基Ｗに笈えることができる。 この場合、導入する基Ｗは分裂する基よりも親核性でな
ければならない。前記の変換は段階１．１と同様にして
例えばアルカリ金属塩例えば弐Ｈ−Ｗの酸のナトリウム
塩またはカリワム塩で処理することによって行うことも
できる。 Ｗと段階１．１による基Ｒ，−Ｃ（＝Ｚ’）−８−とノ
コノ交換において、式（Ｉ［ｌａ　）および（ｌＶａ　
）の光学活性トランス−化合物は各々、出発材料として
シス−まだはトランス−化合物を使用することに関係な
く過剰に得られる。 異性体化例えば融媒量の穏和なルイス酸での処理によシ
、得られたシス−化合物をトランス−化合物に変えるこ
とができる。ルイス酸による異性体化は不活性溶媒中で
高めた温度、約５０〜１５０℃例えばベンゼン中で還流
下で行う。 式（ＩＶ）〜（■）〔式（１Ｖａ）も含む〕および式（
Ｉｔ）の化合物において、場合によ仄置換されているこ
とのあるメチリデン基２′は段階２．５に記載の方法に
よジオシン化しそして生成したオシニドを引続き還元す
ることによってオキソ基２に変えることができる。 この発明は特に、新規の中間生成物例えば式（［１１＆
）および式（ＩＶ）〜（ＸＶ）　Ｃ式（？’／ａ）も含
む〕の化合物特に式（ｎ）の化合物、およびそれらの製
造方法に関する。 本明細書において有機基について「低級」とは特に断ら
ない限シ、炭素原子７個まで好ましくは４個までを意味
し、アシル基は炭素原子２０個塘で好貰しくけ１２個ま
で特には７個までを含むものとする。 以下実施によって本発明を更に詳細に説明する。 温度はセラ氏による。またＴＬＣはシリカダル上の薄Ｉ
Ａクロマトダラムを表わす。 例１゜ 千すｒ＋’ｂ　ｒシ１　（’Ｉ　Ｑ　ｌ　ｍｌ　（Ｔ＋
　Ｉ　Ｎ　＋　Ｎ＞イ’ｙ　＋　’ｋ　１１　ｒ’ｙ　
／−ａｖ妨４、５　ｍｌ中の溶液を室温で窒素雰囲気下
で４−アセトキシ−３−メチルアゼデジビー２−オン（
Ｋ。 Ｃ１ａｕｓ＋ｓ等、Ｌｉｅｂ、Ａｎｎ、　Ｃｈｅｍ、　
ｓ　１９７４　ｒ　５３９によシ製造；３：１の比率の
シス−およびトランス−異性体のラセミ体混合物；９点
５３〜６５°Ｃ）４３８■（３，０６ｍモル）の水１．
１３モルおよびアセトン０．２７１１１中の溶液に満願
し、この混合物を同じ温度で３時間かきまぜる。この反
応混合物を塩化メチレンで充分に抽出する。合併した有
ゆ相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、Ｘ空中で蒸発するこ
とによりａ縮する。残さをトルエン／酢酸エチル（４：
１〜３：２）を用いてシリカゲル上でクロマトグラフ処
理すると先づ綿棒なトランス化合物、次に標題化合物の
シス−およびトランス−異性体の混合物、そして次に純
粋なシス化合物が得られる。 ＴＬＣ：Ｒｆ　＝　０．３１　（シスー我性体）；０３
６（トラ：／ス−に性体）（）ルエン／ｌエチル２二３
）：Ｉａス〈クトル（ｃＨ２ｃｔ２）　：　２．９５．
５．６．５．８７゜８．６５．８．８５および１０．４
５μに吸収帯。曳スペり）　ル（ＣＤＣ２３／１００　
Ｍｃ　、　ｐｐｍ　）　：シス化合物：６．２、ＩＨ１
巾広い（Ｄ２０と交換）；５．４５、ＩＨｌｄ　（Ｊ＝
　５．５　Ｈｚ　）　：　３．５〜３．９、ＬＨ，ｍ：
２．４．３Ｈ。 ｓ：１．３．３Ｈ，ｄニドランス化合物：６．５、ＩＨ
１巾広い（Ｄ２０と交換）：４．９３．１）Ｉ、　ｄ（
Ｊ〜２．５１（ｚ　）　：　３．０〜３．４、ＩＨ，ｍ
：２．４．３Ｈ，ｓ：１．４２、３Ｈ，ｄ。 例２゜ ２−エトキシ−２−ヒドロキシ６［ｔｐ−ニトロベンジ
ルエステル５０　ｏＩＮｌのトルエンＩＱｍｌとジメチ
ルホルムアミド２．５　ｍｌの混合物中の溶液を室温で
４−アセチルチオ−３−メチル−２−オキソアゼチジン
（ラセミ体シス−トランス混合物）１２９〜（０，８１
ｍモル）に添加する。新たに乾燥した分子フルイを添加
した後、この混合物窒素雰囲気下で室温で１５時間そし
て次に５０℃で２時間かきまぜる。分子フルイをろ過し
、トルエンで洗浄し、ろ液および洗浄液を真空中で蒸発
することにより一緒に濃縄する。残さを高真空下で乾燥
し、トルエン／酢酸エチル（９：１〜８：２）を用いシ
リカダル上でクロマトグラフ処理する。 未反応（Ｄ　２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニ
トロベンジルエステルを溶離した後、次の物理化学的性
質を持った標題化合物のシス−トランス異性体の混合物
が溶離される。 ＴＬＣ：Ｒｆ　＝０．３８　（トルエン／酢酸エテル２
：３　）　：　ＩＲスイクトル（ｃＨ２ｃｔ２）　：　
２．８５．５，６２．５．７．５．９．６．２．６．５
５．７．４および８．２５μに吸収帯。 例３゜ ａ）２−（４−アセチルチオ−３−メチル−２−オキソ
アセチノン−１−イル）−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニト
ロベンジルエステル（ラセミ体シス−トランス混合物）
２２５■の無水ジオキサンＳＲ１中の溶液をポリヒュニ
ツヒ塩基１ノの無水ジオキサン２．５　ｍｌ中の溶液（
３０分間かきまぜたもの）に添加する。塩化チオニル０
．１７５ｍ１の無水ジオキサン１．５１ｎＪ！中の溶液
を添加した後、この反応混合物を室温で窒素雰囲気下で
１００分間かきまぜる。ポリーヒュニツヒ塩基をろ過し
、ジオキサンで洗浄し、ろ液を真空蒸発によシ濃縮する
。 粗製２−（４−アセチルチオ−３−メチル−２−オキソ
アゼチジン−１−イル）−２−クロル酢酸ｐ−ニトロベ
ンジルエステル（ラセミ体シス−トランス混合物）のＴ
ＬＣ：Ｒ（＝０．６２　（）ルエン／酢酸エチル２：３
）。 ｂ）得られた粗製２−（４−アセチルチオ−３−メチル
−２−オキソアゼチジン−１−イル）−２−クロル酢酸
ｐ−ニトロベンノルエステルヲ無水ジオキサン１２ｒｒ
Ｌｌに溶解し、ポリーヒュニッヒ塩基１？を添加し、こ
の混合物を３０分間かきまぜ、次にトリフェニルホスフ
ィン３１２　”ｉ　’ｌ：　添加し、この混合物を窒素
雰囲気下５０℃で１５時間かき１ぜる。ボリーヒュニノ
ヒ塩基をろ過し、ジオキサンで洗浄し、ろ液および洗浄
液を一緒にして真空蒸発によシ濃縮する。残さをトルエ
ン／酢酸エチルを使用しシリカダル上でクロマトグラフ
処理して、次の物理化学的性質を持つ標題化合物のシス
−トランス混合物が得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ＝　０．２８　（）ルエン／酢酸エチル
２：３　）　：　ＩＲスペクトル（ｃＨ２ｃｚ２）　：
　５．６７．５．９．６．１５．６．５５．６．９５．
７．４．９，０および９．２５μに吸収帯。 例４゜ 触媒址のｐ−ヒドロキシキノンを２−（４−アセチルチ
オ−３−メチル−２−オキンアゼチノンー１−イル）　
−２−）　ＩＪフェニルホスホラニリテン酢酢酸−ニト
ロベンジルエステル（ラセミ体シス−トラフ２フ１合物
）　１１８ηの（［ｔｌ）ルエン５０ｍ１中の溶液に添
加し、この混合物を窒累雰囲気下９０℃で４８時間かき
まぜる。溶剤を真空中で蒸発し、残さをトルエン／酢酸
エチル（１９：１）を用いシリカデル上でクロマトグラ
フ処理する。標題化合物のシス−トランス混合物（１：
４）が次の物理化学的性質を拐つ黄色油状物の形で得ら
れる。 ＴＬＣ：　Ｒ（＝　０．５９　（）ルエン／酢酸エチル
２：３　）　；　ＩＲ，Ｘ、−ｅり）Ａ　（ＣＨ２Ｃｌ
２）　：　５．６．５．８５．６．３．６，５５．７．
４．８．３および９．２５μに吸収帯；ＮＭＲスペクト
ル（ｃｐｃｚ、、”ｔ　ｏｏ　Ｍｅ　、　ｐｐｍ　）　
：　８．４〜８．２．２Ｈ：　７．７５〜７．７６．２
）ｉ、ｍ：５．７〜５．２．３Ｈ、ｍ　：　４．１〜３
．６、ＬＨ，ｍ　：　２．４．２．４３．３Ｈ，２ｓ　
：　１．６〜１．４．３Ｈ，２ｄ。 例５゜ ０．２Ｍ重炭酸ナトリウム水ｍｉＷ２ｍｌおよび１０チ
・母うジクム／炭素恕媒１００〜を、２，６−シメチル
ー２−ベネム−３−カルボンｔｉｉ　ｐ−二トロペンジ
ルエステル（ラセミ体シス−トランス混合物１：４）４
７■（０，１４ｍモル）の無水酢酸エチル３ｒＩＬｌ中
の溶液に添加し、この混合物を水素雰囲気下常温で４０
分間かきまぜる。けいそう土によりこの水素添加混合物
から触媒をろ過し、残さを０．２　Ｍ重炭酸ナトリウム
溶液でそして酢酸エチルで数回洗浄する。水性相を塩化
メチレンで洗浄し、５チくえん酸水溶液で酸性にし、塩
化メチレンで充分抽出する。合併した有機相を硫酸ナト
リウム上で乾燥し、ろ過し、真空蒸発により濃縮し、高
真空下で乾燥する。得られた標題化合物（シス−トラン
ス混合物〜１：４）は次の物理化学的性質を持つ。 ＴＬＣ：Ｒｆ　−０，２８（トルエン／酢酸エチル／酢
酸６ｏ：、ｉｏ：ｓ）：ｒＲスペクトル（ｃＨ２ｃｚ２
）　：３．５．５．６．５．９５および６．３μに吸収
帯；陥侃ス勺）ル　（ＤＭＳＯｄ６／１００　Ｍｅ、　
　ｐｐｍ　）　：　　５．６５　　、　ＩＨ。 ｑ：３．３〜３．９．２Ｈ％ｍ　（＋　Ｈ２Ｏ）　；　
２．２８．３）（。 Ｓ；融点１１９℃。 例６゜ ２．６−シメチルー２−ペネム−３−カルダン酸５（ｌ
ｙの当量の重炭酸す）　ＩＪウム水溶液中の溶−液を真
空蒸発により濃縮し、高真空下で乾燥する。 例７゜ チオ酢酸Ｌ　５　ｍｌのＩＮ水酸化ナトリウム溶液２０
．５ｍｌ中の溶液を４−アセトキシ−３−メチルアゼチ
ジ／−２−オｙ　（Ｋ、　Ｋｌａｕｓｓ等、Ｌｉｅｂ。 Ａｎｎ、　Ｃｈｅｍ、　、　１９７４　、５３９により
ａ造：３：１の比率のシス−およびトランス−異性体の
ラセミ体混合物、融点５３〜６５°Ｃ）２ｔの水５．１
６ｍおよびアセトン１．２５　ｍｌ中の溶液に窒素雰囲
気下室温で満願し、この混合物を同じ温度で３時間かき
まぜる。この反応混合物を塩化メチレンで充分に抽出す
る。合併した有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、ｊ１
空蒸発によシ濃縮する。残さをトルエン／酢酸エチル（
９：１）を用いシリカダル１５０？上でクロマトグラフ
処理すると、次の物理化学的性質を持つ標題化合物の殆
んど純粋な上ランスー異性体が得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ＝　０．３８　（）ルエン／酢酸エチル
２：３　）　；　ＩＲスイクトル（ＣＨ２Ｃｌ２’）　
：　２．９５．５，６．５．８７．７．３７．７．４５
．８．６２および８，８２μに吸収帯：　ＮＭＲスペク
トル（ＣＤＣｌ２．／１００　Ｍｅ　、　ｐｐｍ）　：
６．５５、Ｉ　Ｈ−ｍ　（Ｄ２０で交換）：４．９．１
）Ｉ、ｄ、Ｊ＝２Ｈｚ　：３．３５〜３．０５．　ＩＨ
，ｍ　：　２．３８．３Ｈ１ａ：１．４．３Ｈ、ｄ　、
　Ｊ　＝　７　Ｈｚ　。 次にシス−およびトランス−異性体の混合物を単離する
。 例８゜ ２−エトキシ−２−ヒト９０キシ酢酸ｐ−ニトロベンジ
ルエステル５？のトルエン１００／＃７！トソメチルホ
ルムアミド２５ｍｔの混合物中の溶液を４−アセチルチ
オ−３−メチル−２−オキソアゼシン（ラセミ体トラン
ス化合物）　１，３５７（８，４９ｍモル）に室温で添
加する。新たに乾燥した分子フルイを添加した後、この
混合物を窒素雰囲気下で室温で１５時間そして５０°Ｃ
で２時間かきまぜる。 分子フルイをろ過し、トルエンで洗浄し、ろ液および洗
浄液を一緒に真空蒸発によシ濃扁する。残さを高Ｘ空下
で乾燥し、トルエン／酢酸エチル（９：１）を用いてシ
リカデル１００？上でクロマトグラフ処理する。未反応
の２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢ｆｆ’２ｐ−ニトロ
ペンツルエステルを溶離した後、次の物理化学的性質を
持つ標題化合物を溶離する。 ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝　０．３３　（）ルエン／酢酸エテ
ル２：３　）　：　ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２）　
：　２．８５．５．６．５．７．５．８７．６．２．６
．５２．７．４．８．２８および９〜９．２μに吸収帯
。 、　例９゜ スホラニリテン酢Ｈｐ−ニトロペンノルニス７　／Ｌ／
ａ）２−（４−アセチルチオ−３−メチル−２−オキソ
アゼチジン−１−イル）−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニト
ロベンジルエステル（ラセミ体トランス化合物＞３ｙ−
の無水ノオキサン７５ｍ１中の溶液を、ポリーヒュニツ
ヒ塩基１３．５？の無水ジオキサン３５ｄ中の溶液で既
に３０分間かきまぜたものに添加する。塩化チオニル２
．４　ｍｌの無水ジオキサン２２．４ＷＬｉ！中の溶液
を添加した後、反応混合物を窒素雰囲気下室源で１００
分間かきまぜる。 ポリーヒュニツヒ塩基をろ過し、ジオキサンで洗ψ 浄し、ろ液を真空蒸発により濃縮する。 粗製２−（４−アセチルチオ−３−メチル−２−オキソ
アセチノン−１−イル）−２−クロル酢ＭＰ−二トロペ
ンジルエステル（ラセミ体トランス化合物のＴＬＣ： ｂ）こうして得た粗製２−（４−アセチルチオ−３−メ
チル−２−オキソアセチノン−１−イル）−２−／ロル
６［ｐ−ニトロベンジルエステルを無水ジオキサン１７
５ｍＪに溶解し、ポリーヒュニノヒ塩基１３．５Ｐを添
加し、次にトリフェニルホスフィン４，２ダを添加し、
この混合物を窒素雰囲気下５０℃で１２時間かきまぜる
。ポリーヒュニッヒ塩基をろ過し、ジオキサンで洗浄し
、ろ液および洗浄液を一緒にして真空蒸発により濃縮す
る。 残さをトルエン／酢酸エチルを用いてシリカダル上でク
ロマトグラフ処理し、次の物理化学的性質を持ったトラ
ンス標題化合物が得られる。 ＴＬＣ：Ｒｆ　＝０．２４　（トルエン／酢酸エチル２
：３　）　：　ＩＲス４クトル（ＣＨ２Ｃ４２）　：　
５．６７．５．９．６．１５．６．５５．７．４および
９．０μに吸収帯。 例１０゜ 化合物） 触媒量のｐ−ヒドロキシキノンを２−（４−アセチルチ
オ−３−メチル−２−オキソアゼチジン−１−イル）−
３−トリフェニルホスホラニリデン酢酸ｐ−ニトロペン
ノルエステル（ラセミ体トランス化合％）３６３■の無
水トルエン１８（ＩＩＪ中の溶液に添加し、この混合物
を窒素雰囲気下９０℃で４８時間かきまぜる。溶剤を真
空中で蒸発し、残さをトルエン／酢酸エチル（１９：１
）を用いシリカゲル２０？上でクロマトグラフ処理する
。融点１４１〜１４３℃で次の物理化学的性質を持つ黄
色結晶の形でトランス標題化合物が得られる。 ＴＬＣ：Ｒ４＝０．６（）ルエン／酢酸エチル２：３）
；ＩＲスペクトル（ｃＨ２ｃｔ２）　：　３．４．５，
５７．５，８２．６．２７．６．５５．７．４．７．６
．８．３および９．２２μに吸収帯：　ＮＭＲスペクト
ル（ＣＤＣｔ３／１００　Ｍｅ　、　ｐｐｍ）：８．２
５〜８．１５．２Ｈ１ｍ　：　７．６５〜７．５６．２
１１．ｍ；５．５５〜５．１２．３Ｈ，ｍ十ｄ（Ｊ＝１
．５Ｈｚ　）；　３．９〜３．６、Ｈ（、ｍ：２．３６
．３Ｈ％ｓ　；　１．５．３Ｈ１ｄ０例１１゜ ０、２　Ｎ　３ｉｊ炭酸ナトリウム水溶液３Ｍおよび１
０チパラジウム／炭素触媒１５０ｍ９を２，３−ジメチ
ル−２−ｄ　、ｉ、ムー３−カルボンＦＪｐ−ニトロベ
ンジルエステル（ラセミ体トランス化合物）８０〜（０
，２４ｍモル）の無水酢酸エチル５ｍｌ中の溶液に添加
し、この混合物を水素雰囲気圧常圧で５０分間かきまぜ
る。触媒をけいそう土により水素化混合物からろ過し、
０．２Ｎ重炭酸ナトリウム溶液そして酢酸エチルで数回
洗浄する。水性相を塩化メチレンで洗浄し、０．５％く
えん酸水溶液で酸性にも、塩化メチレンで充分に抽出す
る。合併した有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過
し、真空蒸発によ）濃縮し、高真空中で乾燥する。こう
して得た標題化合物は次の物理化学的性質を持つ。 融点：１１９°（分解）　：　ＴＬＣ：Ｒｆ　−０，３
（）ルエン／酢酸エテル／酢酸６０：４０：５）；ＩＲ
ス硬クりル（ＫＢｒ　）　：　３．３〜３．５．５．６
２．６．０．６．３５．６．９５．７．５５および７．
８５μに吸収帯：曳スペクトル（ＤＭＳＯｄ６／１００
　Ｍｅ　、　ｐｐｍ　）　：　５．３８．１８１　ｄ（
Ｊ＝１．５Ｈｚ）：３．７、ＩＨ，ｍ：３．４、ＩＨｌ
ｍ　（Ｄ　２０で交換）：２．２８．３Ｈ，ｓ；１．３
４．３Ｈ，ｄ。 例１２゜ チオ酢酸０．５２ｍ１のＩＮ水酸化ナトリウム溶液７−
中の溶液を４−アセトキシ−３−インプロビルアゼチジ
ン−２−オン（シス−およびトランス−異性体の比率１
：３のラセミ体混合物）７５０ｑ（４，３８ｍモル）の
水３．５１１Ｌｌおよびアセトン９．９ｍＪ中の溶液に
窒素雰囲気下室部で滴加し、この混合物を同じ温度で７
５分間かきまぜる。この反応混合物を塩化メチレンで充
分に抽出する。合併した有機相を硫酸ナトリウム上で乾
燥し、真空蒸発によシ濃縮する。残さをトルエン／酢酸
エチル（４：１）を用いてシリカダル４０？上でクロマ
トグラフ処理すると、トランス標題化合物が得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ−０，４（トルエン／酢酸エチル２：３
）：ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃ４２）　：　２．９５．
３．３７．５．６２．５．８７および８．８μに吸収帯
；吊倶スー２夛トル（ＣＤＣ４３／１００Ｍｃ　、　ｐ
ｐｍ　）　：　６．３５、Ｉ　Ｈ、ｍ　（Ｄ２０で交換
）；５．０４、ＩＨ，ｄ　（Ｊ　＝２．５Ｈｚ）：３．
０、ＩＨ，ｍ　；　２．３７．３Ｈ，＠：２．１、ＩＨ
，ｍ：１．０５．３Ｈ％　ｍ。 原料は次のようにして作られる： ａ）イソバレルアルデヒド１７２．２８？（２１６，５
ＷＺ　、　２モル）　ｓ無水酢Ｅ？３０６？（２８３ｍ
Ｊ）および新たに溶融した酢酸カリウム２４？の混合物
を１７時間還流する。冷却した混合物を有機相が中性反
応になるまで５％炭酸ナトリウム溶液で洗浄する。水で
洗浄し、硫ムフマグネシウム上で乾燥し７た後、得られ
た油状物を蒸留する。沸点１３５〜ｂ −エニルアセテート（シス−トランス混合物１：４）が
得られる。 ｂ）　　Ｎ−クロルスルホニルイソシアネート８．７２
ｍ１の無水塩化メチレン１０ｍ／中の溶液を３−メチル
ブト−１−エニルアセテート（シス−トランス混合物１
　：　４　）　１２．８？（０，１モル）の無水塩化メ
チレン４Ｑｍｔ！中の溶液に窒素゛Ｈ囲気下室温で滴加
する。４時間稜にこの反応混合物を水ｔｏｍｌ、氷４５
？、重炭酸ナトリウム２４！？および亜硫酸すｌ−ＩＪ
ウム８．３？の混合物に徐々に注ぐ。温度は場合により
氷を添加することによ９０〜５°Ｃに保つ。略３０分後
に有機相は中性反応を示し、次いでこれを分離する。水
性相を塩化メチレンで抽出する。有機相を合併し、硫酸
ナトリウム上で乾燥し、真空蒸発により濃縮する。残さ
をトルエン／酢酸エチルを用いシリカダル上でクロマト
グラフ処理すると、略１：３の比率の４−アセトセフ−
３−イングロビルアゼチジン−２−オンの７ス一トラン
ス混合物が得られる。 ＴＬＣ：　Ｅｌｆ　＝０．３　（）ルエン／酢１９エチ
ル２：３）；ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）　：　
２．９５　、３．３７．５．６．５．７２．７．３２．
８．１．９．７および１０．２μに吸収帯：　ＮＭＲス
ペクトル（ＣＤＣ４３／１００Ｍｃ、　ｐｐｍ）：６．
７５、ＩＨ−ｍ　（Ｄ２０で交換）：５．８５、ｄ、Ｊ
−４，５１工ｚ　（シス）および５．６　、ｄ　、　Ｊ
＝１．５Ｈｚ（トランス）ｘｕ：　３．０３、ＩＨ，ｍ
：２．１．３Ｈ。 ２ｓ　：　２．３−１．８、ＩＨ，ｍ　：　１．１．６
Ｈ％ｍ　。 例１３゜ ２−（４−アセチルチオ−３−イソゾロビル−２２−エ
トキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジルエステ
ル１．９Ｐを４−アセチルチオ−３−イソプロビル−２
−オキソアゼチジン（ラセミ体トランス化合物）６１６
〜（３，３ｍモル）のトルエン４８ｍ１およびジメチル
ホルムアミド１０．５ｍｌ中の溶液に室温で添加する。 新たに乾燥した分子フルイを添加した後、この混合物を
窒素雰囲気下室温で１５時間そして５０℃で２時間かき
まぜる。分子フルイをろ過し、トルエンで洗浄し、ろ液
および洗浄液を一緒にして真空蒸発によりｃ縮する。残
さを高真空中で乾燥し、トルエン／酢酸エチル（９：１
）を用いシリカダル６０？上でクロマトグラフ処理する
。未反応２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロ
ペンノルエステルで僅かに汚染された標題化合物の２種
類のトランス−異性体が得られ、これは次の物理化学的
性質を持っている。 ＴＬＣ：　Ｒｆ＝０．４および０．３７　（）ルエン／
酢酸エチル２　：　３　）　；　ＩＲスペクトル（ＣＨ
２Ｃ４２）：５．６２．５，６８．６．５５および７．
４２μに吸収帯。 例１４゜ ａ）２−（４−アセチルチオ−３−イソプロピル−２−
オキソアセチノン−１−イル）−２−ヒドロキシ酢２ｐ
−二トロペンジルエステル（ラセミ体トランス化合物）
１．１７４Ｍ’の無水ジオキサン２１ｍ１中の溶液を、
ポリーヒュニンヒ塩基３．８ノの無水ジオキサン１０ｒ
ｎｌ！中の溶液で既に３０分間かきまぜたものに添加す
る。塩化チオニル０，６７ｍ１の無水ノオキサン６．３
ｍ７ｉ中の溶液を満願した後、この反応混合物を窒素雰
囲気下室温で９０分間かきまぜる。ポリーヒュニツヒ塩
基をろ過し、ジオキサンで洗浄し、ろ液を真空蒸発によ
り濃縮する。 こうして得た粗製の２−（４−アセチルチオ−３−イン
プロビル−２−オキソアゼチジン−１−イル）−２−ク
ロル酢酸ｐ−ニトロベンジルエステル（ラセミ体トラン
ス化合物）は更に精製することなく次の工程で使用する
ことができる。 ｂ）こうして得た粗製２−（４−アセチルチオ−３−イ
ソプロぎルー２−オキソアゼチジン−１−イル）−２−
クロル酢酸ｐ−ニトロペンシルエステルを無水ジオキサ
ン５Ｑ＋ｎ７！に溶解し、ポリーヒュニッヒ塩基３．８
ｙ−を添加し、この混合物を３０分間かきまぜ、次にト
リフェニルホスフィン１．１８ノを添加し、この混合物
を窒素雰囲気下５０°Ｃで１５時間かきまぜる。ポリー
ヒュニノヒ塩基をろ過し、ジオキサンで洗浄し、ろ液お
よび洗浄液を一緒にして〕（蒸発発により濃縮する。残
さをトルエン／酢酸エチル（７：３）を用いシリカダル
６０？上でクロマトグラフ処理し、次の物理化学的性質
を持つトランス標１化合物が得られる。 ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．２５　　（）ルエン／酢酸エチル２
：３　）　：　ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２）　：　
５．７．５．９．６．１７．６．５５．７．４２および
９．０５μに吸収帯。 例１５゜ 触媒量のｐ−ヒドロキシキノンを２−（４−アセチルチ
オ−３−イソプロぎルー３−オキソアゼｆノンー１−イ
ル）　−２−ト１，１フェニルホスホラ＝　ＩＪ　７”
ン酢酸ｐ−ニトロペン・ゾルエステル（ラセミ体トラン
ス化合物）６６０ｑの無水トルエン３００ｄ中の溶液に
添加し、この混合筒を窒素雰囲気下９０℃で４８時間か
きまぜる。溶剤を真空乾燥し、残さをトルエン／酢酸エ
チル（１９：１）を用いシリカダル３０？上でクロマト
グラフ処理する。ジメチルエーテル／塩化メチレンから
結晶させることによシ次の物理化学的性質を持った無色
結晶の形のトランス標題化合物が得られる。 融点：工３８〜１３９℃：　ＴＬＣ：　Ｒｆ＝　０．５
９（トルエン／６　酸エチル２　：　３　）　；　ＩＲ
スベクトル（ｃＨ２Ｃｔ２）　：　５．５７．５．８２
．６．２７．６，５５．７．４および７．６μに吸収帯
；卯電スペクトル（ＣＤＣ１５／　１００　Ｍｅ　、　
ｐｐｍ　）　’　８．３〜８．２．２Ｈ，ｍニア、　５
〜７．４．２Ｈ、ｍ　：　５．７５〜５．１．３Ｈ，ｍ
：３．６〜３．５、ＩＨ，ｄｄ　（Ｊ＝８および１．５
Ｈｚ）：２．３５．３Ｈ，ｓ　：　１．０７．６Ｈ％ｍ
。 例１６゜ ０．２Ｎ重炭酸す）　ＩＪウム水溶液４ゴおよび１０チ
・母ラジウム／炭素触媒５０■を２−メチル−６−イン
プロビルー２−−（！ネムー３−カル？ン酸ｐ−ニトロ
ペンノルエステル（ラセミ体トランス化合物）１００〜
の無水酢酸エチル７ｍｌ中の溶液に添加し、この混合物
を水素雰囲気下常圧で３０分間かきまぜる。けいそう土
によシ水素化混合物から触媒をろ過し、０．２　Ｎ重炭
酸ナトリウム溶液および酢酸エチルで数回洗浄する。水
性相を塩化メチレンで洗浄し、５％くえん酸水溶液で酸
性にし、塩化メチレンで充分に抽出する。合併した有機
相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過し、真空蒸発によ
υａ１？ＪＬ、高真空中で乾燥する。こうして得た種類
化合物は次の物理化学的性質を持つ。 融点：１４０〜１４３°Ｃ（分解）　；　ＴＬＣ：　Ｒ
（〜０．３７　（）ルエン／酢酸エチル／酢酸６０：４
０：５）：ＩＲスペクトル（ＫＢｒ　）　：　３．５．
５゜６２．６．０．６．３５．６．９．７．５２．７，
８および８．０μに吸収帯：ＮＭＲス４クトル（ＤＭＳ
Ｏｄ６／１００Ｍｃ、　ｐｐｍ　）　：　５．５２、Ｉ
Ｈ，ｄ（Ｊ＝１．５Ｈｚ）：３．５６．１）Ｉ＋２Ｈ２
０、ｄｄ（Ｊ−１，５および７．５Ｈｚ）；２．２６．
３Ｈ，ｓ：２．０４、ＩＨ、ｍ　；　１〜０．９．６Ｈ
、ｍ　。 例１７゜ チオ酢［０，７６？（１０ｍモル）のＩＮ水酸化ナトリ
ウム溶液１０ｍＪＪｏ溶液を４−アセトキシ−３−ベン
ジルアゼチジン−２−オン（比率９：１３のシスおよび
トランス−異性体のラセミ体混合物）　２．１９７（１
０ｍモル）のジオキサン１０ゴ中の溶液に望累雰囲気下
室温で満願し、この混合物を同じ温度で３時間かきまぜ
る。この反応混合物を塩化メチレンで充分に抽出する。 合併した山機相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空蒸発
により濃縮する。残さをトルエン／酢酸エチル（９：１
）を用いシリカダル上でクロマトグラフ処理し、標題化
合物の比率２：１０のシス−トランス混合物が得られる
。塩化メチレン／ヘキサンから一１０℃で再結晶するこ
とによシ融点４２〜４３℃の純粋なトランス化合物が得
られる。 ＴＬＣ：　Ｒ４〜０．５２　　（トルエン／酢酸エチル
１：１　）　：　ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２）：２
゜９５．５．６５．５．９５．７．４０．８．８および
１０．５μに吸収帯；曳ス４クトル（ＣＤＣ１５／　１
００　Ｍｅ　、　ｐｐｍ　）　：　７．２４．５Ｈ，ｍ
　：　６．６０、ＩＨ，ｂ　：　４．９９、ＩＨ，ｄ（
Ｊ＝２Ｈｚ　）　：　３．４５、ＩＨ、ｄｑ　（ＪＢ　
〜８　）（ｚ　、　Ｊｃ　＝６Ｈｚ、　Ｊｏ　＝２Ｈｚ
　）　；　３−１８、ＩＨ，ｑ　（ＪＡ＝１５　Ｈｚ、
ＪＣ＝６Ｈｚ　）　：３．０Ｏ１ＩＨ，ｑ　（ＪＡ＝　
１５　Ｈｚ、　ＪＲ＝８　Ｈｚ　）　：　２．３０．３
Ｈ，ｓ。 原料は次のようにして作られる。 （０，１８６モル）、無水酢酸５０ｍおよびピリジン５
０ｍ１の混合物を１００℃で１５時間かきまぜ、次に水
ジェッＢＥ空下で蒸発によυ濃縮する。残さを塩化メチ
ジ／に溶解し、５チ重炭酸ナトリウム水溶液およびくえ
ん酸溶液で洗浄し、硫酸ナトリウム上　乾燥し、溶剤を
真空中で除去する。残さを真空蒸留する。沸点６１〜６
５℃／　１　間Ｉ（Ｈの３−フェニルプロプ−１−エニ
ルアセｆ−）（シス−トランス混合物１：１）が得られ
る。 ｂ）　　３−フェニルプロプ−１−エニルアセテート（
シス−トランス混合物１：１）１７．６！ｙ″（０，１
モル）およびＮ−クロルスルホニルインシアネート１４
．１５Ｊ’　（０，１ｍモル）の０℃で’ＡＤ’４した
混合物を１０〜１５°Ｃで６時間かきまぜる。 この反応混合物を玲塩化メチレン１００ｍＪで希釈し、
水ＩＱｍＪ、氷４５ノ、重炭酸ナトリウム２４ノおよび
亜硫酸ナトリウム１７？の混合物に徐々に注ぐ。ろ過後
に有機相を分離する。水性相を塩化メチジ／で抽出する
。有機相を合併し、硫酸ナトリウムトで乾燥し、真空蒸
発により＆！縮する。 ５；さをトルエン／酢酸エチル（９：１〜８：２）を用
（・シリカゲル上でクロマトグラフ処理し、４−アセト
キシ−３−ペンジルアセチノン−２−オンの比率９：１
３のシス−トランス混合物が得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝０．５　（トルエン／酢酸エチルｌ
：１）；工Ｒスペクトル（塩化メチレン中）：２．９５
．５．６．５．７５．７．３５．８．１５．８．６５．
９．６および１０２５μに吸収帯；　ＮＭＲスペクトル
（ＣＤＣＡ３／１００Ｍｃ　、　ｐｐｍ　）　：　２．
０４．３および２．０８、Ｓ。 ３Ｈ：　　２．９５〜３．１５．２Ｈ％　ｍ　　：　３
．３５〜３．８、ＩＨｌｍ：５．５０．０．６Ｈ、ｄ　
（Ｊ＝　２Ｈｚ　（トランス））；５．８６．０．４）
（、ｄ（Ｊ＝４Ｈｚ（シス））；爽に６．８０〜７．４
５に信号あり。 ｊ】ノ、下余白 例１８゜ ス化合物） ２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジル
エステル２ｇを４−アセチルチオ−３−ベンジル−３−
オキソアゼチジン（ラセミ体トランス化合物）０．７３
１（３，１ｍモル）のトルエン５Ｑｍｌおよびツメチル
ホルムアミド２０ｍ１中の溶液に室温で添加する。新た
に乾燥した分子フルイを添加した後、この混合物を窒素
雰囲気下室温でそして次に５０℃で２時間かきまぜる。 分子フルイをろ過し、トルエンで洗浄し、ろ液および洗
浄液を一緒にして真空蒸発により濃縮する。残さをトル
エン／酢酸エチル（９：１〜４：１）を用いシリカゲル
上でクロマトグラフ処理する。未反応２−エトキシ−２
−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジルエステルで僅かに
汚染されている標題化合物の２種類のトランス−異性体
が得られ、これは次の物理化学的性質を持っている。 ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝　０．５７　（）ルエン／酢酸エチ
ル１：１）：ＩＲスペクトル（ＣＩ（２Ｃ２２）　：　
２．８５．５．６０゜５．７０．６．００．６．２０．
６．５５，７．４０．８．２５．９．００および１１．
７５μに吸収帯。 例１９゜ ａ）ＪＩＪ−ヒュニツヒＪｆｉＭ６ｇを２−　（４−ア
セチルチオ−３−ベンジル−２−オキソアゼテノン−１
−イル）−２−ヒドロキシ酢酸Ｒ−ニトロベンジルエス
テル（ラセミ体トランス化合物）１．５ｇの乾燥ジオキ
サン２０ｍ１中の溶液に添加する。塩化チオニルｌ、　
５　ｍｌのジオキサン１０ｍ１中の溶液を添加した後、
この反応混合物を窒素雰囲気下室温で６０分間かきまぜ
る。ポリーヒュニツヒをろ過し、ジオキサンで洗浄し、
ろ液を真空蒸発により＃縮する。こうして得た粗製の２
−（４−アセチルチオ−３−ベンジル−２−オキソアゼ
チジン−１−イル）−２−クロル酢酸ｐ−ニトロベンジ
ルエステル（ラセミ体トランス化合物）は更に精製する
ことなく次の工程に使用することができる。 ｂ）得られた粗製２−（４−アセチルチオ−３−イソプ
ロピル−２−オキソアゼチジン−１−イル）−２−クロ
ル酢酸ｐ−ニトロベンジルエステルを乾燥ジオキサン２
０ｍ１に溶解し、ポリーヒュニツヒ塩基を添加し、この
混合物を３０分間かきまぜ、次にトリフェニルホスフィ
ン１．５．９を添加し、この混合物を窒素雰囲気下５０
℃で一晩かきまぜる。ポリーヒュニッヒ塩基をろ過し、
ジオキサンで洗浄し、ろ液および洗浄液を一緒にして真
空蒸発により濃縮す、る。残さをトルエン／酢酸エチル
（９：１〜１：１）を用いシリカゲル上でクロマトグラ
フ処理し１次の物理化学的性質を持ったトランス標題化
合物が得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝　０．５０　（）ルエン／酢酸エチ
ル１：１）：ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃ４２）　：　５
．７．５．９．６．２、６．５５．７．００．７．４２
．９．０５および１１．７５μに吸収帯。 例２０゜ 触媒量のｐ−ヒト９０キシキノンを２−（４−アセチル
チオ−３−ベンゾルー２−オキソアゼチジン−１−イル
）　−２−）　！ｊフェニルホスホラニリデン酢酢酸−
ニトロベンジルエステル（ラセミ体トランス化合物）　
０．９０．！ｉ’　（１，３ｍモル）の乾燥トルエン５
ρｍｌ中の溶液に添加し、この混合物を窒素雰囲気下９
０℃で２日間かきまぜる。溶剤を真空中で蒸発し、残さ
をトルエン／酢酸エチル（９：１）を用いシリカグル上
でクロマトグラフ処理する。塩化メチレン／ジエチルエ
ーテルから結晶させることによりトランス標題化合物が
得られ、これは次の物理化学的性質を持っている。 融点＝１８２〜１８３℃：　ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝０．８
５　（）ルエン／酢酸エチル１：１）：ＩＲスペクトル
（ＣＩ（２Ｃ２２）　：　５．６０．５．８５．６，３
０．６５５．７．４．７．６．８．２５．８．５５．９
．２５および１１．７０μに吸収帯：凧正スペクトル（
ＣＤＣ６３／　１００　Ｍｅ　、ｐｐｍ）　：２．３６
．３Ｈ，ｓ　：　３．１２、ＩＨ，ｄｄ（ＪＡ＝１４Ｈ
ｚ、Ｊ　ｓ　＝９　Ｈｚ　）　：　３．３４、Ｉ　Ｔ（
、ｄｄ　（ＪＡ＝１４　Ｔ（ｚ、　、ｒ。 ＝６）Ｉｚ　）　；　４．＋１３、Ｉ　Ｈ，ｄｑ　（Ｊ
Ｂ＝９　Ｈｚ　、　Ｊｃ＝６Ｈｚ　、　ＪＤ　＝２　Ｈ
ｚ　）　：　５．４０、Ｉ　Ｈ−ｄ　（Ｊｎ　＝２　Ｈ
ｚ　）　：５．２５．ＩＨ，ｄ　（Ｊ＝１４Ｈｚ　）：
５．４５、Ｈｒ、ｄ（Ｊ＝１４１Ｔｚ　）　：　７．３
０．５Ｈ，ｍニア、６６．２Ｈ，ｄ（Ｊ＝９Ｈｚ　）：
８．２７．２　Ｈｌｄ　（Ｊ＝９　Ｈｚ　）。 例２１゜ ０．２Ｍ重炭酸ナトリウム水溶ｇ３　ｍｅおよび１０幅
・すｊラム／炭紫触媒４００ｍ９を２−メチル−６−ベ
ンジル−２−ペネム−３−カルコノーン酸ｐ−二トロペ
ンジルエステル（ラセミ体トランス化合物）２００ｍｑ
の無水酢酸エチル１２ｍ１ｌ！中の溶ｌ夜に添加し、こ
の混合物を水素＞′！囲気下常圧で６０分間かきまぜる
。けいそう土により触媒を水素化成金物からろ過する。 水性相を分離し、５憾〈えん酸水溶液で酸性にし、塩化
メチレンで充分に抽出する。合併した有機相を硫酸ナト
リウム上で乾燥し、ろ過し、真空蒸発により濃縮し、高
真空中で乾燥する。得られた標題化合物は次の物理化学
的性質を持つ。 ＴＬＣ：　Ｒ４＝０．３１　（）ルエン／酢酸エチル／
酢酸６０：４０：５）ＳＩＲスペクトル（ＫＢｒ　）　
：３．２０〜４．３０ｂ、　５．６５．６．０．６．３
５．６．９．７．５．７．９および８．２μに吸収帯。 例２２゜ 金物） カリウムエチルトリチオカーゲネート２３０ｒｎ９の水
１．５ｄ中の溶液を４−アセトキシ−３−インプロビル
アゼチジン−２−オン（比率１：３のシニーおよびトラ
ンス−異性体のラセミ体混合Ｗ）１９５ｍり（１，１４
ｍモル）の水１　ｍｌおよびアセトン０．２　ｍｌ中の
溶液に窒素雰囲気中室温で満願し、この混合物を同じ温
度で１２０分間かきまぜる。 この反応混合物を塩化メチレンで充分に抽出する。 合併した有機相を硫酸す）　ＩＪウム上で乾燥し、真空
蒸発によって濃縮する。残さをトルエン／酢酸：ｒ−ｆ
ｋ（９：　１　）ヲ用いシリカダル１２ｇ上でクロマト
グラフ処理し、トランス標題化合物が得られる。 融点：６５〜６６℃：　ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝０．５　（
トルーｆ−７／酢酸：ｒ−チル２：３）；ＩＲスペクト
ル（ＣＨ２Ｃ２２）　：　２．９５．３．３７．５．６
２および９２５μに吸収帯；高俄スペクト／ｌ／　（Ｃ
ＤＣ２３／　１００　Ｍｅ　。 ｐｐｍ）　：　６．６５、Ｉ　Ｈ，ｍ　（Ｄ２０で交換
）：５．４、ＩＨｌｄ　（Ｊ＝２．５　Ｈｚ　）　：　
３．３９．２Ｈ１ｑ　：　３．０５、ＩＨ，ｍ：２．１
５、ＩＨ％ｍ　；　１．３８．３Ｈ，ｔ　：　１．１．
６Ｈ，ｍ。 例２３゜ ２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジル
エステル３１１■を４−エチルチオチオカルボニルチオ
−３−インプロピル−２−オキソアゼチジン（ラセミ体
トランス化合物）１３７ｒｎｑ（０，５５ｍモル）のト
ルエン８ｒｎｌおよびジメチルホルムアミド２ｄ中の溶
液に室温で添加する。新たに乾燥した分子フルイを添加
した後、この混合物を窒素雰囲気下室源で１５時間そし
て次に５０℃で２時間かきまぜる。分子フルイをろ過し
、トルエンを洗浄し、ろ液および洗浄液を一緒にして真
空蒸発により濃縮する。残さを高真空中で乾燥し、トル
エン／酢酸エチル（９：１）を用いシリカダル８０ｇ上
でクロマトグラフ処理する。未反応２−エトキシ−２−
ヒドロキシ酢ｒＲｐ−＝ト。 ベンジルエステルにより僅かに汚染された標題化合物の
２種類のトランス−異性体が得られ、これは次の物理化
学的性質を持つ。 ＴＬＣ：　Ｒｆ＝０．４（）ルエン／酢酸エチル２：３
）：工Ｒスペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２）　：　５．６２．
５．７．６，５５．７．４２．８．２および９．２μに
吸収帯。 例２４゜ ２−（４−エチルチオチオカルビニルチオ−３−２−（
４−エチルチオチオカルビニルチオ−３−イソプロビル
−２−オキソアゼチジン−１−イル）−２−ヒドロキシ
酢ｅｐ−ニトロベンジルエステル（ラセミ体トランス化
合物）６０６ｍｑの無水テトラヒドロフラン６ゴ中の溶
液を一１５℃に冷却し、塩化チオニル０．１６ｍ１（２
，２３ｍモル）そして次にトリエチルアミンＱ、３１ｙ
＋Ａ！の無水テトラヒドロフラン０．３　ｍｌ中の溶液
をかきまぜながら徐々に添加する。この反応混合物を０
℃で１時間かきまぜ、冷塩化メチレン３０ｒｎＡ！ｔ−
添加し、この混合物を水冷２Ｎ塩酸で洗浄する。有機相
を中性反応になるまで水で洗浄し、次に硫酸ナトリウム
で乾燥し、真空蒸発により濃縮する。こうして得り２−
（４−エチルチオチオカルボニルチオ−３−インプロビ
ル−２−オキソアゼチジン−１−イル）−２−クロル６
［ｐ−ニトロペンジルエスデＡｆ乾ｆｉテトラヒドロフ
ラン１．５ｍ１−に溶解し、トリフェニルホスフィン０
．７１ｇを添加し、この混合物を窒素雰囲気下室源で一
晩かきまぜる。この反応混合物を塩化メチレンで洗浄し
、飽和重炭酸す）　ＩＪウム水溶液そして水で順次洗浄
し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空蒸発により濃縮す
る。 残さをトルエン／酢酸エチル（９：１）を用いシリカケ
９ル上でクロマトグラフ処理することにより標題化合物
が得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ＝Ｏ，ｓ（）ルエン／酢酸エチル２：３
）：ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２）　：　３．４．５
．７．６．１５．６．５５．７．４５．９．０５および
９，２５μに吸収帯。 例２５゜ ２−（４−エチルチオチオカルボニルチオ−３−イソノ
ロピル−２−オキソアゼチジン−１−イル）−２１リフ
エニルホスホラニリデン酢酸ｐ−ニトロベンジルエステ
ル（ラセミ体トランス化金物）　６００ｍ９　（０，８
５５ｍモ＃）の無水Ｏ−キシレン２５０ｍ１！中の溶液
に触媒量のｐ−ヒト９０キシキノンを添加し、この混合
物を窒素雰囲気中還流下で４８時間かきまぜる。溶剤を
真空蒸発し、残さをトルエン／酢酸エチル（１９：１）
を用いシリカダル３５ｇ上でクロマトグラフ処理する。 ジエチルエーテル／塩化メチレンから結晶させることに
よりトランス標題化合物が無色結晶の形で得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ＝　０．６２　（）ルエン／酢酸エチル
２：３）：ＩＲスペクトル（ＣＩＩ、、Ｃ２０）　：　
５．５７．５６９．６．５５．７．４および７．５２μ
に吸収帯。 例２６゜ ０．２Ｎ重炭酸ナトリウム水浴！＆４　ｒｎｌおよび１
０幅ノ４ラジウム／炭素憩媒１５０ｍＩ？を２−エチル
チオ−６−イソプロビル−２−ペネム−３−カルボン酸
ｐ−ニトロベンジルエステル（ラセミ体トランス化合物
）１００ｍ９の無水酢酸エチル６ｍｌ中の溶液に添加し
、この混合物を水素雰囲気下常圧で２４０分間かきまぜ
る。けいそう土により触媒を水素化混合物からろ過し、
０．２Ｎ重炭酸ナトリウム溶液で１回そして次に酢酸エ
チルで数回洗浄する。水性相を塩化メチレンで洗浄し、
５４くえん酸水溶液で酸性にし、塩化メチレンで充分に
抽出する。合併した有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥し
、ろ過し、真空蒸発により濃縮し、高真空中で乾燥する
。こうして得た標題化合物は次の物理化学的性質を持つ
。 ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝０．３５（）ルエン／酢酸エチル／
酢酸６０：４０：５　）：　ＩＲスペクトル（ＫＢｒ　
）　：　３．５゜５．６２．６．０．６．７５．６，９
．７．５２．７．９．８．１５および８．９μに吸収帯
。 例２７゜ ６−ジアシペニシラン酸メチルエステル西ドイツ特許公
開第２３０５９７２号明細書の記載と同様にして粗製６
β−（Ｎ−二）ロソ）フェノキシアセトアミドペニシラ
ン酸メチルエステル（米国特許第３８８０８３７号に従
って製造）　１．０１ｇを無水クロロホルム７５ｍ１に
室温で溶解し、飽和重炭酸ナトリウム水溶液２００ｍ１
を添加した後、この混合物を１０〜２０℃の温度で９時
間かきまぜる。クロロホルム溶液を分離し、水で洗浄し
、硫酸ナトリウム上で乾燥する。溶剤を室温で真空蒸発
した後、粗製ジアゾ化合臂が油状物の形で得られる。こ
のものは更に精興することなく次の反応に使用すること
ができる。 ＩＲス４クトル（塩化メチレン中）　：　３．４０．４
．８０．５．５５．５．７０．６．２３．６．５０．６
．６８．７．７５．８．２２．８．５５．１０．６およ
び１１．４２μに特性吸収帯。 例２８゜ ６α−メトキシペニシラン酸メチルエステルメタノール
５ｍｌおよび数滴の３０係過塩素酸水溶液を粗製６−ジ
アゾＲニジラン酸メチルエステル２ｇの無水塩化メチレ
ン１５ｄ中の溶液に添加し、この混合物を室温で１５分
間かきまぜる。この反応混合物を塩化メチレフ３０ｍ１
で希釈し、重炭酸ナトリウム水溶液、水および塩化ナト
リウム溶液で順次洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し。 真空蒸発により濃縮する。残さをトルエン／酢酸エチル
（９：１および４：１）を用いシリカゲル上でクロマト
グラフ処理し、僅かに汚染されている標題化合物を得る
。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：３．４０．５．６
３．５．７０．６．９０．７．３０，７．６８．８．２
５％８．４７．８．９０．９．１５．９．７０および９
．８６μに特性吸収帯。 例２９゜ ６α−メトキシペニシラン酸メチルエステル１−オキサ
イド ６α−メトキシペニシラン酸メチルエステル４７３ダの
塩化メチレン１０ｍ１中の溶液を０℃に冷却し、ｍ−ク
ロル過安息香酸３３４■を添加し、得られた懸濁物を同
じ温度で１時間かきまぜる。 この反応混合物を塩化メチレン５９ｍ１で希釈し、重炭
酸す）　ＩＪウム水溶液で２回そして水で洗浄し、硫酸
ナトリウム上で乾燥する。溶剤を真空蒸発し、残さをシ
リカゲル上でクロマトグラフ処理する。 トルエン／酢酸エチ／Ｉ／（９：１および４：１）を用
いて標題化合物が白色粉末の形で得られる。分析用試料
を塩化メチレン／ジエチルエーテル／ペンタンから結晶
させると、得られたものは次の物理化学的性質を持つ。 融点：１２１℃：α、＝＋２８１°±１°；ＩＲスペク
トル（塩化メチレン中）　：　３．４０．５．５８．５
．７０．６．８５．６．９７．７．７５．８．２０．８
．９０および９４５μに特性吸収帯。 勿１３０゜ ルエステル ６α−メトキシペニシラン酸メチルエステル３０７〜の
溶液をトルエンＩＱｍｅに溶解し、２−メルカグトペン
ズチアゾー！Ｌ／１９６．５７ｍ９を添加し、この混合
物を９０分間還流する。溶剤を真空蒸留し、残さをシリ
カダル上でクロマトグラフ処理する。トルエン／酢酸エ
チル（９：　１　）で溶離することにより、標題化合物
が無色油状物の形で得られる。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：３．４０゜５．６
２．５．７２．６．６８．６．３５．７．０２．７．２
５．７．５０゜８．１０．８．２０．８．６０．８．９
５．９．５５％９．９２および１０．９２μに特性吸収
帯。 例３１゜ チルエステル トリエチルアミｙ　Ｑ、　ｌ　ｒｎｌを２−　（（３Ｓ
、４Ｒ）−４−（ベンズチアゾール−２−イルチオ）−
３−メトキシ−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３
−メチレン酪酸メチルエステル４３２ｒｎ９の塩化メチ
レン２５ｍ１中の溶液に添加し、この混合物を室温で１
００分間かきまぜる。この反応混合物を塩化メチレンで
希酸し、くえん酸水溶液および水で各２回洗浄し、硫酸
ナトリウム上で乾燥し、溶剤を真空下で除去する。残さ
をトルエン／酢酸エチル（９：１および４：１）を用い
シリカダル上でクロマトグラフ処理することにより精製
し、油状物の形の標題化合物が得られる。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：　３．４０．５．
６３．５．７８．６．８５．７．０３．７．２３．７．
３２．７．７０．８．１５．８．８７．９．００．９．
２５および９９２μに特性吸収帯。 例３２゜ ２−（（３８，４Ｒ）−４−（ベンズチアゾール−２−
イルジチオ）−３−メトキシ−２−オキンアゼチノンー
１−イル〕−３−メチルクロトン酸メチルエステル３７
２岬のジメチルホルムアミド１０ｍ１中の溶液を一２０
℃に冷却し、はう水素化ナトリウム２ｇのジメチルホル
ムアミド２００ｍ１中の溶液１０ｍ１を添加し、この混
合物を同じ温度で３０分間かきまぜる。新たに蒸留した
臭化アセチル５Ｍをこの反応混合物に添加し、この混合
物を０℃で更に１１０分子ｄ］かきませる。ベンゼン１
５０ｍＪを添加した後、この反応混合物を重炭酸す）　
ＩＪウム溶液および水で順次洗浄し、硫酸ナトリウム上
で乾燥し、真空蒸発により濃縮する。残さをトルエン／
酢酸エチル（９：１）を用いシリカダル上でクロマトグ
ラフ処理した後、標題化合物が僅かに黄色を帯びた油状
物の形で得られる。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：３．４０゜５．６
３．５．７７、５．８３．６．１０．６．９５，７．２
０，７．３０゜７．７０．８．１２．８．９０．９．２
０．９．９０，１０．２０．１０．５０および１１．８
３μに特性吸収帯。 例３３゜ ２−（（３Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メトキ
シ−２−オキソアゼテノン−１−イル〕−３−メチルク
ロトン酸メチルエステル８７７７１ｑ（０，３１ｍモル
）の酢酸エチル５ｒｆＬｌ中の一３０℃に冷却した溶液
にオゾン３当量を供給する。この反応混合′吻を塩化メ
チレンで希釈し、１０俤重炭酸す）　ＩＪウム水溶液を
用い２分間振盪する。肩機相を分離し、飽和塩化ナトリ
ウム唇液で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空蒸
発により＃縮する。 得られる油状の標題化合物のＩＲスペクトル（塩化メチ
レン中）　：　３．４０．５．４７．５．６７．５．８
２．６．９７．７．３３％８．１０．８．９２．９．８
８および１０．４０μに特性吸収帯。得られる生成物は
更にｆ）’を環することなく次の工程に使用することが
できる。 例３４゜ ２−［”（３Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メト
キシ−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−２−オキン
酢酸メチルエステル（粗製生成物）７１．２０■の１幅
水性メタノール１０ｍ１中の溶液を室温で一晩かきまぜ
る。この反応混合物を塩化メチレンで希釈し、水で洗浄
し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空蒸発により濃縮す
る。残さをトルエン／酢酸エチル（９：１）を用いシリ
カダル上でクロマトグラフ処理し、標題化合物が得られ
る。 ＩＲス被クり／Ｉ／（塩化メチレン中）：２．９５．３
．４０．５．６０．５．８８．７，００．７．３７．７
．５２．８．２５．８．７０．８．８５．１０．５およ
び１２．１５μに特性吸収帯。 例３５゜ ２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジル
エステル７１４ｒｎｇおよび分子フルイＡ４４１を（３
Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メトキシ−２−オ
キソアゼチジン２４５ｍ９のトルエフＢｒｎ１とジメチ
ルホルムアミド２−との混合物中の浴げに添加し、この
混合物を室温で一晩かきまぜる。混合物から分子フルイ
をろ過し、ろ液を真空蒸発によ＃）濃縮する。残さをシ
リカゲル上でクロマトグラフ処理し、トルエン／酢酸エ
チル（９：１および４：１）で溶離することにより、少
量のグリ「キシレートで汚染された標題化合物が得られ
る。 例３６゜ ａ）　　ポリーヒュニッヒ塩基２ｇのジオキサン８ｒｎ
ｌ中の懸濁物を室温で３０分間かきまぜ、ジオキサ７１
２ｍ１中に溶解した２−（（３Ｓ、４Ｒ）−４−アセチ
ルチオ−３−メトキシ−２−オキソアゼチジン−１−イ
ルツー２−ヒドロキシ酢（ｆｐ−二トロベンジルエステ
ル８３２睨ヲ添加Ｌ、次に塩化チオニル０．５４　ｍｌ
のジオキサン１０ａ中の溶液を徐々に添加する。この混
合物を室温で２時間かきまぜ、Ｉリーヒュニツヒ塩基を
ろ過し、ろ液を真空蒸発により濃縮する。残さをトルエ
ン／酢酸エチル（１：１）を用いシリカゲル上でクロマ
トグラフ処理することにより精製し、粗朝物の形で２−
（（３ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メトキシ−
２−オキソアゼチジン−１−イル〕−２−りｏル酢酸ｐ
−ニトロベンノルエステルが得られる。 ｂ）トリフェニルホスフィン８１２１ｎ９およびポリー
ヒュニッヒ塩基３Ｉを２−（（３ｓ、４Ｒ）−４−アセ
チルチオ−３−メトキシ−２−オキソアセチノン−１−
イル）−２−クロル酢酸ｐ−二トロベンジルエステル８
３３ｍｇのジオキサン５０〃ａ中の溶液に添加し、この
混合物を５０℃で一晩かきまぜる。ポリーヒュニツヒ塩
基をろ過により除去し、ろ液を真空蒸発により濃縮する
。残さをトルエン／酢酸エチル（９：１．４：１および
１：１）を用いシリカゲル上でクロマトグラフ処理し、
標題化合物が得られる。 ＩＲス４クトル（塩化メチレン中）：３．４０．５．６
７．５．８５．６．１５．６．５５．６，９７．７．４
２．８．０および９．０３μに特性吸収帯。 例３７゜ チル 触媒量のハイドロキノンを２−　（（３８，４Ｒ）−４
−アセチルチオ−３−メトキシ−２−オキソアゼチジン
−１−イル）　−２−トＩＪフェニルホスホラニリテン
酢酸ｐ−ニトロベンジルエステル２４４Ｉｎｇの無水ト
ルエフ１００屑Ａ’中の溶液に添加し、この混合物を窒
素雰囲気下９０℃で３２時間かきまぜる。トルエンを真
空蒸発し、残さをトルエン／酢酸エチル（１９：１）を
用いシリカゲル上でクロマトグラフ処理する。標題化合
物が白色固体物質の形で得られる。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：３．４０．５．５
５．６．３０．６．５５．７．０３．７．４２．７．６
０．８．２０．８．４２．８．６０．８．９０．９．２
０．９．６０および１１．７μに特性吸収帯：　ＮＭＲ
スペクトル（ＣＤＣ１ｓ　／　１００　Ｍｅ、ｐｐｍ　
）　：　８．２２．２Ｈ，ｄ　（Ｊ＝８Ｈｚ　）　：　
７．６４．２Ｈ１ｄ　（Ｊ＝８　Ｈｚ　）　：　５．５
３、ＩＨ，ｄ（Ｊ＝２Ｈｚ）：５．３５．２Ｈ，ＡＢ　
：４．９１、ＩＨ％ｄ（Ｊ＝２Ｈｚ）：３．５７．３　
Ｈ％　　１１　；　２．３７．３Ｈ，ｓ。 例３８゜ ｌ　Ｑ　４　ａＪ？ラジウム／炭素触媒７５ｒｎＱを（
５Ｒ，６Ｓ）−２−メチル−６−メドキシー２−ベネム
−３−カルデン酸ｐ−ニトロペン・ツルエステル３４響
の酢酸エチル２　ｍｌと２Ｍ重炭酸ナトリウム溶液との
混合物中の溶液に添加し、この混合物を大気圧下室温で
１．５時間水素添加する。この水素化混合物をけいそう
土によりろ過し、ろ過残さを２Ｍ重炭酸ナトリウム水溶
液１　ｍｌおよび酢酸エチルで洗浄する。水性相をろ液
から分離し、０，１Ｍ水性くえん酸で酸性にし、塩化メ
チレンで数回抽出する。 合併した塩化メチレン抽出物を硫酸ナトリウム上で乾燥
し、真空蒸発によシ濃縮する。 得られた標題化合物のＩＲスペクトル（塩化メチレン中
）　：　３．４０．５．５７．５．８０．５，９５．６
．３０％７．００．８．２０および９，９０μに特性吸
収帯。 例３９゜ エステル Ｄ、ＨａｕｓｅｒおよびＨ，Ｐ、　５１ｇｇ　：Ｈｅ１
ｖ、　Ｃｈｌｍ。 Ａａｔａ　５０．１３２７　（１９６７）の記載と同様
にして６β−（Ｎ−ニトロン）−フェノキシアセトアミ
Ｐ　ｄニジラン酸メチルエステル（米国特許第３８８０
８３７号による粗製生成物）　７．４　、！ｉ’　（２
０，３ｍモル）のベンゼン１００ｄ中の溶液を窒素雰囲
気下５０℃で３時間かきまぜる。溶剤を真空蒸発し、残
さをトルエン／酢酸エチル（９：１）を用いシリカゾル
上でクロマトグラフ処理する。こうして得た油状生成物
をジエチルエーテル／ヘキサンから再結晶し、融点７１
℃の標題化合物が得られる。 α。＝１１４’±１°ＣＣＨＣ／、３）　：　Ｉ　Ｒス
ペクトル（塩化メチレン中）　：　３．４．５．６．５
．７．６．２５．６．６９．７．１７．８．２６．８．
５５．９．０５および９１８μに特性吸収帯。 例４０ ５０係ｍ−クロル過安息香酸１．１ｇ（１湾量）を６α
−フェノキシアセトキシペニシラン酸メチルエステル１
．１６７９　（３，１８ｍモル）の無水塩化メチレン３
Ｑｍｌ中の溶液に０℃で少量宛添加する。 添加終了後、反応混合物を０℃で３０分間かきまぜ、塩
化メチレンで希釈し、重炭酸ナトリウム水溶液、水およ
び塩化ナトリウム溶液で順次洗浄し、硫酸ナトリウム上
で乾燥する。溶剤を蒸発した後。 残さをトルエン／酢酸エチル（４：１）を用いシリカゾ
ル上でクロマトグラフ処理する。標題化合物が泡状体の
形で得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝０．２４　（トルエン／酢酸エチル
１：１）：ｒＲスペクトル（塩化メチレン中）：３．３
３．３．４１．５．５７．５．７２．６．２７．６．７
２．７．０，８．２５．８．６．９．２１および９．４
６μに特性吸収帯。 例４１゜ ６α−フェノキシアセトキシペニシランｊ投メチルエス
テルｌ−オキサイド１．０１ｇ（２，６５＋ｎモル）の
溶液をトルエン３０１ｉ１Ａ’に溶解し、２−メルカグ
トペンズチアゾール４４５ｍｇ（２，６５ｍモル）を添
加し、この混合物を窒素雰囲気中で６０分間還流する。 溶剤を真空蒸留し、残さをシリカゾル上でクロマトグラ
フ処理する。トルエン／酢酸エチル（１９：１）で溶離
することにより、標題化合物がかすかなかつ色の油状物
の形で得られる。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：３．４５゜５．６
２．５，７５．６．２７．６．７１．６．８９，７．０
５．７．３０．７．５４％７．６８．８．１５．８．５
５．９１５．９．３５および９．９５μに特性吸収帯：
　ＴＬＣ二Ｒｆ＝０．６３（）ルエン／酢酸エチル１：
１）。 例４２゜ トリエチルアミｙ　Ｑ、４　ｒｎｌを２−　（（３Ｓ、
４Ｒ）−４−（ベンズチアゾール−２−イルノチオ）−
３−フェノキシアセトキシ−２−オキンアゼチノンー１
−イル〕−３−メチレン酪酸メチルエステル１．２８，
１２．４１ｍモル）の塩化メチレン３０ｍ１中の溶液に
添加し、この混合物を室温で３０分間かきまぜる。この
反応混合物を塩化メチレン５０ｒｎｌで希釈し、２Ｎ塩
酸、水および塩化ナトリウム溶液で順次洗浄し、硫酸ナ
トリウム上で乾燥し、溶剤を真空中で除去する。残さを
トルエン／酢酸エチル（１９：１）を用いシリカゲル上
でクロマトグラフ処理することにより楕典し、標題化合
物がかすかな黄色の油状物の形で得られる。 Ｉｎスペクトル（塩化メチレン中）：３．４６．５．６
９．５，８２．５．９０．６．２８．６．７３．６．９
０．７．０６．７．２８．７．３８．７．７５．８．２
０．８．６０．９．２７および９．９６μに特性吸収帯
：　ＴＬＣ：　Ｒ４＝０．６１（トルエン／酢酸エチル
に１）。 例４３゜ ル ２−（（３Ｓ、４Ｒ）−４−（ベンズチアゾール−２−
イルジチオ）−３−フェノキシアセトキシ−２−オキソ
アセチノン−１−イル〕−３−メチルクロトン酸メチル
エステル６８７ｍ１？（１，２９ｍモル）のジメチルホ
ルムアミド１４ｍ１中の溶液をほう水素化ナトリウム７
６ｍｇ（２ｍモル）のジメチルホルムアミド１ｏｌｎｌ
中の溶液で一２０℃に冷却したものに添加し、この混合
物を同じ温度で１０分間かきまぜる。新たに蒸留した臭
化アセチル７　ｍｌをこの反応混合物に添加し、これを
更に０℃で４０分間かきまぜる。ベンゼン４００　ｍｌ
ヲｍ加した後、反応混合物を重炭酸す）　ＩＪウム水ｆ
ｇａ％水および塩化ナトリウム溶液で順次洗浄し、ｋｔ
、ｍナトリウム上で乾燥し、真空蒸発により濃縮する。 トルエン／酢酸エチル（１９：１）を用いシリカゲル上
でクロマトグラフ処理した後、残さから標題化合物が油
状物の形で得られ、これはトルエン／酢酸エチル（４：
１）を用いてシリカデル板上で更に精製する。標題化合
物が油状物の形で得られる。 Ｉｎスペクトル（塩化メチレン中）：３．４５．５．６
３．５．８３．６．２７．６．７０．７．０Ｏ１７，２
５，７，３５，８，１５，８，５８，８，９３および９
，２０μに特性吸収帯；ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝０．５４　
（トルエン／酢酸エチル１：１）。 例４４゜ ２−（（３Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−フェノ
キシアセトキシ−２−オキソアゼチジン−１１ル〕−３
−メチルクロトン酸メチルエステル１７０ｍｑ（０，４
２ｍモル）の酢酸：ｒ−ｆ　Ａ７５　ｍｌ中の溶液で一
２０℃に冷却したものに４当１４のオゾンを供給する。 この反応混合物を酢酸エチル５屑ノで希釈し、ＩＣ１重
炭酸ナトリウム水浴液と共に激しく振盪する。有機相を
分離し、水および塩化ナトリウム飽和Ｇ液で洗浄し、硫
酸ナトリウム上で乾燥し、真空蒸発により濃縮する。 こうして得た油状の標題化合物のＩｎスペクトル（塩化
メチレン中）　：　３．３８，５．４８．５．６３．５
．７０．５．８３．６．２７．６．７０．７．００，７
．４１）、８．０７．８．２５．８．６３および８．９
５μに特性吸収帯。得られた生成物は更に精製すること
なく次の工程に使用することができる。 例４５゜ （３Ｓ、４Ｒ）−２−（４−アセチルチオ−３−フェノ
キシアセトキシ−２−オキソアゼチジン−１−イル）−
２−オキン酢酸メチルエステル（粗製生成物）１２９ｍ
ｑ（０，３４ｍモル）の１０壬水性メタノール中の溶液
を室温で４時間かきまぜる。この反応混合物を塩化メチ
レン５Ｑｔｎｅで希釈し、水および塩化ナトリウム飽和
溶液で順次洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空蒸
発により濃縮する。残ざをトルエン／酢はエチル（９：
１）を用いシリカダル上でクロマトグラフ処理し、１２
文題化合物が得られる。 Ｉ　Ｒスペクトル（塩化メチレン中）：２．９５．３．
４５．５．５５．５．６０，５．８８．６．２５．６．
６８．８．３３および８．８５μに特性吸収帯：　ＴＬ
Ｃ：　Ｒｆ＝０．３６（トルエン／酢酸エチル１：１）
。 例４６゜ ジルエステル ２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジル
エステル７６０ｒｎ９および分子フルイＡ４４ｇを（３
Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メトキシ−２−オ
キソアゼチジン２８３Ｉｎｇのトルエフ　８　ｍｌ　ト
ジメチルホルムアミド２ｍｌとの混合物中の溶液に添加
し、この混合物を室温で一晩かきまぜる。分子フルイを
混合物からろ過し、ろ液を真空蒸発により濃縮する。残
さをシリカゲル上でクロマトグラフ処理し、トルエン／
酢酸エチル（９：１および４：１）により溶離すること
によって少量のグリオキシレートで汚染されている標題
化合物が得られる。 例４７、 フェノキシアセトキシル２−オキソアゼチノンーａ）　
　ポリーヒュニツヒ塩基２ｇのジオキサン８ｍｌ中の懸
濁物を室温で３０分間かきまぜ、２−（（３８，４Ｒ）
−４−アセチルチオ−３−フェノキシアセトキシ−２−
オキソアゼチジン−１−イルシー２−ヒドロキシ酢酸ｐ
−ニトロベンジルエステル９６２ｍ９のジオキサン１０
ｍ１中の溶液を添加し、次に塩化チオニル０．３８　ｍ
ｌのジオキサン８ｍｌ中の溶液を徐々に添加する。この
混合物を室温で２時間かきまぜ、ポリーヒュニツヒ塩基
をろ過し、ろ液を真空蒸発により濃縮する。残さをトル
エン／酢酸エチル（１：１）を用いシリカゲル上でクロ
マトグラフ処理する−ことにより精製し、２−（（３Ｓ
、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−フェノキシアセチル
−２−オキソアセチノン−１−イル）−２−クロル酢酸
ｐ−ニトロベンジルエステルが粗製物の形で得られる。 ｂ）トリフェニルホスフィン７８６■およびポリーヒュ
ニノヒ塩基３Ｉを２−Ｃ（３ｇ、４Ｒ）−４−アセチル
チオ−３−フェノキシアセトキシ−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル〕−２−クロル酢酸ｐ−ニトロベンジルエ
ステル９６０７１１１！ｉＪのジオキサン４０ｍ１中の
溶液に添加し、この混合物を窒素雰囲気下５０℃で一晩
かきまぜる。ポリーヒュニツヒ塩基をろ過により除去し
、ろ液を真空蒸発により濃縮する。残さをトルエン／酢
酸エチル（９：１．４：１および１：１）を用いシリカ
ゲル上でクロマトグラフ処理し、標題化合物が得られる
。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）　：　５．７．５．
９．６．１７．６．５５および７．４５μに特性吸収帯
。 例４８゜ 触媒量のハイドロキノンを２−（（３Ｓ、４Ｒ）−４−
アセチルチオ−３−フェノキシアセトキシ−２−オキソ
アゼチジン−１−イル）−２−トリフェニルホスホラニ
リデン酢酸ｐ−ニトロペンシルエステル２８５ＩｎＱの
無水）ルエン１ｏｏｍ／中の溶液に添加し、この混合物
を窒素雰囲気下９０℃で３５時間かきまぜる。トルエン
を真空蒸発し、残さをトルエン／酢酸エチル（１９：１
）を用いシリカゲル上でクロマトグラフ処理する。漂（
塊化合物が油状物の形で得られる。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）　：　５．５５．６
．３０．６．５５および７．４２μに特性吸収帯。 勿］４９゜ １０係パラジウム／炭素触媒７５ｍ９を（５Ｒ，６８）
−２−メチル−６−フェノキシアセトキシ−２−ヘネム
ー３−カルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル４５Ｉｎ
ｑの酢酸エチル２ｍｌと２Ｍ重炭酸ナトリウム溶液２ｒ
ｒＬｌとの混合物中の溶液に添加し、この混合物を大気
圧下室温で１．５時間水素添加する。 水素什１．た混合物をけいそう土によりろ過し、ろ過残
さを２Ｍ重炭酸ナトリウム水ｒ６　ｆ＆　１　ｍｌおよ
び酢酸メチルで洗浄する。水性相をろ液から分離し。 ０．１Ｍ水性くえん酸で酸性にし、塩化メチレンで数回
抽出する。合併した塩化メチレン抽出物を硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、真空蒸発により、１′！縮する。 得られた粗製標題化合物のＩＲスペクトル（エタノール
中）：５．６μに特性吸収帯；Ｕｖスペクトル（エタノ
ール中）：λｍａｘ＝３０５　ｎｍ。 例５０゜ ６α−メトキシペニシラン酸２，２．２−）リクロルエ
チルエステル（Ｐ、Ｊ、　Ｇｉｄｄｉｎｓ、　Ｄ、Ｉ。 Ｊｏｈｎｓ、　Ｅ、Ｊ、　Ｔｈｏｍａｓ　：　Ｔ、Ｌ、
　ＩＬ　９９５＋　１９７８により成造）２１の塩化メ
チレン１００１１１とアセトン０．３　ｒｎｌ中のだ液
を−１５℃に冷却し、４０憾過酢ｅ　１　ｍｌを５分間
かかつて添加し、この混合物を同じ温度で１５分間かき
まぜる。続いてこの反応混合物に０．ＩＮチオ硫酸ナト
リウム溶液１５ｒｎｌを添加する。有機溶液を分離し、
氷水で２回洗浄する。硫酸ナトリウム上で乾燥した後、
溶剤を真空蒸発し、残さをエーテル／石油エーテルから
再結晶する。こうして得た化合物は次の物理化学的匣質
を持つ。 融点：１２７〜１２８℃；ＩＲスペクトル（塩化メチレ
ン中）　：　３．４１．５．５８．５．６５．８．３３
．８．４７．８．７０および９．４８μに特性吸収帯。 例５１゜ ２−メルカノトペンズチアゾール１．３９．Ｖを６α−
メトキ７ベニシランｔｍｚ、２．２−トリクロルエチル
エステル１−オキサイド３Ｓの無水トルエン４１）＠ｊ
！中の溶液に添加し、この混合物を窒素雰囲気下で１０
分間還流する。溶剤を真空蒸留し、標題化合物が黄色油
状物の形で得られる。 ＩＲス槓タクト／Ｉ／（塩化メチレン中）：３．３９．
５．６０．５．６５．６．８５．８．２０．８．６２．
８．９７％９．８５および９．９５μに特性吸収帯。得
られた生成物は更に精製することなく次の工程に使用す
ることがでへる。 例５２゜ トリエチルアミ：１０．７８ｍ１を２−（（３Ｓ、４Ｒ
）−４−ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−メ
トキシ−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メチ
レン酪酸２　、、２　、２−　）リクロルエチルエステ
ル４．１７ｇの無水塩化メチレン７５ｏ＋ｌ中の溶液に
０℃で添加し、この混合物を同じ湯度で１５分間かきま
ぜる。この反応混合物を４ｔｌｌん酸、１１（炭酸す）
　Ｉ）ラム飽和溶液および塩化す）　ＩＪウム溶液で順
次洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥する。溶剤を蒸発し
、残ぜをトルエンおよびトルエン／酢酸エチル（１９：
１）を用いシリカゲル上でクロマトグラフ処理すること
によＶ、γｎ　？！する。 標題化合物が油状物の形で得られる。 ＩＲスイクトル（塩化メチレン中）：３．３９゜５．６
２．５．７６．６．８５．７．０４，７．２５．６．８
５．９．０１．９．４８．９．８５および９．９５μに
特性吸収帯。 例５３゜ チルエステル ２−Ｃ（３８，４Ｒ）−４−（ベンズチアグールー２−
イルジチオ）−３−メトキシ−２−オキソアセチノン−
１−イル〕−３−メチルクロトンｄ２　、２　、２−　
）リクロルエチルエステル３．２６ｇの無水酢酸３６．
３ｍｌおよび酢酸１２．４ｉＪ中の溶／１ｉを一１５℃
に冷却し、トリフェニルホスフィン１．７ｇを添加する
。窒素雰囲気下同じ温度で７５分間かきまぜた後、ピリ
ジン２４．８ｍｌをこの・礒合物に添加する。０℃で四
に３時間かきませた鏝、この反応混合′吻を減圧下で蒸
発することにより１，５ユ縮し、得られた残さをトルエ
ンおよびトルエン／酢酸エチル（９：１）を用いシリカ
デル上でクロマトグラフ処理することにより精製する。 ＩＲス４クトル（塩化メチレン中）：３．４０゜５．６
３．５．７７．５．８０．６．１３．７．２５．７，３
５．８．２６．９．０．９５２および１１．９０μに特
性吸収帯。 例５４゜ ステル ２−（（３Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メトキ
シ−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メチルク
ロト／酸２，２．２−トリクロルエチルエステル８，４
ｇの酢酸メチル７６５ｍｔ中の溶液で一３０ｔｌ：に冷
却したものに３当量のオゾンを供給する。オゾンで処理
した後、この反応混合物を同じ温度で１５分間放置し、
そし、て次に窒素流により過剰のオゾンを除去する。こ
の反応混合物を０℃で１０係重亜硫酸ナトリウム水溶ｉ
−ｔして次に塩化ナトリウム溶液で洗浄する。分離した
後、合併した水性相を酢酸メチルで更に４回抽出する。 合併したメチルエステル溶液を硫酸ナトリウム上で乾燥
し、真空蒸発によって濃縮する。 得られた油状の標題化合物のＩＲスペクトル（塩化メチ
レン中）：３．３９．５．４８．５．６３．６．ｏ９．
６．４４．７．２５．７．３８．７．４６．８．２３．
８．９３．９．９０および１１．８３μに特性吸収帯。 例５５゜ ａ）２−（（３８，４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メ
トキシ−２−オキソアセチＣノン−１−イル〕−２−オ
キソ酢酸２，２．２４リクロルエチルエステル（粗製生
成物）１．５２ｇのメタノール２９０プ、酢酸メチル４
Ｑｙ＋Ｊおよび水５．９　ｒｎｌ中の溶液を窒素雰囲気
下で２０分間還流する。溶剤を真空蒸発する。トルエン
／酢酸エチル（３：１）を用いシリカデル上でクロマド
グ２フイー処理した後、残さから標題化合物が得られる
。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：２．９５．３．４
０．５．６０．５．８８．７．３７％　７．５２．８．
２５．８６７０．８．８５．１０，５および１２．１２
μに特性吸収帯。 次のようにしても同じ化合物が得られる。 ｂ）チオ酢酸ナトリウム水浴液１．５当場を（３Ｓ、４
Ｒ）−４−アセトキシ−３−メトキシ−２−オキソアゼ
チジン（製法は後記参照）４０卿のりん酸塩緩衝剤（…
＝７）１．５ｍＪお上びノオキサン０．１　ｍｌ中の溶
液に添加し、この混合物を室温で３０分間かきまぜる。 この反応混合物を塩化メチレンで抽出し５分離した有ｔ
４溶液を硫酸ナトリウム上で乾燥する。溶剤を真空蒸発
し、残さをトルエン／酢酸エチル（３：１）を用いシリ
カケ゛ルーヒでクロマトグラフ処理することにより哨裂
する。こうして得た標題化合物のＩＲスペクトル（塩化
メチレン中）はａ）に従って得た生成物のものと同一で
ある。 例５６゜ ２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジル
エステル１．１５．！？および分子フルイＡ４４ｙを（
３Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メトキシ−２−
オキソアゼチジン３５０Ｉｎｑの無水トルエン２４ｍ１
および無水ジメチルホルムアミド６−の混合物中の２液
に添加し、この混合物を窒素雰囲気下室温で一晩かきま
ぜる。分子フルイをろ過し、ろ液を真空蒸発により濃縮
する。残づをシリカデル上でクロマトグラフ処理し、ト
ルエンおよびトルエン／酢酸エチル（１９：１）を用い
溶離することによって標題化合物が得られる。 ＩＲスＲクトル（塩化メチレン中）：２．８６．３．３
９．５．６０．５．６８．５．８８．６．２１．６．５
６．７．４１．８．２６．９．０１および１１．７６μ
に特性吸収帯。 例５７゜ ２−（（３Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メトキ
シ−２−オキソアゼチジン−１−イル〕＝２−ヒドロキ
シ酢酸ｐ−二トロペンジルエステル０４６ｇの乾燥テト
ラヒドロフラン７ｍｔ中の溶液を一１５℃に冷却し、塩
化チオニルＯ，１９ｍ／！を添加する。次に乾燥テトラ
ヒドロフラン０．４　ｍｌ中のトリエチルアミン０．３
７　ｌｎｌを同じ温度で流加する。 この反応混合物を０℃で１時間かきまぜ、冷塩化メチレ
ンで希釈し、水冷２　Ｎ　ＨＣｔ溶液で洗浄する。 水と共に振盪することにより数回抽出した後、塩化メチ
レン溶液を硫酸ナトリウム上で乾燥し、蒸発により濃縮
する。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：３．４１．５．５
９．５．６５．５．８８．６．２１．６．５６．７，４
１％８．２３゜８．５５．９．０５．１０，５および１
１．７Ｆ５μに特性吸収帯。 例５８゜ トリフェニルホスフィン０．８４９を２−　［：（３８
゜４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メトキシ−２−オキ
ソアゼチジン−１−イルジ−２−クロル酢酸ｐ−ニトロ
ベンジルエステル０．６３．９の乾燥ｆトラヒドロ７ラ
ン１．ｆＪ　ｍｌ中の溶液に添加し、この混合物を窒素
雰囲気下室温で一晩かきまぜる。この混合物を塩化メチ
レンで希釈し、重炭酸ナトリウム冷飽和水浴液で洗浄す
る。更に水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空
蒸発により濃縮すると粗製の標題化合物が得られ、これ
をトルエン／酢酸エチル（１９：１〜３：１）を用いシ
リカダル上でクロマトグラフィー処理することにより精
製する。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：３．４０．５．６
７、５．９０．６，２０．６．５８．７．４６および９
．０５μに特性吸収帯。 例５９゜ ステル 触媒量の３，５−ジ第３ブチル−４−ヒドロキシトルエ
ンを２−（（３８，４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メ
トキシ−２−オキソアゼチジン−１−イル：ｌ−２−）
リフェニルホスホラニリデン酢酸ｐ−ニトロベンジルエ
ステル７４Ｉｎｇの無水トルエン３Ｑｍｌ中の溶液に添
加し、この混合物を窒素雰囲気下で３時間還流する。ト
ルエンを真空蒸発し、残さをトルエン／酢酸エチル（１
９：１）を用いシリカ）ｆ／Ｌ／上でクロマトグラフ処
理する。 標題化合物が固体状態で得られる。 ＩＲス被ツクトル塩化メチレン中）　：　３．４１．５
．６０．５．８５．６．６３．６，５８．７．４１％７
．６０％８．２３゜９゜２６および１１．７６μに特性
吸収帯。 例６０゜ ａ）４−アセトキシ−３−エチルアゼチジン−２−オン
（シス−およびトランス−異性体の比率６：４のラセミ
体混合物）０．７８ｇ（５ｍモル）のジオキサ７２ｍ１
中のｆｃＪＤ、をカリウム（２−アセチルアミノエチル
）−トリチオカーｇネート１．１７５．９の過冷却した
りん酸塩緩衝剤（ＰＨ＝７）２０ｒｕｇ中の溶液に窒素
雰囲気下で流加し、この混合物を６０分間かきまぜる。 この反応混合物を遠心分離Ｋかけ、上澄溶液をデカンテ
ーションし、油状残さを塩化メチレンに溶解する。有機
相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空蒸発によって濃Ｂ
３する。残さをジエチルエーテルと共に１回すりつぶし
、更にその形で加工する。 ＴＬｃ：Ｒｔ＝ｏ、ｘｓ（酢酸エチル）：ＩＲス被ツク
トルＣＨ２Ｃｌ２）：　２．９２，２．９７．５．６３
．５．９７．６．６２．９．３５および１２．３４μに
吸収帯。 二つの原料は次のようにして作ることができる。；ｂ）
　　Ｎ−クロルスルホニルインシアネート４２．７１　
（２６，：ｌ＋Ａ！、　０．３０２モル）をブドー１−
エニルアセテー）３４．５ｇ（０，３０２モル）の乾燥
塩化メチレン３５ｍ１中のかきまぜた溶液に一１０℃で
３０分かかって流加する。０℃で更に４時間かきまぜた
後、反応混合物を過冷却したＪπ化メ５−ｖン５０ｍ１
”ｔ’希釈し、水３２ｍ１．水１４４ｇ１重炭酸ナトリ
ウム１１３ｇおよび無水亜ｍＥＵす）　ＩＪウム３８．
２．！ｉ’の加水分解性混合物に滴加する。加水分解の
間は外部冷却により温度を０℃に保つ。有機相がも早や
酸性反応を示さなくなったとき、反応混合物をジエチル
エーテル１００＃Ｉ／で希釈し、セライトでろ過する。 有機相を分離し、水性相をジエチルエーテル４００ｍ１
で３回抽出し、有機相を合併し、乾燥し、真空蒸発によ
り濃縮する。残さをトルエン／酢酸エチル（２二１）を
用いシリカゲル上でクロマトグラフ処理し、比率６：４
のシスおよびトランス−４〜アセトキシ−３−エチルア
ゼチジン−２−オンのラセミ体混合物が油状物の形で得
られる。 ＩＲス４クトル（０Ｍ２Ｃｚ２）　：　２．９４　、５
．ｆｉ　０　。 ５．７５．７．３５．８，０６および８．８５μに吸収
帯。 ｃ）２−アセチルアミノエチルメルカプタン１．７０８
ｇ（１４，３５ｍモル）の無水エタノール２ｍｌ中の溶
液を水酸化カリウＡ０．８（１（１４，３５ｍモル）の
無水エタノール５ゴ中の溶液に、かきまぜそして１０〜
１５℃に冷却しながら、０．５時間で滴加する。更に３
０分後に２硫化炭素１．０９、ｊｉｌ（１４，３５ｍモ
ル）の無水エタノール３ｍ７！中の溶液を添加し、温度
を１０〜１５℃に保つ。この反応混合物を室温で更に３
時間かきまぜ、冷浴中で２０分間冷却する。黄色の結晶
性沈殿をろ過し、無水エタノールで１回洗浄し、融点１
７１〜１７４℃のカリウム（２−アセチルアミノエチル
）−トリチオカーゴネートが得られる。 ＩＲスｄクトル（ＫＢｒ）：　２．９５．６．１８．６
．５０゜７．００．７．３２．７．４３．７．７９．８
．３３％９．０９および１１．８３μに吸収帯。 例６１゜ 化合物） ２−二トキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジル
エステル４．２０．！ｉ’（１６，５ｍモル）を３−−
ｃチル−４−（２−アセチルアミノエチルチオチオカル
ボニルチオ−２−オキソアゼチジン（ラセミ体シス−ト
ランス化合物）３．３０ｇ（１１ｍモル）のトルエン１
２０ｍＪｉ−よびジメチルホルムアミド３２ｍｔ中の溶
液に室温で添加する。新たに乾燥した分子フルイを添加
した後、この混合物を窒素雰囲気下室温で３時間かきま
ぜる。分子フルイをろ過し、トルエン２９ｍ１で洗浄し
、ろ液および洗浄液を一緒にして真空蒸発によシ濃縮す
る。 残さを高真空中で乾燥し、次にジエチルエーテルと共に
すりつぶして未反応の２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢
酸ｐ−ニトロペンジルエステルヲ除く。次の物理化学的
性質を持った標題化合物が得られる。 ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．１６（酢酸エチル）　：　ＩＲスペ
クトル（ＣＨ２Ｃｌ２）：　２．８６．２．９２．３．
０３．５．６５．５．７１．５．９７．６．５８．７．
４１および８．３７μに吸収帯。 例６２゜ ミ体シスートランス化合物） ２−〔３−エチル−４−（２−アセチルアミノエチルチ
オチオカルボニルチオ）−２−オキソアゼチジン−１−
イル〕−２−ヒＶロキシ酢酸ｐ−二トロペンジルエステ
ル（ラセミ体シス−トランス化合物）５．５２．ｉｉｒ
（ｌ１ｍモル）の無水テトラヒドロ７ラン３０ＷＬｌ中
の溶液を一１５℃に冷却し、かきまぜながら塩化チオニ
ル１．０２ｍ１（１４ｒｎモル）を添加し、続いてトリ
エチルアミン１．９５　ｍｌ（１４ｍモル）を徐々に添
加する。この反応混合物を０℃で２０分間かきまぜ、塩
化メチレン１５０ｍ１を添加し、水冷ＩＮ塩酸で洗浄を
行う。有機相を硫酸ナトリタムで乾燥し、真空蒸発によ
り濃縮する。こうして得た粗製の２−〔３−エチル−４
−（２−アセチルアミノエチルチオチオカルボニルチオ
）−２−オキソアゼチジン−１−イルシー２−クロル酢
酸ｐ−ニトロペンジルエステルヲ乾燥テト２ヒドロフジ
ン３ｍ１Ｋ溶解し、トリフェニルホスフィン６ｇを添加
し、この混合物を室温で２４時間かきまぜる。この反応
混合物を塩化メチレン２ｏｏＴｎｌで希釈し、重炭酸ナ
トリウム飽和水浴液で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥
し真空蒸発によ１３縮する。酢酸エチルを用いシリカゲ
ル上でクロマトグラフ処理した後、残さから標題化合′
吻が得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ　＝０．１９　（酢酸エチル）；ｒＲス
ペク）＃（ＣＨ２Ｃ／！、２）：　２．９３．５．７０
．５．９７．６．１７．６．５８．６．９９．７．００
．８．０７．８．３３および９．３９μに吸収帯。 例６３゜ 化合！！ｖｌ） 触媒量のハイＰロキノンを２−（３−エチル−４−（２
−アセチルアミノエチルチオチオカルがニルチオ）−２
−オキソアゼチジン−１−イル〕−２−トリフェニルホ
スホラニリデン酢ｉ俊ｐ−二トロペンジルエステル（ラ
セミ体シス−トランスｆヒ合物）１．７５！Ｉ（２，３
４ｍモル）の乾燥０−キシレン１５００ｍ／中のｍＨに
添加し、この混合物を窒素雰囲気下でかきまぜながら７
時間還流する。 溶剤を真空蒸発し、残さを酢酸エチルを用いシリカゲル
上でクロマトグラフ処理する。シス−およびトランス標
題化合物の混合物が得られる。 シス−およびトランス標題化合物は薄層クロマトグラフ
ィー（シリカゲルとメチルイソブチルケトン）およびカ
ラムクロマトグラフィー（シリカゲルと酢酸エチル）の
組合せによって得ることができる。 シス化合物：融点：１４１〜１４２℃（塩化メチレン／
ジエチルエーテルから結晶した後）；ＴＬＣ：　Ｒｆ　
＝０．６２　（メチルインブチルケトン）；ＩＲスペク
トル（ＣＨ２Ｃｌ２）：２．９３，５．６２．５．９８
．６．６０．７．４６．７．５７．８．４４および９．
０９μに吸収帯。 トランス化合ウニ融点：１３２〜１３３℃（塩化メチレ
ン／ジエチルエーテルから結晶した後）；ＴＬＣ：　ｇ
ｒ＝ｏ、５６　（メチルインブチルケトン）；ＩＲスペ
クトル（ＣＨ２Ｃｌ２）　：　２．９２　、５．６２．
５．９６．６．５８．７．４４．７．５８．８．４０お
よび９．０１μに吸収帯。 列６４゜ ａ）０．２Ｎ重炭酸す）　ＩＪウム水溶液４ｍｌおよび
１０４／４’ラジウム／炭素触媒２ｏｏｍｑを２−（２
−アセチルアミノエチルチオ）−６−エチル−２−ヘネ
ムー３−カルデン酸ｐ−ニトロペンシルエステル（ラセ
ミ体シス化合物）１００■（０，２２ｍモル）の無水酢
酸エチル６ｍｌ中のγ含液に添加し。 この混合物を水素雰囲気下常圧で６０分間かきまぜる。 けいそう士により水素化混合物から触媒をろ過する。水
性相を分離し、ノエチルエーテルで洗浄し、５幅くえん
酸水溶液で酸性にし、塩化メチレンで充分に抽出する。 合併した塩化メチレン相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、
ろ過し、真空蒸発によりａ縮し、高真空中で乾燥する。 こうして得たシス標題化合物は次の物理化学的性質を持
つ。 融点：１５３〜１５４℃（塩化メチレン／ジエチルエー
テルから結晶後）：ＩＲスペクトル（ＫＢｒ）　：　３
．０８．３．２２．３．３９．３．４２．３，５ｏ、３
．７７．４，０８％５．６７．６．０６．６．２１．６
．３５．６．７５．７．０４．７．６９．７．９３，８
．２７．９．０１．９．６２および１４．３８μに吸収
帯。 ｂ）同様にして２−（２−アセチルアミノエチルチオ）
−６−エチル−２−ペネム−３−カルボンＨｐ−ニトロ
ベンジルエステル（ラセミ体トランス化合物）１００■
からトランス標題化合物が得られる。 ｒＲスペクトル（ＫＢｒ）：３．０１．３．３９　、３
．、＄　４．５．６８．６．１０．６．８５．７．７５
．８．１６．８．４７　および８６９３μに吸収帯。 例６５゜ ス化合物） ４−ｐ−二トロペンジルオキシ力ルポニルアミノチオ酪
酸７．９５．！ｉ’（２６，７ｍモル）のＩＮ水酸化す
ｌ−ＩＪウム溶液２６．７　ｍｌ中の冷間で作った溶液
を３−エチル−４−アセトキシアセチノン−２−オン（
比率６：４のラセミ体シス−トランス化合物）３．２４
ｇ（２０ｍモル）のジオキサ７５０ｒｎｌ中の過冷却し
た溶液に滴加し、この混合物を室温で２時間かきまぜる
。この反応混合物を塩化メチレンで充分に抽出する。合
併した有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空蒸発に
より濃縮する。 残さをトルエン／酢酸エチル（９：１，４：１および１
：１）を用いシリカダル上でクロマトグラフ処理し、次
の物理化学的性質を持つ標題化合物が得られる。 ＴＬＣ：　Ｒｆ＝０．１０　（）ルエン／酢酸エチル１
：１）ＳＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃ６２）　：　２．８
１．２．９２．５．６６　、５．８１．５．９４　、６
．−５８．７．５２および８．２０μに吸収帯。 原料として使用したチオカルゲン酸は次のようにして得
られる： ａ）ｐ−ニトロベンジルクロロホー／’−）２５．８７
ｇ（０，１２ｍモル）の乾燥ジオキサ７１００ｍ７１中
の溶液を４−アミノ酪酸１０．３（１（０，１ｍモル）
のＩＮ水酸化ナトリウム溶液３００ｍ１中の溶液に水浴
中で２０分間で滴加する。この反応混合物を室温で３時
間かきまぜ、酢酸エチルで洗浄し、２Ｎ塩酸で洗浄する
。沈殿しだ４−ｐ−二トロペンジルオキシカルポニルア
ミノ酪酸をろ過し、酢酸エチルから再結晶する。融点：
１４５〜１４６℃。 ｂ）　　）リエテルアミン２．２１２ｏｍモル）および
インブチルクロロホーメート１．４ｍ１（Ｉｏｎモル）
の乾燥塩化メチレン２ＯＩｎｌ中の溶液を順次、４−ｐ
−ニトロベンジルオキシカルビニルアミノ酪酸２．８２
ｇ（１０ｍモル）の乾燥塩化メチレン５０ＩＩＬｌ中の
一１０℃に冷却した溶液に添加する。 この反応混合物を１時間かきまぜ、次に強い硫化水素流
を２時間通す。２Ｎ硫酸で酸性にした後、有機相を分離
し、乾燥し、真空蒸発により濃縮する。こうして得た４
−ｐ−ニトロベンノルオキシカルビニルアミノチオ酪酸
は更に精製しないで使用することができる。 例６６゜ ３−エチル−４−（４−ｐ−二トロペンジルオキシカル
ビニルアミノブチリルチオ）−２−オキソアゼチジン（
ラセミ体シス−トランス化合物）６．５０ｆｔ　（１６
，４５ｍモル）および２−エトキシ−２−ヒｒロキシ酢
酸ｐ−ニトロペンシルエステル８．４１ｇを室温でトル
エン１６Ｑ＋＋＋Ｊおよびジメチルホルムアミド４０ｔ
ｎｌに溶解する。新たに乾燥した分子フルイ約１５ｇを
添加した後、この混合物を窒素雰囲気下室源で３時間か
きまぜる。分子フルイをろ過し、ジメチルホルムアミド
９／トルエン（１：４）で洗浄する。ろ液を真空蒸発に
より濃縮し、高真空中で乾燥し、残さをジエチルエーテ
ルと共にすシつぶして未反応の２−エトキシ−２−ヒド
ロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジルエステルを除去する。こ
の粗製標題化合物は次の物理化学的性質を持つ。 ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．１　（）ルエン／酢酸エチルに１）
：ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２）　：　２．８３．２
．９０．５．６７．５．７３．５．８０．５．９９．６
．５８．７．５２．８．２６および９．５２μに吸収帯
。 例６７゜ ａ）塩化チオ−＝−＃３．０６ｍ１（４２ｍモル）オヨ
びトリエチルアミ７５．８５ｒｎ／（４２ｍモル）を２
−〔３−エチル−４−（４−ｐ−二トロペンジルオキシ
カルビニルアミノプチリルチオ）−２−オキソアセチノ
ン−１−イル〕−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジ
ルエステル１０．４０　ｇ（１７，２ｍモル）の無水ジ
オキサン４０ｍ４中の混合物に−１５℃で順次流加する
。この反応混合物を窒素雰囲気下θ℃で２０分間かき１
ぜ、塩化メチレン２００　ｒｎｌで希釈し、冷却したＩ
Ｎ塩酸で洗浄する。 有機相を乾燥し、真空蒸発により製器する。 ｂ）こうして得た粗製２−（３−エチル−４−（４−ｐ
−１ニトロペンシルオキシカル７？ニルアミノブチルチ
オ）−２−オキソアゼチジン−１−イル）−２−クロル
６［ｊｌｐ−二トロペンジルエステルを最小量のテトラ
ヒドロフランに溶解し、トリフェニルホスフィン９ｇを
添加し、この混合物を窒素雰囲気下室温で一晩かきまぜ
る。この反応混合物を塩化メチレン２５０ｍ１で希釈し
１重炭酸ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、乾燥し、　＊
、蒸発発により濃縮する。残さをトルエン／酢酸エチル
（１：１）を用いシリカダル上でクロマトグラフ処理し
、次の物理化学的性質を持った標題化合物が得られる。 ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．０５　（トルエン／酢酸エチル１：
１）：ＩＲス被クりル（ＣＨ２Ｃ１，２）：　２．９０
．５．７３％５．８０，５．９４．６．５Ｂ、？、５２
，８．２０および９．３５μに吸収帯。 例６８゜ 触媒量のハイドロキノンヲ２−　（３−エチ／ｌ／　−
４−（４−ｐ−二トロペンジルオキシカルがニルアミノ
ブチリルチオ）−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−
２−トリフェニルホスホ２ニリデン６ｆｆｉｐ−ニトロ
ベンジルエステル（ラセミ体シス−トランス化合物）５
．４０．９（６，３６ｍモル）の乾燥トルエン１５０　
Ｑｍ中の６孜に添加し、この混合物を窒素雰囲気下１０
０℃で２０時間かきまぜる。溶剤を真空蒸発し、残さを
トルエン／酪酸エチル（４：１）ｔ−用い７リカダル上
でクロマトグラフ処理する。シス−およびトランス標題
化合物の混合物が１−１０の比率で得られ、こｔＬは次
の物理化学的性質を持つ。 ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．２２　（トルエン／酢酸エチル１：
１）；ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃ２２）　：　２．９０
　、５．６２％５．８１．５．８５．６．５８．７．５
２．７．８７および８．２０μに吸収帯。クロマトグラ
フィーを繰返すことによりシス−およびトランス化合物
を純粋な形で得ることができる。 例６９゜ ス化合物） りん酸水素２ナトリウム２ダおよび１０係・？ラジウム
／炭素触媒４ｇを６−ニチルー２−（３−ｐ−ニトロベ
ンジルオキシカルビニルアミノプロピル）−２−ペネム
−３−カルがン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（ラセミ
体シス−トランス化合物）２ｇ（３，５ｍ−ｖ−ル）の
ジオ＊ｔｙ６００ｍＡ！。 エタノール３３０ｍＪおよび水６００ｒｎＪ中の溶液に
添加し、この混合物を水素雰囲気下常圧で１時間かきま
ぜる。けいそう土により触媒を水素化混合物からろ過す
る。ろ液を酢酸エチル１５０９ｍｌで３回洗浄し、親媒
化する。この親媒化物を水／アセトニトリル（９：１）
を用いシリル化シリカｒル（薄層板ＡＮＴＥＣ−ＧＥＬ
　、　ＵＰ−０１２）上で２回クロマトグラフ処理し、
次の物理化学的性質を持った標題化合物（シス：トラン
ス比＝約１：１０）が得られる。 ＴＬＣ（ＡＮＴＥＣ−ＧＥＬ　、　ＵＰ−Ｃ１２）：　
Ｒｆ　＝　０．５５（水／アセトニトリル９：１）：Ｉ
′Ｒス４クトル（ＫＢｒ）　：　２．９４．３．３９．
５．６８．６．４１　、７．３３．７．８１．８．９３
．１２．８２および１４．２８μに吸収帯。 純粋なシス−またはトランス原料を使用すると純粋なシ
ス−およびトランス標題化合物を得ることができる。 例７０゜ 氷酢酸０．１１１１Ａ’およびトリメチルホスファイ）
０．３５ｍを無水インゼン１３ｍ／中の（６Ｓ）−６−
メドキシペニシラン酸β、β、β−トリクロルエチルエ
ステルー１−オキサイド２００ｍ９に添加し、この混合
物を７時間還流する。溶剤を真空蒸発し、残さをトルエ
ン／酢酸エチル（１９：１および９：１）を用いシリカ
ゲル上でクロマトグラフ処理することによシ精製する。 こうして種類化合物を分離することができる。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：３．４２．５．６
２．５．６８．７．２５％７．３５．８．２６．９．０
１．１０．９３および１１．８３μに（３Ｓ、４Ｒ）−
異性体（トランス化合物）の特性吸収帯；３．４２．５
．６１．５．７，７．２５％７．３５．８．２１．９．
６１および１０．９３μに（３８，４Ｓ）−異性体（シ
ス化合物）の特性吸収帯。 シス一対トランス化合物の比率は略１：１である。 例７１゜ ２−［：（３８，４Ｓ）−および（３Ｓ、４Ｒ）−４−
アセトキシ−３−メトキシ−２−オキソアセチジン−１
−イル〕−３−メチレン酪酸β、β。 β−トリクロルエチルエステル０．９３．９の無水塩化
メチレン６０ｒｎｌ中の溶液を０℃に冷却し、トリエチ
ルアミンＯ１３３ｍｌと共に１０分間か！まぜる。 次にこの反応混合物を４Ｎりん酸、重炭酸ナトリウム飽
和水溶液および水で順次洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾
燥する。溶剤を真空蒸発し、残さをシリカゲル上でのク
ロマトグラフィーによりＱ　Ｉｑする。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）　：　３．４１．５
．６０．５．７３．６．１３．７．１９．７．３３．８
．２６゜９．０９．９．５７．１０．６４％１０．８７
および１２．１９μに特性吸収帯。 例７２゜ ２−（：（３Ｓ、４８）−および（３Ｓ、４Ｒ）−４−
アセトキシ−３−メトキシ−２−オキソアゼチジン−１
−イルクー３−メチルクロトン酸β、β、β−トリクロ
ルエチルエステル０．９１ｇの酢酸メチル１３（ｌｊｆ
中の一３０℃に冷却した溶液にオゾン３当量を供給する
。オゾン処理の後、この混合物を同じ温度で１５分間放
置し、続いて過剰のオゾンを窒素流により除去する。こ
の反応混合物を１０憾亜硫酸す）　ＩＪウム水溶液そし
て次に塩化ナトリウム溶液によシＯ℃で洗浄する。合併
した水溶液を酢酸エチルにより更に３回再抽出する。合
併したＭ機抽出物を硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空蒸
発により濃縮する。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）　：　３．４１．５
．４６．５．６８．５．８１．７．２７．７．４３％８
．２３．８，４０．９．５２および９．９０μに特性吸
収帯。 例７３゜ ２−Ｃ（３Ｓ、４８）−および（３Ｓ、４Ｒ）−４−ア
セトキシ−３−メトキシ−２−オキソアゼチジン−１−
イルツー２−オキソ酢酸β、β、β−トリクロルエチル
エステル１２０ｒｎＩ？のメタノール２５ｄ、酢酸メチ
ル３．５コおよび水Ｑ、　５　ｒｎｌ中の溶液を２０分
間還流する。溶剤を真空蒸発し、残さをトルエン／酢酸
エチル（９：１）を用いシリカゲル上でクロマトグラフ
処理した後に純粋な（３８，４Ｒ）−４−アセトヤシ−
３−メトキシ−２−オキソアゼチジンが得られる。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：２．９６．３．４
２．５．５７．５．７３．７．３０．８，２３．８．７
０．８．８５．９．６２．１０．０および１０．２０μ
に特性吸収帯；史に溶離した純粋な（３Ｓ、４Ｓ）−４
−アセトキシ−３−メトキシ−２−オキソアゼチジンの
ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：２．９４．３．４
１．５．５６．５．７３．７．３５．７．４９．８．２
０および９．５２μに特性吸収帯。 例７４゜ ルチオ）−３−メトキシ−２−オキソアゼチジンカリウ
ム２−ｐ−ニトロベンノルオキシカルの水１ｒＩＬｌ中
の溶液を（３Ｓ，４Ｓ）−４−アセトキシ−３−メトキ
シ−２−オキソアゼチジン１５９Ｉｎ’？　（　１　ｍ
モル）のりん酸塩緩衝剤（　ｐＨ＝　７　）　３ｍｌお
よびノオキサン０．　２　ｍｌ中の溶液に窒素雰囲気下
室温で流加し、この混合物を同じ温度で３０分間かきま
ぜる。この反応混合物を塩化メチレンで充分に抽出する
。合併した有機相を硫酸す）　ＩＪウム上で乾燥し、真
空蒸発により濃縮する。残さをシリカゲル上でクロマト
グラフ処理し、次の性質を持つ標題化合物が得られた。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：２．９５、５、６
２、５．７８、６．２１、６．５６、７．４１、８，２
６および９，２５μに特性吸収帯。 例７５。 チタン−１−イル〕−２−ヒドロキシｒ？Ｆ−酸ｐー二
例２３と同様にして、無水トルエン２２ｍ１および無水
ツメチルホルムアミド５．　５　ｍｌ中の（３Ｓ。 ４Ｒ）−４−（２−ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニ
ルアミノエチルチオチオカルＨ？ニルチオ）−３−メト
キシ−２−オキソアゼチジン６４６１等（１．５ｍモル
）を新たに乾燥した分子フルイの存在下で２−エトキシ
−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジルエステル８４
８ｍｇと反応させる。仕上げそしてシリカゲル上でクロ
マトグラフ、ｔｒｐ理しｆ？−後に標題化合物が得られ
る。 ＩＲスペクトル（塩化メチレン中）：５．６２、５、７
、５．７８、６．５６、７．４１および８．２６μに特
性吸収帯。 例７６。 ニリテン酢酸ｐーニトロベンジルエステル例２４と同様
にして、無水テトラヒドロフラン０、２３ｍ１！中の塩
化チオニル０．１２ｒＩＬｌおよびトリエチルアミ７０
．２３ｍ１を２−（：（３Ｓ，４Ｒ）−４−（２−ｐ−
ニトロペンジルオキシカルポニルアミノエチルチオチオ
力ルゴニルチオ）−３−メトキシ−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルツー２−ヒドロキシ酢酸ｐーニトロインジ
ルエステル６４０■の無水テトラヒドロフラン４．　５
　ｍｌ中の溶液に添加する。反応し仕上げた後、無水テ
トラヒドロフラン１．　１　５　ｍｌ中の中間体として
得られた粗調２−〔（３８．４Ｒ）−４−（２−ｐ−ニ
トロペンノルオキシ力ルゴニルアミノエチルチオチオ力
ル？ニルチオ）−３−メトキシ−２−オキソアゼチジン
−１ーイル）−２−クロル酢ばｐ−ニトロベンジルエス
テルに添加する。仕上げそしてシリカゲル上でクロマト
グラフ処理した後、標題化合物が得られる。 ＩＲス４クトル（塩化メチレン中）　：　３．−１、５
．７。 ５、７８、６．１５、６．５５、７，４５および８．２
６μに特性吸収帯。 例７７。 例２５と同様にして、２−Ｃ（３Ｓ，４Ｒ）−４−（２
−ｐ−ニトロペン・ゾルオキシカルがニルアミノエチル
チオチオカルボニルチオ）−３−メトキシ−２−寸キソ
アゼチノンー１ーイル〕−２−トリフェニルホスホラニ
リデン酸ｆｒ１ｏ−二トロベンジルエステル５００ｍ９
の無水Ｏーキシレン１６５ｍ１中の溶液を還流下でかき
神ぜろ。仕−ヒげそしてトルエン／酢酸エチル（１９：
１〜９：１）を用いシリカゲル上でクロマトグラフ処理
したＰｌ、標題化合物が得られる。 ＩＲス４クトル（　ＣＨ２Ｃｌ２）　：　５．５　７、
５．７８、５、９、６．５５、７．４５および８．２６
μに吸収’１：Ｉ　（１例７８。 −６−メドキシー２−被ネムー３−カルゴン酸例６９と
同様にして、（６Ｓ、５Ｒ）−２−（２−ｐ−ニトロベ
ンツルアｒ：？ジカルボニルアミノエチルチオ）−６−
メドキシー２−ベネム−３−力ｙｖ　＋１”ン酸ｐ−ニ
トロベンノルエステル２９５■のジオキサンＦ３５ｎｒ
ｌ、エタノール４７ｍ１および水８５ηｌｌ中の溶液を
リン酸水累２ナトリウム２８６ｍｒ）訃よび１０チパラ
ジウム／炭素触媒５７０ｍ９で処理し、混合物を水素雰
囲気下常圧でかきまぜる。 反応きせ仕上げた後に次のＩＲスにクトル（ｒ＜ｎｒ）
を持った標題化合物が得られる：２．８〜４．１６．５
．６８．６．４１および８．２６μに吸収帯。 例７９゜ 例５５　ｂ）と同様にして、４−ｐ−ニトロペンノルオ
キシカルブニルアミノチオ酪酸ナトリウム塩４８０ｍｇ
の水溶成分りん酸塩緩衝剤（ｐＨ＝７）６Ｉｎｅおよび
ジオキサン０゜４　ｒｒｔｌ中の（３Ｓ、４Ｓ）−４−
アセトキシ−３−メトキシ−２−オキソアゼチジン１５
９■に添加する。仕上げそしてシリカデル上でクロマト
グラフ処理した後、次のＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃ２２
）を持つ標題化合物が得られる：２．９５，５．６．５
．７８．５．８７．６．５６．７４１および８．２６μ
に特性吸収帯。 例８０゜ ル 例２３と同様にして、無水トルエン１５ｍおよび無水ジ
メチルホルムアミド３．７ｄ中の（３Ｓ、、１Ｒ）−４
−（４−ｐ−ニトロペンジルオキシカルボニルアミノブ
チリルチオ）−３−メトキシ−２−オキソアゼチジン４
００ｆｆｌ’７を新たに乾燥した分子フルイの存在下で
２−エトキシ−２−ヒドロキシ酢酸ｐ−ニトロベンジル
エステル５６５〃ｌ！７ト反応すせる。仕上げそしてシ
リカデル上でクロマトグラフ処理した後、次のＩＲスペ
クトル（ＣＨ２Ｃ２）を持った標題化合物が得られる：
５．６．５７゜５．７８．５，８７．６．５６．７．４
１および８．２６μに特性吸収帯。 例８１゜ 例２・１と同様にして、無水デトラヒドロフラン０、２
３　ｍｌ中の塩化チオニル０．１２ｍｅぞして次にトリ
エチルアミン０．２３　ｍｌを２−（（３Ｓ、４Ｒ）−
４−ｐ−ニトロペンジルオキシカルボニルアミノブチリ
ルチオ）−３−メトキシ−２−オキソアゼテノン−１−
イルシー２−ヒドロキシ酢１’ｒｉ　ｐ　−ニトロベン
ジルエステル６０６■の無水テトラヒドロフラン４．５
　ｍｌ中のにノ故に添加する。反応させ仕上げた後に、
トリフェニルホヌフィン０．５４．９を得られた粗調２
−　（（３Ｓ　、　４　Ｒ）　−４−（４−ｐ−ニトロ
ペンジルオキシカルブニルアミノブチリルチオ）−３−
メトキシ−２−オキソアセチノン−１−イル〕−２−ク
ロル酢酸ｐ−ニトロベンジルエステルに無水テトラヒド
ロフラン１．１５ｍ１中で添加する。仕上げそしてシリ
カケ０ル上でクロマトグラフ処理すると次のＩＲスペク
トル（ＣＨ２Ｃ４２）を持った喋題化合物が得られる：
５．７゜５．７８，５．９．６．５５．７．４５および
８，２６μに特性吸収帯。 例８２゜ ジルエステル 例６８と同様にして、２−［（３Ｓ、４Ｒ）−４−（４
−ｐ−ニトロペンジルオキシカルボニルアミノブチリル
チオ−３−メトキシ−２−オキソアゼチジン−１−イル
Ｊ−２−）リフェニルホスホラニリテンｆｆＲｆｆｐ−
二トロベンノルエステル４００　ｍ９ｔｖ無水トルエン
１６　Ｑ　ｍｌ中の溶液を還流下でかきまぜる。仕上げ
そしてトルエン／酢酸エチル（１９：１〜９：１）を用
いシリカダル上でクロマトグラフ処理した後、標題化合
物が得られる。 ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃ２２）　：　５．５７．５．
７８．５．８５．６．５５．７．４７および８，２６μ
に特性吸収帯。 例８３゜ 例６９と同様にして、（６Ｓ、５Ｒ）−２−（３−ｐ−
ニトロインジルオキシカルポニルアミノグロビル）−６
−メドキシー２−ペネム−３−カルゼン酸ｐ−ニトロベ
ンジルエステル５７２Ｔ１１ｇのジオキサン１７０ｍ１
．エタノール９４ｍ１および水１７Ｑｍｔ中の溶液をリ
ン酸水素２ナトリウム５７１〜および１０憾パラジクム
／炭素触媒１．１４ｙで処理し水素雰囲気下でかきまぜ
る。反応させそして仕上げた後に、次のＩＲスペクトル
（ＫＢｒ）を持った標題化合物が得られる：２．７５〜
４．１５゜５．６７．６．４２および８．２５μに吸収
帯。 例８４゜ ＣＣｔ４中Ｏ１，Ｉ　Ｍ塩素溶液３．２５１ｍを一８０
℃で無水塩化メチレン９ｍｌ中の（６Ｓ）−６−メドキ
シペニシラン酸β、β、β−トリクロルエチルエステル
６１２〜に流加する。−８０℃で２時間かきまぜた後、
反応混合物を室温で１時間かがって仕上げる。溶剤を真
空蒸発し、残さを１０１水−シリカダル上でクロマトグ
ラフ処理する。次のＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃ４２中）
を持った標題化合物が得られる：３．４１．５．６０．
５．７６．６，１５．７．２２．７．３５．８．３３．
９．０９，９．５２訃よび１２．２Ｑμに特性吸収帯。 得られた混合物中の（３８，４Ｓ）−化合物対（３Ｓ、
４Ｒ）−化合物の比は１：１０である。 例８５゜ ２−（（３Ｓ、４Ｓ）−および（３８，４Ｒ）−４−ク
ロル−３−メトキシ−２−オキソアゼチジン−１−イル
ツー３−メチルクロトン酸β、β、β−トリクロルエチ
ルエステル２１０■の酢酸メチル３０ＩＦＬ／中の一３
５℃に冷却した溶液にオゾン３当量を供給する。オゾン
処理の後、この混合物を同じ温度で１５分間放青し、次
に過剰のオゾンを窒素流により除去する。この反応混合
物を１０係重亜硫酸水溶液で０℃でそして塩化ナトリウ
ム溶液で洗浄する。合併した水溶液を酢酸メチルで更に
３回再抽出する。肩（長袖出物を硫酸ナトリウム上で乾
燥し、真空蒸発により濃縮する。粗製標題化合物は次の
ＩＲスペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２中）ヲ持つ　二　３，４
１　％　　５．４６　、　５．６５　、　５．８０　、
　７，４６　、　８．２３．８．４７．８．８９，９．
５７．９．９５および１１．９０μに特性吸収帯。 例８６゜ ２−（（３Ｓ、４Ｓ）−および（２Ｓ　＃　４　Ｒ）−
４−クロＡ／−３−メトキシー２−オをソアゼチジンー
１−イル〕−２−オキン酢酸β、β、β−トリクロルエ
チルエステル３　ａ　９ｍｑオヨｏ：ｚ　、　４−ジニ
トロフェニルヒドラジン１９７■のテトラヒドロフラン
９ｄ中の溶液を３０分間還流する。 溶剤を蒸発し、残さをシリカダル上でクロマトグラフ処
理する。標題化合物は次のＩＲスにクトル（ＣＨ２Ｃｌ
２）を持つ：２．９４．５．５６．８．２６および９．
０９μに特性吸収帯。 例８７゜ ４−ｐ−ニトロベンジルオキシカルｙＩｆニルアミノチ
オ酪酸ナトリクム３５０ｍ９の水４　ｍｌ中の１８　ｋ
’ｉを（３Ｓ、４Ｒ）−４−クロル−３−メトキシ−２
−オキソアゼチジン１３５ｊｎ９のりん酸塩緩衝剤（ｐ
Ｈ＝＝　７　）　６　ｍｌおよびジオキサンＱ、　４　
ｍｌ中の溶液によう化す）　ＩＪウム１５０ｍｇの存在
下で流加する。 室温で３０分間かきまぜた後、この混合物を塩化メチレ
ンで充分に抽出する。有機相を除き、硫酸ナトリウム上
で乾燥した後、溶剤を真空蒸発し。 残さをシリカデル上でクロマトグラフ処理する。 標題化合物は次のＩＲス４クトル（ＣＨ２Ｃ２２）を持
つ：２．９５．５．６．５．７８．５．８７．６．５６
．７．４１および８．２６μに吸収帯。 例８８゜ 相当する原料および場合により相当する中間体を使用し
、前記例と同様にして次の各化合物が得られるニラセミ
体６−ヒドロキシメチル−２−ペネム−３−カルがン［
（ＵＶ（水）λｍａ３ｃ　３０４　ｒ２５６ｎｍ：］、
］ラセミ体６−ヒドロキシメチルー２エチルチオ−２−
ペネム−３−カルボン酸［：　ＵＶ　（リン酸緩衝液、
ｐＨ７，４）λｍａｘ　３２５　、２５４ｎｍ）、（５
Ｒ，６Ｓ）６−ヒドロキシメチル−２−（２−アミノエ
チルチオ）−２−ペネム−３−カルボン酸（ＵＶ（リン
酸緩衝液、　ｐｌ（７，４）λｍａｘ３２１　、２５４
　ｎｍ　）　、ラセミ体６−（１−ヒドロキシエチル＞
−ｚ−ｅネムー３−カルはン酸ＣＵＶ（エタノール）λ
ＨＨ３１１、２６０ｎｍ　：　ＩＲ（ｒ（１３ｒ）：１
７９０、１６７５ｃｍ−’　、ｌ、（５Ｒ，６Ｓ、８ｒ
ｔ）−６−（１−ヒドロキシエチル）−２−（３−アミ
ノグロビル）−２−ペネム−３−カルボン１ｆｉ（ＵＶ
（水）λｍａｘ　３０６　＊　２６１　ｎｍ　）、（５
Ｒ，６Ｓ、８Ｒ）−６−（１−ヒドロキシエチル）−２
−（３−アセチルアミノグロビル）−２−−＜オ・ムー
３−カルはン酸（ＵＶ　（エタノール）λｍａｘ　３１
０　、２６３ｎｍｌ。 （５Ｒ，６Ｓ、８Ｒ）−６−（１−ヒドロキシエチル）
−２−エチルチオ−２−ペネム−３−カルボン酸（：　
ＵＶ　（リン酸緩衝液、ｐＨ７，４）λｍａｘ　３２２
＊２５３ｎｍ　Ｊ　、７セミ体６−　（１−ヒドロキシ
エチル）−２−（２−アミノエチルチオ）−２−（ネム
ー３−カルｇｙ酸（ＵＶ（水）λｍａｘ　３２２　＋　
２５２ｎｍ）。 以１’−ｍ−１’ｈ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、次の式（II）、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；Ｒ＿１は
    水素、低級アルキル、アミノ−低級アルキル、低級アル
    カノイルアミノ−低級アルキル、低級アルキルチオ、ア
    ミノ−低級アルキルチオ、又は低級アルカノイルアミノ
    −低級アルキルチオであり；基Ｒ＿ａ及び／又はＲ＿１
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；Ｚ′は酸素、硫黄又は場
    合によっては１個又は２個の置換基を有するメチリデン
    基であり；そしてＸ＾■はトリ置換されたホスホニオ基
    である） で表わされるラセミ体又は光学活性形の化合物の製造方
    法であって、 次の反応系統： ￥反応系統１￥ ▲数式、化学式、表等があります▼ に従う段階１．１〜１．４； あるいは、次の反応系統： ￥反応系統２￥ ▲数式、化学式、表等があります▼ に従う段階２．１〜２．６、及びこれに続く段階１．２
    〜１．４； あるいは、次の反応系統： ￥反応系統３￥ ▲数式、化学式、表等があります▼ に従う段階３．１〜３．５、及びこれに続く段階１．１
    〜１．４を行い； 次の式（IV）又は（IVａ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV）又は（IVａ） 〔式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１及びＺ′は式（II）のもとで与
    えられた意味を有する〕 で表わされるラセミ体又は光学活性体の化合物の製造の
    ための段階１．１においては、次の式（III）又は（II
    Iａ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IIIａ） 〔式中、Ｗは離核性（ｎｕｃｌｅｏｆｕｇａｌ）脱離基
    である〕 で表わされる４−Ｗ−アゼチジノンをメルカプト化合物
    Ｒ＿１−Ｃ（＝Ｚ′）−ＳＨ又はその塩で処理し、そし
    て所望により、生ずる異性体混合物を個々の異性体に分
    離し、あるいは、 次の式（IVａ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IVａ） で表わされる光学活性（３￥Ｓ￥、４￥Ｒ￥）−化合物
    の製造のための段階２．６においては、次の式（ＸII）
    、▲数式、化学式、表等があります▼（ＸII） 〔式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は式（I
    I）のもとに与えられた意味を有する〕 で表わされる化合物を加溶媒分解し、そして所望により
    、場合によって置換されているメチリデン基Ｚ′をオキ
    ソ基Ｚに転換し； 次の式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） 〔式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は式（I
    I）のもとに与えられた意味を有する〕 で表わされるラセミ体又は光学活性形の化合物の製造の
    ための段階１．２においては、次の式（IV）又は（IVａ
    ） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV）又は▲数式、
    化学式、表等があります▼（IVａ） （式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１及びＺ′は上記の意味を有する
    ） で表わされる化合物を式ＯＨＣ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ＾Ａ＿
    ２のグリオキシル酸化合物又はその適当な誘導体と反応
    せしめ、そして所望により、生じた異性体混合物を個々
    の異性体に分離し、そして／又は所望により、場合によ
    っては置換されているメチリデン基Ｚ′をオキソ基Ｚに
    転換し； 次の式（VI）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） 〔式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は式（I
    I）のもとに与えられた意味を有し、そしてＸ＿０は反
    応性エステル化ヒドロキシ基である〕 で表わされるラセミ体又は光学活性形の化合物の製造の
    ための段階１．３においては、次の式（Ｖ）、▲数式、
    化学式、表等があります▼（Ｖ） （式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は上記の
    意味を有する） で表わされる化合物において、第二ヒドロキシル基を反
    応性エステル化ヒドロキシル基に転換し、そして所望に
    より、生じた異性体混合物を個々の異性体に分離し、そ
    して／又は所望により、場合によっては置換されている
    メチリデン基Ｚ′をオキソ基Ｚに転換し；そして、式（
    II）の化合物の製造のための段階１．４において、次の
    式（VI）、▲数式、化学式、表等があります▼（VI） （式中、Ｘ＿０は反応性エステル化ヒドロキシ基であり
    、そしてＲ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は上記の
    意味を有する） で表わされる化合物を適当なホスフィン化合物で処理し
    ；又は次の式（Ｖ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） （式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は上記の
    意味を有する） で表わされる化合物を四塩化炭素及びホスフィンで処理
    し、そして所望により、場合によっては置換されている
    メチリデン基Ｚ′をオキソ基Ｚに転換し；あるいは 次の式（VIII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII） 〔式中、Ｒ＿ａ及びＲ＾Ａ＿２は式（II）のもとに与え
    られた意味を有する〕 で表わされる化合物を製造するための段階２．１におい
    て、次の式（VII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（VII） で表わされるペニシラン酸化合物を１−位において酸化
    し； 次の式（IX）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IX） 〔式中、Ｒ＿ａ及びＲ＾Ａ＿２は式（II）のもとに与え
    られた意味を有し、そしてＲ＾０は場合によっては置換
    されている芳香族複素環基であって、１５以下の炭素原
    子、少なくとも１個の環炭素原子及び場合によっては他
    の環ヘテロ原子を有し、この基は、二重結合により環窒
    素原子に結合しているその環炭素原子の１つによりチオ
    基−Ｓ−に結合している〕で表わされる化合物を製造す
    るため段階２．２において、次の式（VIII） ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII） で表わされる化合物をメルカプト化合物Ｒ＾０−ＳＨで
    処理し； 次の式（Ｘ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘ） 〔式中、Ｒ＿ａ及びＲ＾Ａ＿２は式（II）のもとに与え
    られた意味を有し、そしてＲ＾０は場合によっては置換
    されている芳香族複素環基であって１５個以下の炭素原
    子、少なくとも１個の環窒素原子及び場合によっては１
    個の他の環ヘテロ原子を有し、この基は、２重結合によ
    り環窒素原子に結合したその環炭素原子の１つによりチ
    オ基−Ｓ−に結合している〕 で現わされる化合物を製造するための段階２．３におい
    て、次の式（IX）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IX） で表わされる３−メチレン酪酸化合物を適当な塩基性剤
    で処理することによって異性体化し；次の式（Ｘ I ）
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘ I ） 〔式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は式（I
    I）のもとに与えられた意味を有する〕 で表わされる化合物を製造するための段階２．４におい
    て、次の式（Ｘ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘ） 〔式中、Ｒ＾ｏは場合によっては置換されている芳香族
    複素環基であって１５個以下の炭素原子、少なくとも１
    個の環窒素原子及び場合によっては１個の他の環ヘテロ
    原子を有し、この基は、２重結合により環窒素原子に結
    合したその環炭素原子の１つによりチオ基−Ｓ−に結合
    しており、そしてＲ＿ａ及びＲ＾Ａ＿２は前記の意味を
    有する〕で表わされる化合物を適当な環元剤で処理し、
    そして同時に又は引き続いて式Ｒ＿１−Ｃ（＝Ｚ）−Ｏ
    Ｈのカルボン酸のアシル化誘導体と反応せしめるか、又
    はＺ′がＹにより置換されている場合があるメチリデン
    基である場合には式Ｒ＿１−Ｃ≡Ｃ−Ｙのアルキンと反
    応せしめ、あるいは段階２．３ａに従って、次の式（Ｘ
    ａ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘａ） （式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は前記の
    意味を有する） で表わされる化合物を適当な塩基性剤で処理することに
    よって異性体化し、そして所望により、場合によっては
    置換されているメチリデン基Ｚ′をオキソ基Ｚに転換し
    ； 次の式（Ｘａ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘａ） 〔式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は式（I
    I）のもとに与えられた意味を有する〕 で表わされる化合物を製造するための段階２．４ａにお
    いて、次の式（IX） ▲数式、化学式、表等があります▼（IX） （式中、Ｒ＾ｏ、Ｒ＿ａ及びＲ＾Ａ＿２は前記の意味を
    有する） で表わされる化合物を適当な還元剤で処理し、そして同
    時に又は引き続いて式Ｒ＿１−Ｃ（＝Ｚ）−ＯＨのカル
    ボン酸のアシル化誘導体と反応せしめるか、又はＺ′が
    Ｙにより置換されている場合があるメチリデン基である
    場合には式Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｙのアルキンと反応せしめ、そ
    して所望により、場合によっては置換されているメチリ
    デン基Ｚ′をオキソ基Ｚに転換し、 次の式（ＸII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸII） 〔式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は式（I
    I）のもとに与えられた意味を有する〕 で表わされる化合物を製造するための段階２．５におい
    て、次の式（Ｘ I ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘ I ） （式中、Ｒ＿ａ、Ｒ＿１、Ｚ′及びＲ＾Ａ＿２は上記の
    意味を有する） で表わされる化合物をオゾン化し、そして生成したオゾ
    ニドを還元的に開裂せしめてオキソ基を生成せしめ、そ
    して所望により、場合によっては置換されているメチリ
    デン基Ｚ′をオキソ基Ｚに転換し；そして次に段階２．
    ６、及び１．２〜１．４を行い、あるいは 次の式（ＸIII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIII） 〔式中、Ｒ＿ａ及びＲ＾Ａ＿２は式（II）のもとに与え
    られた意味を有し、そしてＡｃｙｌは有機カルボン酸の
    アシル基である〕 で表わされる￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シス￥−
    形、又は￥トランス￥−形の化合物を製造するための段
    階３．１において、次の式（VIII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII） （式中、Ｒ＿ａ及びＲ＾Ａ＿２は前記の意味を有する）
    のペニシラン酸化合物の１−オキシドをトリ−低級アル
    キルホスフィトの存在下で有機カルボン酸アシル−ＯＨ
    で処理し、そして所望により、￥シス￥−及び／又は￥
    トランス￥−化合物を、生じた￥シス￥、￥トランス￥
    −化合物から単離し； 次の式（ＸIV）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIV） 〔式中、Ｒ＿ａ及びＲ＾Ａ＿２は式（II）のもとに与え
    られた意味を有し、そしてＷ′はアシルオキシ基であり
    、ここでアシルは有機カルボン酸のアシル基である〕で
    表わされる￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シス￥−形
    、又は￥トランス￥−形の化合物を製造するための段階
    ３．２において、次の式（ＸIII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIII） （式中、Ｒ＿ａ、Ａｃｙｌ及びＲ＾Ａ＿２は前記の意味
    を有する） で表わされる化合物を適当な塩基性剤で処理することに
    より異性化し、そして所望により、￥シス￥−及び／又
    は￥トランス￥−化合物を、生じた￥シス￥￥トランス
    ￥−化合物から単離し、あるいは次の式（ＸIV）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIV） 〔式中、Ｒ＿ａ及び で表わされる￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シス￥−
    形、又は￥トランス￥−形の化合物を製造するための段
    階３．３において、次の式（VIII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII） （式中、Ｒ＿ａ及びＲ＿＾Ａ＿２は上記の意味を有する
    ）で表わされるペニシラン酸化合物を、陽性ハロゲンイ
    オンを提供するハロゲン化剤と反応せしめ、そして所望
    により、生ずるであろう中間体を塩基で処理し、そして
    所望により、￥シス￥−及び／又は￥トランス￥−化合
    物を、生じた￥シス￥−、￥トランス￥−化合物から単
    離し； 次の式（ＸＶ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸＶ） 〔式中、Ｒ＿ａ及びＲ＾Ａ＿２は式（II）のもとに与え
    られた意味を有し、そしてＷ′はハロゲン又はアシルオ
    キシ基であり、ここでアシルは有機カルボン酸のアシル
    基である〕 で表わされる￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シス￥−
    形、又は￥トランス￥−形の化合物を製造するための段
    階３．４において、次の式（ＸIV）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIV） （式中、Ｒ＿ａ、Ｗ′及びＲ＾Ａ＿２は前記の意味を有
    する） で表わされる化合物をオゾン化し、そして生成したオゾ
    ニドを還元的に開裂せしめることによりオキソ基を生成
    せしめ、そして所望により、￥シス￥−及び／又は￥ト
    ランス￥−化合物を、生じた￥シス￥、￥トランス￥−
    化合物から単離し； 次の式（IIIａ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IIIａ） 〔式中、Ｒ＿ａは式（II）のもとに与えられた意味を有
    し、そしてＷは離核性（ｎｕｃｌｅｏｆｕｇａｌ）脱離
    基を表わす〕 で表わされる￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シス￥−
    形、又はトランス−形の化合物を製造するための段階３
    ．５において、次の式（ＸＶ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸＶ） （式中、Ｒ＿ａ及びＲ＿＾Ａ＿２は前記の意味を有し、
    そしてＷ′はアシルオキシ基又はハロゲンである）で表
    わされる化合物を加溶媒分解し、そして所望により、生
    じた￥シス￥−化合物を異性化して対応する￥トランス
    ￥−化合物を生成せしめ、そして／又は、￥シス￥−及
    び／又は￥トランス￥−化合物を、生じた￥シス￥、￥
    トランス￥−化合物から単離し、そして次に段階１．１
    〜１．４を行う： ことを特徴とする方法。 ２、次の式（IV）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；Ｒ＿１は
    水素、低級アルキル、アミノ−低級アルキル、低級アル
    カノイルアミノ−低級アルキル、低級アルキルチオ、ア
    ミノ−低級アルキルチオ、又は低級アルカノイルアミノ
    −低級アルキルチオであり；基Ｒ＿ａ及び／又はＲ＿１
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；Ｚ′は酸素、硫黄又は場
    合によっては１個又は２個の置換基を有するメチリデン
    基であり；そしてＸ＾■はトリ置換されたホスホニオ基
    である。但し、第１の例外としてＲ＿ａが低級アルキル
    、ヒドロキシ−低級アルキル、フェニル低級アルキル又
    は低級アルコキシであり、そしてＲ＿１が水素、低級ア
    ルキル、アミノ−低級アルキル、低級アルカノイルアミ
    ノ−低級アルキル、低級アルキルチオ、アミノ−低級ア
    ルキルチオ又は低級アルカノイルアミノ−低級アルキル
    チオである場合には、Ｚ′は保護されたカルボキシ基に
    より置換されたメチリデン基以外であり；そして第２の
    例外としてＲ＿ａが第１の例外のもとで与えられた意味
    を有し、そしてＲ＿１が低級アルキル又は低級アルキル
    チオである場合、あるいはＲ＿１が第１の例外のもとで
    与えられた意味を有し、そしてＲ＿ａがフェニル−低級
    アルキル又は低級アルキルである場合には、Ｚ′は酸素
    以外である〕 で表わされるラセミ体、又は光学活性形の化合物。 ３、４−アセチルチオ−３−メチル−２−オキソアゼチ
    ジン（ラセミ体シス−化合物）である特許請求の範囲第
    ２項に記載の化合物。 ４、４−アセチルチオ−３−メチル−２−オキソアゼチ
    ジン（ラセミ体トランス−化合物）である特許請求の範
    囲第２項に記載の化合物。 ５、４−アセチルチオ−３−イソプロピル−２−オキソ
    アゼチジン（ラセミ体トランス−化合物）である特許請
    求の範囲第２項に記載の化合物。 ６、４−アセチルチオ−３−ベンジル−２−オキソアゼ
    チジン（ラセミ体トランス−化合物）である特許請求の
    範囲第１項に記載の化合物。 ７、４−エチルチオチオカルボニルチオ−３−イソプロ
    ピル−２−オキソアゼチジン（ラセミ体トランス−化合
    物）である特許請求の範囲第２項に記載の化合物。 ８、（３Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−メトキシ
    −２−オキソアゼチジンである特許請求の範囲第２項に
    記載の化合物。 ９、（３Ｓ、４Ｒ）−４−アセチルチオ−３−フェノキ
    シアセトキシ−２−オキソアゼチジンである特許請求の
    範囲第２項に記載の化合物。 １０、３−エチル−４−（４−ｐ−ニトロベンジルオキ
    シカルボニルアミノブチリルチオ）−２−オキソアゼチ
    ジン（ラセミ体￥シス￥、￥トランス￥−化合物）であ
    る請求の範囲第２項に記載の化合物。 １１、（３Ｓ、４Ｒ）−４−（２−ｐ−ニトロベンジル
    オキシカルボニルアミノエチルチオチオカルボニルチオ
    ）−３−メトキシ−２−オキソアゼチジンである特許請
    求の範囲第２項に記載の化合物。 １２、（３Ｓ、４Ｒ）−４−（４−ｐ−ニトロベンジル
    オキシカルボニルアミノブチリルチオ）−３−メトキシ
    −２−オキソアゼチジンである特許請求の範囲第２項に
    記載の化合物。 １３、３−エチル−４−（２−アセチルアミノエチルチ
    オチオカルボニルチオ）−２−オキソアゼチジン（ラセ
    ミ体￥シス￥、￥トランス￥−化合物）である特許請求
    の範囲第２項に記載の化合物。 １４、次の式（II）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；Ｒ＿１は
    水素、低級アルキル、アミノ−低級アルキル、低級アル
    カノイルアミノ−低級アルキル、低級アルキルチオ、ア
    ミノ−低級アルキルチオ、又は低級アルカノイルアミノ
    −低級アルキルチオであり；基Ｒ＿ａ及び／又はＲ＿１
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；Ｚ′は酸素、硫黄又は場
    合によっては１個又は２個の置換基を有するメチリデン
    基であり；そしてＸ＾■はトリ置換されたホスホニオ基
    である） で表わされるラセミ体又は光学活性形の化合物。 １５、Ｒ＿ａがメチル、エチル、イソプロピル、ベンジ
    ル、メトキシ又はフェノキシアセトキシであり、Ｒ＿１
    がメチル、２−（ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル
    アミノ）−プロピル、エチルチオ、２−アセチルアミノ
    エチルチオ又は２−（ｐ−ニトロベンジルオキシカルボ
    ニルアミノ）−エチルチオであり、Ｚ′が酸素又は硫黄
    であり、Ｒ＾Ａ＿２がｐ−ニトロベンジルオキシであり
    、そしてＸ＾■が基ｐ＾■（フェニル）＿３である、特
    許請求の範囲第１４項に記載の式（II）の化合物。 １６、次の式（Ｖ）又は（VI） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ）又は（VI） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；Ｒ＿１は
    水素、低級アルキル、アミノ−低級アルキル、低級アル
    カノイルアミノ−低級アルキル、低級アルキルチオ、ア
    ミノ−低級アルキルチオ、又は低級アルカノイルアミノ
    −低級アルキルチオであり：基Ｒ＿ａ及び／又はＲ＿１
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；Ｚ′は酸素、硫黄又は場
    合によっては１個又は２個の置換基を有するメチリデン
    基であり；そしてＸ′＿ｏはヒドロキシ、又は反応性エ
    ステル化ヒドロキシ基である） で表わされるラセミ体、又は光学活性形の化合物。 １７、Ｒ＿ａがメチル、エチル、イソプロピル、ベンジ
    ル、メトキシ又はフェノキシアセトキシであり、Ｒ＿１
    がメチル、３−（ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル
    −アミノ）−プロピル、エチルチオ、２−アセチルアミ
    ノエチルチオ又は２−（ｐ−ニトロベンジルオキシカル
    ボニルアミノ）エチルチオであり、Ｚ′が酸素又は硫黄
    であり、Ｒ＾Ａ＿２がｐ−ニトロベンジルオキシであり
    、そしてＸ′＿ｏがヒドロキシ又は塩素である、特許請
    求の範囲第１６項に記載の式（Ｖ）又は（VI）の化合物
    。 １８、次の式（VIII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；基Ｒ＿ａ
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成する） で表わされる化合物。 １９、Ｒ＿ａがメトキシ又はフェノキシアセトキシであ
    り、そしてＲ＾Ａ＿２がメトキシ又は２，２，２−トリ
    クロロエトキシである特許請求の範囲第１８項に記載の
    式（VIII）の化合物。 ２０、次の式（IX）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IX） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；基Ｒ＿ａ
    中の官能基は好ましくは保護された形であり：Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；Ｒ＾ｏは場合によっては
    置換されている芳香族複素環基であって１５個以下の炭
    素原子、少なくとも１個の環窒素原子及び場合によって
    は１個の他の環ヘテロ原子を有し、この基は、２重結合
    により環窒素原子に結合したその環炭素原子の１つによ
    りチオ基−Ｓ−に結合している） で現わされる化合物。 ２１、Ｒ＿ａがメトキシ又はフェノキシアセトキシであ
    り、Ｒ＾Ａ＿２がメトキシ又は２，２，２−トリクロロ
    エトキシであり、そしてＲ＾ｏが２−ベンズチアゾリル
    である特許請求の範囲第２０項に記載の化合物。 ２２、次の式（Ｘ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘ） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；基Ｒ＿ａ
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；Ｒ＾ｏは場合によっては
    置換されている芳香族複素環基であって１５個以下の炭
    素原子、少なくとも１個の環窒素原子及び場合によって
    は１個の他の環ヘテロ原子を有し、この基は、２重結合
    により環窒素原子に結合したその環炭素原子の１つによ
    りチオ基−Ｓ−に結合している） で表わされる化合物。 ２３、Ｒ＿ａがメトキシ又はフェノキシアセトキシであ
    り、Ｒ＾Ａ＿２がメトキシ又は２，２，２−トリクロロ
    エトキシであり、そしてＲ＾ｏが２−ベンズチアゾリル
    である、特許請求の範囲第２２項に記載の式（Ｘ）の化
    合物。 ２４、次の式（Ｘ I ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘ I ） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；Ｒ＿１は
    水素、低級アルキル、アミノ−低級アルキル、低級アル
    カノイルアミノ−低級アルキル、低級アルキルチオ、ア
    ミノ−低級アルキルチオ、又は低級アルカノイルアミノ
    −低級アルキルチオであり；基Ｒ＿ａ及び／又はＲ＿１
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；Ｚ′は酸素、硫黄又は場
    合によっては１個又は２個の置換基を有するメチリデン
    基である） で表わされる化合物。 ２５、Ｒ＿ａがメチル、メトキシ又はフェノキシアセト
    キシであり、Ｒ＿１がメチルであり、Ｚ′が酸素であり
    、そしてＲ＾Ａ＿２がメトキシ又は２，２，２−トリク
    ロロエトキシである特許請求の範囲第２４項に記載の式
    （Ｘ I ）の化合物。 ２６、次の式（Ｘａ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘａ） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；Ｒ＿１は
    水素、低級アルキル、アミノ−低級アルキル、低級アル
    カノイルアミノ−低級アルキル、低級アルキルチオ、ア
    ミノ−低級アルキルチオ、又は低級アルカノイルアミノ
    −低級アルキルチオであり；基Ｒ＿ａ及び／又はＲ＿１
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；Ｚ′は酸素、硫黄又は場
    合によっては１個又は２個の置換基を有するメチリデン
    基である） で表わされる化合物。 ２７、次の式（ＸII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸII） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；Ｒ＿１は
    水素、低級アルキル、アミノ−低級アルキル、低級アル
    カノイルアミノ−低級アルキル、低級アルキルチオ、ア
    ミノ−低級アルキルチオ、又は低級アルカノイルアミノ
    −低級アルキルチオであり；基Ｒ＿ａ及び／又はＲ＿１
    中の官能基は好ましくは保護された形であり、Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；Ｚ′は酸素、硫黄又は場
    合によっては１個又は２個の置換基を有するメチリデン
    基である） で表わされる化合物。 ２８、Ｒ＿ａがメチル、メトキシ又はフェノキシアセト
    キシであり、Ｒ＿１がメチルであり、Ｚ′が酸素であり
    、そしてＲ＾Ａ＿２がメトキシ又は２，２，２−トリク
    ロロエトキシである、特許請求の範囲第２７項に記載の
    式（ＸII）の化合物。 ２９、次の式（ＸIII）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIII） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；基Ｒ＿ａ
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；そしてＡｃｙｌは有機カ
    ルボン酸のアシル基である）で表わされる￥シス￥、￥
    トランス￥−形、￥シス￥−形、又は￥トランス￥−形
    の化合物。 ３０、Ｒ＿ａがメチル又はメトキシであり、Ｒ＾Ａ＿２
    が２，２，２−トリクロロエトキシであり、そしてＡｃ
    ｙｌがアセチルである、￥シス￥、￥トランス￥−形、
    ￥シス￥−形、又は￥トランス￥−形の特許請求の範囲
    第２９項記載の式（ＸIII）の化合物。 ３１、次の式（ＸIV）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIV） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；基Ｒ＿ａ
    中の官能基は好ま しくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿２はカルボニル基
    −Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護されたカルボキシル
    基を構成し；そしてＷ′はハロゲン又はアシルオキシ基
    であり、ここでアシルは有機カルボン酸のアシル基であ
    る） で表わされる￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シス￥−
    形、又は￥トランス￥−形の化合物〔但し、Ｒ＿ａが低
    級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ−低級アルキ
    ル又はフェニル−低級アルキルであり、Ｗ′がアセトキ
    シであり、そしてＲ＾Ａ＿２がカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ
    ）−と一緒になって保護されたカルボキシ基を表わす式
    （ＸIV）の化合物を除く〕。 ３２、Ｒ＿ａがメトキシであり、Ｒ＾Ａ＿２が２，２，
    ２−トリクロロエトキシであり、そしてＷ′が塩素であ
    る、￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シス￥−形、又は
    ￥トランス￥−形の特許請求の範囲第３１項に記載の式
    （ＸIV）の化合物。 ３３、次の式（ＸＶ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸＶ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸＶ） （式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ、又は
    フェノキシ−低級アルカノイルオキシであり；基Ｒ＿ａ
    中の官能基は好ましくは保護された形であり；Ｒ＾Ａ＿
    ２はカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と一緒になって保護さ
    れたカルボキシル基を構成し；そしてＷ′はハロゲン又
    はアシルオキシ基であり、ここでアシルは有機カルボン
    酸のアシル基である）で表わされる、￥シス￥、￥トラ
    ンス￥−形、￥シス￥−形、又は￥トランス￥−形の化
    合物。 ３４、Ｒ＿ａがメトキシであり、Ｒ＾Ａ＿２が２，２，
    ２−トリクロロエトキシであり、そしてＷ′がアセトキ
    シ又は塩素である、￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シ
    ス￥−形、又は￥トランス￥−形の特許請求の範囲第３
    ３項記載の式（Ｘ I ）の化合物。 ３５、次の式（IIIａ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IIIａ） 〔式中、Ｒ＿ａは低級アルキル、フェニル−低級アルキ
    ル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ又はフ
    ェノキシ−低級アルカノイルオキシであり、そしてＷ′
    は離核性（ｎｕｃｌｅｏｆｕｇａｌ）脱離基である〕 で表わされる、￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シス￥
    −形、又は￥トランス￥−形の化合物〔但し、Ｒ＿ａが
    低級アルキル、フェニル−低級アルキル、ヒドロキシ−
    低級アルキル、又は低級アルコキシであり、そしてＷ′
    がアセトキシである式（IIIａ）の化合物を除く〕。 ３６、Ｒ＿ａがメトキシであり、そしてＷ′が塩素であ
    る￥シス￥、￥トランス￥−形、￥シス￥−形、又は￥
    トランス￥−形の特許請求の範囲第３５項に記載の式（
    IIIａ）の化合物。
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