JPS6212938A - 光学式情報記録素子 - Google Patents
光学式情報記録素子Info
- Publication number
- JPS6212938A JPS6212938A JP60150208A JP15020885A JPS6212938A JP S6212938 A JPS6212938 A JP S6212938A JP 60150208 A JP60150208 A JP 60150208A JP 15020885 A JP15020885 A JP 15020885A JP S6212938 A JPS6212938 A JP S6212938A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- recording
- polycarbonate
- information recording
- recording element
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光学的に記録Φ再生−消去可能な素子に係り
、特に、情報記録媒体の基体として好適な記録特性を有
し、かつ耐熱性、耐久性に優れた光学式情報記録素子に
関する。
、特に、情報記録媒体の基体として好適な記録特性を有
し、かつ耐熱性、耐久性に優れた光学式情報記録素子に
関する。
光学式情報記録素子は、例えばレーザ元などの元ビーム
によって、反射率等の光学特性が変化する記録媒体を基
板上に形成して成る。例えば、上記、記録媒体は、第３
図に示すように、情報トラックやピット（図示せず）の
ある光学的に透明な基板１（例えば、ガラス、アクリル
樹脂、ポリカーボネートなど）上に、熱により反射率変
化する記録部材（例えばカルコゲン化合物、テルルなど
のアモルファス薄膜など）２が形成されて成っている。
によって、反射率等の光学特性が変化する記録媒体を基
板上に形成して成る。例えば、上記、記録媒体は、第３
図に示すように、情報トラックやピット（図示せず）の
ある光学的に透明な基板１（例えば、ガラス、アクリル
樹脂、ポリカーボネートなど）上に、熱により反射率変
化する記録部材（例えばカルコゲン化合物、テルルなど
のアモルファス薄膜など）２が形成されて成っている。
５は保護膜である。
このような光学式情報記録素子の構成について詳しく述
べである例として、「光学技術］ンタクトＪ １）２
６〜５５． ｖｏ１２２． Ｎｏ４（’８４）がある。
べである例として、「光学技術］ンタクトＪ １）２
６〜５５． ｖｏ１２２． Ｎｏ４（’８４）がある。
しかし、上記のように構成された光学式情報記録素子に
おいては、基板材料の物理的特性が、記録媒体の記録・
再生・消去等の特性、耐久性九人きな影響を示すことが
ある。
おいては、基板材料の物理的特性が、記録媒体の記録・
再生・消去等の特性、耐久性九人きな影響を示すことが
ある。
すなわち、基板としてガラスを用いる場合、ガラス表面
上に情報トラックやピントを直接形成することは難かし
く、紫外線硬化樹脂などを用いて、たとえば２ Ｐ （
Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｊｎ）法によって
形成せねばならず生産性に難点がある。
上に情報トラックやピントを直接形成することは難かし
く、紫外線硬化樹脂などを用いて、たとえば２ Ｐ （
Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｊｎ）法によって
形成せねばならず生産性に難点がある。
また、アクリル樹脂を基板材料として用いる場合、射出
成形法（特開昭５６−１２７９４０号）などによって、
情報トラック、ビット等を同時に形成でき、生産性が高
（、かつ、光弾性定数が３ Ｘ １０−＠ＩＩ６” ／
ｋｇとガラス並に小さいことから、複屈折の小さな基板
とすることが出来、レーザノイズの発生防止に好適であ
ることから、使用されている。しかし、このアクリル樹
脂は、耐熱性が９０°Ｃ未満と低く、また吸湿率がＱ、
４４と大きいという欠点があった。
成形法（特開昭５６−１２７９４０号）などによって、
情報トラック、ビット等を同時に形成でき、生産性が高
（、かつ、光弾性定数が３ Ｘ １０−＠ＩＩ６” ／
ｋｇとガラス並に小さいことから、複屈折の小さな基板
とすることが出来、レーザノイズの発生防止に好適であ
ることから、使用されている。しかし、このアクリル樹
脂は、耐熱性が９０°Ｃ未満と低く、また吸湿率がＱ、
４４と大きいという欠点があった。
一方、アクリル樹脂に比べて、吸湿率がＱ、１％と小さ
く、かつ耐熱性が約１４０°Ｃで、透明なプラスチック
材料として、ビスフェノールＡポリカーボネートが着目
されている。この材料は、光弾性定数が５５×１０−ｗ
ＩＰ／ｋｇであり、アクリル樹脂に比べて約２０倍と太
き（、基板成形時の複屈折の低減Ｏｒ改善に多大の労力
を費していた。
く、かつ耐熱性が約１４０°Ｃで、透明なプラスチック
材料として、ビスフェノールＡポリカーボネートが着目
されている。この材料は、光弾性定数が５５×１０−ｗ
ＩＰ／ｋｇであり、アクリル樹脂に比べて約２０倍と太
き（、基板成形時の複屈折の低減Ｏｒ改善に多大の労力
を費していた。
ここで、我々の検討によれば、分子量が低く、樹脂溶融
粘度の小さなビスフェノールＡポリカーボネートを用い
て、成形歪を小さくすることでアクリル樹脂並の複屈折
を得るに至っている。
粘度の小さなビスフェノールＡポリカーボネートを用い
て、成形歪を小さくすることでアクリル樹脂並の複屈折
を得るに至っている。
一方、かかるようにして得たビスフェノールＡポリカー
ボネート基板は、アクリル樹脂からなる基板に対して、
記録特性を比較した結果、表１に示すように記録感度で
約２５係、キャリア信号対雑音比（Ｃ／’Ｎ ）で５ｄ
Ｂ低いものであり？Ｑ）これは、ビスフェノールＡポリ
カーボネートについてみれば、複屈折がアクリル樹脂並
に小さくなったとしても、次ぎに述べる点を考慮してい
なかったことによる。
ボネート基板は、アクリル樹脂からなる基板に対して、
記録特性を比較した結果、表１に示すように記録感度で
約２５係、キャリア信号対雑音比（Ｃ／’Ｎ ）で５ｄ
Ｂ低いものであり？Ｑ）これは、ビスフェノールＡポリ
カーボネートについてみれば、複屈折がアクリル樹脂並
に小さくなったとしても、次ぎに述べる点を考慮してい
なかったことによる。
すなわち、表１に付記したように、ビスフェノールＡポ
リカーボネートの熱伝導率が、アクリル樹脂に比べて１
４倍と大きいこと、又、ビスフェノールＡポリカーボネ
ートは結晶化度が０．３〜α５程度であり、この結晶粒
界によって光の散乱が生じ書き込み元のエネルギー損失
が起ること、さらには、比熱の変化点、すなわち、結晶
融解潜熱を有し、この変化点が約１４０６Ｃ付近であり
、情報記録媒体の反射率変化が生じるしきい温度（〜１
７０°Ｃ）付近にあるため、情報記録媒体の温度上昇に
必要な元のエネルギーが融解潜熱によって損失するとい
う点に関してである。
リカーボネートの熱伝導率が、アクリル樹脂に比べて１
４倍と大きいこと、又、ビスフェノールＡポリカーボネ
ートは結晶化度が０．３〜α５程度であり、この結晶粒
界によって光の散乱が生じ書き込み元のエネルギー損失
が起ること、さらには、比熱の変化点、すなわち、結晶
融解潜熱を有し、この変化点が約１４０６Ｃ付近であり
、情報記録媒体の反射率変化が生じるしきい温度（〜１
７０°Ｃ）付近にあるため、情報記録媒体の温度上昇に
必要な元のエネルギーが融解潜熱によって損失するとい
う点に関してである。
本発明の目的は、清報記録感度、 Ｃ／Ｎ が高（、
かつ、基板としての耐熱性・耐久性に優れた光学的記録
素子を提供することにある。
かつ、基板としての耐熱性・耐久性に優れた光学的記録
素子を提供することにある。
透明でかつ、耐熱性・耐久性に優れた樹脂組成物として
、ビスフェノールＡポリカーボネートがあるが、前述し
たように記録感度の低下、Ｃ／Ｎの劣化が生じる。この
原因は、熱伝導率が大きいことの他に、結晶化度が高い
ためである。
、ビスフェノールＡポリカーボネートがあるが、前述し
たように記録感度の低下、Ｃ／Ｎの劣化が生じる。この
原因は、熱伝導率が大きいことの他に、結晶化度が高い
ためである。
すなわち、ビスフェノールＡポリカーボネートの化学的
構造において、イソプロピルグループＣＨ。
構造において、イソプロピルグループＣＨ。
（−Ｃ−）と、カーボネートグループ
冒
結晶化に大きく寄与するためである。
本発明は、イソプロピルグループに、シクロヘキシル基
等の立体障害を生じさせる、かさだかな分子団を付加さ
せ、前記結晶化を阻害するようＫした。
等の立体障害を生じさせる、かさだかな分子団を付加さ
せ、前記結晶化を阻害するようＫした。
このような樹脂組成物を用いることによって、ビスフェ
ノ−Ａ／Ａポリカーボネートｌｃ％徴的な約１４０°Ｃ
近傍における比熱の上昇、すなわち、溶融潜熱を消失す
ることが出来、ひいては、記録感度の向上、いの向上を
得るに至った。
ノ−Ａ／Ａポリカーボネートｌｃ％徴的な約１４０°Ｃ
近傍における比熱の上昇、すなわち、溶融潜熱を消失す
ることが出来、ひいては、記録感度の向上、いの向上を
得るに至った。
本発明の実施例の構成を第１図、および第２図に示す。
第１図において、１は本発明の対象となる射出成形で情
報トラックやピット形成された透明プラスチック基板、
２は基板１上に設けられ、レーザ照射によって反射率の
変化する記録部材、３は、紫外線硬化アクリル系樹脂等
からなる有機材料からなる記録部材の保護層である。
報トラックやピット形成された透明プラスチック基板、
２は基板１上に設けられ、レーザ照射によって反射率の
変化する記録部材、３は、紫外線硬化アクリル系樹脂等
からなる有機材料からなる記録部材の保護層である。
本発明の以下の実施例では、記録材料として、Ｓｂ、
Ｓｅ、薄膜上に、Ｂｉ薄膜を形成した２層構造記録部材
を用いた。又、実施例における記録感度の比較は、アク
リル樹脂製と同様に光学的記録素子を円盤状に形成し、
１８００ＲＰＭ で回転させ、波長８５０ ｎｍの半導
体レーザな用いて、レーザパワーＣＰ）と、反射率変化
ΔＲの値で比較する。
Ｓｅ、薄膜上に、Ｂｉ薄膜を形成した２層構造記録部材
を用いた。又、実施例における記録感度の比較は、アク
リル樹脂製と同様に光学的記録素子を円盤状に形成し、
１８００ＲＰＭ で回転させ、波長８５０ ｎｍの半導
体レーザな用いて、レーザパワーＣＰ）と、反射率変化
ΔＲの値で比較する。
ここでは１ｏａＪ／ｒｎのレーザパワーの反射率変化（
記録後／記録前）を記録感度とした。又、キャリア信号
対雑音比（Ｃ／Ｎ）は、記録周波数５ＭＩ（ｚ、 ン
ザーパワー５ｍＷで比較した＠実施例１ 基板材料として、数平均分子量１３，２００からなる溶
融粘度の低いビスフェノールＡポリカーボネート（４−
４−ジオ−キシジフェニル−２−２プロパン）を使用し
、成形温度３８０°Ｃ１基板成形金型温度１１０°Ｃの
条件で基板成形した。このようにして得た基板１ａの複
屈折はアクリル樹脂のそれと同等のシングルパスで約５
°と低（、良好なものであった。この基板１上に記録膜
を形成し、光学的記録素子とした後に記録感度評価した
結果、卸倍／（６００μＪ／ｍ）であり、アクリル樹脂
の５倍／ （６ｏＯｔｔＪ／ｎ ）に比べて約２５壬の
感度低下となり、Ｃ／Ｎ比較では約５ｄＢ低下した。
記録後／記録前）を記録感度とした。又、キャリア信号
対雑音比（Ｃ／Ｎ）は、記録周波数５ＭＩ（ｚ、 ン
ザーパワー５ｍＷで比較した＠実施例１ 基板材料として、数平均分子量１３，２００からなる溶
融粘度の低いビスフェノールＡポリカーボネート（４−
４−ジオ−キシジフェニル−２−２プロパン）を使用し
、成形温度３８０°Ｃ１基板成形金型温度１１０°Ｃの
条件で基板成形した。このようにして得た基板１ａの複
屈折はアクリル樹脂のそれと同等のシングルパスで約５
°と低（、良好なものであった。この基板１上に記録膜
を形成し、光学的記録素子とした後に記録感度評価した
結果、卸倍／（６００μＪ／ｍ）であり、アクリル樹脂
の５倍／ （６ｏＯｔｔＪ／ｎ ）に比べて約２５壬の
感度低下となり、Ｃ／Ｎ比較では約５ｄＢ低下した。
また、この基板１の比熱測定、および示差走査熱量計（
ＤＳＣ）での転移熱量測定した結果、第４図、第５図に
示したように、約１５０６Ｃ付近で明瞭な比熱の変化、
および吸熱がみられた。
ＤＳＣ）での転移熱量測定した結果、第４図、第５図に
示したように、約１５０６Ｃ付近で明瞭な比熱の変化、
および吸熱がみられた。
本発明の実施例としては、基板材料として、イングロビ
ルグループに立体障害を生じさせる４−４’−（ジヒド
ロキシルジフェニル）−１−１−シクロヘキサンの数平
均分子量約９，５００からなる溶融粘度の低い材料を用
いて、成形温度３８０°Ｃ基板成形金型温度１１０°Ｃ
の条件で成形した。
ルグループに立体障害を生じさせる４−４’−（ジヒド
ロキシルジフェニル）−１−１−シクロヘキサンの数平
均分子量約９，５００からなる溶融粘度の低い材料を用
いて、成形温度３８０°Ｃ基板成形金型温度１１０°Ｃ
の条件で成形した。
このようにして得た基板１ｂの複屈折は約７°であった
。この基板上に形成した記録膜の感度は、５倍／ （６
００ＡＴＡ）とアクリ〃樹脂並に向上し、いもほぼ同一
となった。
。この基板上に形成した記録膜の感度は、５倍／ （６
００ＡＴＡ）とアクリ〃樹脂並に向上し、いもほぼ同一
となった。
この基板をＤＳＣで調べた結果、１５０°Ｃ付近に明瞭
な吸熱変化がなく、結晶化されていないことを確認した
。
な吸熱変化がなく、結晶化されていないことを確認した
。
実施例２
４−４−（ジヒドロキシルジフェニル）−１−ｔシクロ
ヘキサンをＡとし、ビスフェノールＡポリカーボネート
をＢとして（−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ）のように共重合させ、
数平均分子量約９，５００からなる溶融粘度の低い共重
合体組成物を用いて、成形温度３８０°Ｃ１基板成形金
型温度１１０°Ｃで基板１Ｃを成形した。このようにし
て得た基板の複屈折は約７°であった。
ヘキサンをＡとし、ビスフェノールＡポリカーボネート
をＢとして（−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ）のように共重合させ、
数平均分子量約９，５００からなる溶融粘度の低い共重
合体組成物を用いて、成形温度３８０°Ｃ１基板成形金
型温度１１０°Ｃで基板１Ｃを成形した。このようにし
て得た基板の複屈折は約７°であった。
この基板上に形成した記録膜の感度は、２４倍／ （６
０ｒＪｔｔＪ／ｍ ）であり、やや感度低下がみられた
が、Ｃ／Ｎ比では、番まとんと差がみられなかった。こ
の基板をＤＳＣで測定した結果も、実施例２で得たと同
様なものであった。
０ｒＪｔｔＪ／ｍ ）であり、やや感度低下がみられた
が、Ｃ／Ｎ比では、番まとんと差がみられなかった。こ
の基板をＤＳＣで測定した結果も、実施例２で得たと同
様なものであった。
実施例３
実施例２．および３で得た基板からなる光学式情報記録
素子を第５図に示すように接着剤４で貼り合せ、両面使
用可能なものとした。このようにすることによっても前
記実施例で得たと同様な記録感度が得られ、かつ８０°
Ｃの高温下で１０００時間放置しても、基板変形が生じ
ないことを確認した。一方、アクリル樹脂製の場合、７
００Ｃ，６時間で、明白な変形かみられる。
素子を第５図に示すように接着剤４で貼り合せ、両面使
用可能なものとした。このようにすることによっても前
記実施例で得たと同様な記録感度が得られ、かつ８０°
Ｃの高温下で１０００時間放置しても、基板変形が生じ
ないことを確認した。一方、アクリル樹脂製の場合、７
００Ｃ，６時間で、明白な変形かみられる。
以上の実施例からも分るように、記録感度の低下原因は
、基板の結晶転移温度が、記録膜の相転移温度近傍にあ
り、かつ、その転移に伴なう溶融潜熱が大きいことによ
る。本実施例では、樹脂組成物の中に、結晶化を阻害す
る分子団（シクロヘキサン）を導入した例について述べ
たが、このｌｔか実質的に立体障害となる、かさだかな
分子団、もしくは、原子団を好適に導入し、光の波長６
３０〜８３０ｎｍの範囲で、光線透過率８７′係以上の
ものであれば、同様の効果を示すことは明白である。
、基板の結晶転移温度が、記録膜の相転移温度近傍にあ
り、かつ、その転移に伴なう溶融潜熱が大きいことによ
る。本実施例では、樹脂組成物の中に、結晶化を阻害す
る分子団（シクロヘキサン）を導入した例について述べ
たが、このｌｔか実質的に立体障害となる、かさだかな
分子団、もしくは、原子団を好適に導入し、光の波長６
３０〜８３０ｎｍの範囲で、光線透過率８７′係以上の
ものであれば、同様の効果を示すことは明白である。
であって、ここにＸ、Ｙのすくなくとも一方が、メチル
基よりも立体障害に寄与する分子団、例えば、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基。
基よりも立体障害に寄与する分子団、例えば、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基。
ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基。
および、もしくはハロゲン（Ｃ１，Ｆ、 Ｂｒ）等のか
さだかな置換基を導入することで、結晶化の阻害要因と
なり、高感度で、かつ耐熱、耐久性に優れた光学式情報
記録素子を得ることが出来る。
さだかな置換基を導入することで、結晶化の阻害要因と
なり、高感度で、かつ耐熱、耐久性に優れた光学式情報
記録素子を得ることが出来る。
同様にして、本発明の実施例および目的からも容易に判
るよう廻、かさだかな分子団の置換の他に、ポリエステ
ル結合、もしくは、ウレタン結合を持った共重合ポリカ
ーボネートとし、実質的に、結晶化を阻害、もしくは、
吸熱反応が生じる転移温度を記録膜の光熱的特性が生じ
る温度以上にすることによっても達成できる。
るよう廻、かさだかな分子団の置換の他に、ポリエステ
ル結合、もしくは、ウレタン結合を持った共重合ポリカ
ーボネートとし、実質的に、結晶化を阻害、もしくは、
吸熱反応が生じる転移温度を記録膜の光熱的特性が生じ
る温度以上にすることによっても達成できる。
本発明による光学式情報記録素子は、記録感度が高く、
かつ、耐熱性、耐久性に優れており、生産性にも優れる
という効果がある。
かつ、耐熱性、耐久性に優れており、生産性にも優れる
という効果がある。
第１図、第２図は、本発明圧よる一実施例を示すに用い
た斜視図、および部分断面図、第３図は、本発明の対象
となる光学式情報記録素子の構造を示すに用いた部分断
面図、第４図、第５図は、従来基板に用いられているビ
スフェノールＡポリカーボネートの比熱の変化、および
吸熱変化を説明するに用いた線図である。 ２・・・記録媒体、 ３・・・保護膜、 ４・・・接着剤。
た斜視図、および部分断面図、第３図は、本発明の対象
となる光学式情報記録素子の構造を示すに用いた部分断
面図、第４図、第５図は、従来基板に用いられているビ
スフェノールＡポリカーボネートの比熱の変化、および
吸熱変化を説明するに用いた線図である。 ２・・・記録媒体、 ３・・・保護膜、 ４・・・接着剤。
Claims (1)
- １、透明なプラスチック基板上に、書き込み光によつて
加熱され、加熱前後の光学的特性等が変化することを利
用した光学式情報記録素子において、前記透明なプラス
チック基板の樹脂組成物が、４−４′−（ジヒドロキシ
ルジフェニル）−１−１−シクロヘキサンを含んでなる
ことを特徴とする光学式情報記録素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150208A JPS6212938A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光学式情報記録素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150208A JPS6212938A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光学式情報記録素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212938A true JPS6212938A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15491889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60150208A Pending JPS6212938A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光学式情報記録素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212938A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323101A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-30 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光学用透明基板 |
| JPH08308262A (ja) * | 1995-05-02 | 1996-11-22 | Nec Corp | 圧電アクチュエータ |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP60150208A patent/JPS6212938A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323101A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-30 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光学用透明基板 |
| JPH08308262A (ja) * | 1995-05-02 | 1996-11-22 | Nec Corp | 圧電アクチュエータ |
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