JPS62130283A - セラミツク基板へのＣｕコ−テイング方法 - Google Patents
セラミツク基板へのＣｕコ−テイング方法Info
- Publication number
- JPS62130283A JPS62130283A JP27125085A JP27125085A JPS62130283A JP S62130283 A JPS62130283 A JP S62130283A JP 27125085 A JP27125085 A JP 27125085A JP 27125085 A JP27125085 A JP 27125085A JP S62130283 A JPS62130283 A JP S62130283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- base plate
- ceramic base
- electroless
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プリント配線板を作る素材であるセラミック
基板へＣｕをコーティングする方法の改良に関する。
基板へＣｕをコーティングする方法の改良に関する。
（従来の技術）
従来、セラミック基板へＣｕをコーティングするには、
セラミック基板を脱脂した後、無電解ＣＵめっきを施し
ていた。
セラミック基板を脱脂した後、無電解ＣＵめっきを施し
ていた。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、上記従来のＣｕコーティング方法でＣｕをコ
ーティングしたセラミック基板は、フォトレジストによ
るパターン形成→パターンＣｕめっき→パターンＮｉめ
っき−パターンＡｕめっき→フォトレジスト除去−Ｃｕ
エツチングの各工程を経て所要の配線図形を形成してプ
リント配線板を作り、その後このプリント配線板の所要
位置に抵抗、コンデンサ、トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ
等の部品を搭載する為にこれらを半田付け （２６０℃
、２０秒程度）すると、無電解Ｃｕめっき層がセラミッ
ク基板より剥離することがあって、セラミック基板と無
電解Ｃｕめっき層との接着部が耐熱性に劣るという問題
があった。
ーティングしたセラミック基板は、フォトレジストによ
るパターン形成→パターンＣｕめっき→パターンＮｉめ
っき−パターンＡｕめっき→フォトレジスト除去−Ｃｕ
エツチングの各工程を経て所要の配線図形を形成してプ
リント配線板を作り、その後このプリント配線板の所要
位置に抵抗、コンデンサ、トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ
等の部品を搭載する為にこれらを半田付け （２６０℃
、２０秒程度）すると、無電解Ｃｕめっき層がセラミッ
ク基板より剥離することがあって、セラミック基板と無
電解Ｃｕめっき層との接着部が耐熱性に劣るという問題
があった。
これは上記の半田付けにより、無電解Ｃｕめっき層が加
熱されるのであるが、セラミックとＣｕとの間には大き
な熱膨張差、熱伝導差がある為、無電解Ｃｕめっきが上
記の半田付は後急速に冷却し収縮してセラミックとの界
面での付着力が低下し、従ってＣｕの接着強度が弱くな
るからである。
熱されるのであるが、セラミックとＣｕとの間には大き
な熱膨張差、熱伝導差がある為、無電解Ｃｕめっきが上
記の半田付は後急速に冷却し収縮してセラミックとの界
面での付着力が低下し、従ってＣｕの接着強度が弱くな
るからである。
そこで本発明は、高温でのセラミック基板に対するＣｕ
の接着強度が高く、耐熱性に優れたＣｕコーティングの
セラミック基手反を得ようとするものである。
の接着強度が高く、耐熱性に優れたＣｕコーティングの
セラミック基手反を得ようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明によるセラミック基
板へのコーティング方法は、セラミック基板を脱脂して
無電解Ｎｉめっきを施した後、無電解Ｃｕめっきを施す
ことを特徴するものである。
板へのコーティング方法は、セラミック基板を脱脂して
無電解Ｎｉめっきを施した後、無電解Ｃｕめっきを施す
ことを特徴するものである。
（作用）
上記のように本発明のセラミック基板へのＣｕコーティ
ング方法は、セラミック基板とＣｕとの間にＮｉめっき
を介在するので、セラミックと熱膨張差、熱伝導差の小
さいＮｉは高温でのセラミック基板との付着力が良好で
あり、またこのＮｉはＣｕとの熱膨張差、熱伝導差がセ
ラミックよりも這かに小さいので、Ｃｕとの付着力が良
好である。従って、高温でのセラミック基板に対するＣ
Ｕの接着強度が高くなり、耐熱性に優れたＣｕコーティ
ングとなる。
ング方法は、セラミック基板とＣｕとの間にＮｉめっき
を介在するので、セラミックと熱膨張差、熱伝導差の小
さいＮｉは高温でのセラミック基板との付着力が良好で
あり、またこのＮｉはＣｕとの熱膨張差、熱伝導差がセ
ラミックよりも這かに小さいので、Ｃｕとの付着力が良
好である。従って、高温でのセラミック基板に対するＣ
Ｕの接着強度が高くなり、耐熱性に優れたＣｕコーティ
ングとなる。
（実施例）
本発明によるセラミック基板へのＣｕコーティング方法
の一実施例を説明すると、縦８０＋ｕ、横８０１、厚さ
０ 、８ ａｍの９６％アルミナ基板をアルカリ脱脂し
た後、両面に無電解Ｎｉめっき、本例ではＮ１−８１％
を無電解めっきにて０．５μコーテイングし、然る後そ
の上に無電解めっきしてＣｕを２μコーテイングした。
の一実施例を説明すると、縦８０＋ｕ、横８０１、厚さ
０ 、８ ａｍの９６％アルミナ基板をアルカリ脱脂し
た後、両面に無電解Ｎｉめっき、本例ではＮ１−８１％
を無電解めっきにて０．５μコーテイングし、然る後そ
の上に無電解めっきしてＣｕを２μコーテイングした。
このＣｕコーティングのアルミナ基板に、フォトレジス
トによるパターン形成→パターンＣｕめっき→パターン
Ｎｉめっき→パターンＡｕめっき一フォトレジストの除
去−Ｃｕと及びＮｉエツチングの各工程を経て所要の配
線図形を形成してプリント配′！ＪＡ仮を作り、その後
このプリント配線板の所要位置にＩＣを搭載すべく配線
上にＩＣを半田付けした処、このＩＣ搭載部の配線の下
地であ゛る無電解Ｃｕめっき層は加熱（２６０℃、２０
秒程度）されても無電解Ｎｉめっき層の介在によりアル
ミナ基板より剥離することがなかった。また５００℃、
３０分の過酷な高温雰囲気に曝されてもブリスター等の
外観異常は全く認められなかった。
トによるパターン形成→パターンＣｕめっき→パターン
Ｎｉめっき→パターンＡｕめっき一フォトレジストの除
去−Ｃｕと及びＮｉエツチングの各工程を経て所要の配
線図形を形成してプリント配′！ＪＡ仮を作り、その後
このプリント配線板の所要位置にＩＣを搭載すべく配線
上にＩＣを半田付けした処、このＩＣ搭載部の配線の下
地であ゛る無電解Ｃｕめっき層は加熱（２６０℃、２０
秒程度）されても無電解Ｎｉめっき層の介在によりアル
ミナ基板より剥離することがなかった。また５００℃、
３０分の過酷な高温雰囲気に曝されてもブリスター等の
外観異常は全く認められなかった。
尚、上記実施例ではセラミック基板がアルミナ基板であ
るが、これに限るものではない。また無電解Ｎｉめっき
は、Ｎ１−Ｂであるが、Ｎ１−Ｐでも良いものである。
るが、これに限るものではない。また無電解Ｎｉめっき
は、Ｎ１−Ｂであるが、Ｎ１−Ｐでも良いものである。
さらに無電解めっきの厚さ０．１〜１μが好適である。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のセラミック基（反への
Ｃｕコーティング方法は、セラミック基板へ無電解Ｃｕ
めっきを施す前に、無電解Ｎｉめっきを予備めっきする
ので、その後流した無電解ＣＵめっきは無電解Ｎｉめっ
きがセラミック基板と無電解Ｃｕめっきとの熱膨張差、
熱伝導差が小さい為、該無電解Ｎｉめっきを介してセラ
ミック基板と良好に付着される。従って、高温でのセラ
ミック基板に対するＣｕの接着強度が高くなって、プリ
ント配線板製作後の部品搭載の為の配線上への半田付は
等の高温雰囲気に於いて、無電解Ｃｕめっきが決して剥
離することの無い信頼性の高い耐熱性に優れたプリント
配線板用のＣｕコーティングセラミック基板を得ること
ができる。
Ｃｕコーティング方法は、セラミック基板へ無電解Ｃｕ
めっきを施す前に、無電解Ｎｉめっきを予備めっきする
ので、その後流した無電解ＣＵめっきは無電解Ｎｉめっ
きがセラミック基板と無電解Ｃｕめっきとの熱膨張差、
熱伝導差が小さい為、該無電解Ｎｉめっきを介してセラ
ミック基板と良好に付着される。従って、高温でのセラ
ミック基板に対するＣｕの接着強度が高くなって、プリ
ント配線板製作後の部品搭載の為の配線上への半田付は
等の高温雰囲気に於いて、無電解Ｃｕめっきが決して剥
離することの無い信頼性の高い耐熱性に優れたプリント
配線板用のＣｕコーティングセラミック基板を得ること
ができる。
Claims (1)
- セラミック基板を脱脂して無電解Ｎｉめっきを施した
後、無電解Ｃｕめっきを施すことを特徴とするセラミッ
ク基板へのＣｕコーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27125085A JPS62130283A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | セラミツク基板へのＣｕコ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27125085A JPS62130283A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | セラミツク基板へのＣｕコ−テイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130283A true JPS62130283A (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=17497452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27125085A Pending JPS62130283A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | セラミツク基板へのＣｕコ−テイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62130283A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002089749A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-03-27 | Toto Ltd | 給水管接続方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118571A (en) * | 1978-03-06 | 1979-09-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing printed circuit board |
| JPS5562156A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-10 | Schering Ag | Manufacture of metal pattern on electric insulating supporter by photochemical method |
-
1985
- 1985-12-02 JP JP27125085A patent/JPS62130283A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118571A (en) * | 1978-03-06 | 1979-09-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing printed circuit board |
| JPS5562156A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-10 | Schering Ag | Manufacture of metal pattern on electric insulating supporter by photochemical method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002089749A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-03-27 | Toto Ltd | 給水管接続方法 |
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